JPS5914237A - ガス放電パネルの製造方法 - Google Patents
ガス放電パネルの製造方法Info
- Publication number
- JPS5914237A JPS5914237A JP57122296A JP12229682A JPS5914237A JP S5914237 A JPS5914237 A JP S5914237A JP 57122296 A JP57122296 A JP 57122296A JP 12229682 A JP12229682 A JP 12229682A JP S5914237 A JPS5914237 A JP S5914237A
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- JP
- Japan
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- resistance
- electrode
- transparent
- low
- gas discharge
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/14—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は少なくとも片側基板上の一部に透明電極を有す
るガス放電パネルに係シ、特に実質的に透明な低抵抗透
明電極を備えたガス放電パネルの製造方法に関するもの
でおる。
るガス放電パネルに係シ、特に実質的に透明な低抵抗透
明電極を備えたガス放電パネルの製造方法に関するもの
でおる。
従来技術と問題点
従来、この種のガス放電パネルの低抵抗透明電極を形成
するために、インジウム・すず酸化物（以下ＩＴＯと略
称する）等の低比抵抗材料の開発と、透明でかつ厚い膜
を形成する蒸着技術の改良が行われてきた。
するために、インジウム・すず酸化物（以下ＩＴＯと略
称する）等の低比抵抗材料の開発と、透明でかつ厚い膜
を形成する蒸着技術の改良が行われてきた。
しかし、ＩＴＱは、比抵抗が１０−４９・ａｍ 以上
で熱処理によってはさらに大きくなる欠点がちシ、しか
も数μの膜で電極抵抗が６動程度までの導電膜が得られ
るが、透過率が７０％程度でありかつ蒸着に非常に時間
がかかるという欠点がある。また３Ω沖程度の抵抗の透
明導電膜では短辺が１０ｃｍ以上の表示面積を有するガ
ス放電パネルは実現が困難である。
で熱処理によってはさらに大きくなる欠点がちシ、しか
も数μの膜で電極抵抗が６動程度までの導電膜が得られ
るが、透過率が７０％程度でありかつ蒸着に非常に時間
がかかるという欠点がある。また３Ω沖程度の抵抗の透
明導電膜では短辺が１０ｃｍ以上の表示面積を有するガ
ス放電パネルは実現が困難である。
発明の目的
本発明は上述の欠点を解決するためのもので、抵抗が１
０００ｈ以上の透明導電膜を用いて実質的に抵抗が６Ω
昨以下の透明導電膜を用いたのと等価の透明電極を実現
できるガス放電パネルの製造方法を提供することを目的
としている。
０００ｈ以上の透明導電膜を用いて実質的に抵抗が６Ω
昨以下の透明導電膜を用いたのと等価の透明電極を実現
できるガス放電パネルの製造方法を提供することを目的
としている。
発明の構成
本発明では、上述の目的を達成するため、１００帥程度
の抵抗の透明電極をパターニングした後、該透明電極の
エツジ部分にメッキによシネ透明な低抵抗部分を形成し
、このようにすることによつて、電極抵抗を６Ω／ロ以
下に減少させかつ実質的には透明である低抵抗透明電極
が得られるようにしたものである。
の抵抗の透明電極をパターニングした後、該透明電極の
エツジ部分にメッキによシネ透明な低抵抗部分を形成し
、このようにすることによつて、電極抵抗を６Ω／ロ以
下に減少させかつ実質的には透明である低抵抗透明電極
が得られるようにしたものである。
発明の実施例
以下、図面に関連して本発明の詳細な説明する。
ガラス基板上への低抵抗透明電極の形成は次の手順によ
り行われる。
り行われる。
まず、第１図（２））に示すように、ガラス基板１の上
に抵抗が１００Ω／口程度の透明導電膜２、およびメッ
キ層との密着性が良く焼成後に無電界メッキでＣμ、Ｎ
ｉ、Ａｕ等の金属を付着形成できるキャタペースト鳩６
を順次形成し、その上にレジストパターン４を形成する
。
に抵抗が１００Ω／口程度の透明導電膜２、およびメッ
キ層との密着性が良く焼成後に無電界メッキでＣμ、Ｎ
ｉ、Ａｕ等の金属を付着形成できるキャタペースト鳩６
を順次形成し、その上にレジストパターン４を形成する
。
次にレジストパターン４をマスクとシテエッチングを行
って第１図（ｂ）に示すようにキャタペースト層６．透
明導電膜２をパターニングした後、レジストパターン４
を付けたままキャタペーストの側面にメッキによシ低抵
抗金属電極（低抵抗部分）５を形成する。金属電極５は
、耐熱性が必要な場合はＣｕとＣｒ等の２層に形成する
。このように形成されたｔｆｆｌは、電極エツジ部分に
低抵抗金属電極５が形成されているため、電極幅が１５
０μｍ、長さが１５ｃｍで抵抗６００Ω以下に容易に形
成することができ、実質的に抵抗が０．６０Ａ以下の透
明電極を使用したときと等価になる。
って第１図（ｂ）に示すようにキャタペースト層６．透
明導電膜２をパターニングした後、レジストパターン４
を付けたままキャタペーストの側面にメッキによシ低抵
抗金属電極（低抵抗部分）５を形成する。金属電極５は
、耐熱性が必要な場合はＣｕとＣｒ等の２層に形成する
。このように形成されたｔｆｆｌは、電極エツジ部分に
低抵抗金属電極５が形成されているため、電極幅が１５
０μｍ、長さが１５ｃｍで抵抗６００Ω以下に容易に形
成することができ、実質的に抵抗が０．６０Ａ以下の透
明電極を使用したときと等価になる。
このようにして実質的に低抵抗の透明電極を形成したガ
ラス基板・１上に第２図に示すように、絶縁層６．保護
層７を順次形成（この形成ルジストパターン４除去後に
行う）し、このガラス基板１と銀電極等の不透明電極８
．絶縁層９．保護層１０を形成した他の基板１１とを対
向させて対向面周辺部をシール部材１２を介し接着、封
止し、これにより形成される密封空間１３内に）ｈ −
Ｘｓ 混合ガスを封入してガス放電パネルが形成される
。
ラス基板・１上に第２図に示すように、絶縁層６．保護
層７を順次形成（この形成ルジストパターン４除去後に
行う）し、このガラス基板１と銀電極等の不透明電極８
．絶縁層９．保護層１０を形成した他の基板１１とを対
向させて対向面周辺部をシール部材１２を介し接着、封
止し、これにより形成される密封空間１３内に）ｈ −
Ｘｓ 混合ガスを封入してガス放電パネルが形成される
。
このように形成されたガス放電パネルは、電極抵抗が小
さいため動作マージンが大きく、しかも低抵抗金属電極
５が透明電極のエツジ部分にのみ形成されているため、
放電による発光１４はそのほとんどが透過するため高輝
度のガス放電パネルが実現できる。
さいため動作マージンが大きく、しかも低抵抗金属電極
５が透明電極のエツジ部分にのみ形成されているため、
放電による発光１４はそのほとんどが透過するため高輝
度のガス放電パネルが実現できる。
透明電極のエツジ部分に対する他の低抵抗金属電極形成
方法′を第５図に示す。
方法′を第５図に示す。
本例の場合は、第６図（α）に示すように、ガラス基板
１０１上に形成された透明導電膜（透明電極）１０２の
上にメッキ下地となるＣｒ−Ｃμ等の電極１ｏ３を全面
に形成し、さらにその上にレジストパターン１０４を形
成する。
１０１上に形成された透明導電膜（透明電極）１０２の
上にメッキ下地となるＣｒ−Ｃμ等の電極１ｏ３を全面
に形成し、さらにその上にレジストパターン１０４を形
成する。
次に、電極をエツチングした後、電極１０５のテーパエ
ツチング面に第６図（６）に示すようにＡｕ、Ｎｉ等の
メッキを行って低抵抗金属電極（低抵抗部分）１０５を
形成する。
ツチング面に第６図（６）に示すようにＡｕ、Ｎｉ等の
メッキを行って低抵抗金属電極（低抵抗部分）１０５を
形成する。
最後に、レジストパターン１０４を除去し低抵抗金属電
極１０５をマスクとして電極１０３をエツチングすれば
、第６図（ｃ）に示すように透明電極のエツジ部分にの
み低抵抗金属電極１０５が形成された低ないので微細パ
ターンを形成することができ、また高温熱処理工程を通
さないという利点がある。
極１０５をマスクとして電極１０３をエツチングすれば
、第６図（ｃ）に示すように透明電極のエツジ部分にの
み低抵抗金属電極１０５が形成された低ないので微細パ
ターンを形成することができ、また高温熱処理工程を通
さないという利点がある。
なお、透明導電膜をパターニングし、そのエツジ部分に
直接金属メッキすることも可能である。
直接金属メッキすることも可能である。
本発明は、ＡＣ形ガス放電パネルだけでなく、ＤＣ形ガ
ス放電パネルや他の低抵抗透明電極を必要とするデバイ
スにも応用可能である。
ス放電パネルや他の低抵抗透明電極を必要とするデバイ
スにも応用可能である。
発明の効果
以上述べたように、本発明によれは、実質的に非常に低
抵抗の透明電極を形成することができるため、大型でし
かも動作マージンの大きい高輝度ガス放電パネルを得る
ことができ、しかも低抵抗透明電極の形成は容易である
。
抵抗の透明電極を形成することができるため、大型でし
かも動作マージンの大きい高輝度ガス放電パネルを得る
ことができ、しかも低抵抗透明電極の形成は容易である
。
図面は本発明に係るガス放電パネルの製造方法の実施例
を示すもので、第１図（α）、（ｂ）は実質的に低抵抗
の透明電極形成工程図、第２図は本発明の方法によシ製
造されたガス放電パネルの構造図、第３図（ロ））、（
６）、（Ｃ）は他の低抵抗透明電極形成方法を示す工程
図である。 図中、１，１０１はガラス基板、２，１０２は透明導電
膜、３はキャタペースト層、４，１０４はレジストパタ
ーン、５，１０５はメッキにょ多形成された低抵抗金属
電極（低抵抗部分）、６．９は絶縁層、７，１゜は保護
層、Ｃｏは不透明電極、１１は基板、１２はシール部材
、１３は密封空間でおる。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士 玉蟲久五部 （外６名）第１図 （α） 第２図 Ａ １０１１５ フ 第３図
を示すもので、第１図（α）、（ｂ）は実質的に低抵抗
の透明電極形成工程図、第２図は本発明の方法によシ製
造されたガス放電パネルの構造図、第３図（ロ））、（
６）、（Ｃ）は他の低抵抗透明電極形成方法を示す工程
図である。 図中、１，１０１はガラス基板、２，１０２は透明導電
膜、３はキャタペースト層、４，１０４はレジストパタ
ーン、５，１０５はメッキにょ多形成された低抵抗金属
電極（低抵抗部分）、６．９は絶縁層、７，１゜は保護
層、Ｃｏは不透明電極、１１は基板、１２はシール部材
、１３は密封空間でおる。 特許出願人 富士通株式会社 代理人 弁理士 玉蟲久五部 （外６名）第１図 （α） 第２図 Ａ １０１１５ フ 第３図
Claims (1)
- 少なくとも片側基板上の一部に透明電極を有するガス放
電パネルの製造方法において、前記透明電極をパターニ
ングした後に該透明電極のエツジ部分にメッキによシ低
抵抗部分を形成したことを特徴とするガス放電パネルの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57122296A JPS5914237A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | ガス放電パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57122296A JPS5914237A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | ガス放電パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5914237A true JPS5914237A (ja) | 1984-01-25 |
| JPS6322404B2 JPS6322404B2 (ja) | 1988-05-11 |
Family
ID=14832441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57122296A Granted JPS5914237A (ja) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | ガス放電パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5914237A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61139559U (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-29 | ||
| US6380677B1 (en) | 1998-07-16 | 2002-04-30 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel electrode |
| JP2003229049A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
-
1982
- 1982-07-14 JP JP57122296A patent/JPS5914237A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61139559U (ja) * | 1985-02-20 | 1986-08-29 | ||
| US6380677B1 (en) | 1998-07-16 | 2002-04-30 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel electrode |
| JP2003229049A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6322404B2 (ja) | 1988-05-11 |
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