JPS59140687A - 磁気バブルメモリ装置の制御方法 - Google Patents

磁気バブルメモリ装置の制御方法

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JPS59140687A
JPS59140687A JP58012741A JP1274183A JPS59140687A JP S59140687 A JPS59140687 A JP S59140687A JP 58012741 A JP58012741 A JP 58012741A JP 1274183 A JP1274183 A JP 1274183A JP S59140687 A JPS59140687 A JP S59140687A
Authority
JP
Japan
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bubble memory
magnetic bubble
memory device
magnetic field
magnetic
Prior art date
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Pending
Application number
JP58012741A
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English (en)
Inventor
Shinsaku Chiba
千葉 真作
Kazutoshi Yoshida
和俊 吉田
Hirokazu Aoki
郭和 青木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS59140687A publication Critical patent/JPS59140687A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ装置の制御方法に係シ、特に
磁気バプルメそり装置をファイルメモリとして使用する
際、二重系のファイルメモリを構成する上で好適な磁気
バブルメモリ装置の制御方法に関するものである。
〔従来技術〕
一般に磁気バブルメモリ装置は、第1図にブロック図で
示すように情報を磁気バブルとしてバイアス磁界発生用
永久磁石1回転磁界発生コイルにより記憶し読み誓きす
る磁気バブルメモリデバイスlと、磁気バブルメモリデ
バイスlを直接的に駆動させる回転磁界駆動回路、パル
ス電流駆動回路、タイミング制御回路および信号検出回
路などからなる周辺回路2と、磁気バブルメモリデバイ
スlおよびその周辺回路2を制御プログラムにより間接
的に駆動させる磁気バブルメモリデバイス制御回路3と
、磁気バブルメそりデバイス制御回路3を駆動させるク
ロックパルス発生回路4とから構成されている。そして
、この磁気バブルメモリ回路5は、マイクロプロセッサ
およびランダムアクセスメモリなどからなるホストコン
ピュータ6に接続され、このホストコンピュータ6から
出力される命令によシ制御プログラムを集村させ磁気バ
ブルメモリデバイス!に対して情報の1き込み、読み出
し等の動作を制御する。
このように構成される磁気バブルメモリ装置においては
、第2図(a)に示すように前記磁気バブルメモリデバ
イス10回転磁界の1回転の周期(のの中に同図(b)
に示す制御プログラムは複数のステップによシ動作させ
る必髪があシ、この制御プログラム用周期(紛と、前記
回転磁界の周期(θ)との間にはn:1の関係、同図で
は4=lo関係がある。
すなわち、回転磁界の!周期(θ)の中で4種類のプロ
グラムの仕事を行なうことができる。この場合、制御プ
ログラムの基本的なフローは第3図に示すように命令の
受付けをチェックする待機ルーチンと命令を実行する実
行ルーチンとからなる。一方、磁気バブルメモリデバイ
ス制御回路3の動作は、命令の実行、例えば第2図(C
)に示すようにリード動作でもM2図(d)に示すアド
レスの基準位置を表わすマーカーの検索、あるいはエラ
ーの訂正によるリード動作または第2図(e)に示すラ
イト動作等の実行に要する制御プログラムステップ数が
異なる場合が生じる。
このように構成される磁気バブルメモリ回路5を第4図
に示すようにホストコンピュータ6に2台並列に接続し
て使用するいわゆる2重系の磁気バブルメモリ装置を構
成した場合、2つの磁気バブルメモリ回路5a、5bK
:1つのクロックパルス発生回路4から同一タイミング
のクロックパルスが同時に供給され、第5図(C)に示
すようにホストコンピュータ6から同時に動作命令が与
えられても、同図(d) 、 (e)に示すように命令
を受付け、命令のルーチンに入る際に2つの磁気バブル
メモリ回路5a、5bとの間では回転磁界制御信号8a
Sbが磁気バブルメモリ回転磁界周期(θ)で1サイク
ル程度位相が異なる場合が生じる。
このように2つの磁気バブルメモリ回路5a 。
5b相互間で磁気バブルメモリ回転磁界周期(θ)が!
サイクル異なった状態でライト動作が行なわれると、磁
気バブルメモリ回転磁界が同図(f)で示すように停電
等で緊急に停止した場合、次のような不都合が生じる。
すなわち、磁気バブルメモリ装置ではスワップ動作が行
なわれ、回転磁界の緊急停止が行なわれると、同図(劫
に示すように一方の磁気バブルメモリ回路5aではスワ
ップ動作電流iaが流れ、ライトデータによる磁気バブ
ルをマイナループに移すことができるが、他方の磁気パ
ズルメモリ回路5bでは同図(h)に示すようにスワッ
プ動作電流ibが流れる直前で停止し、ライトデータに
よる磁気バブルをマイナループに移すことができなくな
る。したがって、2つの磁気バブルメモリ装置間でデー
タが異なるものとなシ、完全な2重系の磁気バブルメモ
リ製置システムにはなシ得ないという欠点があった。
〔発明の目的〕
したがって本発明は、従来の欠点に鑑みてなされたもの
でおり、その目的とするところは、複数の磁気バブルメ
モリ回路を同一の命令で動作させ、緊急停止を行なった
場合でも装置のデータを同一とさせた完全な2重系が得
られる磁気゛バブルメモリ装置の制御方法を提供するこ
とにある。
〔発明の概要〕
このような目的を達成するために本発明は、磁気バブル
メモリデバイス制御回路の命令受付けが磁気バブルメモ
リ回転磁界周期に対して一定のタイミングに毎回なるよ
うに磁気パズルメモリ素子の動作終了から次の命令受付
けまでの間で磁気バブルメモリ回転磁界周期に命令受付
けのタイミングを同期化させることによ沙、複数の磁気
バブルメモリ回路を並列に同時に動作させた場合、クロ
ックパルスを共通にすれば確実に同期化される。
〔発明の実施例〕
次に図面を用いて本発明の実施例をt++廁に説明する
第6図は本発明による磁気バブルメモリ装置aの制御方
法の一例を説明するための制御プログラム基本フローを
示す図である。同図において、命令実行ルーチンと命令
をチェックする待機ルーチンとの間に同期化ルーチンを
入れ、待機ルーチンに入る際の制御プログラムサイクル
と磁気バブルメモリ回転磁界周期との間を一定の際1係
を保持させるととKより、第4図に示す21系の磁気バ
ブルメモリ装置の構成において、M7図(a) 、 (
b)に示す回転磁界周期、制御プログラム周期が共通で
同図(d)’、 (e)に示すように命令が同時に与え
られれば、その命令受付けa、bは2つの磁気ノくプル
メモリ回路5a、5bでは同時となシ、シたがってこれ
以後の実行ルーチンも同じ磁気ノくプルメモリ回転磁界
周期(めで動作することになる。そして、万一、停電等
によシ緊急に磁気バブルメモリ回転磁界が停止しても必
ず2つの磁気バブルメモリ回路5a。
5b相互間のデータは全く同一のものとなる。
このような方法によれば、待械ルーチンに入る際の回転
磁界周期、制御プログラム周期が一定のタイミングとな
るので2重系の磁気/<プルメモリ装置ではデータを完
全に同一のものとすることができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、命令受付けを待つ
待機ルーチンに入る際に磁気ノ(プルメモリ回転磁界周
期との同期ができるので、複数の磁気バブルメモリ回路
を並列に動作。させる際にこれらの間で動作開始を完全
に同期化できるという極めて優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は磁気バブルメモリ装置の一例を示す要部ブロッ
ク図、第2図(a)〜(e)は第1図に示す磁気バブル
メモリ装置の磁気バブルメモリ回転磁界男イクルと制御
プログラムサイクルを示す図、第3図は従来の磁気バブ
ルメモリ装置の制御プログラム基本フローを示す図、第
4図は2重系の磁気バブルメモリ装置を示す要部ブロッ
ク図、第5図は従来の磁気バブルメモリ装置を用いた第
4図の磁気バブルメモリ装置の動作を示す図、第6図は
本発明による磁気バブルメモリ装置の制御方法の一例を
説明するための制御プログラム基本フロー図、鯖7図は
本発明による磁気バブルメモリ装置を用いた第4図の磁
気バブルメモリ装置の動作を示す図である。 1、la、lb・・・・磁気バブルメモリデバイス、2
.2a 、2b−・−・周辺回路、3.3a 、3b−
・・・磁気バブルメモリデバイス制御回路、→・・・・
クロックパルス発生回路、5,5a、5b・・・・磁気
バブルメそり回路、6・・・・ホストコンピュータ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ホストコンピュータから与えられる命令を解読し、プロ
    グラムによシ磁気バブルメモリデバイスの動作を制御す
    る磁気バブルメモリデバイス制御回路を少なくとも具備
    してなる磁気バブルメモリ装置において、前記命令の受
    付けを認識する前に前記制御回路のプログラムを前記磁
    気バブルメモリデバイスの回転磁界を作るクロックの周
    期に同期させ、ホストコンピュータからの命令を受ける
    タイミングを、前記クロックの特定の位相に合わせたこ
    とを特徴とした磁気バブルメモリ装置の制御方法。
JP58012741A 1983-01-31 1983-01-31 磁気バブルメモリ装置の制御方法 Pending JPS59140687A (ja)

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JP58012741A JPS59140687A (ja) 1983-01-31 1983-01-31 磁気バブルメモリ装置の制御方法

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JPS59140687A true JPS59140687A (ja) 1984-08-13

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ID=11813848

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JP58012741A Pending JPS59140687A (ja) 1983-01-31 1983-01-31 磁気バブルメモリ装置の制御方法

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