JPS59143320A - パタ−ン化された導電性層を形成する方法 - Google Patents

パタ−ン化された導電性層を形成する方法

Info

Publication number
JPS59143320A
JPS59143320A JP58017211A JP1721183A JPS59143320A JP S59143320 A JPS59143320 A JP S59143320A JP 58017211 A JP58017211 A JP 58017211A JP 1721183 A JP1721183 A JP 1721183A JP S59143320 A JPS59143320 A JP S59143320A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
patterned
layer
metal layer
conductive layer
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58017211A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPH0228249B2 (OSRAM
Inventor
Yoshitaka Sasaki
芳高 佐々木
Yuji Imai
勇次 今井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP58017211A priority Critical patent/JPS59143320A/ja
Publication of JPS59143320A publication Critical patent/JPS59143320A/ja
Publication of JPH0228249B2 publication Critical patent/JPH0228249B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10D64/011—

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Weting (AREA)
JP58017211A 1983-02-04 1983-02-04 パタ−ン化された導電性層を形成する方法 Granted JPS59143320A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58017211A JPS59143320A (ja) 1983-02-04 1983-02-04 パタ−ン化された導電性層を形成する方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58017211A JPS59143320A (ja) 1983-02-04 1983-02-04 パタ−ン化された導電性層を形成する方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59143320A true JPS59143320A (ja) 1984-08-16
JPH0228249B2 JPH0228249B2 (OSRAM) 1990-06-22

Family

ID=11937604

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58017211A Granted JPS59143320A (ja) 1983-02-04 1983-02-04 パタ−ン化された導電性層を形成する方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59143320A (OSRAM)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61294838A (ja) * 1985-06-24 1986-12-25 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS62142392A (ja) * 1985-12-17 1987-06-25 シャープ株式会社 プリント配線板の製造法
JP2009088282A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Hitachi Via Mechanics Ltd プリント配線板の製造方法及びこの製造方法に用いられる電解エッチング処理液
WO2015030115A1 (ja) * 2013-09-02 2015-03-05 東レ株式会社 パターン化された導電積層体およびその製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04114354U (ja) * 1991-03-25 1992-10-08 株式会社フジ医療器 低周波治療器

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61294838A (ja) * 1985-06-24 1986-12-25 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS62142392A (ja) * 1985-12-17 1987-06-25 シャープ株式会社 プリント配線板の製造法
JP2009088282A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Hitachi Via Mechanics Ltd プリント配線板の製造方法及びこの製造方法に用いられる電解エッチング処理液
WO2015030115A1 (ja) * 2013-09-02 2015-03-05 東レ株式会社 パターン化された導電積層体およびその製造方法
CN105493206A (zh) * 2013-09-02 2016-04-13 东丽株式会社 经图案化的导电层合体及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0228249B2 (OSRAM) 1990-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4642168A (en) Metal layer patterning method
US11264518B2 (en) Etching of solar cell materials
JPH1041248A (ja) 非プレーナ面を有するウエハのパターン形成による半導体デバイス製造方法
JPS59143320A (ja) パタ−ン化された導電性層を形成する方法
US3314869A (en) Method of manufacturing multilayer microcircuitry including electropolishing to smooth film conductors
KR100495603B1 (ko) 실리콘 마이크로기계구조의 제작
US3723258A (en) Use of anodized aluminum as electrical insulation and scratch protection for semiconductor devices
JPS59113626A (ja) パタ−ン化された金属層を形成する方法
CN104332330A (zh) 一种介质层为阳极氧化膜的薄膜电容器的制造方法
JPS59144162A (ja) 薄膜回路の製造方法
JP2003501831A (ja) 半導体製造のために導電性層を低温酸化する方法
JP2001504270A (ja) 改良されたｌｓｃｏ積層電極を製造する方法
JPS59191315A (ja) パタ−ン化されたパ−マロイ層を形成する方法
JPH0144014B2 (OSRAM)
US3407465A (en) Techniques for charting and removing defects in thin film capacitors
JPS6059318B2 (ja) パタ−ン化されたＡｌ−Ｃｕ合金層を形成する方法
JPH0114701B2 (OSRAM)
JPS6059316B2 (ja) パタ−ン化されたアルミニウム層を形成する方法
JPS6059317B2 (ja) パタ−ン化されたアルミニウム層を形成する方法
JPS6056440B2 (ja) パタ−ン化されたアルミニウム層を形成する方法
JPS62244150A (ja) 低い割合のバナジウムを含むアルミニウムの相互接続層を有した半導体装置及び方法
JPS6059315B2 (ja) パタ−ン化されたアルミニウム層を形成する方法
Miwa et al. New Method in Fabrication of Tantalum Thin-Film Integrated Circuits
JPS6058320B2 (ja) パタ−ン化されたＡｌ−Ｓｉ合金層を形成する方法
JPS6151941A (ja) 電極・配線膜の製造方法