JPS59146954A - シ−スル−マスク - Google Patents
シ−スル−マスクInfo
- Publication number
- JPS59146954A JPS59146954A JP57234454A JP23445482A JPS59146954A JP S59146954 A JPS59146954 A JP S59146954A JP 57234454 A JP57234454 A JP 57234454A JP 23445482 A JP23445482 A JP 23445482A JP S59146954 A JPS59146954 A JP S59146954A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- iron oxide
- mask
- see
- film
- tin oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/355—Temporary coating
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本９ら明はシースルーマスクに関するものである。
酸化鉄被１莫を用いｆｃ露光用シースルーマスクは、ア
ライナ−２の、＠、発展によシ機械的な高精度が達せら
れるに及んで徐々に少なくなりつつある。しかしながら
アライナ−でカバーできる範囲はせいぜい５インチ程度
のサイズのものであり、それ以上のものには適用できな
い。特に、液晶パネルは通常１０αＸ ２１１ ｃｍ程
度以上の基板奮ベースにチョコレートブレイク法によ！
１７製造されているため高精度パターンを必要とする液
晶パネルに於てＣ１機械的位置決めは困難でめる。父、
多重マトリクヌパネル、ＦＴＴ、Ｍ工Ｍ、α−Ｎパネル
など透明電極の上に導電性の付与及び実装上の問題から
金属配線をパターン化して用いる場合が多くなり、多重
パターンによる下層の透明電極と金属部分の位置合わせ
が重要になってさている。このような点から大型で高密
度パターンを必要とするフォトリソグラフィー技術にお
いて、大型のシースルーマスクの技術が望まれている。
ライナ−２の、＠、発展によシ機械的な高精度が達せら
れるに及んで徐々に少なくなりつつある。しかしながら
アライナ−でカバーできる範囲はせいぜい５インチ程度
のサイズのものであり、それ以上のものには適用できな
い。特に、液晶パネルは通常１０αＸ ２１１ ｃｍ程
度以上の基板奮ベースにチョコレートブレイク法によ！
１７製造されているため高精度パターンを必要とする液
晶パネルに於てＣ１機械的位置決めは困難でめる。父、
多重マトリクヌパネル、ＦＴＴ、Ｍ工Ｍ、α−Ｎパネル
など透明電極の上に導電性の付与及び実装上の問題から
金属配線をパターン化して用いる場合が多くなり、多重
パターンによる下層の透明電極と金属部分の位置合わせ
が重要になってさている。このような点から大型で高密
度パターンを必要とするフォトリソグラフィー技術にお
いて、大型のシースルーマスクの技術が望まれている。
一方醗化鉄被膜は耐薬品性（際、アルカリ等）が悪く、
又耐摩耗性も低い。本発明者は大型で高精度でかつ従来
のシースルーマスクのもつ欠点である目ＩＩ記問題を解
決することを角え、陪化鉄被膜の表面への種々のコーテ
ィングを検討した結果、酸化ヌズを主成分とするコーテ
ィングが前記欠点を解決できることを見出し、本発明を
生むＶＣ主つ７ヒ。しかるに本発明の目的は、耐薬品性
、耐摩耗性に陵れた大型で高精度のシースルーマスクを
得ることにある。
又耐摩耗性も低い。本発明者は大型で高精度でかつ従来
のシースルーマスクのもつ欠点である目ＩＩ記問題を解
決することを角え、陪化鉄被膜の表面への種々のコーテ
ィングを検討した結果、酸化ヌズを主成分とするコーテ
ィングが前記欠点を解決できることを見出し、本発明を
生むＶＣ主つ７ヒ。しかるに本発明の目的は、耐薬品性
、耐摩耗性に陵れた大型で高精度のシースルーマスクを
得ることにある。
本発明に用いられるシーマルーマスク基板としてはソー
ダガラス、ホウケイ酸素ガラス、石英ガラス等が用いら
れ、通常はソーダガラスである。
ダガラス、ホウケイ酸素ガラス、石英ガラス等が用いら
れ、通常はソーダガラスである。
ソーダガラス片面又は両面Ｋｉｌ化鉄をスパッタリング
、蒸Ｗｉ、ＣＶＤ５パイロゾルＤＶＤ、ゼ機釡楓分解法
による等運引上げ法、スプレー法等により形成する。３
６０ ｎｍの光学波表において５％以下の透過率になる
ように選ばれなければならない。５条以上では光がもれ
フォトレジストが感光してしまう。５％以下にするには
酸化鉄の１漠厚は５ ［３０Ｘ以上、’ｉｔしく（７）
１０１］ＯＡ〜５Ｌ］００Ａを越えるとパターン部の基
板との段差が大きくなり光の廻り込みが大きくなりゴー
ヌト現象を示すようになる。基板上にこのようにして被
膜されｆ？：、酸化鉄上の酸化７ズを主成分とする被膜
の被覆方法には次の二通りの方法が考えられる。第１の
方法はフォトリソグラフィーにより酸化鉄被膜をエツチ
ングパターン化し、レジヌト剥離後、全面に酸化スズ生
成分被膜を形成する方法、第２はバターニング前に全面
に酸化スズをコーティングし、重化スズ被膜と嶽化鉄被
１摸をフォトリソグラフィーによシエッチングパターン
化する方法でめる。第１の方法の方が、醗化鉄被１漠・
の新聞にまで酸化スズ主成分被膜が形成されるグヒぬ耐
薬品性等には優れている。感化スズを主成分とする透明
被膜は酸化スズのみ又は、アンチモン、チタン、ジルコ
ニウムボロン等の酸化物を０．５饅〜２０％程度ドーグ
芒せてもよい。又、ハロゲンをドーズし友ものでもよい
。これらの被覆方法は酸化鉄被膜と同様の方法をとるこ
とができるがＣＶＤ法が緻産性（透明電極の製造工程と
兼用可能）の点で擾れている。
、蒸Ｗｉ、ＣＶＤ５パイロゾルＤＶＤ、ゼ機釡楓分解法
による等運引上げ法、スプレー法等により形成する。３
６０ ｎｍの光学波表において５％以下の透過率になる
ように選ばれなければならない。５条以上では光がもれ
フォトレジストが感光してしまう。５％以下にするには
酸化鉄の１漠厚は５ ［３０Ｘ以上、’ｉｔしく（７）
１０１］ＯＡ〜５Ｌ］００Ａを越えるとパターン部の基
板との段差が大きくなり光の廻り込みが大きくなりゴー
ヌト現象を示すようになる。基板上にこのようにして被
膜されｆ？：、酸化鉄上の酸化７ズを主成分とする被膜
の被覆方法には次の二通りの方法が考えられる。第１の
方法はフォトリソグラフィーにより酸化鉄被膜をエツチ
ングパターン化し、レジヌト剥離後、全面に酸化スズ生
成分被膜を形成する方法、第２はバターニング前に全面
に酸化スズをコーティングし、重化スズ被膜と嶽化鉄被
１摸をフォトリソグラフィーによシエッチングパターン
化する方法でめる。第１の方法の方が、醗化鉄被１漠・
の新聞にまで酸化スズ主成分被膜が形成されるグヒぬ耐
薬品性等には優れている。感化スズを主成分とする透明
被膜は酸化スズのみ又は、アンチモン、チタン、ジルコ
ニウムボロン等の酸化物を０．５饅〜２０％程度ドーグ
芒せてもよい。又、ハロゲンをドーズし友ものでもよい
。これらの被覆方法は酸化鉄被膜と同様の方法をとるこ
とができるがＣＶＤ法が緻産性（透明電極の製造工程と
兼用可能）の点で擾れている。
酸化スズ主成分とする被１摸の厚みは２００Ｘ〜１ｏｏ
ｏｏＸで、６す、’ａｉしくｕｓｏａＸ 〜ｓ’ｏｏｏ
Ｘである。２００Ａ以下では被膜のピンホールのための
耐薬品性が十分でない、又、耐摩耗性も十分とは言えな
い。＋ｏｏｏｏ Ｘを越えると酸化鉄と同様なゴースト
の間粗がおこる。父、前記第２の方法をとるときエラチ
ングイ六度がでない。フォトマヌクは露光時にレジスト
材料とコンタクトすることによシ汚れるので定期的にク
リーニングする必要がある、。硫酸、硝酸等による醇化
、アルカリ等による加水分解、トリクレン等の有機溶剤
等によりクリーニングされる。仝発明の構成のシーマル
ーマスクはこのような薬品に十分耐えることぎ予想され
る。
ｏｏＸで、６す、’ａｉしくｕｓｏａＸ 〜ｓ’ｏｏｏ
Ｘである。２００Ａ以下では被膜のピンホールのための
耐薬品性が十分でない、又、耐摩耗性も十分とは言えな
い。＋ｏｏｏｏ Ｘを越えると酸化鉄と同様なゴースト
の間粗がおこる。父、前記第２の方法をとるときエラチ
ングイ六度がでない。フォトマヌクは露光時にレジスト
材料とコンタクトすることによシ汚れるので定期的にク
リーニングする必要がある、。硫酸、硝酸等による醇化
、アルカリ等による加水分解、トリクレン等の有機溶剤
等によりクリーニングされる。仝発明の構成のシーマル
ーマスクはこのような薬品に十分耐えることぎ予想され
る。
以下実施例によシ＋′発明を説明する。
実施例１゜
２．０調厚のソーダガラス上に、鉄アセナルアセト７
”ｅｆ： ２ Ｏｗｔ係 含んだエチルセルソルブ溶液
ラスピン１法で塗布し、５ｏｏ℃で５Ｕ分間熱芦解して
酸化鉄の１５０ ＬＩＡ被膜を形成した。同様の方法で
再度コートシ酸化鉄の５００ＯＡ被膜を形成した二この
時の５６０ ｎｍの分光透過率は１．５襲であった。次
にフォトリソグラフィーによりマノ１−パターンヲ用い
て酸化鉄を工Ｎ塩醒でエツチングパターン化した。次に
フォトレジスミ−エチルアルコールを用いて除去した。
”ｅｆ： ２ Ｏｗｔ係 含んだエチルセルソルブ溶液
ラスピン１法で塗布し、５ｏｏ℃で５Ｕ分間熱芦解して
酸化鉄の１５０ ＬＩＡ被膜を形成した。同様の方法で
再度コートシ酸化鉄の５００ＯＡ被膜を形成した二この
時の５６０ ｎｍの分光透過率は１．５襲であった。次
にフォトリソグラフィーによりマノ１−パターンヲ用い
て酸化鉄を工Ｎ塩醒でエツチングパターン化した。次に
フォトレジスミ−エチルアルコールを用いて除去した。
次に常圧σ月ＥＶＤを用いてＭＡ ’ｘ Ｔｅｍｐ ５
５ ｏ’ＣＶＣ’ｊｆｉ定し７とベルト炉中でＢ’ｎ（
’：１４をシース“として酸化スズをｉ ｏｏ。
５ ｏ’ＣＶＣ’ｊｆｉ定し７とベルト炉中でＢ’ｎ（
’：１４をシース“として酸化スズをｉ ｏｏ。
父抜嗅した。このようにして作られたシースルーマスク
は露光胴７７りとして透過率的には十分使用可能であっ
た。又凌Ｗ硫炒、濃硫噛＋過酸化水素水、２０％アルカ
ｕ、２ａ％アルカリ十過マンガン師カリ、クロム値ば混
醒弄の無機薬品に６０℃で６時間浸漬）−るもシースル
ーマスクに対するダメージは全くなかった。又、トリク
レン、トリエタン、ジメチルスルホオギサイド、ＮＭＰ
、 アセトン、イングロビールアルコール等に浸漬する
も何のジ゛メージをも受けなかつグこ。次に実際のコン
タクト方式による露光を５０００ （ロ）くシ返すも
摩耗から来るダメージはなかった。これは酸化スズの耐
薬品性、耐摩耗性の効果力≦非常に有効に働いていると
言える。酪化スズのない鉛化鉄シースルーマスクは地酸
、硫酸−アルカリにまりｆ珀単に溶出する。父、ガーゼ
でこすることにより簡単にキズがつく。又、クロスカッ
ト試験でもソーダガラスとの密層性が十分でないが戯化
スズをオーバーコートすることによりｆｉ着力劣しい向
上がみらｔし、耐摩耗性の向上につながったと思われる
。
は露光胴７７りとして透過率的には十分使用可能であっ
た。又凌Ｗ硫炒、濃硫噛＋過酸化水素水、２０％アルカ
ｕ、２ａ％アルカリ十過マンガン師カリ、クロム値ば混
醒弄の無機薬品に６０℃で６時間浸漬）−るもシースル
ーマスクに対するダメージは全くなかった。又、トリク
レン、トリエタン、ジメチルスルホオギサイド、ＮＭＰ
、 アセトン、イングロビールアルコール等に浸漬する
も何のジ゛メージをも受けなかつグこ。次に実際のコン
タクト方式による露光を５０００ （ロ）くシ返すも
摩耗から来るダメージはなかった。これは酸化スズの耐
薬品性、耐摩耗性の効果力≦非常に有効に働いていると
言える。酪化スズのない鉛化鉄シースルーマスクは地酸
、硫酸−アルカリにまりｆ珀単に溶出する。父、ガーゼ
でこすることにより簡単にキズがつく。又、クロスカッ
ト試験でもソーダガラスとの密層性が十分でないが戯化
スズをオーバーコートすることによりｆｉ着力劣しい向
上がみらｔし、耐摩耗性の向上につながったと思われる
。
実施例２゜
実施例１．において酸化スズの代わりに５％酸化アンチ
モンをドープした酸化スズ被膜を用いた。
モンをドープした酸化スズ被膜を用いた。
効果は同様であった。
実施例６゜
実施例１．において酸化鉄をパイロゾルＣｖＤ法により
２１）ＯＯＡ被覆し、さらに同様の方法で酸化スＸ’ｃ
１０００’ｊ、＋ｉａＬ、た。次にマスターパターンを
用いてフォトリソグラフィーにより表層の酸化スズ、続
いて下層の酸化鉄をエツチング除去した。
２１）ＯＯＡ被覆し、さらに同様の方法で酸化スＸ’ｃ
１０００’ｊ、＋ｉａＬ、た。次にマスターパターンを
用いてフォトリソグラフィーにより表層の酸化スズ、続
いて下層の酸化鉄をエツチング除去した。
実施例１よりもサイドに露出した酸化鉄の影響により耐
薬品性でやや劣るも実用上問題なかった。
薬品性でやや劣るも実用上問題なかった。
もちろんのこと酸化スズコートなしのものより特に耐摩
耗性において優れた特性を示した。さらにＯＶＤ法によ
りサイドに露出した酸化鉄断面を被覆するために蘭化ス
ズを５０ＯＡコートした。
耗性において優れた特性を示した。さらにＯＶＤ法によ
りサイドに露出した酸化鉄断面を被覆するために蘭化ス
ズを５０ＯＡコートした。
実施例と全く同等の特性となった。
以上実施例をあげて本発明を説明したが、本発明によっ
て得られたシースルーマスクは特に大型のアライナ−が
フォローてきないよＣ）なフォトリソグラフィー用露光
マヌクとして使用でき、又、特に多重露光の用途が増力
口しつつある液晶ノくネル製造ラインに、ｖ効であり工
業的１１ｔｈ値は太さいものかめる。
て得られたシースルーマスクは特に大型のアライナ−が
フォローてきないよＣ）なフォトリソグラフィー用露光
マヌクとして使用でき、又、特に多重露光の用途が増力
口しつつある液晶ノくネル製造ラインに、ｖ効であり工
業的１１ｔｈ値は太さいものかめる。
以 上
手続補正書輸発）
日
特許庁長官殿 パ２゛ら
１、事件の表示 昭和５７年特許願第 ２５４４５４号 ２、発明の名称 シースルーマスク ３、補正をする者 事件との関係 出願人 東京都新宿区西新宿２丁目４番１号 （２３６）株式会社 諏 訪 精 工 舎４．１’ｔ
！ Ａ 代表取締役 中 村 恒 也５、
補正ｌこより増加する発明の数 ６、補正の対象 明細書 Ｃ而か ７、。、Ｅ ｇ） ｐ３６
）′フ 手続補正書に）鋤 １、 明ａ書 ２頁６行目〜４行目 ［多重７トリクスパネノペ ＦＴＴ、Ｊとある？、 「多重マトリタスパ不ル、ＴＰＴ、Ｊに補正する。
１、事件の表示 昭和５７年特許願第 ２５４４５４号 ２、発明の名称 シースルーマスク ３、補正をする者 事件との関係 出願人 東京都新宿区西新宿２丁目４番１号 （２３６）株式会社 諏 訪 精 工 舎４．１’ｔ
！ Ａ 代表取締役 中 村 恒 也５、
補正ｌこより増加する発明の数 ６、補正の対象 明細書 Ｃ而か ７、。、Ｅ ｇ） ｐ３６
）′フ 手続補正書に）鋤 １、 明ａ書 ２頁６行目〜４行目 ［多重７トリクスパネノペ ＦＴＴ、Ｊとある？、 「多重マトリタスパ不ル、ＴＰＴ、Ｊに補正する。
２、 明細書 ６頁２行目
「ホウケイ酸素ガラス、」とあるを、
［ホウケイ酸系ガラス、」に補正する。
五 明細書 ５負５行目〜６行目
「有機金属分解法による等連列上げ法、」とある？、
「有機金属分解法による等透引上げ法、」に補正する。
４、 明細書 ５頁７行目
「３６０ｎｍの光学彼我において」とある？、（−３６
０ｎｍの光学波畏において」に補正する。
０ｎｍの光学波畏において」に補正する。
５６ 明細書 ５頁３行目〜４行目
「本発明の構成のジ−マノピーマスク」とあるを、
［Ｘ発明の構成のシースルーマスク］ＩＬ補正する。
＆ 明細書 ５頁下から６行目
「酸化鉄をＩＮ塩酸」とあるを、
「酸化鉄を１Ｎ塩酸」に補正する。
Ｚ 明ａＳ ５百下から２行目〜同１行目「炉中で８
’ ｎ ＯＸ ４ ｆソースとして酸化スズを’１ｏ
ｏｏＸ被膜した。］とあるを、 「炉中でＳｎＯλ４をソースとして酸化スズを１０００
Ａ被覆し穴。」に補正する。
’ ｎ ＯＸ ４ ｆソースとして酸化スズを’１ｏ
ｏｏＸ被膜した。］とあるを、 「炉中でＳｎＯλ４をソースとして酸化スズを１０００
Ａ被覆し穴。」に補正する。
以上
代理人 最 上 務
Claims (1)
- 透明ガラス基板の表面にパターン状にし化鉄被膜を形成
して成る露光用シースルーマスクにおいて、醇化鉄被膜
の表面に酸化ヌズを主成分とする透明膜を２００Ａ〜１
０００１］Ａ 被覆して成ることを特ｉとするシース
ルーマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57234454A JPS59146954A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | シ−スル−マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57234454A JPS59146954A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | シ−スル−マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59146954A true JPS59146954A (ja) | 1984-08-23 |
Family
ID=16971247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57234454A Pending JPS59146954A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | シ−スル−マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59146954A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107445489A (zh) * | 2016-05-30 | 2017-12-08 | 蓝思科技（长沙）有限公司 | 一种含彩色油墨纹路图案的玻璃板的制备方法及玻璃板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5019427A (ja) * | 1973-05-09 | 1975-02-28 | ||
| JPS5446479A (en) * | 1977-09-20 | 1979-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | Negative plate for photo mask |
| JPS5643641A (en) * | 1979-09-19 | 1981-04-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photomask |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP57234454A patent/JPS59146954A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5019427A (ja) * | 1973-05-09 | 1975-02-28 | ||
| JPS5446479A (en) * | 1977-09-20 | 1979-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | Negative plate for photo mask |
| JPS5643641A (en) * | 1979-09-19 | 1981-04-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Photomask |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107445489A (zh) * | 2016-05-30 | 2017-12-08 | 蓝思科技（长沙）有限公司 | 一种含彩色油墨纹路图案的玻璃板的制备方法及玻璃板 |
| CN107445489B (zh) * | 2016-05-30 | 2023-07-07 | 蓝思科技（长沙）有限公司 | 一种含彩色油墨纹路图案的玻璃板的制备方法及玻璃板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4961990B2 (ja) | マスクブランクおよび階調マスク | |
| JP2011149710A (ja) | 時計用カバーガラス、及び時計 | |
| JPH08138446A (ja) | 透明導電膜付きガラス板及びそれを用いた透明タッチパネル | |
| JP2005183386A (ja) | 目に見えない電極を有する透明な素子の製造方法 | |
| JP4005622B1 (ja) | フォトマスク用基板及びフォトマスク並びにその製造方法 | |
| JP2001194505A (ja) | 低反射部材 | |
| JPS5842003A (ja) | 偏光板 | |
| JP4858025B2 (ja) | 階調マスク | |
| JPH043121A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPS59146954A (ja) | シ−スル−マスク | |
| JP6931538B2 (ja) | マスクブランクス及びフォトマスク | |
| KR20090110240A (ko) | 포토마스크용 기판, 포토마스크 및 그의 제조방법 | |
| JP5245443B2 (ja) | カラーフィルタ、及びそれを用いた液晶表示装置 | |
| CN219625740U (zh) | 一种显示屏的减反光玻璃保护片 | |
| JP5169072B2 (ja) | 液晶表示装置用カラーフィルタの製造方法 | |
| JPS61198156A (ja) | 改良されたフオトマスクブランク | |
| JPS5984244A (ja) | ホトマスク | |
| JPH02140704A (ja) | カラーフィルタ | |
| CN108491103B (zh) | 一种双面ito产品的制作方法和双面ito产品 | |
| JPS6325356B2 (ja) | ||
| JPH01151237A (ja) | 透明導電性膜のエツチング方法 | |
| JPH08151234A (ja) | 透明導電膜付きガラス板およびそれを用いた透明タッチパネル | |
| JPH06222354A (ja) | 表示装置用遮光膜 | |
| KR970007430A (ko) | 액정 표시 장치의 공통 전극 기판 및 그 제조 방법 | |
| JPH02193123A (ja) | 電気光学装置 |