JPS59150098A - 粒子分散金属メツキ方法 - Google Patents
粒子分散金属メツキ方法Info
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- JPS59150098A JPS59150098A JP2439783A JP2439783A JPS59150098A JP S59150098 A JPS59150098 A JP S59150098A JP 2439783 A JP2439783 A JP 2439783A JP 2439783 A JP2439783 A JP 2439783A JP S59150098 A JPS59150098 A JP S59150098A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基体上に分散メンキ、詳しくは無機粒子を工業
的に均質に共析させて高性能の電気接触部材などを安定
して製造するだめの粒子分散全屈メッキ方法に関するも
のである。
的に均質に共析させて高性能の電気接触部材などを安定
して製造するだめの粒子分散全屈メッキ方法に関するも
のである。
一般にリレー、スイッチ、接点、コネクター等の電気接
触部には、耐食性と高導電性が要求されるため、基体上
にＰｄ、ＡＣ＋、ＡＩＪ、Ｉｎ、ＲＬＩ、３ｎ又はこれ
らの合金、例えばＰｄ−Ｎｉ、Ａｕ−ＡＱ 、Ａ［二Ｓ
ｂ 、ＡＱ −ＣＩ 、５ｎ−Ｐｂなと、貴金属を中心
にした高価な金属をメッキしたものが用いられている。
触部には、耐食性と高導電性が要求されるため、基体上
にＰｄ、ＡＣ＋、ＡＩＪ、Ｉｎ、ＲＬＩ、３ｎ又はこれ
らの合金、例えばＰｄ−Ｎｉ、Ａｕ−ＡＱ 、Ａ［二Ｓ
ｂ 、ＡＱ −ＣＩ 、５ｎ−Ｐｂなと、貴金属を中心
にした高価な金属をメッキしたものが用いられている。
従ってコスト的にも、省資源的にもこれら金属を節約す
ることが望まれでいる。このため耐摩耗性や耐アーク損
耗性を改善する目的で無機粒子を共析させる分ｉ）（メ
ッキが試みられているが、分散メッキでは共析量や分散
共析状態をコントロールすることが困難なため、工業的
には極めて限定された用途に限られていた。
ることが望まれでいる。このため耐摩耗性や耐アーク損
耗性を改善する目的で無機粒子を共析させる分ｉ）（メ
ッキが試みられているが、分散メッキでは共析量や分散
共析状態をコントロールすることが困難なため、工業的
には極めて限定された用途に限られていた。
本発明はこれに鑑み、種々検討の結果、浴の組成や電流
を一定にしても撹拌懸濁状態をミクロ的に均一化するこ
とは不可能であり、浴組成に特殊な界面活性剤を併用す
ることにより、粒子の界面電気化学的性質をある程度コ
ントロールすることができるも、経時的濃度変化や浴劣
化の影響を無視できず、また過度の有機物資の使用はメ
ッキの膜化や高温でのガス発生等有害な副作用となり易
いことを知見し、更に検討の結果、無機粒子に金属粒子
を混合して懸濁させながらメッキすることにより、前記
問題を解消し得ることを知見して粒子分散金属メッキ方
法を開発したものである。
を一定にしても撹拌懸濁状態をミクロ的に均一化するこ
とは不可能であり、浴組成に特殊な界面活性剤を併用す
ることにより、粒子の界面電気化学的性質をある程度コ
ントロールすることができるも、経時的濃度変化や浴劣
化の影響を無視できず、また過度の有機物資の使用はメ
ッキの膜化や高温でのガス発生等有害な副作用となり易
いことを知見し、更に検討の結果、無機粒子に金属粒子
を混合して懸濁させながらメッキすることにより、前記
問題を解消し得ることを知見して粒子分散金属メッキ方
法を開発したものである。
即ち本発明は硬質又は潤滑性の無機粒子と、その１／２
０〜１／２の量の金属粒子とを懸濁したＰｄ、Ａｇ、Ｉ
ｎ１Ｒｈ、３ｎ又はこれらの合金のメッキ浴を用いて基
体上にメンキし、前記無機粒子と金属粒子を分散含有す
るメッキ層を形成す全ことを特徴とするものである。
０〜１／２の量の金属粒子とを懸濁したＰｄ、Ａｇ、Ｉ
ｎ１Ｒｈ、３ｎ又はこれらの合金のメッキ浴を用いて基
体上にメンキし、前記無機粒子と金属粒子を分散含有す
るメッキ層を形成す全ことを特徴とするものである。
本発明においＣ１硬質無機粒子とはＷ Ｃ１”、ｉ Ｃ
，Ｃｒ３Ｃ３などの炭化物、Ｔ１０Ｚ１Ｒｈ Ｏｚ 、
Ａｆｚ ０３などの酸化物、ＺｒＢｚ、ＣｒＢ、ｚなど
のホウ化物、ＢＮ、Ｓｉ ３ Ｎ４などの窒化物であり
、潤滑性無機粒子とはＭＯＳｚ、Ｍｏ Ｓｅ、ｚ 、Ｔ
ａ Ｓｚなどであり、これらの粒子は被メッキ体の用途
に応じて選択され、通常は０．０１〜１０μの粒径で５
〜５００ｑ／Ｊ！の濃度で使用される。硬質無機粒子は
メッキの硬度を向上して耐摩耗性を改善し、更にある種
の粒子、例えばＷＣｌＲｈ Ｏｚ 、Ｔｉ Ｃなどでは
アーク消耗性を改善する。潤滑性無機粒子は滑り性、摩
耗性などを改善するため、摺動部などに応用される。こ
れらは何れも被メッキ体の消耗を低減するため、貴金属
を中心とするメッキ液に懸濁分散させてメッキすること
により、マトリックスのメッキ金属の厚さを減少させ、
メッキ金属とメッキコス１〜の節約を可能にするもので
ある。
，Ｃｒ３Ｃ３などの炭化物、Ｔ１０Ｚ１Ｒｈ Ｏｚ 、
Ａｆｚ ０３などの酸化物、ＺｒＢｚ、ＣｒＢ、ｚなど
のホウ化物、ＢＮ、Ｓｉ ３ Ｎ４などの窒化物であり
、潤滑性無機粒子とはＭＯＳｚ、Ｍｏ Ｓｅ、ｚ 、Ｔ
ａ Ｓｚなどであり、これらの粒子は被メッキ体の用途
に応じて選択され、通常は０．０１〜１０μの粒径で５
〜５００ｑ／Ｊ！の濃度で使用される。硬質無機粒子は
メッキの硬度を向上して耐摩耗性を改善し、更にある種
の粒子、例えばＷＣｌＲｈ Ｏｚ 、Ｔｉ Ｃなどでは
アーク消耗性を改善する。潤滑性無機粒子は滑り性、摩
耗性などを改善するため、摺動部などに応用される。こ
れらは何れも被メッキ体の消耗を低減するため、貴金属
を中心とするメッキ液に懸濁分散させてメッキすること
により、マトリックスのメッキ金属の厚さを減少させ、
メッキ金属とメッキコス１〜の節約を可能にするもので
ある。
前記無機粒子は半導電性又は絶縁性であり、界面電気化
学的作用を通してのみメッキカソードと相互作用できる
もので、本来は共析し難いものである。これに対し金属
粒子は導電性であり、界面電気化学的作用に加えてメッ
キカードに衝突すると瞬時に粒子周囲にもメッキ電析が
起る極めて共析し易い性質を有し、場合によっては過剰
の共析によって脆弱な多孔層を形成する場合もある程で
ある。本発明はこの金属粒子の特性を活用して無機粒子
を安定して均一に分散共析せしめたものである。
学的作用を通してのみメッキカソードと相互作用できる
もので、本来は共析し難いものである。これに対し金属
粒子は導電性であり、界面電気化学的作用に加えてメッ
キカードに衝突すると瞬時に粒子周囲にもメッキ電析が
起る極めて共析し易い性質を有し、場合によっては過剰
の共析によって脆弱な多孔層を形成する場合もある程で
ある。本発明はこの金属粒子の特性を活用して無機粒子
を安定して均一に分散共析せしめたものである。
即ちメッキ浴中Ｃ゛無機粒子と金属粒子が凝集して懸濁
するケースでは金属粒子と共に無機粒子がメッキ層に取
込まれ、また別々に懸濁するケースでも金属粒子の共析
した新鮮な粗表面に無機粒子が界面電気化学的又は機械
的に吸着してメッキ層に取込まれるものと考えられる。
するケースでは金属粒子と共に無機粒子がメッキ層に取
込まれ、また別々に懸濁するケースでも金属粒子の共析
した新鮮な粗表面に無機粒子が界面電気化学的又は機械
的に吸着してメッキ層に取込まれるものと考えられる。
更に無機粒子の一種の研磨作用によって金属粒子の過剰
の共析は抑制される。このように相異なる性質の２種の
粒子の相乗的な交互作用によって強固な分散共析メッキ
層を形成したものである。
の共析は抑制される。このように相異なる性質の２種の
粒子の相乗的な交互作用によって強固な分散共析メッキ
層を形成したものである。
金属粒子の量は無機粒子の濃度の１／２０〜１／２が実
用的であり、 １／２０未満の低濃度でも、１／２を越
える高濃度でも前述の相乗的な交互作用が得られず不」
−分な結果となる。金属粒子の粒径は０．０１〜１０μ
程度のものが望ましく、粒径が過大になると粗な析出物
を生じ易くなる。また金属粒子としては任意の金属が使
用可能であるが、メッキ浴と反応し、溶解し易いものは
非実用的であり、特に電気接触部材としは、組成的にメ
ッキ金属又は無機粒子の金属元素と同一金属とする方が
よい。例えばＡＩなどの貴金属メッキ層中にＡ（やＺｎ
などの卑金属を含むと電食などの不都合をまねき易い。
用的であり、 １／２０未満の低濃度でも、１／２を越
える高濃度でも前述の相乗的な交互作用が得られず不」
−分な結果となる。金属粒子の粒径は０．０１〜１０μ
程度のものが望ましく、粒径が過大になると粗な析出物
を生じ易くなる。また金属粒子としては任意の金属が使
用可能であるが、メッキ浴と反応し、溶解し易いものは
非実用的であり、特に電気接触部材としは、組成的にメ
ッキ金属又は無機粒子の金属元素と同一金属とする方が
よい。例えばＡＩなどの貴金属メッキ層中にＡ（やＺｎ
などの卑金属を含むと電食などの不都合をまねき易い。
本発明におけるメッキ浴には、通常のメッキ浴を用いれ
ばよい。例えばＡｌ）メッキにはＡｇのシアン、チオシ
アン浴、Ａｕメッキには八〇のシアン、酸性、中性浴、
ＰｄメッキにはＰｄの塩化物、臭化物、スルファミン酸
浴、ｐｈメッキにはＲｂの硫酸溶液、３ｎメツキには３
ｎの硫酸、ホウフッ酸浴等を用い、また合金メッキにお
いても、これらのメッキ浴に合金成分を添加したメッキ
浴を用い、これに前述の無機粒子と金属粒子を懸濁して
基体上にメッキし、分散共析メッキ層を形成すればよい
。
ばよい。例えばＡｌ）メッキにはＡｇのシアン、チオシ
アン浴、Ａｕメッキには八〇のシアン、酸性、中性浴、
ＰｄメッキにはＰｄの塩化物、臭化物、スルファミン酸
浴、ｐｈメッキにはＲｂの硫酸溶液、３ｎメツキには３
ｎの硫酸、ホウフッ酸浴等を用い、また合金メッキにお
いても、これらのメッキ浴に合金成分を添加したメッキ
浴を用い、これに前述の無機粒子と金属粒子を懸濁して
基体上にメッキし、分散共析メッキ層を形成すればよい
。
以下本発明を実施例について詳細に説明する。
実施例（１）
リードリレー用Ｆｅ系接点基体を常法にＪ：り電解脱能
してからシアン化Ｃｕ浴を用いてＣｕストライクメッキ
を施した後、第１表に示すメッキ浴を用いてメッキして
接点材を製造した。この接点材について化学分析により
共析量とメッキ厚さを求めた。またこの接点材を用いて
固定側２個と、可動例１個からなるリレーを組立て、電
圧２５Ｖ、電流１．５Ａ、開閉振動１Ｈ２の条イ１で接
点前・命試験を行なった。これらの結果を第１表に併記
した。
してからシアン化Ｃｕ浴を用いてＣｕストライクメッキ
を施した後、第１表に示すメッキ浴を用いてメッキして
接点材を製造した。この接点材について化学分析により
共析量とメッキ厚さを求めた。またこの接点材を用いて
固定側２個と、可動例１個からなるリレーを組立て、電
圧２５Ｖ、電流１．５Ａ、開閉振動１Ｈ２の条イ１で接
点前・命試験を行なった。これらの結果を第１表に併記
した。
尚各メッキ浴のベース浴及びメッキ条件は下記の通りで
、何れも機械的に強撹拌を行なってメッキした。
、何れも機械的に強撹拌を行なってメッキした。
Ａｕメッキ ：日本エングルハルト社 浴 温
２５℃製中性Ａｕメッキ浴 電流密度 ３ Ａ
／ｄｍ２Ａｇメッキ ： ＡｇＣＮ ５０ｑ
／Ｉ 溶 温 ２５℃ＫＣＮ ５０ｇ／
ｆ！ 電流密度 ２．５ Ａ／ｄｍ２に２ ＣＯ
３１０ｑ ／Ｉ Ｐｄメッキ ：米国上ｅｃｈｎ ｉ ｃ社製
浴 温 １５℃電流密度 ５△／ｄｍ２ Ｐｄ−Ｎｉメッキ：日進化成社製 浴 温
３０°ＣＰＮＰ−８０浴 電流密度 ２Ａ
／ｄｍ２Ｒｈメッキ ：硫酸ロジウム８（＋／ぶ
溶 温 ５０’Ｃ硫゛ 酸 １６ｇ／ ｆ２
電流密度 ３△／ｄｍ２羽ψ −ｕ″）：０ Ｚ 「への寸ｕ”＋ （Ｏトの■２６．，６経 ぼ 抹− ム Ｉ ＾ 票 佛 ＼ 、＋ ２ の ヒＺＺ く ＋ １ ＩＩＩ １ｚ 、： Ｂ
＝：：北にさたに 扉 旧 （注）各ベース浴に加えた無機粒子及び金属粒子の粒径
は全て０．１〜１μの範囲のものを用いた。
２５℃製中性Ａｕメッキ浴 電流密度 ３ Ａ
／ｄｍ２Ａｇメッキ ： ＡｇＣＮ ５０ｑ
／Ｉ 溶 温 ２５℃ＫＣＮ ５０ｇ／
ｆ！ 電流密度 ２．５ Ａ／ｄｍ２に２ ＣＯ
３１０ｑ ／Ｉ Ｐｄメッキ ：米国上ｅｃｈｎ ｉ ｃ社製
浴 温 １５℃電流密度 ５△／ｄｍ２ Ｐｄ−Ｎｉメッキ：日進化成社製 浴 温
３０°ＣＰＮＰ−８０浴 電流密度 ２Ａ
／ｄｍ２Ｒｈメッキ ：硫酸ロジウム８（＋／ぶ
溶 温 ５０’Ｃ硫゛ 酸 １６ｇ／ ｆ２
電流密度 ３△／ｄｍ２羽ψ −ｕ″）：０ Ｚ 「への寸ｕ”＋ （Ｏトの■２６．，６経 ぼ 抹− ム Ｉ ＾ 票 佛 ＼ 、＋ ２ の ヒＺＺ く ＋ １ ＩＩＩ １ｚ 、： Ｂ
＝：：北にさたに 扉 旧 （注）各ベース浴に加えた無機粒子及び金属粒子の粒径
は全て０．１〜１μの範囲のものを用いた。
第１表から明らかなように本発明方法によるものは、何
れも通常の単独メッキである比較方法は勿論、これに無
機粒子を単独添加した比較方法と較べて共析量が安定し
て増大し、接点特性が大巾に数球され不いることが判る
。
れも通常の単独メッキである比較方法は勿論、これに無
機粒子を単独添加した比較方法と較べて共析量が安定し
て増大し、接点特性が大巾に数球され不いることが判る
。
実施例（２）
大容量送電用管路気中送電におけるＳＦ６ガス中でアル
ミパイプ導体を接続するプラグイン（Ｐ Ｉｏｃｔ −
ｉｎ）型コネクターを製造した。このコネクターは０Ｎ
−ＯＦＦｉこよる３０万Ａ位までの電流増減（電流ピー
ク）により伸縮するため耐摩耗性が要求されている。Ａ
乗製コネクター基体（外径２００ｍ）を常法に従って前
処理した後第２表に示すメッキ浴を用いてメッキした。
ミパイプ導体を接続するプラグイン（Ｐ Ｉｏｃｔ −
ｉｎ）型コネクターを製造した。このコネクターは０Ｎ
−ＯＦＦｉこよる３０万Ａ位までの電流増減（電流ピー
ク）により伸縮するため耐摩耗性が要求されている。Ａ
乗製コネクター基体（外径２００ｍ）を常法に従って前
処理した後第２表に示すメッキ浴を用いてメッキした。
これについて３０年間の使用に相当する２２，２００回
の伸縮試験を行なった。この時の接点荷重を５．７ Ｋ
Ｏとした。尚メッキ浴Ωベース浴及びメッキ条件は下記
の通りで、何れも機械的に強撹拌し、また無機粒子には
平均粒径１．５μのものを、金属粒子に（ま平均粒（￥
０．７５μのものを用いた。
の伸縮試験を行なった。この時の接点荷重を５．７ Ｋ
Ｏとした。尚メッキ浴Ωベース浴及びメッキ条件は下記
の通りで、何れも機械的に強撹拌し、また無機粒子には
平均粒径１．５μのものを、金属粒子に（ま平均粒（￥
０．７５μのものを用いた。
へｇメッキ ：Ａ（Ｉ ＣＮ ３５（１／Ｒｉ
容 ン晶 １８°ＣＫＣＮ ４０（１、、／
Ｂ 電流密度 １．５ Ａ／ｄｍ２ＫＺ ＣＯ３
５（＋ ／Ｊ２ 第２表 製造方法 ＮＯ浴 組 成 （ｇ／′β） メッ
キ厚（μ）本発明方法 ２５ ＡＱ −Ｍｏ
Ｓ２２５−△（）５３２Ｃｉ ＡＯ−−ｒａ Ｓｚ
３０−Ａｇ３ ’ ３比較方法 ２７
ＡＣ］３ 伸縮試験の結果、比較方法である純Ａ（ｌメッキしたも
のは所謂ギヤリング現象を起し、ＡＪ２基体に達する摩
耗を生じた。これに対し本発明方法によるものは、何れ
も最大摩耗深さが２５〜３５μであり、耐摩耗性が著し
く改善された。
容 ン晶 １８°ＣＫＣＮ ４０（１、、／
Ｂ 電流密度 １．５ Ａ／ｄｍ２ＫＺ ＣＯ３
５（＋ ／Ｊ２ 第２表 製造方法 ＮＯ浴 組 成 （ｇ／′β） メッ
キ厚（μ）本発明方法 ２５ ＡＱ −Ｍｏ
Ｓ２２５−△（）５３２Ｃｉ ＡＯ−−ｒａ Ｓｚ
３０−Ａｇ３ ’ ３比較方法 ２７
ＡＣ］３ 伸縮試験の結果、比較方法である純Ａ（ｌメッキしたも
のは所謂ギヤリング現象を起し、ＡＪ２基体に達する摩
耗を生じた。これに対し本発明方法によるものは、何れ
も最大摩耗深さが２５〜３５μであり、耐摩耗性が著し
く改善された。
実施例（３）
厚さ０．３２ｍｍのリン青銅板を常法により前処理（酸
洗、シアン化銅ストライ゛クメツキ）してから第３表に
示すＳｎメッキ浴を用いてＳｎメッキを行ない、これを
用いてベロース型コネクターを成型した。これ（二つい
て接点荷重２５０ｇｒにより２００回挿着脱を行なって
から温度６０℃、湿度９５％の恒温恒湿中に１，０００
時間保持した後、電流０．１ Ａによる接触抵抗を測定
した。
洗、シアン化銅ストライ゛クメツキ）してから第３表に
示すＳｎメッキ浴を用いてＳｎメッキを行ない、これを
用いてベロース型コネクターを成型した。これ（二つい
て接点荷重２５０ｇｒにより２００回挿着脱を行なって
から温度６０℃、湿度９５％の恒温恒湿中に１，０００
時間保持した後、電流０．１ Ａによる接触抵抗を測定
した。
尚メッキ浴のベース浴及びメッキ条件は下記の通りで、
何れも機械的に強攪拌し、また無機粒子には平均粒径０
，５μのものを、金属粒子には平均粒径０．３μのもの
を用いた。
何れも機械的に強攪拌し、また無機粒子には平均粒径０
，５μのものを、金属粒子には平均粒径０．３μのもの
を用いた。
ＳＯメッキ浴 ３ｎ ＳＯ４５０ｇ／ Ｒ溶 温
１５℃Ｈ２’ＳＯ４１００（］ ／Ａ 電流密度
１０Ａ／ｄｍ２ニカワ １’、５ｇ／ぶ β−ナフトール スルホン酸 ５ｇ／（ 第３表 製造方法 ＮＯ浴 組 成 （ｇ／（） メッキ
厚（μ）本発明方法 ２８ Ｓｎ −ＷＣ７０
−８ｎ ７ ３比較方法 ２９
Ｓｎ その結果比較方法であるＭ Ｓ ｎをメッキしたもの（
Ｎ Ｏ，２９）は接触抵抗が１００ｍΩ以上にも達した
が、本発明方法によるものは、接触抵抗が９ｍΩと優れ
た値を示し、特性がほとんど劣化しないことが判る。
１５℃Ｈ２’ＳＯ４１００（］ ／Ａ 電流密度
１０Ａ／ｄｍ２ニカワ １’、５ｇ／ぶ β−ナフトール スルホン酸 ５ｇ／（ 第３表 製造方法 ＮＯ浴 組 成 （ｇ／（） メッキ
厚（μ）本発明方法 ２８ Ｓｎ −ＷＣ７０
−８ｎ ７ ３比較方法 ２９
Ｓｎ その結果比較方法であるＭ Ｓ ｎをメッキしたもの（
Ｎ Ｏ，２９）は接触抵抗が１００ｍΩ以上にも達した
が、本発明方法によるものは、接触抵抗が９ｍΩと優れ
た値を示し、特性がほとんど劣化しないことが判る。
実施例（４）
０．６４ｍｍの黄銅線を実施例（３）と同様に前処理し
、第４表に示す５ｎ−１０％ｐｂ合金メッキ浴を用いて
、５ｎ−Ｐｂ合金メッキを行ない、これについて化学分
析によりＭＯＳ２の共析量を調べた。
、第４表に示す５ｎ−１０％ｐｂ合金メッキ浴を用いて
、５ｎ−Ｐｂ合金メッキを行ない、これについて化学分
析によりＭＯＳ２の共析量を調べた。
またこれを用いてコネクターピンを作成し、プリント基
板に固定したＡｕメッキコネクターに捺点荷重１００ｇ
ｒで組合け、温度１０℃から６０℃のヒートサイクル５
，０００回を行なった後、電流０．１ Ａによる接触抵
抗を測定した。これ等の結果を第４表に併記した。
板に固定したＡｕメッキコネクターに捺点荷重１００ｇ
ｒで組合け、温度１０℃から６０℃のヒートサイクル５
，０００回を行なった後、電流０．１ Ａによる接触抵
抗を測定した。これ等の結果を第４表に併記した。
尚３ｎ−Ｐｂ合金メッキのベース浴及びメッキ条件は下
記の通りであり、何れも機械的に強攪拌し、また無機粒
子には平均粒径０．７μのものを、金属粒子には平均粒
径０．５μのものを用いた。
記の通りであり、何れも機械的に強攪拌し、また無機粒
子には平均粒径０．７μのものを、金属粒子には平均粒
径０．５μのものを用いた。
≦−
伯東ヨ
別
盆８２ 田へ
、Ｉ＋≧ｕｉ １４”＋ ｔｗ
ン＼７
χ
第４表から明らかなように本発明方法によるものは、比
較方法と較べて共析量が安定して増大し、温度１０℃か
ら６０℃のヒートサイクルによる熱膨張差に基づく微少
摺動によって所謂フレッティングコロージ“ヨンを起す
ことがない。これはＭｏＢ２が一種の潤滑作用を有する
ためである。これに対し、無機粒子を単独添加したもの
（Ｎｏ、３１）は共析量が不安定で、フレッティングコ
ロ−ジョンを起していることが判る。更・に無機粒子及
び金属粒子を含まないＳ′ｎ−Ｐｂ合金メッキしたもの
（Ｎ Ｏ，３２）では、フレッティングコロ−ジョンが
著しいことが判る。
較方法と較べて共析量が安定して増大し、温度１０℃か
ら６０℃のヒートサイクルによる熱膨張差に基づく微少
摺動によって所謂フレッティングコロージ“ヨンを起す
ことがない。これはＭｏＢ２が一種の潤滑作用を有する
ためである。これに対し、無機粒子を単独添加したもの
（Ｎｏ、３１）は共析量が不安定で、フレッティングコ
ロ−ジョンを起していることが判る。更・に無機粒子及
び金属粒子を含まないＳ′ｎ−Ｐｂ合金メッキしたもの
（Ｎ Ｏ，３２）では、フレッティングコロ−ジョンが
著しいことが判る。
このように本発明方法によれば電気接触部材などの被メ
ッキ体の諸特性を著しく改善し、該部材等の寿命を向上
し得るもので、高価なメッキ金属の節約を可能にし省資
源的、コスト的にも優れた方法であり、工業上顕著な効
果を奏するものである。
ッキ体の諸特性を著しく改善し、該部材等の寿命を向上
し得るもので、高価なメッキ金属の節約を可能にし省資
源的、コスト的にも優れた方法であり、工業上顕著な効
果を奏するものである。
Claims (3)
- （１）硬質又は、耐滑性の無機粒子と、その１／２０〜
１／′２の量の金属粒子とを懸濁したＰｄｌＡｇ、Ａｕ
１ ■１）、Ｒｈ５Ｓｎ又はこれらの合金のメッキ浴を
用いて基体上にメッキし、前記無機粒子と金属粒子を分
散含有するメッキ層を形成することを特徴とする粒子分
散金属メッキ方法。 - （２）金属粒子にメッキ金属又は無機粒子成分元素の金
属を用いる特許請求の範囲第１項記載の粒子分散金属メ
ッキ方法。 - （３）金属粒子にメッキ金属の少なくとも１種の金属を
用いる特許請求の範囲第１項又は第２項記載の粒子分散
メッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2439783A JPS59150098A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 粒子分散金属メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2439783A JPS59150098A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 粒子分散金属メツキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59150098A true JPS59150098A (ja) | 1984-08-28 |
Family
ID=12137025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2439783A Pending JPS59150098A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 粒子分散金属メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59150098A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61259419A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-17 | 上村工業株式会社 | 電気接点材料の製造方法 |
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