JPS5914828B2 - デコ−ダ回路 - Google Patents

デコ−ダ回路

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JPS5914828B2
JPS5914828B2 JP54152381A JP15238179A JPS5914828B2 JP S5914828 B2 JPS5914828 B2 JP S5914828B2 JP 54152381 A JP54152381 A JP 54152381A JP 15238179 A JP15238179 A JP 15238179A JP S5914828 B2 JPS5914828 B2 JP S5914828B2
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JP
Japan
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coupled
transistor
emitter
circuit
output terminal
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JP54152381A
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啓次 村沢
政幸 加納
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、高速のデコーダ回路に関するもので30ある
従来のデコーダ回路を第1図に示す。
第1図において10は1個以上のN個のバッファ回路1
00からなるバッファ部分、20は2N個のドライバ回
路200からなる出力回路、21〜26は2N35本の
バッファ負荷ラインである。バッファ回路100は、入
力端子101に入力信号が印加され、基準電圧端子10
2には直流基準電圧BBが、そして電源端子103には
直流電源電圧VEEが与えられ、互いに対をなすトラン
ジスタ104,105の入力信号に応じた導通と遮断に
よつて電流源106の直流電源電流1csが切換えられ
て、該トランジスタのコレクタに入力信号の肯定および
否定出力を得ることができるところの電流切換論理回路
を構成する。
ドライバ回路200は、ベースとコレタタを短絡したと
ころのN個のエミツタを有するマルチエミツタトランジ
スタ201と、コレクタ負荷抵抗202および該コレク
タ電圧をベース入力とするところのエミツタフオロアト
ランジスタ203とでデコーダの出力回路を構成する。
マルチエミツタトランジスタ201のN個のエミツタは
それぞれ前述の電流切換論理回路の肯定および否定出力
に対応してバツフア負荷ライン21〜26へ接続され、
2N/2個のエミツタが接続された該バツフア負荷ライ
ンは、抵抗107,108と共にトランジスタ104,
105のコレタタへ接続されて電流切換論理回路のコレ
クタ負荷を構成する。
上述の如く構成された従来のデコーダ回路は、入力信号
の肯定および否定出力かバツフア負荷ライン21〜26
に得られ、遮断状態のトランジスタ104あるいは10
5に接続されたバツフア負荷ラインには接地電位に等し
い電圧が生じて該バツフア負荷ラインに接続するマルチ
エミツタトランジスタ201のエミツタ電流が遮断され
、一方、導通状態のトランジスタ105あるいは104
に接続されたマルチエミツタトランジスタは導通し、そ
のベース・エミツタ間電圧と抵抗202の電圧降下の和
だけ接地電位から下がつた電圧がバツフア負荷ラインに
生じる。
N個の入力信号の組み合せによつてN個の全てゐエミツ
タ電流が遮断される1個のマルチエミツタトランジスタ
のコレタタは、選択されたところの接地電位に等しい高
値の電圧レベルとなり、方、1個以上のエミツタが導通
する他のマルチエミツタトランジスタは抵坑202の電
圧降下による非選択の低値の電圧レベルとなつてデコー
ダ機能が得られる。
従つて、エミツタフオロアトランジスタ203を介した
出力端子204の出力信号において、マルチエミツタト
ランジスタのN個のエミツタが全て遮断されて得られる
選択状態の高値の電圧レベルから、該マルチエミツタト
ランジスタの1個以上のエミツタが導通を開始すること
によつて非選択状態の低値の電圧レベルを得るに要する
ところの立下り時間は、導通を開始するエミツタが接続
されているところのバッファ負荷ラインに寄生する配線
容量および2N/2個のエミツタが接続していることに
よる接合容量などの全寄生谷量の電荷が放電を開始して
、該バツフア負荷ラインの電圧が接地電位から該エミツ
タを導通せしめる電位にまで低下するに要するところの
全寄生容量の放電時間によつて決定されるために、直流
電源電流Csを一定にしてバツフア回路の個数Nを増す
必要が生じたとき、即ちデコーダする数を増すときに、
前記寄生容量が増加し、寄生容量の増加に比例して放電
時間が永くなり、従つて立下り時間が遅くなるという欠
点があつた。
本発明は選択状態においてもマルチエミツタトランジス
タを微小電流で導通せしめ、マルチエミツタトランジス
タと互いに対をなすエミツタ結合トランジスタによつて
、マルチエミツタトランジスタへ流れる電流を制御する
ことを特徴とし、その目的はマノレチエミ゛ンタトラン
ジスタのエミ゛ンタに寄生する容量が増しても影響の少
ないところの立下り時の応答の速いデコーダ回路を提供
することであり以下詳細に説明する。
第2図は本発明の一実施例である。
第2図において、30はN個のバツフア回路300から
なるバツフア部分、20は2N個のドライバ回路200
からなる出力回路、21〜26は2N本のバツフア負荷
ラインであつて、同図と前記第1図を比較すると明らか
なようにバツフア回路300が異つている。このバツフ
ア回路300は、互いに対をなすトランジスタ304,
305の一方のトランジスタ304のベースを入力端子
301へ接続し、他方のトランジスタ305のベースを
基準電圧端子302へ接続して直流基準電圧VBBが与
えられ、トランジスタ304,305のエミツタと電源
端子303との間を第1の電流源306で接続して直流
電源電流Csおよび直流電源電圧EEが与えられ、トラ
ンジスタ304,305のコレタタにはそれぞれベース
とコレクタを短絡されたトランジスタ307,308の
エミツタが接続され、該トランジスタのコレクタをそれ
ぞれ抵抗309,310で接地し、そして該トランジス
タのエミツタと第2の電流源311との間には該トラン
ジスタのエミツタ側をアノードとするダイオード312
,313が接続されて電源端子303との間に直流電源
電流1Bを流し、そして、該トランジスタのエミツタを
バツフア負荷ライン21〜26へ接続するように構成さ
れており、出力回路20とトランジスタ307,308
を流れる電流はトランジスタ304,305を通して第
1の電流源306へ、あるいは、ダイオード312,3
13を通して第2の電流源311へ流れるような構成で
あつて以下に動作を説明する。
トランジスタ304,305は互いに対をなして電流切
換スイツチを構成し、人力端子301の入力信号電圧が
VBBより高いとき、トランジスタ304は導通し30
5は遮断される。
トランジスタ304のコレクタへはこれに接続するとこ
ろのトランジスタ307とマルチエミツタトランジスタ
201のエミツタ電流が流人し、第1の電流源306へ
流れてIcsとなる。このとき、マルチエミツタトラン
ジスタを流れる電流によるコレクタ抵抗202の電圧降
下で出力端子204が非選択の適当な低値の電圧レベル
になるように抵抗202と309の値が決められる。説
明を簡単にするために、導通時のトランジスタのベース
・エミツタ間電圧を0.8Vの一定値とし、Csを電流
源としてマルチエミツタトランジスタを流れる電流によ
る抵抗202の電圧降下を0.8Vとする。
導通しているトランジスタ304のコレタタへ接続され
るバツフア負荷ライン21〜26の電圧は抵抗202の
電圧降下とマルチエミツタトランジスタのベース・エミ
ツタ間電圧とで−1.6Vの値である。
一方、遮断しているトランジスタ305のコレクタに接
続されるトランジスタ308とマルチエミツタトランジ
スタのエミツタ電流はダイオード313を通して第2の
電流源311へ流れIBとなる。N個の入力信号の組み
合せによつて、N個の全てのエミツタがIBによつて導
通するところの1個の選択されたマルチエミツタトラン
ジスタのコレクタ電圧が、非選択状態の低値の電圧であ
る−0.8Vに比べて十分高くなるようにBの値が決め
られ、1csに比べて微小である。従つて、遮断してい
るトランジスタ305のコレタタへ接続されたバツフア
負荷ラインの電圧は該マルチエミツタトランジスタのベ
ース・エミツタ間電圧に略等しく−0.8Vの値である
。ダイオード312,313のアノード電圧はそれぞれ
−1.6Vと−0.8Vであるからダイオード312は
遮断される〇トランジスタ307,308とマルチエミ
ツタトランジスタ201とはバツフア負荷ライン21〜
26によつて互いのエミツタが短絡されて対をなし、ト
ランジスタ304,305のコレクタ電流、あるいはダ
イオード312,313のアノード電流を電流源とする
ところのエミツタ結合回路を構成しており、一方のベー
ス電位によつて他方のエミツタ電流へ帰還がかかるため
に、マルチエミツタトランジスタのIcsによつて導通
されるエミツタ数に依存して抵抗202の電圧降下が大
きく異なることがなく略一定の低値の電圧レベルを得る
ことかできる。
一方、選択された1個のマルチエミツタトランジスタの
全てのエミツタはIBによつて導通し、該マルチエミツ
タトランジスタのコレクタ電位は接地電位よりわずかに
低下するか、バツフア回路300の個数Nを増す必要が
生じたとき、即ちデコーダする数が増してマルチエミツ
タトランジスタのエミツタ数を増加しても、トランジス
タ308とマルチエミツタトランジスタ201とで構成
される前記エミツタ結合回路の帰還作用によつて選択さ
れた高値の電圧レベルは低下し過ぎることがなく略一定
値となる。また、遮断しているトランジスタ305に接
続された2N/2個のマルチエミツタトランジスタのエ
ミツタ電流は、トランジスタ308および選択された1
個のマルチエミツタトランジスタのベース電位が、非選
択の他のマルチエミツタトランジスタのベース電位より
高いために、1Bはトランジスタ308および選択され
た1個のマルチエミツタトランジスタを流れ、非選択の
他のマルチエミツタトランジスタを流れることがないの
で、第2の電流源311の電流[Bによつて非選択の低
値の電圧レベルが影響されることがない。
人力端子301の人力信号電圧がVBBより低いときを
含むところの任意の2Nの入力信号電圧の組み合せにつ
いても同様の動作が得られ、また、マルチエミツタトラ
ンジスタをエミツタと同数のダイオードで置き換えても
同様の動作が行なわれることは明らかである。第2の電
流源311の直流電源電流Bは、第1の電流源306の
直流電源電流1csの1/20以下程度であり、回路全
体の消費電力の増加は極く僅かである〇以上説明したよ
うに、第2図の本発明の一実施例では、互いに対をなし
てエミツタ結合回路を構成するところのマルチエミツタ
トランジスタ201およびトランジスタ307,308
を流れる電流は、入力信号電圧に応じて二種類の値を有
し、非選択の該トランジスタにはIcsが流れ、一方、
選択された該トランジスタにはBが流れ、バツフア負荷
ライン21〜26の電圧変動幅は非選択な抵抗202の
電圧降下に略等しく、またバツフア負荷ラインの高値の
電圧レベルは選択されたマルチエミツタトランジスタの
ベース・エミツタ間電圧で決まるから、バツフア負荷ラ
イン21〜26の電圧変動量の低減によつて寄生容量の
充放電電荷量が減少し、さらに、IBで導通していると
選択されたマルチエミツタトランジスタは、寄生容量の
わずかな放電で生じるバツフア負荷ラインの電位の低下
に対して直ちに応答できるために、マルチエミツタトラ
ンジスタ電流のBからCsへの応答が速く、さらに、こ
の応答への寄生容量増大の影響が少ないから立下り時間
が速い利点がある。
第3図は立下り時の応答の実験結果で、40は従来回路
の、50は第2図の本発明の実施例での回路の波形で、
応答波形61〜63はバツフア負荷ライン21〜26の
寄生容量が2倍ずつ増加したときの変化を示す。また、
第4図は前記第2図の実施例のバツフア回路300の一
変形を示すもので、第4図のバツフア回路400におい
て、入力端子401は前記第2図の301に、基準電圧
端子402は前記第2図の302に、以下同様に、電源
端子403は303に、電流切換トランジスタ404,
405は304,305に、第1の電流源406は30
6に、ダイオード407,408はベースとコレクタを
短絡されたトランジスタ307,308に、抵抗409
,410は309,310に、第2の電流源411は3
11に、ベースが基準電圧端子402へコレクタがトラ
ンジスタ404のコレクタヘエミツタが第2の電流源4
11へ接続されたトランジスタ412とベースが入力端
子401へコレクタがトランジスタ405のコレクタヘ
エミツタが第2の電流源411へ接続されたトランジス
タ413は312と313にそれぞれ対応するように接
続され、電流切換論理回路の負荷手段がトランジスタか
らダイオードへ置換えても同様の動作が行なわれ、また
、第2の電流源を切換る電流切換回路のダイオードを互
いに対をなすトランジスタへ置換えても同様の動作か行
なわれることは明らかである。
本発明は2値の電流に対するエミツタ結合回路を有して
いるので、第3図の実験結果の如く従来回路の1/2以
下の応答時間を示して立下り時間が速くなる利点があり
、デコーダする数が増して寄生容量が増加しても影響か
少ないので、メモリLSなどのデコーダ回路に利用する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のデコーダ回路の回路図、第2図は本発明
の一実施例の回路図、第3図は本発明の効果を示した応
答波形図、第4図は第2図の一変形を示す回路図である
。 20・・・・・・出力回路、21,22,23,24,
25,26・・・・・・バツフア負荷ライン、30・・
・・・・バツフア部分、200・・・・・・ドライバ回
路、201・・・・・・マルチエミツタトランジスタ、
202・・・・・・コレタタ負荷抵抗、203・・・・
・・エミツタフオロアトランジスタ、204・・・・・
・出力端子、300,400・・・・・・バツフア回路
、301,401・・・・・・人力端子、302,40
2・・・・・・基準電圧端子、303,403・・・・
・・電源端子、304,305,404,405...
.・.電流切換トランジスタ、306,406・・・・
・・第1の電流源、307,308,407,408・
・・・・・マルチエミツタトランジスタ201と対をな
すエミツタ結合トランジスタまたはダイオード、309
,310,409,410・・・・・・負荷抵抗、31
1,411・・・・・・第2の電流源、312,313
412,413・・・・・・電流切換ダイオードまたは
電流切換トランジスタ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 第1信号入力端子と第1信号出力端子と該出力端子
    の電位レベルを反転した電位レベルを出力する第2信号
    出力端子を有する電流切換論理回路を複数個使用して構
    成されたバッファ回路と、前記電流切換論理回路の前記
    第1、第2信号出力端子に選択的に且つ個別に結合され
    た複数のバッファ負荷ラインと、該負荷ラインに選択的
    に且つ個別に結合された複数の信号入力端子とデコード
    された信号を出力する一つの信号出力端子を有するドラ
    イバ回路を複数個使用して構成された出力回路から成る
    デコーダ回路に於いて、前記電流切換論理回路が前記第
    1信号入力端子に結合されたベースと前記第1信号出力
    端子に結合されたコレクタとエミッタを有する第1のト
    ランジスタと、基準電位源に結合されたベースと前記第
    2信号出力端子に結合されたコレクタとエミッタを有す
    る第2のトランジスタと、前記第1、第2トランジスタ
    の各エミッタと第1電源電位レベル間に結合された第1
    定電流回路と、前記第1信号出力端子と第2電源電位レ
    ベル間に結合された第1の負荷手段と、前記第2信号出
    力端子と前記第2電源電位レベル間に結合された第2の
    負荷手段と、一端が前記第1電源電位レベルに結合され
    た第2の定電流回路と、前記第1信号入力端子と前記基
    準電位源の電位レベル差により、前記第1又は第2負荷
    手段を選択的に前記第2定電流回路の他端に結合される
    電流切換回路を具備して成るデコーダ回路。 2 前記電流切換論理回路の前記第1負荷手段が前記第
    1信号出力端子に結合されたエミッタとベースと該ベー
    スに結合されたコレクタを有する第3トランジスタと、
    前記第2電源電位レベルと前記第3トランジスタのコレ
    クタ間に結合された第1負荷抵抗を具備し、且つ前記第
    2負荷手段が前記第2信号出力端子に結合されたエミッ
    タとベースと該ベースに結合されたコレクタを有する第
    4トランジスタと、前記第2電源電位レベルと前記第4
    トランジスタのコレクタ間に結合された第2負荷抵抗を
    具備している事を特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    のデコーダ回路。 3 前記電流切換論理回路の前記電流切換回路が前記第
    1信号出力端子に結合されたアノードと前記第2定電流
    回路に結合されたカソードを有する第1のダイオードと
    、前記第2信号出力端子に結合されたアノードと前記定
    電流回路に結合されたカソードを有する第2のダイオー
    ドを具備している事を特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載のデコーダ回路。
JP54152381A 1979-11-27 1979-11-27 デコ−ダ回路 Expired JPS5914828B2 (ja)

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