DK154372B - Fremgangsmaade til fremstilling af elektriske modstande - Google Patents
Fremgangsmaade til fremstilling af elektriske modstande Download PDFInfo
- Publication number
- DK154372B DK154372B DK416076AA DK416076A DK154372B DK 154372 B DK154372 B DK 154372B DK 416076A A DK416076A A DK 416076AA DK 416076 A DK416076 A DK 416076A DK 154372 B DK154372 B DK 154372B
- Authority
- DK
- Denmark
- Prior art keywords
- resistance
- temperature
- resistors
- process according
- oxide
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the resistive component
- H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the resistive component composed of oxides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
i
DK 154372 B
Opfindelsen angår en fremgangsmåde til fremstilling af elektriske modstande på den i krav l’s indledning angivne måde.
I nyere tid anvendes der i tiltagende grad lagdelte elektriske g modstande, hvis modstands lag består af en blanding af en glasfritte og fint fordelte partikler af et elektrisk ledende eller halv ledende materiale. Det glasagt ige modstandsmateriale belægges på overf1aden af et substrat af et elektrisk isolerende materiale, sædvanligvis et keramisk basislegeme, og brændes derefter i en sådan grad, at glasfritten smelter. Når det afkøles, frembringes der således et glasagtigt modstandsmaterialelag, hvori de 1 edende partikler er indlejret og fordelt.
Fra DE-fremlæggelsesskrift nr. 16 46 752 kendes et halvleder-15 element bestående af metaloxider og et glasagtigt bindemiddel, f.eks. et glasfrittemateriale, hvorved der til opnåelsen af en særlig høj specifik modstand på 108 til 108 ohmem er disperge-ret pulverpartikler af det halvledende metaloxid Sn02, Ti O2, Sb205, WO3, Cr203, ^203, V2O5 og/eller 81303 i det glasagt ige 20 bindemiddel og metaloxidens pulverpartikler har en kornstørrelse, der er større end g 1aspu1 verets kornstørrelse. Ved anvendelsen af Sn02 som metaloxid kan alt efter den ønskede værdi af specifik modstand dettes procentandel svinge i området fra 10-35¾. For at sammensmelte det glasagt ige bindemiddels 25 partikler med hinanden uden herved at opløse metaloxidpartiklerne i det glasagtige materiale og for at give modstandslaget en ensartet specifik modstand, brændes blandingen på substratet ved en temperatur på fra ca. 650 til 700°C under normal stueatmosfære, hvorved der vælges et frittemateriale, som 30 allerede smelter ved en lavere temperatur. Undersøgelser har vist, at det halvlederelement, som fremstilles på kendt måde under brug af Sn02 som metaloxid, har en overordentiig stærk, negativ temperaturkoefficient.
35 Ifølge det, der er angivet af R.H.W. Burkett i en artike1 ”'":n Oxide Resistors" i Journal of the British I. R. E., apr·' 1961, side 301-304 fører anvendelsen af ren tinoxid t7 fremstillingen af forholdsvis tynde lagmodstande til et forholds
DK 154372 B
2 vis ustabilt lag med en ukontrolleret temperaturkoefficient. Fra denne artikel er det endvidere kendt, at tilsætningen af andre elementer til zinkoxid1 åget forbedrer stabiliteten og temperaturkoeffi ci enten.
5
Fra "Electronic Engineering", februar 1965, side 84-89 kendes anvendelsen af doteret tinoxid som ledende fase i såkaldte tyktlagsmodstande. Som tilsætningsstof eller doteringsstof anvendes der i sådanne modstande ifølge GB-patentskrift nr. 857.400 boroxid og/eller antimonoxid. Med sådanne flerkompo-nentsystemer, som i den ledende fase ud over zinkoxid også indeholder boroxid eller antimonoxid eller såvel antimon- som boroxid, lader der sig alt efter behandlingsmåden, indtil fremstillingen af den færdige tyktlagsmodstand, opnå tempera-turkoefficienter i området fra 850 til 2100 ppm/°C. Substratet bliver4' med henblik på remstillingen af modstanden brændt med blandingen ved en temperatur imellem 850 og 900°C i en oxiderende atmosfære.
Formålet med opfindelsen er under anvendelsen af tind i oxid 20 (Sn02) uden yderligere metaloxid som ledende materiale og under bibeholdelse af brede grænser for den specifikke modstand at opnå tydeligt lavere modstandstemperaturkoefficienter end ved de kendte fremgangsmåder.
25 Dette opnås ved hjælp af de i krav l's kendetegnende del angivne træk.
Trods konstateringen af den kendte teknik bygger opfindelsen på den erkendelse, at rent tinoxid (Sn02) i en passende blan-2q ding med en bors i 1 i katg 1 asf r i tte og ved brænding i et givet temperaturområde, ha·- de ønskede lave modstands-temperaturko-efficienter, hvorved der ved overholdelse af de i eksemplerne mere detaljeret angivne fremgangsmådeparametre lader sig opnå gennemsnitlige mods tands-temperaturkoeffi c i enter på mindre end 35 ±200 ppm/°C. Herved giver opfindelsen meta1 ox id-1avmodstande nye anvendelsesområder inden for den moderne præc isionselektronik.
DK 154372 B
3
Opfindelsen skal nærmere beskrives i det følgende under henvisning til tegningen, der viser et tværsnit af en del af en modstand, der er fremstillet ved fremgangsmåden ifølge opfindelsen .
5 I almindelighed omfatter det glasagtige modstands-overtrækma-ter i ale af en borsil ikatglasfritte og fine partikler af tinoxid (Sn02). Glasfritten er til stede i modstandsmaterialet i mængder på 30 til 80 volumen% og fortrinsvis i mængder på 40 jq til 60 volumen%.
Ved en videreudvikling af fremgangsmåden til fremstilling af modstandsmaterialet, ved hvilken der åbnes mulighed for et endnu bredere modstandsområde og fremstillingsmæssigt en bedre indstilling af modstands-temperaturkoeffi c i enten underkastes 15 tinoxiden først en varmebehandling. Den varmebehand1ede tinoxid blandes derefter med glasfritten til dannelsen af modstandsmaterialet. Derved blev tinoxidpulveret varmebehandlet på en af følgende måder: 20 Varmebehandling i. En båd indeholdende tinoxid placeres på bæltet i en kontinuert ovn. Båden brændes ved en spidstemperatur på 1100°C i en 1-timers cyklus i en nitrogenatmosfære.
Varmebehandling 2. En båd indeholdende tinoxid placeres i en 25 rørovn, og formeringsgas (95% N2 og 5% H2) indføres i ovnen, således at det stryger hen over båden. Ovnen opvarmes til 525eC og holdes på denne temperatur i en kort tidsperiode (cp til omkring 10 minutter). Ovnen slukkes derefter, og båden indeholdende tinoxiden afkøles sammen med ovnen til en tempera-3q tur på 200°C eller lavere. Former i ngsatmosf ær en bibeholde*^, indtil tinoxiden fjernes yra ovnen.
/
For at fremstille en modstand bliver modstandsmatar i a 1 et anbragt i en ensartet tykkelse på overfladen af et substrat eller et underlag. Substratet kan være et legeme af et mate»'i ?. I e; der kan modstå brændetemperaturen af modstandsmateriale·*-. Substratet er almindeligvis et keramisk legeme, såsom af glas, porcelæn, steatit, bar i umt i tanat, aluminiumoxid eller 1 igne·«- 35
DK 154372 B
4 de. Modstandsmaterialet kan påføres substratet ved børstning, dypning, sprøjtning eller rasterstenciIpåføring. Modstandsmaterialet tørres herefter, fortrinsvis ved opvarmning til en 1sv temperatur, f.eks. 150°C i 15 minutter. Bæremidlet, der er 5 blandet med tinoxiden, kan brændes af ved opvarmning til en højere temperatur forud for brændingen af modstanden. Bæremidlet brændes af på en af følgende måder: Bæremiddelafbrænding 1, Brændes ved en spidstemperatur på 3 50° C i en kontinuert bælteovn over en 30 minutters cyklus i en nitrogenatmosfære.
Bæremiddelafbrænding 2. Brændes ved en spidstemperatur på 350°C i en kontinuert bælteovn over en 30 minutters cyklus i en luftatmosfære.
15 Bæremiddelafbrænding 3. Brændes ved en spidstemperatur på 4000 C i en kontinuert bælteovn over en 30 minutters cyklus i en luftatmosfære.
20 Bæremiddel afbrænding 4. Brændes i en kasseformet ovn ved en temperatur på 400°C i en luftatmosfære i en time.
Substratet med det påførte modstandsmateriale brændes så i en konventionel ovn ved en temperatur, ved hvilken glasfritten smelter. Modstandsmaterialet brændes i en inaktiv atmosfære, 25 såsom argon, helium eller nitrogen. Modstandstemperaturkoeffi -cienten varierer med den anvendte brænd ingstemperatur. Brændingstemperaturen indstilles således, af aer tilvejebringes en ønsket modstandsværdi med en optimal modstandstemperaturkoefficient. Den minimale brændingstemperatur er imidlertid be- o 0 stemt af den anvendte glasfrittes sm€?lteegenskaber. Når sub-^ stratet og modstandsmaterialet afkøles, hærder det glasagcige overtræksmateriale (glasemalie), således at modstandsmater ia-1 et bringes i nær kontakt med substratet.
35 Som vist på tegningen er den resul terer.de modstand v'st ved det generelle henvisningstal 10. Modstanden 10 omfatter et keramisk substrat 12 med et lag 14 af modstandsmaterialet -følge opfindelsen anbragt og brændt herpå. Modstandsmateriale1åget
DK 154372 B
5 14 omfatter glasset 16, der indeholder fint fordelte partikler 18 af tinoxid. Tirioxidpartiklerne 18 er indlejret og fordelt i glasset 16.
De følgende eksempler illustrerer detaljer ved opfindelsen.
5
Eksempel 1.
Et modstandsmateriale blev fremstillet ved sammenblanding af 50 volumen% tinoxidparti kl er og 50 volumen% af glaspartikler, 10 hvorved glasset havde følgende sammensætning: 42 vægt% bariumoxid (BaO), 20 vægt% boroxid (B2O3) og 38 vægt% si 1iciumdioxid (S i 0 2)· Tinoxidglasblandingen blev malet i en kuglemølle med butylcarbitolacetat i en dag. Bu ty 1carbi to 1 acetatet blev derefter fordampet, og den tørre blanding blev blandet med et 15 sigtebæremiddel på en trevalsemølle eller treva 1 sebi ander .
Modstandsmaterialet blev videreforarbejdet til modstande ved sigtning på a 1uminiumoxidsubstrat. Modstandsmaterialelagene blev tørret i 15 minutter ved 150°C og derefter underkastet 20 bærem idde1 afbrænd ing 1 som tidligere beskrevet. De forskellige modstande blev derefter brændt ved forskellige spidstemperaturer mellem 850°C og 1150°C over en halv times cyklus i en nitrogenatmosfære i en kontinuert bælteovn. En ledende sølv-maling blev derefter påført substratet for at danne en seks-25 kvadratmodstand, dvs. en modstand, der har en længde på 6 gange dets bredde. Sølvmalingen blev hærdet i en time ved 200eC.
Værdierne fra modstandstemperaturkoefficienten, der vises i de følgende tabeller, er taget som målinger ved den kolde side ved stuetemperatur (25°C) og ved -81°C, bortset fra tabel VIII 30 og IX, hvor målingerne ved den kolde side foretages ved stuetemperatur og ved -76°C. Tabel I, VII, XIV og XV viser og: r. værdier for modstandstemperaturkoeffi c ie^ten for målinger ved den varme side taget ved stuetemperatur og ved <-150°C. Ved en sammenligning af værdierne for modstandstemperaturkoefricien-35 ten taget ved den kolde og den varme side ses det, at værdierne ved den varme side i almindelighed er mere positive end de tilsvarende værdier ved den kolde side, og at værdierne karakteriserer modstandene som ekstremt stabile.
6
DK 1S4372 B
Tabel I viser modstandsværdierne og temperaturkoefficienterne for modstanden for de forskellige modstande, der er fremstillet i overensstemmelse med eksempel 1 og brændt ved forskellige temperaturer.
5 Tabel I
Højeste bræn- Gennemsnits- Gennemsnitstemperaturkoefficient ,. . modstanden for modstanden
dingstempe- ved ^ _8i»c +150°C
ratur °C_ohm/kvadrat ppm/°C_ppm/°C_ 850 80,6 k +60 900 61,9 k +86 950 54,3 k +182 +228 15 1000 36 3 k +66 +222 1050 18,9 k ±65 ± 64 1100 8,24 k -63 +264 1150 5,70 k -691 20
Eksempel 2.
Et modstandsmateriale blev fremstillet på samme måde som i eksempel 1 bortset fra, at modstandsmaterialet indeholdt 40 25 volumen% tinoxid og 60 volumen^ glaspartikler. Modstå ridsmaterialet blev tildannet til modstande på samme måde som beskrevet i eksempel 1. Tabel II viser modstandsværdierne og temperaturkoefficienterne for modstanden for modstande, der blev brændt ved forskellige temperaturer.
30 35
DK 154372 B
Tabel II.
7
Højeste bræn- Gennemsnits- Gennemsnitstemperaturkoeffi-. dingstempe- modstanden cient for modstanden 5 ratur °C ved 25 C -81 C
ohm/kvadrat ppm/°C
850 5,02 M - 348 900 3,95 M - 482 10 950 2,68 m - 503 1000 833 k - 322 1050 209 k - 282 1100 50,5 k - 157 15
Eksempel 3.
Et modstandsmateriale blev fremstillet på samme måde som i ek-20 sempel 1 bortset fra, at modstandsmaterialet indeholdt 60 vol urnen% tinoxid og 40 vol urnen% g 1 asparti kl er. Modstandsmaterialet blev tildannet til modstande på samme måde som beskrevet i eksempel 1. Tabel III viser modstandsværdierne og temperaturkoefficienterne for modstanden for modstande, der blev 25 brændt ved forskellige temperaturer.
Tabel II I_._ Højeste bræn- Gennemsnits- Gennemsnitstemperaturkoeffi- 30 dingstempe- modstanden cient for modstanden
ratur °C ved 25 C -81°C
ohm/kvadrat ppm/°C
900 47,3 k - 88 950 34,9 k -100 35 1000 17,5 k -209 1050 8,06 k -270 1100 4,59 k -660
DK 154372B
8
EKiEfflPel L
Et modstandsmateriale blev fremstillet på samme måde som i eksempel 1 bortset fra, at modstandsmaterialet indeholdt 70 5 volumen% tinoxid og 30 volumen% glaspartikler. Modstandsmate rialet blev tildannet til modstande på samme måde som beskrevet i eksempel 1. Tabel IV viser modstandsværdierne og temperaturkoefficienten for modstanden for modstande, der blev brændt ved forskellige temperaturer.
10 Tabel IV.
Højeste bræn- Gennemsnits- Gennemsnitstemperaturkoeffi- dingstempe- modstanden cient for modstanden
ratur °C ved 25°C -81°C
ohm/kvadrat ppm/C
15_____ 900 46,5 k - 837 950 29,8 k - 971 1000 13,1 k - 1113 2o 1050 6,56 k - 1142 1100 4,25 k - 1804 25 Eksempel 5.
Et modstandsmateriale blev fremstillet på samme måde som beskrevet i eksempel 1 bortset fra, at det anvendte glas var en sammensætning af 48 vægt% bariumoxid (BaO), 8 vægt% calciumoxid (CaO) og 23 vægtfe boroxid (B0O3) og 21 vægt% siliciumdi-oxid (Si02). Modstandsmaterialet blev tildannet til modstande på samme måde som beskrevet i eksempel 1, Tabel V viser modstandsværdierne og temperaturkoefficienten for modstanden for modstande, der blev brændt ved forskellige temperature'·.
35
DK 154372 B
Tabel V.
9 Højeste brænd- Gennemsnits- Gennemsnitstemperaturkoef- ingstempe- modstanden ficient :for modstanden ratur UC ved 25 C -81°C +150¾
5 ___Ohm/kvadrat_ppm/0 C_ppm/°C
850 331 k -377 900 157 k -184 950 91,7 k +39 +47 10 1000 42,9 k +176 +221 1050 20,1 k +176 +301
Eksempel 6.
15 Et modstandsmateriale blev fremstillet på samme måde som i eksempel 1 bortset fra, at det anvendte glas vårr en sammensætning af 46 vægt% bariumoxid (BaO), 20 vægt% borroxid (B2O3), 4 vægt% aluminiumoxid (AI2O3) og 30 vægt% si 1 ici.umdioxid (S i 0 2) -Modstandsmaterialet telev tildannet til modstanadre på samme måde 20 som beskrevet i eksempel 1. Tabel VI viser mottetåndsværdierne og temperaturkoefficienten for modstanden for modstande, der blev brændt ved forskellige temperaturer.
Tabel VI.
25 Højeste bræn- Gennemsnits- Gennemsnitstemperaturkoeffici- dingstempe- modstanden ent for modstanden
ratur °C ved 25UC - 76°C
_ ohm/kvadrat_ppm/°C__ 900 316 k - 264 30 950 209 k - 226 1000 96 k - 24 1050 40,9 k + 58
Eksempel 7.
35 10
DK 154372 B
Et modstandsmateriale blev fremstillet på samme måde som beskrevet i eksempel 1 bortset fra, at det anvendte glas var en sammensætning af 31 vægt% bariumoxid (BaO), 0,7 vægt% magnesiumoxid (MgO), 9,1 vægt% calciumoxid (CaO), 4,5 vægt% boroxid 5 (B2O3), 6,3 vægt% aluminiumoxid (Al2Ο3)» 45,6 vægt% silicium- dioxid (S i 0 2) og 2,8 vægt% 2 irconiumoxid (Z r0 2)- Modstandsmaterialet blev tildannet til modstande på samme måde som beskrevet i eksempel 1. Tabel VII viser modstandsværdierne og temperaturkoefficienten for modstanden for modstande, der blev 10 brændt ved forskellige temperaturer.
Tabel VII.
15 Højeste bræn- Gennemsnits- Gennemsnitstemperaturkoeffi- dingstempe- modstanden cient for modstanden
ratur °C ved 25UC - 76°C
__ohm/kvadrat_ppm/ C_ 900 177 k - 442 20 950 115 k - 386 1000 96 k - 774 25 Eksempel 8.
Et modstandsmateriale fremstilles på samme måde som beskrevet i eksempel 1. Modstandsmaterialet blev tildannet til modstande på samme måde som beskrevet i eksempel 1 bortset fra, at mod-30 standsmaterialet ikke undergik en bindemiddelafbrænding, efter at det blev tørret. Tabel VIII viser modstandsværdierne og temperaturkoefficienten for modstanden for modstande, der blev brændt ved forskellige temperaturer.
35
DK 154372 B
Tabel VIII.
11 Højeste træn- Gennemsnits- Gennemsnitstemperaturkoef- dingstempe- modstanden ficient :for modstanden
5 ratur °C ved 25°C - ;81°C
_ohm/kvadrat_ppm/°C_ 950 50,7 k + .146 1000 32,2 k - 57 1050 18,2 k -91 10 __
Eksempel 9.
Et modstandsmateriale blev fremstillet på samme måde som be-15 skrevet i eksempel 1, Modstandsmaterialet blev tildannet til modstande på samme måde som beskrevet i eksempel 1 bortset fra, at modstandsmaterialet blev underkastet beaerem i ddel af brændingen 2, der tidligere er beskrevet. Tabel IX viser modstandsværdierne og temperaturkoefficienten for modstanden for 20 modstande, der blev brændt ved forskellige temperaturer.
Tabel IX.
Højeste bræn- Gennemsnits- Gennemsnitstemperaturkoeffi- 25 dingstempe- modstanden cient for modstanden
ratur °C ved 25 C - 81°G
_ohm/kvadrat_ppm/°C_ 850 54,8 k - 28 900 41,8 k +146 30 950 31,2 k +142 1000 25,5 k - 24 1050 14,1 k - 54 1100 7,62 k -290
Eksempel 10.
35
DK 154372 B
12
Et modstandsmateriale fremstilles på samme måde som beskrevet i eksempel 1. Modstandsmaterialet blev tildannet til modstande på samme måde som beskrevet i eksempel 1 bortset fra, at modstandsmaterialet underkastes bæremiddelafbrænding 3, der tid-5 ligere er beskrevet. Tabel X viser modstandsværdierne og temperaturkoefficienten for modstanden for modstande, der blev brændt ved forskellige temperaturer.
Tabel X.
10 ------1 ------- Højeste bræn- Gennemsnits- Gennemsnitstemperaturkoeffi- dingstempe-^· modstanden cient for modstanden
ratur °C ved 25 C - 81 C
_ohm/kvadrat_ppm/QC_ 900 35 k - 2032 950 30 k - 1436 1 5 1000 28,5 k - 2669 20 Eksempel 11.
Et modstandsmateriale blev fremstillet på samme måde som beskrevet i eksempel 1. Modstandsmaterialet blev tildannet til modstande på samme måde som beskrevet i eksempel 1 bortset 25 fra, at modstandsmaterialet blev underkastet bæremiddelaf brænding 4, der er beskrevet tidligere. Tabel XI viser modstandsværdierne og temperaturkoefficienten for modstanden for modstande, der blev brændt ved forskellige temperaturer.
Tabel XI.
30 _ Højeste bræn- Gennemsnits- Gennemsnitstemperaturkoeffi- dingstempe- modstanden cient for modstanden
ratur °C ved 25 C -811°C
_ohm/kvadrat_ppm/°C_ 35 850 34,9 k - 681 900 24,2 k - 485 950 24,4 k - 598 1000 24,9 k - 920 1050 23 k - 910 1100 24 .k - 2944
DK 154372 B
13
Eksempel 12.
5
Et modstandsmaterial® blev fremstillet på samme måde som beskrevet i eksempel 1 bortset fra, at t i noxi den b71 ev underkastet varmebehandling 1, inden det blev blandet med glaspartiklerne. Modstandsmaterialet 'blev udformet til modstande på samme måde som beskrevet i eksempel 1. Tabel XII viser modstandsværdierne ^ og temperaturkoefficienten for modstanden af ^modstande, der blev brændt ved forskellige temperaturer.
Tabel XII.
15 Højeste bræn- Gennemsnits- Gennemsnitstemperaturkoeffi- dingstempe- modstanden cient for madsstanden
ratur UC ved 25 C -81°C +150 C
__ohm/kvadrat_ppm/°C_ppm/0 C_ 850 355 k - 290 2Q 900 229 k - 367 950 147 k - 109 - 72 1000 77,5 k - 15 + 55 1050 34,5 k ±27 +49 1100 12,1 k +64 25 _____
Eksempel 13.
30 Et modstandsmateriale blev fremstillet på samme måde som beskrevet i eksempel 1 bortset fra, at tinoxiden blev underkastet varmebehandling 2 iiiden blandingen med glaspartiklerne. Modstandsmaterialet blev tildannet til modstande på samme måde som beskrevet i eksempel 1. Tabel XIII viser modstandsværdier-35 ne og temperaturkoefficienten for modstanden for modstande, der blev brændt ved forskellige temperaturer.
Claims (8)
1. Fremgangsmåde til fremstilling af elektriske modstande, ved hvilken en finpulveret blanding af tindioxid (Sn02) og en 3g borsi 1ikatglasfri tte anbringes på et substrat, og substratet brændes med blandingen ved en given temperatur, som er højere end glasfrittens blødgøringstemperatur og lavere end tind i oxidens (Sn02) blødgøringstemperatur, kendetegnet ved, DK 154372 B at der anvendes fra 40 til 70 volumen% tindi oxidparti kl er i blandingen, og at forsendingen af substratet med blandingen foregår ved temperaturer imellem 850 og 1100\C i en inaktiv atmosfære. 5
2. Fremgangsmåde ifølge krav 1, kendet (egnet ved, at tindioxiden før blandingen med glasfritten underkastes eri varmebehandling i en nitrogen- eller former i ng^sgasatmosfære.
3. Fremgangsmåde ifølge krav 2, kendetegnet ved, 10 at tindioxiden opvarmes i en mtrogenatmosfæne til en spidstemperatur på 1100°C i ca. 1 time.
4. Fremgangsmåde ifølge krav 2, kendetegnet ved, at tindioxiden opvarmes i en former ingsgasatmosfære ved ca. 15 525°C i ca. 10 minutter og derpå bringes til afkøling i forme- r i ngsgasatmosfæren.
5. Fremgangsmåde ifølge et af kravene 1-4, kendetegnet ved, at glasfritten og tindioxiden anbringes i en bærer 20 på substratet, og at bæreren afbrændes før brændingen af substratet ved hjælp af opvarmning.
6. Fremgangsmåde ifølge krav 5, kendetegnet ved, at det belagte substrat med henblik på afbrændingen af bæreren opvarmes til 350°C i luft. 25
7. Fremgangsmåde ifølge krav 5, kendetegnet ved, at det belagte substrat med henblik på afbrændingen af bæreren opvarmes til 350°C i en nitrogenatmosfære.
8. Fremgangsmåde ifølge krav 5, kendetegnet ved, at det belagte substrat med henblik på afbrændingen af bæreren opvarmes til 400°C i luft. 35
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/613,433 US4322477A (en) | 1975-09-15 | 1975-09-15 | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
| US61343375 | 1975-09-15 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DK416076A DK416076A (da) | 1977-03-16 |
| DK154372B true DK154372B (da) | 1988-11-07 |
| DK154372C DK154372C (da) | 1989-04-10 |
Family
ID=24457293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DK416076A DK154372C (da) | 1975-09-15 | 1976-09-15 | Fremgangsmaade til fremstilling af elektriske modstande |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4322477A (da) |
| JP (2) | JPS5915161B2 (da) |
| AU (1) | AU497390B2 (da) |
| CA (1) | CA1091918A (da) |
| DE (1) | DE2640316C2 (da) |
| DK (1) | DK154372C (da) |
| FR (1) | FR2324098A1 (da) |
| GB (1) | GB1538144A (da) |
| IT (1) | IT1068708B (da) |
| NL (1) | NL184515C (da) |
| SE (1) | SE7610232L (da) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4322477A (en) * | 1975-09-15 | 1982-03-30 | Trw, Inc. | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
| US4146677A (en) * | 1977-08-18 | 1979-03-27 | Trw Inc. | Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
| US4215020A (en) * | 1978-04-03 | 1980-07-29 | Trw Inc. | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
| US4293838A (en) * | 1979-01-29 | 1981-10-06 | Trw, Inc. | Resistance material, resistor and method of making the same |
| FR2512262B1 (fr) * | 1981-08-28 | 1986-04-25 | Trw Inc | Materiau emaille a resistance, resistance electrique et leur procede de fabrication |
| US4651126A (en) * | 1985-05-02 | 1987-03-17 | Shailendra Kumar | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
| NO168762C (no) * | 1985-12-20 | 1992-04-01 | Glaverbel | Belagt, flatt glass. |
| US4880665A (en) * | 1987-01-20 | 1989-11-14 | Zenith Electronics Corporation | Touch control arrangement for graphics display apparatus having saw reflectors of frit composition |
| JPH07109808B2 (ja) * | 1988-03-30 | 1995-11-22 | 昭栄化学工業株式会社 | 導電性複合粉末の製造方法及びその粉末を用いた抵抗組成物 |
| US5120579A (en) * | 1988-07-19 | 1992-06-09 | Ferro Corporation | Dielectric compositions |
| US5859581A (en) * | 1997-06-20 | 1999-01-12 | International Resistive Company, Inc. | Thick film resistor assembly for fan controller |
| US20060162381A1 (en) * | 2005-01-25 | 2006-07-27 | Ohmite Holdings, Llc | Method of manufacturing tin oxide-based ceramic resistors & resistors obtained thereby |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB857400A (en) * | 1958-10-27 | 1960-12-29 | Welwyn Electric Ltd | Improvements in or relating to electrical resistors |
| DE1646752A1 (de) * | 1966-12-07 | 1971-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Halbleitende Bauelemente |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2564707A (en) * | 1947-09-03 | 1951-08-21 | Corning Glass Works | Electrically conducting coatings on glass and other ceramic bodies |
| US2717946A (en) * | 1950-10-14 | 1955-09-13 | Sprague Electric Co | Electrical resistance elements |
| US3108019A (en) * | 1958-02-14 | 1963-10-22 | Corning Glass Works | Method of stabilizing the electrical resistance of a metal oxide film |
| DE1193582B (de) * | 1958-10-27 | 1965-05-26 | Welwyn Electric Ltd | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Widerstandsschichten |
| US3044901A (en) * | 1958-10-27 | 1962-07-17 | Welwyn Electric Ltd | Process for the production of electrical resistors and resulting article |
| US3488767A (en) * | 1965-05-17 | 1970-01-06 | Air Reduction | Film resistor |
| NL137152C (da) * | 1966-10-24 | |||
| US3669907A (en) * | 1966-12-07 | 1972-06-13 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Semiconductive elements |
| FR1542510A (fr) * | 1967-06-12 | 1968-10-18 | Alcatel Sa | Procédé et dispositif pour le réglage des résistances en couche mince par oxydation thermique |
| JPS493816B1 (da) * | 1969-10-11 | 1974-01-29 | ||
| JPS5232080B2 (da) * | 1972-11-08 | 1977-08-19 | ||
| ZA761096B (en) * | 1975-03-03 | 1977-02-23 | Ici Ltd | Fibres |
| US4322477A (en) * | 1975-09-15 | 1982-03-30 | Trw, Inc. | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same |
-
1975
- 1975-09-15 US US05/613,433 patent/US4322477A/en not_active Expired - Lifetime
-
1976
- 1976-08-26 GB GB35457/76A patent/GB1538144A/en not_active Expired
- 1976-08-31 AU AU17304/76A patent/AU497390B2/en not_active Expired
- 1976-09-08 DE DE2640316A patent/DE2640316C2/de not_active Expired
- 1976-09-14 FR FR7627609A patent/FR2324098A1/fr active Granted
- 1976-09-14 JP JP51109518A patent/JPS5915161B2/ja not_active Expired
- 1976-09-14 CA CA261,202A patent/CA1091918A/en not_active Expired
- 1976-09-14 NL NLAANVRAGE7610167,A patent/NL184515C/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-09-15 SE SE7610232A patent/SE7610232L/ not_active Application Discontinuation
- 1976-09-15 DK DK416076A patent/DK154372C/da not_active IP Right Cessation
- 1976-09-15 IT IT83645/76A patent/IT1068708B/it active
-
1983
- 1983-11-26 JP JP58223047A patent/JPS59130401A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB857400A (en) * | 1958-10-27 | 1960-12-29 | Welwyn Electric Ltd | Improvements in or relating to electrical resistors |
| DE1646752A1 (de) * | 1966-12-07 | 1971-04-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Halbleitende Bauelemente |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5915161B2 (ja) | 1984-04-07 |
| CA1091918A (en) | 1980-12-23 |
| NL184515C (nl) | 1989-08-16 |
| SE7610232L (sv) | 1977-03-16 |
| JPS59130401A (ja) | 1984-07-27 |
| DE2640316C2 (de) | 1982-02-11 |
| FR2324098B1 (da) | 1980-05-16 |
| AU1730476A (en) | 1978-03-09 |
| US4322477A (en) | 1982-03-30 |
| GB1538144A (en) | 1979-01-10 |
| AU497390B2 (en) | 1978-12-14 |
| NL184515B (nl) | 1989-03-16 |
| IT1068708B (it) | 1985-03-21 |
| DK416076A (da) | 1977-03-16 |
| JPS5236796A (en) | 1977-03-22 |
| DE2640316A1 (de) | 1977-03-24 |
| NL7610167A (nl) | 1977-03-17 |
| DK154372C (da) | 1989-04-10 |
| FR2324098A1 (fr) | 1977-04-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4065743A (en) | Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
| US4215020A (en) | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
| DK154372B (da) | Fremgangsmaade til fremstilling af elektriske modstande | |
| US3459569A (en) | Glass compositions | |
| US2934736A (en) | Electrical resistor | |
| US4091144A (en) | Article with electrically-resistive glaze for use in high-electric fields and method of making same | |
| US4209764A (en) | Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
| US4397915A (en) | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
| US3557576A (en) | Electrical resistance body and process for its manufacture | |
| JP2970713B2 (ja) | 厚膜抵抗体組成物 | |
| US4378409A (en) | Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
| JPH0736361B2 (ja) | 抵抗材料、その製造方法およびそれを用いた抵抗ペースト | |
| KR900000460B1 (ko) | 헥사보라이드저항기 조성물 | |
| US4684543A (en) | Starting mixture for an insulating composition comprising a lead glass, silk-screening ink comprising such a mixture, and the use of said ink for the protection of hybrid microcircuits on ceramic substrates | |
| JPS644321B2 (da) | ||
| US3220870A (en) | Composite articles and method of making the same | |
| JPS6237801B2 (da) | ||
| JPS5931841B2 (ja) | 抵抗材料およびそれにより作られた抵抗器 | |
| JPS6210940B2 (da) | ||
| US4205298A (en) | Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same | |
| JPH0225241B2 (da) | ||
| RU2054720C1 (ru) | Толстопленочный резистивный элемент | |
| SU1581709A1 (ru) | Эмаль | |
| JPH03183640A (ja) | 抵抗体ペースト及びセラミックス基板 | |
| JPH02288106A (ja) | 抵抗体ペースト及びセラミックス基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PUP | Patent expired |