JPS59144182A - 薄膜太陽電池 - Google Patents
薄膜太陽電池Info
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- JPS59144182A JPS59144182A JP58018664A JP1866483A JPS59144182A JP S59144182 A JPS59144182 A JP S59144182A JP 58018664 A JP58018664 A JP 58018664A JP 1866483 A JP1866483 A JP 1866483A JP S59144182 A JPS59144182 A JP S59144182A
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- solar battery
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は透明絶縁基板上に形成した薄膜太陽電池に関
する。
する。
太陽電池素子の保繰のために逆パラタイオード−を接続
することが効果のあることはこハまで指摘されてぎた。
することが効果のあることはこハまで指摘されてぎた。
第１図はこの例を示す。各太陽電池素子１にそｒぞれ対
応してタイオード２を逆並列に接続したものである。タ
イオードの順方向電圧は約０．５ｖであるので太陽電池
素子１には、０，５Ｖを越える逆バイアスがかかること
が阻止される。太陽電池素子１は透明絶縁基板３の上に
透明電極４、ａ−８ｉ（アモルファスシリコン）膜５、
金属電極６を積み重ねて構成し、金属電極６を延長して
隣接セルの透明電極４にそれぞね電気的に接続すること
により直列接続さねている。太陽電池セル１が発電状態
にあり、開放電圧モードで動作している場合、クイオー
ドに逆バイアスがかかることになるので、タイオード２
の要求特性として逆耐圧が太陽電池素子１の開放電圧よ
り大きいことが重要である。逆耐圧が太ぎいクイオード
を用いねば、い（つか直列に接続さねた太陽電池の保護
を行うことができる。
応してタイオード２を逆並列に接続したものである。タ
イオードの順方向電圧は約０．５ｖであるので太陽電池
素子１には、０，５Ｖを越える逆バイアスがかかること
が阻止される。太陽電池素子１は透明絶縁基板３の上に
透明電極４、ａ−８ｉ（アモルファスシリコン）膜５、
金属電極６を積み重ねて構成し、金属電極６を延長して
隣接セルの透明電極４にそれぞね電気的に接続すること
により直列接続さねている。太陽電池セル１が発電状態
にあり、開放電圧モードで動作している場合、クイオー
ドに逆バイアスがかかることになるので、タイオード２
の要求特性として逆耐圧が太陽電池素子１の開放電圧よ
り大きいことが重要である。逆耐圧が太ぎいクイオード
を用いねば、い（つか直列に接続さねた太陽電池の保護
を行うことができる。
このようにタイオードを太陽電池に逆並列接続すること
によって安定性の大きい太陽電池システムを形成できる
がダイオードをモジュール形成の際、いちいち組みこむ
のは、タイオードの調達。
によって安定性の大きい太陽電池システムを形成できる
がダイオードをモジュール形成の際、いちいち組みこむ
のは、タイオードの調達。
半田付は等組立に関してコストが某むという欠点がある
。
。
本発明はこの欠点を除き５、保護ダイオードが逆並列接
続された太陽電池で構成容易な構造を提供することを目
的とする。
続された太陽電池で構成容易な構造を提供することを目
的とする。
この目的は共通透明絶縁基板上に基板側力・ら透明ｔｔ
ｆ＋、ａ−３ｉのｐ層、ｉ層、ｎ層および金属電極が順
次積層さ才１てなる太陽電池素子およびタイオードが形
成さ八、その場合タイオードσ〕ｐＭ＋ま太陽′電池素
子のｐ層の１０倍以上の厚さを肩し、力・つ透明電極と
金属電極との接続によりタイオード力く太陽電池素子に
逆並列接続さｊて〜・ることによって達成さｒろ〇 以下図を引用して本発明の実施例につ℃・て説明する。
ｆ＋、ａ−３ｉのｐ層、ｉ層、ｎ層および金属電極が順
次積層さ才１てなる太陽電池素子およびタイオードが形
成さ八、その場合タイオードσ〕ｐＭ＋ま太陽′電池素
子のｐ層の１０倍以上の厚さを肩し、力・つ透明電極と
金属電極との接続によりタイオード力く太陽電池素子に
逆並列接続さｊて〜・ることによって達成さｒろ〇 以下図を引用して本発明の実施例につ℃・て説明する。
第２図は第１図に示したような太陽電池と同一構造のク
イオードを保護ダイオードとする場合の太陽電池と逆並
列タイオードの特性例を示す。
イオードを保護ダイオードとする場合の太陽電池と逆並
列タイオードの特性例を示す。
曲線２Ｉは太陽電池の電流電圧特性であり、点２２カー
短絡電流、点２３が開放電圧を示す。曲線２０上逆並列
接続した場合のタイオードの特性で暗中σ〕ものである
。しかし暗中のａ−８ｔクイオードは曲線２４力−示寸
ように順方向特性が大きく立ち上がらず、電流が飽和す
る傾向を示す。約１ｄの面積を有するａ−８ｔタイオー
ドにおいて、直列抵抗と入射光強度の関係を求めると第
１表のようであった。
短絡電流、点２３が開放電圧を示す。曲線２０上逆並列
接続した場合のタイオードの特性で暗中σ〕ものである
。しかし暗中のａ−８ｔクイオードは曲線２４力−示寸
ように順方向特性が大きく立ち上がらず、電流が飽和す
る傾向を示す。約１ｄの面積を有するａ−８ｔタイオー
ドにおいて、直列抵抗と入射光強度の関係を求めると第
１表のようであった。
第１表
すなわち、暗中で約５００の直列抵抗を示したが、１０
０ｍＷ／ａｄのもとでは約０５Ωの値を示した。このと
きのタイオードの特性を示したのが第２図の曲線２５で
ある。この場合、光が入射しているために直列抵抗が小
さくダイオードの電流の立ち上がりが大きいので、ａ−
＄１太陽電池に点２６で示すより大ぎい逆バイアスが印
加されると、逆並列接続されているダイオード側に電流
が流れ、ダイオードに大きな逆バイアスがかかることを
防ぐ効果が発揮される。しかし、このタイオードは点２
７で示す光起電力を発生しているので、太陽電池の短絡
電流２２からダイオードの電流２７を差し引いた分が外
にとり出されることとなる。従って、点２７の値をでき
るだけ０に近づける必要がある。
０ｍＷ／ａｄのもとでは約０５Ωの値を示した。このと
きのタイオードの特性を示したのが第２図の曲線２５で
ある。この場合、光が入射しているために直列抵抗が小
さくダイオードの電流の立ち上がりが大きいので、ａ−
＄１太陽電池に点２６で示すより大ぎい逆バイアスが印
加されると、逆並列接続されているダイオード側に電流
が流れ、ダイオードに大きな逆バイアスがかかることを
防ぐ効果が発揮される。しかし、このタイオードは点２
７で示す光起電力を発生しているので、太陽電池の短絡
電流２２からダイオードの電流２７を差し引いた分が外
にとり出されることとなる。従って、点２７の値をでき
るだけ０に近づける必要がある。
これについて検討した結果、ダイオードの面積を太陽電
池の面積より小さくすること、およびダイオードの９層
膜厚を厚（することが有効であることが分かった。ａ−
８ｉ太陽電池または逆並列クイオードが透明電極の側か
らａ−８ｉｐ層、ａ−８ｉノンド一プ層、ａ−８ｉｎ層
、金属電極の構造をしている。
池の面積より小さくすること、およびダイオードの９層
膜厚を厚（することが有効であることが分かった。ａ−
８ｉ太陽電池または逆並列クイオードが透明電極の側か
らａ−８ｉｐ層、ａ−８ｉノンド一プ層、ａ−８ｉｎ層
、金属電極の構造をしている。
このうちｐ層を厚くすることによって、短絡電流２２及
びそねに相当する点２７が第３図に示すように減少する
ことが見い出された。９層膜厚を２ｏｏｏｉとすると、
ｐ層膜厚ｚｏｏ Ａの場合に比較して、短絡電流が１５
％程度となる。そしてこの場合、直列抵抗についてはあ
まり変化セず、１００ｍＷ／ｃｄでｏ、７４Ωの抵抗が
得られた。きらに９層膜厚と１層膜厚を同じ条件にして
試料を作成し、光を照射して直列抵抗を測定すると第１
表と同じ結果が得られた。
びそねに相当する点２７が第３図に示すように減少する
ことが見い出された。９層膜厚を２ｏｏｏｉとすると、
ｐ層膜厚ｚｏｏ Ａの場合に比較して、短絡電流が１５
％程度となる。そしてこの場合、直列抵抗についてはあ
まり変化セず、１００ｍＷ／ｃｄでｏ、７４Ωの抵抗が
得られた。きらに９層膜厚と１層膜厚を同じ条件にして
試料を作成し、光を照射して直列抵抗を測定すると第１
表と同じ結果が得られた。
本発明はこねらの検討結果に基づき出力電流の大きい太
陽電池を構成するものである。
陽電池を構成するものである。
第４図（ａｌ〜（ｅ）に本発明の第一の実施例を示す。
（８１図は平面図で一点鎖線で透明電極パターン、破線
でアモルファスシリコンパターン、実線とハツチングで
金属電極パターンを示した。このＡ−Ａ’での断面図が
（ｂ）図で、Ｂ −Ｂ’での断面図が（０１図である。
でアモルファスシリコンパターン、実線とハツチングで
金属電極パターンを示した。このＡ−Ａ’での断面図が
（ｂ）図で、Ｂ −Ｂ’での断面図が（０１図である。
第１図と共通の部分には同一の符号が付ざｔｌている。
ガラス基板等の透明絶縁基板３上に太陽電池部の透明電
極パターン４０．４１．４２．４３．４４と保護ダイオ
ード部の透明電極パターン４５．４６．４７．４８゜４
９を形成する。次ｌｃｐ形ａ−８ｉ層を全面に形成する
。
極パターン４０．４１．４２．４３．４４と保護ダイオ
ード部の透明電極パターン４５．４６．４７．４８゜４
９を形成する。次ｌｃｐ形ａ−８ｉ層を全面に形成する
。
この厚さを２０００〜３０００ Ｘ′□とする。次に保
護ダイオード部のａ−８ｔパターンと同一の形状のレジ
ストパターンを形成して、プラズマエッチによりｐ形ａ
−８ｉ層をエツチングし、約１ｏｏ Ａまで厚さをうす
（する。このコントロールは精密さを要求するので次の
方法で実施した。ガラス基板のｐ形ａ−８ｉ層と反対側
に１ｏｏｏｉ程度の金属層を形成した。この膜は光反射
用に用いる。こねをエツチング槽内に入ねレーザニビー
ム（Ａｒレザー４８８０ Ｒ＞で照射しこの反射光をモ
ニタリングしながらエツチングを進めた。エンチングは
ＣＦ４ガスを用いて行った。
護ダイオード部のａ−８ｔパターンと同一の形状のレジ
ストパターンを形成して、プラズマエッチによりｐ形ａ
−８ｉ層をエツチングし、約１ｏｏ Ａまで厚さをうす
（する。このコントロールは精密さを要求するので次の
方法で実施した。ガラス基板のｐ形ａ−８ｉ層と反対側
に１ｏｏｏｉ程度の金属層を形成した。この膜は光反射
用に用いる。こねをエツチング槽内に入ねレーザニビー
ム（Ａｒレザー４８８０ Ｒ＞で照射しこの反射光をモ
ニタリングしながらエツチングを進めた。エンチングは
ＣＦ４ガスを用いて行った。
ガス圧数Ｔｏｒｒのもとてのエツチングにより、当初微
弱であった反射光が数分経過後強度を増し、ｐ層の膜厚
の減少と共に強度が変化することが見出された。ｐ層が
１００ 人□の値となるも反射光の強度のところでエツ
チングを終了した。ｐ形ａ−８ｉ層の吸収係数は、この
レーザービームのもとにおいては５ｘ１０’（ｍ−’）
である。レーザービームはａ−８ｉ層に入射し、ａ−８
ｉ層内に減衰しつつ透明電極に入る。
弱であった反射光が数分経過後強度を増し、ｐ層の膜厚
の減少と共に強度が変化することが見出された。ｐ層が
１００ 人□の値となるも反射光の強度のところでエツ
チングを終了した。ｐ形ａ−８ｉ層の吸収係数は、この
レーザービームのもとにおいては５ｘ１０’（ｍ−’）
である。レーザービームはａ−８ｉ層に入射し、ａ−８
ｉ層内に減衰しつつ透明電極に入る。
ここでは透明度が大きいのでほとんど吸収されない。次
にガラスにはいるがここでもほとんど吸収さ４ない。た
だ透明膜あるいはガラスとはいえ、膜のつ（り方、ガラ
スのつくり方により吸収率の大きい場合があるのでこの
波長における吸収率を考慮に入ねる必要があるのは当然
のことである。
にガラスにはいるがここでもほとんど吸収さ４ない。た
だ透明膜あるいはガラスとはいえ、膜のつ（り方、ガラ
スのつくり方により吸収率の大きい場合があるのでこの
波長における吸収率を考慮に入ねる必要があるのは当然
のことである。
ガラス板を透過すると蒸淘された金属膜で反射される。
反射率はほとんど１であるが、精密には反射率を事前に
チェ４りしてお（必要がある。こうしてビームはガラス
、透明電極を通り、ａ−８ｉ層で減すいして検出器にと
りこまれる。膜厚１００ Ｘの場合、ａ−８ｔ内の光路
長としては２００λとなる。この場合には反射光は照射
光の約３７チとなっている。
チェ４りしてお（必要がある。こうしてビームはガラス
、透明電極を通り、ａ−８ｉ層で減すいして検出器にと
りこまれる。膜厚１００ Ｘの場合、ａ−８ｔ内の光路
長としては２００λとなる。この場合には反射光は照射
光の約３７チとなっている。
入射光の入射角は垂直が計算上容易であるが、角度は任
意に選べることはいうまでもない。この後、ダイオード
パターン上のレジストを剥離し、グロー放電によりａ−
８ｉのノンドープ層を約０５μ形成した。ノンドープ層
形成に先だって、約５分Ｈ２で放電し、さらに約５０Ｘ
ｐ形ａ−８ｉ層を形成すると太陽電池特性として好まし
いものが得らねた。次にａ−８ｉｎ層を約５００人形成
し、エツチング法を用いて（ａ）図のごとくパターンを
形成する。こうして形成されたのがｆｂ１図のａ−８ｉ
層５θ、 ５１．５２． ’５３．５４と（ｃ）図のａ
−８ｉ層５５．５６．５７．５８．５９である。なおガ
ラス基板３の光入射側に作成した金属反射膜は、ａ−８
４のエツチングの際自動的に除かれる。次に金属電極パ
ターンを形成する。（ｂ）図の金属電極６０゜６１、６
２．６３．６４、（Ｃ）図の金属電極６５．６６、６７
、６８゜６９がそれであるが、（３１図に示すように例
えば６０と６６というように互に連結さねている。金属
電極６０〜６４は太陽電池素子のｎ側電極である。金属
電極６５〜６９はダイオードのｎ側電極である。（ｂ）
図に示すように金属電極６０〜６３は隣接の太陽電池素
子の透明電極４１〜４４とそねそれ電気的に接続されて
おり、各太陽電池素子が直列接続さねる。金属電祢６０
〜６３はタイオードのｎ側電極６６〜６９を介して隣接
クイオードのｐ側電極である５Ｔ３Ａ電＠４５〜４８と
それぞれ電気的に接続されることにより保護タイオード
２が直列接続されていることになる。この結果太陽電池
素子１が直列接続さね、タイオード２が太陽電池素子と
逆並列接続さねている構成となる。また上記の結果１坪
より保握クイオードのｐ層は２〜３０００Ａも厚く発生
電流が少な（、直列抵抗が／ＪＳさいため太陽電池に逆
バイアスがががったときタイオードに多くの電流を流す
構造とすることができた。この結果安定した太陽電池を
作成することができた。
意に選べることはいうまでもない。この後、ダイオード
パターン上のレジストを剥離し、グロー放電によりａ−
８ｉのノンドープ層を約０５μ形成した。ノンドープ層
形成に先だって、約５分Ｈ２で放電し、さらに約５０Ｘ
ｐ形ａ−８ｉ層を形成すると太陽電池特性として好まし
いものが得らねた。次にａ−８ｉｎ層を約５００人形成
し、エツチング法を用いて（ａ）図のごとくパターンを
形成する。こうして形成されたのがｆｂ１図のａ−８ｉ
層５θ、 ５１．５２． ’５３．５４と（ｃ）図のａ
−８ｉ層５５．５６．５７．５８．５９である。なおガ
ラス基板３の光入射側に作成した金属反射膜は、ａ−８
４のエツチングの際自動的に除かれる。次に金属電極パ
ターンを形成する。（ｂ）図の金属電極６０゜６１、６
２．６３．６４、（Ｃ）図の金属電極６５．６６、６７
、６８゜６９がそれであるが、（３１図に示すように例
えば６０と６６というように互に連結さねている。金属
電極６０〜６４は太陽電池素子のｎ側電極である。金属
電極６５〜６９はダイオードのｎ側電極である。（ｂ）
図に示すように金属電極６０〜６３は隣接の太陽電池素
子の透明電極４１〜４４とそねそれ電気的に接続されて
おり、各太陽電池素子が直列接続さねる。金属電祢６０
〜６３はタイオードのｎ側電極６６〜６９を介して隣接
クイオードのｐ側電極である５Ｔ３Ａ電＠４５〜４８と
それぞれ電気的に接続されることにより保護タイオード
２が直列接続されていることになる。この結果太陽電池
素子１が直列接続さね、タイオード２が太陽電池素子と
逆並列接続さねている構成となる。また上記の結果１坪
より保握クイオードのｐ層は２〜３０００Ａも厚く発生
電流が少な（、直列抵抗が／ＪＳさいため太陽電池に逆
バイアスがががったときタイオードに多くの電流を流す
構造とすることができた。この結果安定した太陽電池を
作成することができた。
第５図に第二の実施例を示す。太陽電池のセル面積が大
きくなるにつねて面内ばらつき等により特性のばらつき
が発生する。逆耐圧特性も同様に面積が大きくなると共
に小さくなる傾向がある。
きくなるにつねて面内ばらつき等により特性のばらつき
が発生する。逆耐圧特性も同様に面積が大きくなると共
に小さくなる傾向がある。
太陽電池と逆並列接続する保護ダイオードは今回のよう
なタイオードに光入射させる構造の場合、ダイオード、
太陽電池共に互に相手の開放電圧程度の逆バイアスに耐
えなけわばならない。それ＆礼順方向電流を流しても開
放電圧程度の順方向ドｐンブが生ずるからである。こハ
を避けるために太陽電池をＶ個、例えば第５図のよ１ｖ
ｃ３個直接接続したものにダイオード１個逆並列接続す
ると太陽電池の逆耐圧はグイオートの開放電圧の％程度
でよ（なり、太陽電池面積が犬さくなって逆耐圧が多少
低下してもそｔｔ’ｖ補うことができろ。このダイオー
ド１個に対する太陽電池の直列数は３ケにとどまらない
。太陽電池がＶｏｃモードにあるとき、ダイオードには
逆バイアスがかがるので直列数はこねとのからみで決め
られねばならない。第５図（ａ） ＶＣ平面図を示した
。一点鎖線が透明電極パターン、破線がａ−８ｉＭパタ
ーンで、このａ−８’ｉ層のうちダイオードの部分のｐ
層は２０００〜３ｏｏｏ Ａと太陽電池素子部に比較し
て十分厚くしておく。実線とハンチングで示したものは
金属電極パターンである。（ｂ）図は（３１図のｃ −
ｃ’線における断面図で太陽電池素子部を示し、第４図
（ｂｌと同様である。（０１図は（ａ）図のＤ −Ｄ’
線における断面図で保護ダイオード部を示す。透明電極
層４Ａ、 ４Ｂ、’４Ｃ，ａ−８ｔ層５Ａ。
なタイオードに光入射させる構造の場合、ダイオード、
太陽電池共に互に相手の開放電圧程度の逆バイアスに耐
えなけわばならない。それ＆礼順方向電流を流しても開
放電圧程度の順方向ドｐンブが生ずるからである。こハ
を避けるために太陽電池をＶ個、例えば第５図のよ１ｖ
ｃ３個直接接続したものにダイオード１個逆並列接続す
ると太陽電池の逆耐圧はグイオートの開放電圧の％程度
でよ（なり、太陽電池面積が犬さくなって逆耐圧が多少
低下してもそｔｔ’ｖ補うことができろ。このダイオー
ド１個に対する太陽電池の直列数は３ケにとどまらない
。太陽電池がＶｏｃモードにあるとき、ダイオードには
逆バイアスがかがるので直列数はこねとのからみで決め
られねばならない。第５図（ａ） ＶＣ平面図を示した
。一点鎖線が透明電極パターン、破線がａ−８ｉＭパタ
ーンで、このａ−８’ｉ層のうちダイオードの部分のｐ
層は２０００〜３ｏｏｏ Ａと太陽電池素子部に比較し
て十分厚くしておく。実線とハンチングで示したものは
金属電極パターンである。（ｂ）図は（３１図のｃ −
ｃ’線における断面図で太陽電池素子部を示し、第４図
（ｂｌと同様である。（０１図は（ａ）図のＤ −Ｄ’
線における断面図で保護ダイオード部を示す。透明電極
層４Ａ、 ４Ｂ、’４Ｃ，ａ−８ｔ層５Ａ。
５Ｂ、 ５Ｃ１金属電極層６Ａ、 ６Ｂ、 ６Ｃ
が電極６Ｂと電極４Ａ電極６Ｃと電極４Ｂが電気的に接
続するように形成さね、保護ダイオードが直列接続され
た構造となっている。金属電極６０と金属電極６Ｂ、ま
た金属電極６３と金属電極６Ｃが電気的に接続された構
造であるので、タイオード２０のｐ側電極４Ｂと太陽電
池素子１３のｎ側電極６３が、タイオード２０のｎ側室
ｉ６Ｂと太陽電池素子１１のｐ側電極４１と電気的につ
ながっているので、直列接続さ才また太陽電池素子１１
．、１．２゜１３とダイオード２０が逆並列接続さねて
いる。
が電極６Ｂと電極４Ａ電極６Ｃと電極４Ｂが電気的に接
続するように形成さね、保護ダイオードが直列接続され
た構造となっている。金属電極６０と金属電極６Ｂ、ま
た金属電極６３と金属電極６Ｃが電気的に接続された構
造であるので、タイオード２０のｐ側電極４Ｂと太陽電
池素子１３のｎ側電極６３が、タイオード２０のｎ側室
ｉ６Ｂと太陽電池素子１１のｐ側電極４１と電気的につ
ながっているので、直列接続さ才また太陽電池素子１１
．、１．２゜１３とダイオード２０が逆並列接続さねて
いる。
この結果、ダイオードの面積は太陽電池１ケの面積で発
生する電流を流しうる面積があｊばよい−ので、第一の
実施例に比較してガラス基板上に占めるタイオードの面
積が小さくなり、太陽電池の面積効率が上昇し、発電出
力が太き（なる効果がある。
生する電流を流しうる面積があｊばよい−ので、第一の
実施例に比較してガラス基板上に占めるタイオードの面
積が小さくなり、太陽電池の面積効率が上昇し、発電出
力が太き（なる効果がある。
以上述べたように、本発明は共通透明基板上に基板側か
らａ−８ｔ層のｐｉｎ構造を有する太陽電池素子と、同
じ＜ａ−８ｔ層のｐｉｎ構造であるがｐ層の膜厚が太陽
電池素子のｐ層の膜厚の１０倍以上であるようにダイオ
ードを形成し、そのダ・ｒオードを太陽電池素子に逆並
列接続するもの１Ｃ１太陽電池素子部もダイオード部も
光に照射さねた状態で発電効率の良好で安定性の高い薄
膜−太陽電池を得ることがでさ、その効果はすこぶる犬
である。
らａ−８ｔ層のｐｉｎ構造を有する太陽電池素子と、同
じ＜ａ−８ｔ層のｐｉｎ構造であるがｐ層の膜厚が太陽
電池素子のｐ層の膜厚の１０倍以上であるようにダイオ
ードを形成し、そのダ・ｒオードを太陽電池素子に逆並
列接続するもの１Ｃ１太陽電池素子部もダイオード部も
光に照射さねた状態で発電効率の良好で安定性の高い薄
膜−太陽電池を得ることがでさ、その効果はすこぶる犬
である。
第１１スは従来の薄膜太陽電池の構造の一例と保護タイ
オードの接続の概念を示す斜視図、第２図は同一構造で
構成される太陽電池と逆並列接続ダイオードの電流−電
圧特性線図、第３区は短絡電流と１層膜厚との関係線図
、第４図（ａｌ〜（ｃ）は本発明による薄膜太陽電池の
一実施例を示し、（ａｌは平面図、（ｂ）ばそのＡ−Ａ
’線断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ’ｉ断面図、第５図（ａ）
〜（ｃ）は別の実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）
はそのｃ −ｃ’線断面図、（ｃ）はＤ−Ｄ’線断面図
である。 ３・・・透明絶縁基板、４０〜４９．４Ａ、 ４Ｂ、
４Ｃ・・・透明Ｉｔ極、５０〜５９．５Ａ、 ５Ｂ、
５Ｃ・・・ａ−８Ａ層、６０〜６９’、 ６Ａ。 ６Ｂ、 ６Ｃ・・・金属電極。 ３ Ｔ １ に ７′２ 暖 ｆ ３ 区 １ ） ３ ７４ 囚 ７ ｓ 図
オードの接続の概念を示す斜視図、第２図は同一構造で
構成される太陽電池と逆並列接続ダイオードの電流−電
圧特性線図、第３区は短絡電流と１層膜厚との関係線図
、第４図（ａｌ〜（ｃ）は本発明による薄膜太陽電池の
一実施例を示し、（ａｌは平面図、（ｂ）ばそのＡ−Ａ
’線断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ’ｉ断面図、第５図（ａ）
〜（ｃ）は別の実施例を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）
はそのｃ −ｃ’線断面図、（ｃ）はＤ−Ｄ’線断面図
である。 ３・・・透明絶縁基板、４０〜４９．４Ａ、 ４Ｂ、
４Ｃ・・・透明Ｉｔ極、５０〜５９．５Ａ、 ５Ｂ、
５Ｃ・・・ａ−８Ａ層、６０〜６９’、 ６Ａ。 ６Ｂ、 ６Ｃ・・・金属電極。 ３ Ｔ １ に ７′２ 暖 ｆ ３ 区 １ ） ３ ７４ 囚 ７ ｓ 図
Claims (1)
- １）共通透明絶縁基板上に基板側から透明電極、ａ−８
ｉのｐ層、ｉ層、ｎ層および金属電極がｊ−次積層さ４
てなる太陽電池素子およびタイオードが形成さね、その
場合ダイオードのｐ層は太陽電池素子のｐ層の１０倍以
上の厚さを有し、かつ透明電極と金属電極との接続によ
りタイオードが太陽電池素子と逆並列接続さねたことを
特徴とする薄膜太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58018664A JPS59144182A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 薄膜太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58018664A JPS59144182A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 薄膜太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59144182A true JPS59144182A (ja) | 1984-08-18 |
| JPS6314874B2 JPS6314874B2 (ja) | 1988-04-01 |
Family
ID=11977875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58018664A Granted JPS59144182A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 薄膜太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59144182A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61140550U (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-30 | ||
| JP2009527123A (ja) * | 2006-09-04 | 2009-07-23 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | バイパスダイオードを包含する薄膜型太陽電池セル及びその製造方法 |
| CN102479855A (zh) * | 2010-11-30 | 2012-05-30 | 财团法人工业技术研究院 | 具电流控制的太阳能电池模块及其制造方法 |
| JP2017183651A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 三菱ケミカル株式会社 | 太陽電池モジュール |
-
1983
- 1983-02-07 JP JP58018664A patent/JPS59144182A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61140550U (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-30 | ||
| JP2009527123A (ja) * | 2006-09-04 | 2009-07-23 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | バイパスダイオードを包含する薄膜型太陽電池セル及びその製造方法 |
| CN102479855A (zh) * | 2010-11-30 | 2012-05-30 | 财团法人工业技术研究院 | 具电流控制的太阳能电池模块及其制造方法 |
| JP2017183651A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 三菱ケミカル株式会社 | 太陽電池モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6314874B2 (ja) | 1988-04-01 |
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