JPS59148154A - 光学式デイジタルデイスク用ピツクアツプ - Google Patents
光学式デイジタルデイスク用ピツクアツプInfo
- Publication number
- JPS59148154A JPS59148154A JP58022410A JP2241083A JPS59148154A JP S59148154 A JPS59148154 A JP S59148154A JP 58022410 A JP58022410 A JP 58022410A JP 2241083 A JP2241083 A JP 2241083A JP S59148154 A JPS59148154 A JP S59148154A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- pickup
- optical digital
- diffraction grating
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/127—Lasers; Multiple laser arrays
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
この発明は、光学系の調整を簡単化するようにした光学
式ディジタルディスク用ピックアップに関する。
式ディジタルディスク用ピックアップに関する。
（従来技術とその問題点）
従来、この種光学式ディジタルディスク用ピックアップ
としては、例えば第１図に示ずものが知τうれている。
としては、例えば第１図に示ずものが知τうれている。
同図において、半導体レーザ１は１・ｉ
−５１−１−
二・り
本の光ビームａを出射する。この光ビームａは回折格子
２で３本の光ビームに分けられ、各光ビームは偏光ビー
ムスプリッタ３．１７４波長板４およびレンズ５を介し
てディスク６−ヒの隣合う３つのビット７ａ、７ｂ、７
Ｃに集光照射される。このとき、３本の光ビームの配列
方向はビット７ａ。
２で３本の光ビームに分けられ、各光ビームは偏光ビー
ムスプリッタ３．１７４波長板４およびレンズ５を介し
てディスク６−ヒの隣合う３つのビット７ａ、７ｂ、７
Ｃに集光照射される。このとき、３本の光ビームの配列
方向はビット７ａ。
７ｂ、７ｃの配列方向に対し、適宜角度傾斜している。
従って、両側の光ビームがビット７ａ、７Ｃに対し、対
称にずれている場合、中央の光ビームがビット７ｈの中
心に位置することになる。そして、各ビット７ａ、７ｂ
、７ｃからの反射光ビームはレンズ５．１／４波長板と
逆向きに進み、その偏波面が光ビームａの偏波面から９
０°回転した状態で偏光ビームスプリッタ３に入射する
。
称にずれている場合、中央の光ビームがビット７ｈの中
心に位置することになる。そして、各ビット７ａ、７ｂ
、７ｃからの反射光ビームはレンズ５．１／４波長板と
逆向きに進み、その偏波面が光ビームａの偏波面から９
０°回転した状態で偏光ビームスプリッタ３に入射する
。
従って、偏光ビームスプリッタ３では、反射光ビームは
半導体レーザ１の方向に透過することなく、進路が変更
されて受光器８のフォトダイオード８ａ、８ｂ、８ｃに
入射する。フォトダイオード８ａ、８ｃはビット７ａ、
７ｃからの反射光ビームを検出し、この検出信号が比較
器９に入力される。
半導体レーザ１の方向に透過することなく、進路が変更
されて受光器８のフォトダイオード８ａ、８ｂ、８ｃに
入射する。フォトダイオード８ａ、８ｃはビット７ａ、
７ｃからの反射光ビームを検出し、この検出信号が比較
器９に入力される。
２−
比較器９の出力信号がトラッキング制御信号すとなり、
フォトダイオード８８．８０の出力信号の差が零になる
ように、ディスク６の半径方向について、ビット７ａ、
７ｂ、７ｃに照射する３本の光ビームの照射位置制御が
なされる。そして、中央のビット７ｂからの反射光ビー
ムを検出するフォトダイオード８ｂの出力信号が再生画
像信号およびフォーカス制御信号となる。このフォトダ
イオード８ｂは受光面が４分割され、各受光面の受光量
が等しくなるように、ビット７ｂを照射する光ビームの
フォーカス制御がなされる。
フォトダイオード８８．８０の出力信号の差が零になる
ように、ディスク６の半径方向について、ビット７ａ、
７ｂ、７ｃに照射する３本の光ビームの照射位置制御が
なされる。そして、中央のビット７ｂからの反射光ビー
ムを検出するフォトダイオード８ｂの出力信号が再生画
像信号およびフォーカス制御信号となる。このフォトダ
イオード８ｂは受光面が４分割され、各受光面の受光量
が等しくなるように、ビット７ｂを照射する光ビームの
フォーカス制御がなされる。
このように、従来の光学式ディジタルディスク用ピック
アップでは、回折格子により１本の光ビームを３本に分
けるようにしていた。
アップでは、回折格子により１本の光ビームを３本に分
けるようにしていた。
しかし、この種の回折格子は周知のように高価格であり
、これが原価の低減を困難にしていた。
、これが原価の低減を困難にしていた。
また、回折格子で分けられた３本の光ビームをビットに
集光する光学系の調整は、回折格子の精度を考慮して行
なわなければならず、非常に面倒である。更に、この種
の回折格子では、ラマンナス回折による高次モードの回
折光が生じ、これがノイズ源の１つになっていた。
集光する光学系の調整は、回折格子の精度を考慮して行
なわなければならず、非常に面倒である。更に、この種
の回折格子では、ラマンナス回折による高次モードの回
折光が生じ、これがノイズ源の１つになっていた。
（発明の目的）
この発明は、回折格子を不要とすることににす、原価低
減を図るとともに、光学系の調整を簡単化し、かつノイ
ズの低減を図ることができる光学式ディジタルディスク
用ピックアップを提供することにある。
減を図るとともに、光学系の調整を簡単化し、かつノイ
ズの低減を図ることができる光学式ディジタルディスク
用ピックアップを提供することにある。
（発明の構成と効果）
この発明は、上記目的を達成するために、光源として１
つの素子から３本の光ビームを出射する半導体レーザを
用いたことを特徴とする。
つの素子から３本の光ビームを出射する半導体レーザを
用いたことを特徴とする。
この構成によれば、高価格な回折格子がないので、原価
の低減が図れる。また、光学系の調整は半導体レーザが
出射する３本の光ビームを直接扱うことになるので、全
体として調整が簡単になる。
の低減が図れる。また、光学系の調整は半導体レーザが
出射する３本の光ビームを直接扱うことになるので、全
体として調整が簡単になる。
更に、３本の光ビームは回折格子によらずに１９ること
ができるので、回折格子に起因するノイズ源がなくなり
、ノイズの低減が図れる。
ができるので、回折格子に起因するノイズ源がなくなり
、ノイズの低減が図れる。
（実施例の説明）
第２図において、この発明に係る光学式ディジタルディ
スク用ピックアップは、光源として３本の光ビームを出
射する半導体レーザ２１を用いたものである。なお、第
１図と同一部分には同一符号を付し、その説明を省略す
る。
スク用ピックアップは、光源として３本の光ビームを出
射する半導体レーザ２１を用いたものである。なお、第
１図と同一部分には同一符号を付し、その説明を省略す
る。
このような構成において、半導体レーザ２１からは直接
３本の光ビームｅ、ｆ、ｇがほぼ平行に出射されるので
、これによって前述したと同様なピックアップ動作を行
なうことができる。
３本の光ビームｅ、ｆ、ｇがほぼ平行に出射されるので
、これによって前述したと同様なピックアップ動作を行
なうことができる。
第３図および第４図は上記半導体レーザ２１の一例を示
す。
す。
第３図に示すものは、本出願人が先に出願した半導体レ
ーザアレイである（未公開）。この半導体レーザアレイ
は、Ｇａ Ａｔ Ａｓ層〈ｎドープ層または非ドープ層
）３１の一部をエツチングにより除去してその厚み分か
らなる段部３２が形成されたｎ−ＧａＡｓ基板３３上に
、互いにヘテロ接合をなすｎ−Ｑａ Ａｓ ３４ａとレ
ーザ動作をなす活性ＦｆＪ （ｎ −Ｇａ Ａｓ ）
３５ａとを交互に積層して（図中ａ、ｂ、ｃ、ｄの添字
でそれを示す）、５− ダブルへテロ接合構造を＜３７１ａ 、３５ａ 、３４
ｂ ）、（３４ｂ 、３５ｈ 、３４ｃ ＞、（３４ｃ
。
ーザアレイである（未公開）。この半導体レーザアレイ
は、Ｇａ Ａｔ Ａｓ層〈ｎドープ層または非ドープ層
）３１の一部をエツチングにより除去してその厚み分か
らなる段部３２が形成されたｎ−ＧａＡｓ基板３３上に
、互いにヘテロ接合をなすｎ−Ｑａ Ａｓ ３４ａとレ
ーザ動作をなす活性ＦｆＪ （ｎ −Ｇａ Ａｓ ）
３５ａとを交互に積層して（図中ａ、ｂ、ｃ、ｄの添字
でそれを示す）、５− ダブルへテロ接合構造を＜３７１ａ 、３５ａ 、３４
ｂ ）、（３４ｂ 、３５ｈ 、３４ｃ ＞、（３４ｃ
。
３５Ｃ，３４ａ ）の各ｌ′１層で形成し、該接合部に
上記段部３２でちって段差部分２６を形成し、この半導
体結晶の最上層３４６表面全面から段差部分３６におけ
る各活性層３５ａ 、 ３５ｂ 、３５ｃに至る領域に
亜鉛を拡散してｐ形厚転層３７を形成したもので、段差
部分３６の各層には横方向に一列にｐ−ｎ接合部がそれ
ぞれ形成される。
上記段部３２でちって段差部分２６を形成し、この半導
体結晶の最上層３４６表面全面から段差部分３６におけ
る各活性層３５ａ 、 ３５ｂ 、３５ｃに至る領域に
亜鉛を拡散してｐ形厚転層３７を形成したもので、段差
部分３６の各層には横方向に一列にｐ−ｎ接合部がそれ
ぞれ形成される。
そして、電極３８．３９からキャリアの注入が行なわれ
ると、大部分が段差部分３６における活性層３５ａ 、
３５ｂ 、３５ｃに形成されるｐ −ｎ接合部に集中し
、それぞれのｐ−ｎ接合部においてレーザ発振が行なわ
れる。その結果、３つの発光領域Ａ、Ｂ、Ｃが形成され
る。
ると、大部分が段差部分３６における活性層３５ａ 、
３５ｂ 、３５ｃに形成されるｐ −ｎ接合部に集中し
、それぞれのｐ−ｎ接合部においてレーザ発振が行なわ
れる。その結果、３つの発光領域Ａ、Ｂ、Ｃが形成され
る。
次に、第４図は周知のストライプ構造の半導体レーザを
示す。この半導体レーザは３つのストライプ電極４１．
４２．４３が形成され、周知のように、活性層４４には
ストライプ電極直下に発光領域△、Ｂ、Ｃが形成される
。
示す。この半導体レーザは３つのストライプ電極４１．
４２．４３が形成され、周知のように、活性層４４には
ストライプ電極直下に発光領域△、Ｂ、Ｃが形成される
。
６−
第１図は従来の光学式ディジタルディスク用ピックアッ
プを示す概略構成図、第２図はこの発明の実施例装置を
示（−概略構成図、第３図および第４図はト記実施例装
置の光源の具体例を示し、第３図は本出願人が先に出願
した半導体レーザアレイで、第４図は周知のス１〜ライ
ブ構造の半導体レーザである。 ３・・・・・・・・・・・・偏光ビームスプリッタ４・
・・・・・・・・・・・１／４波良板５・・・・・・・
・・・・・レンズ ６・・・・・・・・・・・・ディスク ７ａ 、 ７ｂ 、 ７ｃｍ・・ビット８ａ 、
８ｂ 、 ８ｃｍ・・フオトダイオード２１・・・・・
・・・・半導体レーザ △、Ｂ、Ｃ・・・発光領域 ｅ、ｆ、ｇ・・・出射光ビーム ｂ・・・トラック制御信号 Ｃ・・・再生信号およびフォーカス制御信号７− 第１図 冒Ｃ
プを示す概略構成図、第２図はこの発明の実施例装置を
示（−概略構成図、第３図および第４図はト記実施例装
置の光源の具体例を示し、第３図は本出願人が先に出願
した半導体レーザアレイで、第４図は周知のス１〜ライ
ブ構造の半導体レーザである。 ３・・・・・・・・・・・・偏光ビームスプリッタ４・
・・・・・・・・・・・１／４波良板５・・・・・・・
・・・・・レンズ ６・・・・・・・・・・・・ディスク ７ａ 、 ７ｂ 、 ７ｃｍ・・ビット８ａ 、
８ｂ 、 ８ｃｍ・・フオトダイオード２１・・・・・
・・・・半導体レーザ △、Ｂ、Ｃ・・・発光領域 ｅ、ｆ、ｇ・・・出射光ビーム ｂ・・・トラック制御信号 Ｃ・・・再生信号およびフォーカス制御信号７− 第１図 冒Ｃ
Claims (1)
- （１）光源からの光ビームをトラック内の隣合う３つの
ビットに照射し、各反射光ビームから再生信号や各種制
御信号を得るようにした光学式ディジタルディスク用ピ
ックアップにおいて、上記光源として１つの素子から３
本の光ビームを出射する半導体レーザを用いたことを特
徴とする光学式ディジタルディスク用ピックアップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58022410A JPS59148154A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 光学式デイジタルデイスク用ピツクアツプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58022410A JPS59148154A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 光学式デイジタルデイスク用ピツクアツプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59148154A true JPS59148154A (ja) | 1984-08-24 |
Family
ID=12081888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58022410A Pending JPS59148154A (ja) | 1983-02-14 | 1983-02-14 | 光学式デイジタルデイスク用ピツクアツプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59148154A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6162024A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-03-29 | Omron Tateisi Electronics Co | 光情報処理装置 |
| US5159586A (en) * | 1985-05-24 | 1992-10-27 | Omron Tateisi Electronics Co. | Device for processing optical data |
-
1983
- 1983-02-14 JP JP58022410A patent/JPS59148154A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6162024A (ja) * | 1984-09-03 | 1986-03-29 | Omron Tateisi Electronics Co | 光情報処理装置 |
| US5159586A (en) * | 1985-05-24 | 1992-10-27 | Omron Tateisi Electronics Co. | Device for processing optical data |
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