JPS59130401A - 電気的抵抗体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は抵抗体およびその製造方法ｌこ関する。

なお特（こ本発明は、広範囲の抵抗性および抵抗の比較
的低い温度係数を与える抵抗体を提供し、かつそれが比
較的安価な物質から作られるガラス質エナメル抵抗体物
質に関する。

最近経済的（こ使用されるよう（どなった電気抵抗体物
質の種類はガラス質抵抗体物質であり、それはガラスフ
リットと電気導伝物質の細かく分割された粒子の混合か
らなる。ガラス質エナメル抵抗体物質は通常セラミック
である電気的絶縁物質の基板の面に被覆され、そしてガ
ラスフリットを溶かすよう（こ焼かれる。冷されたとき
、その中に分散された導電物質を有するカラスの薄膜が
形成される。

今まで広範囲な抵抗値を有する電気抵抗体が要望され、
それはそれぞれの特性で広範囲な抵抗値の抵抗体を作る
ことを可能をこするガラス質エナメル抵抗′体物質を有
するこぶが好ましい。しかしながら、高い抵抗性を有し
かつまた温度変化で比較的安定な、すなわち抵抗の低い
温度係数を有する抵抗体を提供するカラス質エナメル抵
抗体物質の提供（こ関して問題が起った。広範囲な抵抗
性および抵抗の低い温度係数の両方を満す抵抗体物質は
導伝粒子として一般に貴金属を適用し、それゆえ比較的
高価となる。

スズ酸化物の熱分解的滞積薄膜が抵抗体として使用され
、それはＪＯＵ几ＮＡＬ　　、ＯＦ　　ＴＨＥＢＲＩＴ
Ｉ８１−Ｉ　　Ｉ、凡、Ｅ、１９６１年４月３０１〜３
０４頁に掲載された６スズ酸化物抵抗体”において１（
１、ｉ−１、Ｗ　、　Ｂｕｒｋｅ　ｔ　ｔ　　により開
示された。

しかしながらＢｕｒｋｅｔｔｌこより開示されたかかる
スズ酸化物抵抗体薄膜は比戟的不安定でありかつ高い負
の抵抗温度係数を有した。スズ酸化物抵抗体薄膜の不安
定さはまた、１９５１年８月２１日にＪｏｈｎ　ＡＬＭ
ｏｃｈｅｌに許可された米国特許第２５６４７０７号名
称６ガラスおよび他のセラミック体の′ば気的導伝被覆
”ｔこも示されている。

Ｍｏｃｈｅｌはスズ酸化物を他の物質でドープすること
によりこの不安定を除去することを試みた。そノ技術ト
シテ、ＩＥｃＴＥＩ、０ＮＩＣＣＯＭＰＯＮＢＮＴ８゜
１９６７年３月２５９−２６２頁に題名６高値、高電圧
抵抗体”としてＪ　、　Ｄｅａｒｄｅｎにより解説され
たように、アンチモニーでドープされたスズ酸化物がガ
ラス質エナメル抵抗体物質【こ使用されたが、この物質
は高い負の抵抗温度係数を有する。

それゆえ本発明の目的は、新規な抵抗体物質から作られ
る抵抗体を提供することにある。

本発明の他の目的は、新規なガラス質エナメル抵抗体物
質から作られる抵抗体を提供すること（こある。

本発明のさらに他の目的は、広範囲な抵抗性および比較
的低い抵抗温度係数の抵抗体を提供することにある。

本発明のもう一つの目的は、高い抵抗性および比較的低
い抵抗温度係数を有し、かつ比較的安価な物質で作られ
る抵抗体を提供することにある。

他の目的は以下に明らかにされる。

これらの目的はガラスフリットとスズ酸化物の細かく分
割された粒子との混合物からなる抵抗体物質により達成
される。スズ酸化物はガラスフリットと混合される前に
好才しくは熱処理される。

したがって本発明は以下に述べられる組成で例示された
特性、本質および構成要素の関係を所有している物質の
組成を備え、発明の範囲は特許請求の範囲に示される。

発明の性質および目的のより十分な理解のため、添付図
面と関係して以下の詳細な説明が参照される。

図は本発明の抵抗体物質で作られた抵抗体の部分の断面
図である。

本発明のガラス質エナメル抵抗体物質は全体としてカラ
ス質ガラスフリットおよびスズ酸化物（Ｓｎｏ、）の細
い粒子の混合物を備える。ガラスフリットは体積で３０
条から８０係の量、好ましくは４０％から６０−の量の
抵抗体物質を表わす。

使用されるガラスフリットは導伝相のそれ以下の軟化点
を有さねばならない。硼珪酸塩フリ・ソト、特にバリウ
ムまたはカルシウム硼珪酸塩、フリ・ン、トのようなア
ルカリ土類硼珪酸塩フリットの使用が好ましいことが発
見された。かかるフリットの調合はよく仰られ、かつた
とえばカミラスの構成要素に酸化物構成要素の形で、Ｃ
）つしよに融解し、そしてか〜る融解した組成を水にそ
そいでフリ・ノドの形ζこする。−かま分の成分はもち
ろんフリ・ント製造の通常の状態のもとで望ましい酸化
物を生じるいくらかの混合物である。たとえば硼素酸化
物は硼酸から得られ、珪素二酸化物はフリントから製造
され、バリウム酸化物はバリウム炭酸塩等から製造され
る。粗フリットはフリットの粒子寸法を減少しかつ略均
−な寸法のフリットを得るため好ましくはボールミルで
製粉される。・本発明の抵抗体物質はガラスフリットと
相当量のスズ酸化物粒子を十分Ｅこ混合することにより
作られうる。混合は好ましくは水または、プチルカービ
トルアセテートまたはブ千ルカービトルアセテート々ト
ルエンの混合物のような有機媒体内で原料をボール製粉
すること【こより行なわれる。混合物はそれから基板に
抵抗体物質を形成する好ましい方法のため、混合物の液
媒体を加減することにより適度な粘度に調整される。シ
ルクスクリーン印刷、すなわちスクリーンステンシル（
５ｃｒｅｅｎｓｔｅｎｃｉｌ’）を行なうため、前記液
体は蒸発させられ、かつ前記混合物はり、几ｅｕｓｃｈ
ｅ　およびＣｏｍｐａｎｙ　　、Ｎｅｗａｒｋ　Ｎｅ’
ｗ　Ｊｅｒｓｅｙにより１製造されるようなスズ酸化物
混合物を流動化するた広い抵抗範囲と抵抗温度係数のよ
り只い制御を与える抵抗体物質の他の製造方法はスズ酸
化物を始めに熱処理することである。なお、この熱処理
は、抵抗体物質の電気的抵抗率を調整するためにスズ酸
化物の制御された還元をおこさせるための工程であるが
、しかし、満足すべき抵抗体は熱処理することなしくこ
作ることができるため、この熱処理はかならずしも必要
ではない。熱処理されたスズ酸化物はそれから抵抗体物
質を形成するガラスフリットと混合される。スズ酸化物
粉末は以下の方法の１つで熱処理される。

熱処理１．　スズ酸化物を入れたボートは連続炉のベル
ト上に置かれる。ボートは窒素雰囲気で１時間周期最高
温度１１００℃で焼かれる。

熱処理２．　スズ酸化物を入れたボートは管炉に置かれ
かつ形成ガス（９５％Ｎ２および５％Ｈ，）が炉内（ζ
導入され、それはボート上を流れる。炉は５２５°Ｃに
加熱され、短い時間（略１０分まで）その温度（こ保た
れる。炉はそれから止められ、スズ酸化物を入れたボー
トは炉内で２００　”０またはそれ以下の温度に冷却さ
せられる。形成ガス雰囲気はスズ酸化物が炉から取り去
られ名まで維持される。

本発明の抵抗体物質で抵抗体を作るために、抵抗体物質
は基板の表面に均一な厚さくこ形成される。

基板は抵抗体物質の焼く温度に耐えうるどのような物質
体でもよい。基板は一般にガラス、磁器、煉石、バリウ
ムチタン酸塩、アルミナ等のセラミック体である。抵抗
体物質は基板の上（こブラシング、ディッピング、スプ
レィリング、またはスクリーンステンシル法により形成
されうる。抵抗体物質はそれから低温たとえば１５５°
Ｃで１５分間加熱するこ・とによるなどで乾燥される。

スズ酸化物ζこ混ぜられたスクリーニング媒介物は抵抗
体の燃焼の前にわずかに高い温度で加熱することにより
焼灼される。媒介物の焼灼は以下の方法の１つで行なわ
れる。

媒介物焼灼１．連続ベルト炉（こおいて璧素雰囲気中匙
時間周用１で最高温度３５０℃で焼く。

媒介物焼灼２．連続ベルト炉において空気雰囲気中核時
間周期で最高温度３５０°Ｏで焼く。

媒介物焼灼３．連続ベルト炉【こおいて空気雰囲気中核
時間周期で最高温度４００°Ｃで焼く。

媒介物焼灼４１箱型炉において空気雰囲気中１時間温度
４００℃で焼く。

抵抗体物質被覆を有する基板はそれから通常の炉におい
てガラスフリントが融解するようになる温度で焼かれる
。抵抗体物質はアルゴン、ヘリウムまたは窒素のような
不活性雰囲気で焼かれる。

抵抗および抵抗温度係数は使用される焼成温度により変
る。焼成温度は最適抵抗温度係数で所望の抵抗値を得る
ように選択される。しかしながら使用されるガラスフリ
ットの融解特性により最小焼成温度が決定される。基板
および抵抗体物質が冷されるとき、ガラス質エナメルが
同化し抵抗体物質を基板に固着する。

図に示すよう（こ、本発明の結果として得られる抵抗体
は全体的に１０で示される。抵抗体１ｏは基板の上に被
覆されかつ焼成された本発明の抵抗体物質の層１４を有
するセラミック基板１２を備える。抵抗体物質層１４は
スズ酸化物の細く分割された粒子１８を含んでいるガラ
ス１６を備える。

スズ酸化物粒子１８はガラス１６内に埋められかつ十分
に分散される。

以下実施例が発明のある好ましい詳細を説明するために
与えられるが、実施例の詳細は発明を限定する方法とし
て取られないことは理解される。

実施例　１ 抵抗体物質はスズ酸化物粒子の体積５０％、および重量
で４２％のバリウム酸化物（Ｂａｄ）、２０％の硼素酸
化物（Ｂｔ　０３　）および３８チの珪素＝酸化物（Ｓ
ｉｎ、）の組成のガラス粒子の体積５０％を混合するこ
とによって作られる。スズ酸化物とガラスとの混合物は
プチルカービトルアセテート内で１日中ポール製粉され
る。プチルカービトールアセテートはそれから蒸発させ
られ、乾燥した混合物はそれから三段圧延機でＲｕｅｓ
ｃｈｅスクリーニング媒介物と混合される。

抵抗体物質はアルミナ基板の上に物質をスクリーニング
（ｓｃｒｅｅｎｉｎｇ　）することにより抵抗体に作ら
れる。抵抗体物質の層は１５分間１５０°Ｃで乾燥され
かつすでに述べられた媒介物焼灼１に当てられる。抵抗
体の異った１つはそれから連続ベルト炉において窒素雰
囲気中匙時間周期で８５０゛Ｃおよび１１５０℃間の異
った最高温度で焼成される。導伝銀塗料が６正方形抵抗
体、すなわち長さが幅の６倍を有する抵抗体を形成する
ために基板に塗布される。銀塗料は２００°Ｃで１時間
乾燥される。

以下の表に与えられた抵抗温度係数の値は室温（２５°
Ｃ）と−８１℃に取られた寒い側の測定値であり、ただ
し表８と９は室温と一７６℃に取られた寒い側の測定値
である。

表１．７．１４および１５はまた室温さ＋１５０°０（
こ取られた暑い側の測定による抵抗温度係数の値を与え
る。寒い側および暑い側で取られた抵抗温度係数の値の
比較から、暑い側の値力≦対応している寒い側の値より
一般により正であり、力Ｓつ抵抗温度係数は非常に安定
しているとして抵抗体を特徴づけることがわかる。

表１は実施例１にしたがって作られかつ異った温度で焼
成された種々な抵抗体の抵抗値および抵表　　　１ 最高焼成　２５°Ｃでの平均　　平均抵抗温度係数温度
”Ｃ抵抗Ｏｈｍｓ／正　　−８１℃　＋１５０℃８５０
　　　８０．６ｋ　　　　　＋６０　　　−９００　　
　６１．９ｋ　　　　　＋８６　　　−９５０　　　　
５４．３ｋ　　　　　＋１８２　　　＋２２８１．００
０　　　３６．３ｋ　　　　　＋６６　　＋２２２１０
５０　　　１８．９ｋ　　　　　±６５　　　±６４１
１００　　　８．２４ｋ　　　　−６３＋２６４１．１
５０　　　　５．７０ｋ　　　　−６９１一実施例２ 抵抗体物質はスズ酸化物の体積２０％およびガラス粒子
の体積８０チを含んだ抵抗体物質である点を除いて実施
例１と同じ方法で作られる。抵抗体物質は実施例１で述
べられたのと同じ方法で抵抗体ｔご作られる。表２は異
った温度で焼成された抵抗体の抵抗値および抵抗温度係
数を示す。

表　　　２ 最高焼成　２５°Ｃでの平均　　平均抵抗温度係数温度
°Ｃ抵抗Ｑｈｍｓ／　　　　　　−８１°Ｃ正方形　　
　　　ｐｐｍ／’０ １０００　　　＞　１８ｍｅｇ　　　　　　　−１０５
０７、１６ｍｅｇ　　　　−５０９１１００８８３ｋ　
　　　　　　−１０７８実施例　３ 抵抗体物質はスズ酸化物の体積３０％およびガラス粒子
の体積７０チを含んだ抵抗物質であることを除いて実施
例１と同じ方法で作られる。抵抗体物質は実施例１で述
べられたのと同じ方法で抵抗体に作られる。表３は異っ
た温度で焼成された表　　　３ 最高焼成　　　２５υでの平均抵抗　平均抵抗温度係数
温＃ｔ　　　　　　Ｏｈｍｓ／正方形　　　−８１ｔｐ
ｐｍ／υ１０００　　　　　　＞１．６ｍｅｇ　　　　
　　　　　　−１０５０９３２ｋ　　　　　　　　　−
２２９１１００１０５ｋ　　　　　　　　　　　−３９
実施例　４ 抵抗体物質はスズ酸化物の体積４０％およびガラス粒子
の体積６０％を含んだ抵抗体物質であることを除いて実
施例１と同じ方法で作られる。抵抗体物質は実施例１で
述べられたのと同じ方法で抵抗体に作られる。表４は異
った温度で焼成され表　　４ 最高焼成　　２５ｔでの平均　平均抵抗温度係数温度υ
　　　抵抗Ｏｈｍｓ　／　　　　−８１”正方形　　　
　　　ｐｐｒｎ　／　１１１′８５０　　５゜０２ｍｅ
ｇ　　　　　　−３４８９００３，５９ｍｅｇ　　　　
　　−４８２９５０２，６８ｍｅｇ　　　　　　−５０
３１００９８３３ｋ　　　　　　　−３２２１０５０２
０９ｋ　　　　　　　−２８２１１００５０，５ｋ　　
　　　　−１５７抵抗体物質はスズ酸化物の体積６０チ
およびガラス粒子の体積４０％を含んだ抵抗体物質であ
ることを除いて実施例１と同じ方法で作られる。抵抗体
物質は実施例１で述べられたのと同じ方法で抵抗体に作
られる。表５は異った温度で焼成された抵抗体の抵抗値
および抵抗温度係数を示す。

表　　　５ 最高焼成　　２５ｆでの平均抵抗　平均抵抗温度係数ｉ
＆ＨＪｔ”　　　　Ｏｈｍｓ／正方形　　　　−８１υ
ｐｐｍ　／　ｒ： ９００　　　　　４７゜３ｋ　　　　　　　　−８８９
５０３４，９ｋ　　　　　　　　−１００１０００１７
，５ｋ　　　　　　　　−２０９１０５０８，０６ｋ　
　　　　　　　−２７０１１００４゜５９ｋ　　　　　
　　−６６０１１５０７，６ｋ　　　　　　　　−２０
４３実施例　６ 抵抗体物質はスズ酸化物の体積７０％およびガラス粒子
の体積４０係を含んだ抵抗体物質であることを除いて実
施例１と同じ方法で作られる。抵抗体物質は実施例１で
述べられたのと同じ方法で抵抗体に作られる。表６は異
った温度で焼成された抵抗体の抵抗値および抵抗温度係
数を示す。

表　　　６ 最高焼成　２５′ｃでの平均抵抗　平均抵抗温度係数温
ｙｖ　　　　Ｏｈｍｓ／正方形　　　　−８１′ｃ９０
０　　　　　４６゜５ｋ　　　　　　　−８３７９５０
２９，８ｋ　　　　　　　＝９７１ＬＯＯＯ１３゜ｌｋ
　　　　　　　−１１１３１０５０６，５９ｋ　　　　
　　−１１４２１１００４，２５ｋ　　　　　　−１８
０４１１５０１０，３ｋ　　　　　　　−５４０４実施
例　７ 抵抗体物質は使用されるガラスが重量でバリウム酸化物
（Ｂａｄ）４８チ、カルシウム酸化物（Ｃａｂ）８チ、
１創素酸化物（Ｂ２（Ｊ３）２３条および珪素二酸化物
（Ｓｉｎ、）の組成であることを除いて実施例１で述べ
られたのと同じ方法で作られる。抵抗体物質は実施？＋
１１と同じ方法で抵抗体に作られる。表７は異った温度
で焼成された抵抗体の抵抗値および抵抗温度係数を示す
。

表　　７ 取商焼成　２５℃での平均抵抗　平均抵抗温度係数温Ｉ
Ｊｔ　１：’　　　　Ｏｈｒｎｓ　／正方形　　−８１
ｔ　＋１５０ｔＰＰｍ／υ　ｐｐｒｒμ ８５０　　　　　３．３１ｋ　　　　−３７７−９００
１５７ｋ　　　　−１８４− ９５０９１゜７ｋ　　　＋３９　　＋４７１０００　　
　　　４２．９　　ｋ　　　　　＋１７６　　　＋２２
１１０５０　　　　　２０．１　　ｋ　　　　　＋１７
６　　　士３０１実施例　８ 抵抗体物質は使用されるガラスが重量でノクリウム酸化
物（Ｂａｄ）４６％、硼素酸化物＜Ｂｚｏｓ）２０％、
アルミニウムば化物（Ａ１２０ｓ　）　４％および珪素
酸化物（Ｓｔｅｗ）３０％の組成であることを除いて実
施例１で述べられたのと同じ方法で作られる。抵抗体物
質は実施例１と同じ方法で抵抗体に作られる。表８は異
った温度で焼成された抵抗体の抵抗値および抵抗温度係
数を示す。

表　　８ 最高焼成　２５′ｃでの平均抵抗　平均抵抗温度係数温
度’ｃ　　　　Ｏｈｍｓ／正方形　　−７６’Ｃｐｐｍ
／υ９０’０　　　　３１６　ｋ　　　　　　　　−２
６４９５０２０９に−２２６ １０００９６ｋ　　　　　　　　−２４１０５０４０，
９ｋ　　　　　　　＋　５８実施例　９ 抵抗体物質は使用されるガラスが重量でバリウム酸化物
（Ｂａｄ）３１％、マグネシウム酸化物（ＭｇＯ）０．
７％、カルシウム酸化物（Ｃａｂ、）９．１係、硼素酸
化物（Ｂ、０．）４．５％、アルミニウム酸化物（Ａｌ
ｚＯｓ）６．３％、珪素酸化物（ＳｉＯ□）４５゜６％
およびジルコニウム酸化物（Ｚｒ０２）２．８％の組成
であることを除いて実施例１で述べられたのと同じ方法
で作られる。抵抗体物Ｖｔは実施例１と同じ方法で抵抗
体に作られる。

表９は異った温度で焼成された抵抗体の抵抗値および抵
抗温度係数を示す。

表　　９ 最高焼成　　２５′ｃでの平均抵抗　平均抵抗温度係数
９００　　　　　　１７７ｋ　　　　　　　　−４４２
９５０１１５ｋ　　　　　　　　−３８６１０００９６
ｋ　　　　　　　　−７７４実施例　１０ 抵抗体物質は実施例１と同じ方法で作られる。

抵抗体物質はそれが乾燥された後媒介物焼灼に服従しな
いことを除いて実施例１と同じ方法で抵抗体に作られる
。表１０は異る温度で焼成された抵抗体の抵抗値および
抵抗温度係数を示す。

表　　和 最高焼成　　２５′ｃでの平均抵抗　平均抵抗温度係数
９５０　　　　５０．７ｋ　　　　　　＋１４６１００
０　　　　　３２．２ｋ　　　　　　　−５７１０５０
１８，２ｋ　　　　　　　−９１実施例　１１ 抵抗体物質は実施例１と同じ方法で作られる。

抵抗体物質はそれがすでに述べられた媒介物焼灼２を受
けることを除いて実施例１と同じ方法で抵抗体に作られ
る。表１１は異る温度で焼成された折衷　　１１ 最高焼成　２５℃での平均抵抗　平均抵抗温度係数８５
０　　　　　５４、ｊｌ　　　　　　　−２８９００４
１，８ｋ　　　　　　　　＋１４６９５０　　　　　　
３１．２ｋ　　　　　　　＋１４２１０００　　　　　
２３．５ｋ　　　　　　　−２４１０５０１４，１ｋ　
　　　　　　−５４１１００７，６２ｋ　　　　　　−
２９０実施・クリ　　１２ 抵抗体物質は実施例１と同じ方法で作られる。

抵抗体ｖｌＪＸはそれがすでに遅べられた媒介物焼灼３
を受けることを除いて実施例１と同じ方法で抵抗体に作
られる。表１２は異なる温度で焼灼された表　　　１２ 最高焼成　　２５でての半絢坦抗　半均抵抗温度降載９
００　　　　　　　３５ｋ　　　　　　　　　−２０３
２９５０３０１＜　　　　　　　　　　−１４３６１０
００２８，５ｋ　　　　　　　　−２６６８実施例　１
３ 抵抗体物質は実施例１で述べられた方法と同じ方法で作
られる。抵抗体物質は抵抗体物質がすでに述べられた媒
介物焼灼４を受けさせられることを除いて実施例１で述
べられた方法と同じ方法で抵抗体に作られる。表１３は
異なる温度で焼成され表　　１３ 藺０　　　３４．３ｋ　　　　　＝６８１９００　　　
　　２４．２ｋ　　　　　　　−４８５９５０２４，４
ｋ　　　　　　　　−５９８１０００２４，９ｋ　　　
　　　　　−９２０１０５０２３ｋ　　　　　　　　−
９１０１１００２４ｋ　　　　　　　　−２９４４抵抗
体物質はスズ酸化物がガラス粒子と混合される前に熱処
理１を受けさせられることを除いて実施例１で述べられ
た方法と同じ方法で作られる。

抵抗体物質は実施例１と同じ方法で抵抗体に作られる。

表１４は異る温度で焼成された抵抗体の抵抗値および抵
抗温度係数を示す。

表　　１４ 最高焼成　　２１での平均抵抗　　平均抵抗温度係数温
’ｔｉｃ　　　Ｏｈｍｓ／正方形　　−２３１ｔ　　＋
１５０υ８５０　　　　　　　　　３５５ｋ　　　　　
　　　−２９０−９００２２９ｋ　　　　　　−３６７
−９５０１４７ｋ　　　　　　−１０９−７２１０００
７７，５ｋ　　　　　　−１５＋５５１０５０　　　　
　　　　３４．５ｋ　　　　　　±２７　　＋４９１１
００　　　　１２．１ｋ　　　＋６４　−抵抗体物質は
スズ酸化物がガラス粒子と混合される前に熱処理２を受
けさせられることを除いて実施例１と同じ方法で作られ
る。抵抗体物質は実施例１と同じ方法で抵抗体に作られ
る。表１５は異なる温度で焼成された抵抗体の抵抗値お
よび抵抗温度係数を示す。

表　　１５ 最高焼成　２１でのｔ均抵抗平均抵抗温度係数温Ｈ′ｃ
　　Ｏｈｍｓ／正方形　　−８１ｕ　　＋１５０ｔｐｐ
ｍ／１ｐｐｒＥ ８５０　　　　　７７６ｋ　　　　　　−３０７−９０
０４４１ｋ　　　、、、−２７３−９５０２４８ｋ　　
　　　−１３８−１８１１０００１０２ｋ　　　　　−
６７−１００ｉ０５０　　　３４゜３ｋ　　　＋４０　
　＋１７１１００　　　　　　８．２８ｋ　　　　＋１
９４　　　＋２２８１１５０　　　　　　２．７５ｋ　
　　　＋２３６　　　＋４５１上記実施例から不発明の
抵抗体の゛−気気持特性おいて、抵抗体物質の組成およ
び抵抗体物質を作る方法の変化の結果が見られる。実施
例１，２゜３．４，５および６はスズ酸化物とガラスフ
リットの割合を変化した結果を示す。実施例１，７゜８
および９はガラスフリットの組成を変化した結果を示す
。実施例１，１０，１１，１２および１３は媒介物焼灼
状態を変化した結果を示す。実施例１，１４および１５
はスズ酸化物を熱処理した結果を示す。

すべ・ての実施例は抵抗体の焼成温度を変化した結果を
示す。かくして本発明により温度に関して比較的安定で
ありかつ比較的安価な物質で作られスズ酸化物を導伝層
として使用しているガラス質エナメル抵抗体が提供され
る。

発明の抵抗体には市販のニッケル上薬ＣＥＲＭＡＬＯＹ
　７１２８　　の端子が設けられかつ温度周期試験が行
なわれる。試験中温度は一５５υと＋８５υの間を５回
繰り返される。結果としての抵抗変化は小さく、０．０
５％以下である。上記の結果はＭｏｃｈｅｌ　により達
成されかつ彼の特許第２５６４７０７号に述べられた熱
分解的滞積スズ酸化物抵抗体が温度周期により試験を受
けさせられたときの不安定性に比べて非常に満足でおき
るものである。

貴金属を基本とする抵抗体上薬は一般的には白金、パラ
ジウムおよび金のような高価な貴金属を端子とする必要
がある。しかるに本発明の抵抗体は端子を銅やニッケル
のような非貴金属で作っても問題はない。これは抵抗体
のコストの減少およびよりハンダ付けしやすい端子の提
供の両面で有利である。

不発明は上記実施例のみに限定されるものではなく、要
旨から逸脱しない範囲で種々変形して実施しうるもので
ある。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の抵抗体物質で作られた抵抗体の部分的断面
図である。 １０・・・抵抗体、１２・・・セラミック基礎、１４・
・・抵抗体物質層、ｔ６・・・ガラス、１８・・・スズ
酸化物粒子。 出願人代理人　　猪　股　　　　清

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、セラミック基板とこの基板の面にある抵抗体記載の
   電気的抵抗体。 ３、スズ酸化物粒子は体積比で４０％ないし６０％の量
   含有する特許請求の範囲第２項記載の電気的抵抗体。 ４、スズ酸化物粒子が熱処理スズ酸化物である特許請求
   の範囲第２項記載の電気的抵抗体。 ５、ガラスが硼珪酸塩ガラスである特許請求の範囲第２
   項記載の電気的抵抗体。 ６、ガラスがアルカリ土類硼珪酸塩ガラスである特許請
   求の範囲第５項記載の電気的抵抗体。 混合物を基板の上に形成し、この被覆された基個■―■
   −１−１−−−■■■■■１吻−−１胛□−−■■■−
   −−一温度に焼成する段階を備えた電気的抵抗体の製造
   方法。 ８ガラスフリツトとスズ酸化物とが混合物を基板に形成
   するために適当な媒介物で混合され、混合物が基板に形
   成された後それが乾燥される特許請求の範囲第７項記載
   の方法。 ９、被捷さｎた基板を焼成する前に、それ・が混合物の
   媒介物を焼灼するためｔこ加熱される特許請求の範囲第
   ８項記載の方法。 １０、被覆された基板が媒介物の焼灼のため空気中で３
   ５０℃に加熱される特許請求の範凹第９項記載の方法。 １１被覆された基板が媒介物の焼灼のため窒素雰囲気で
   ３５０°ｃｒこ加熱される特許請求の範囲第９項記載の
   方法。 １２、被覆された基板が媒介物の焼灼のため空気中で４
   ００”ＣＲ：加熱される特許請求の範囲第９項記載の方
   法。 １３、スズ酸化物をガラスフリットと混合する前にスズ
   酸化物が熱処理される特許請求の範囲第７項記載の方法
   。 １４、スズ酸化物が窒素雰囲気を有する炉内で略１時間
   最高温度１１００″Ｃで熱処理される特許請求の範囲第
   １３項記載の方法。 １５、スズ酸化物が形成ガス雰囲気中で略１０分間略５
   ２５°Ｃに加熱することにより熱処理され、かつ形成ガ
   ス雰囲気で冷却することが許容される特許請求の範囲第
   １３項記載の方法。