JPS59139682A - 光導電性薄膜 - Google Patents
光導電性薄膜Info
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- JPS59139682A JPS59139682A JP58012786A JP1278683A JPS59139682A JP S59139682 A JPS59139682 A JP S59139682A JP 58012786 A JP58012786 A JP 58012786A JP 1278683 A JP1278683 A JP 1278683A JP S59139682 A JPS59139682 A JP S59139682A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、ファクシミリなどに用いられる光電変換８Ｑ
に関ト１、より詳細には、等倍光センサーに適用しうる
光導電性薄膜ｔに関するものである。
に関ト１、より詳細には、等倍光センサーに適用しうる
光導電性薄膜ｔに関するものである。
従来、ファクシミリなどの光続取装信に用いらＪする光
導７１」性素子としては、ＣＯＤあるいはＭＯＳなどの
他にアモルファスシリコンなどのシリコン系光導電性薄
膜が広く用いられている。
導７１」性素子としては、ＣＯＤあるいはＭＯＳなどの
他にアモルファスシリコンなどのシリコン系光導電性薄
膜が広く用いられている。
アモルファス水素化シリコン薄膜は、吸収係数が太き（
高感度であるため等倍光センサー用の光導電性薄膜とし
て注目されている。
高感度であるため等倍光センサー用の光導電性薄膜とし
て注目されている。
Ｌ７かＩ、なから、アモルファス水素化シリコン薄膜は
、キャリア移動度が約１０−４〜１０−’ ｃｍ２／ｖ
、ｓと低（、そのため光電流が小さいという欠点を有す
る。
、キャリア移動度が約１０−４〜１０−’ ｃｍ２／ｖ
、ｓと低（、そのため光電流が小さいという欠点を有す
る。
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、光電
流が大きくかつ光感度の良好な光導電性薄膜を提供する
ことを目的とする。
流が大きくかつ光感度の良好な光導電性薄膜を提供する
ことを目的とする。
本発明は、光吸収係数の大きなアモルファス水素化シリ
コン（ａ−８ｉ：Ｈ）層とキャリア移動度の比較的大き
な微結晶性水素化シリコン（μｃ−８ｉ：Ｈ）層とを交
互に積層することにより上記目的を達成しようとするも
のである。
コン（ａ−８ｉ：Ｈ）層とキャリア移動度の比較的大き
な微結晶性水素化シリコン（μｃ−８ｉ：Ｈ）層とを交
互に積層することにより上記目的を達成しようとするも
のである。
本発明において、水素化シリコンとは、ダングリングボ
ンドや結晶粒界を水素で終端化したシリコン材料を意味
する。
ンドや結晶粒界を水素で終端化したシリコン材料を意味
する。
以下、本発明の構成について、一実施例に基づいて具体
的に説明する。図にその断面図を示すように、本発明の
光導電性薄膜は、絶縁性基板１上に、ａ−８ｉ：Ｈｐ２
とｐｃ −６１１： Ｈ層３とを順次積層してプＬる。
的に説明する。図にその断面図を示すように、本発明の
光導電性薄膜は、絶縁性基板１上に、ａ−８ｉ：Ｈｐ２
とｐｃ −６１１： Ｈ層３とを順次積層してプＬる。
絶縁性基板１の材料としては、セラミックス、ガラスあ
るいはプラスチックスなどを用い得る。また、本図に示
すように、光が積層膜の上部から入射する場合、基板は
光侍過性である必甥はない。
るいはプラスチックスなどを用い得る。また、本図に示
すように、光が積層膜の上部から入射する場合、基板は
光侍過性である必甥はない。
ａ−８ｉ：Ｈｌｐおよびμｃ −Ｓｉ ： Ｈ膜は、た
とえはプラズマＣＶＤ法、スパッタリング法などにより
形成し得る。
とえはプラズマＣＶＤ法、スパッタリング法などにより
形成し得る。
以下に、プラズマＣＶＤ法によるａ−８ｉ：Ｈ膜の製造
方法を配す。ａ−８ｉ：Ｈｊ摸は、たとえばＳｉＨ４の
低圧グロー放電分Ｗｒで得ることができる。原料ガスと
しては、ＳｉＨ，単体の他に、Ｎ２、Ａｒ、 Ｎ２、Ｈ
θ等で希釈したＳｉＨ４も用いられ得る。膜形成条件と
しては、圧力０．１〜１０ Ｔｏｒｒ、基板温度１００
〜３００℃、投入電力０．１〜１０Ｗ、ガス流量１〜ｉ
ｏｏ ＳＣｃ！Ｍの範囲が好ましいが、必要に応じてこ
れらの条件は変化させ得る。
方法を配す。ａ−８ｉ：Ｈｊ摸は、たとえばＳｉＨ４の
低圧グロー放電分Ｗｒで得ることができる。原料ガスと
しては、ＳｉＨ，単体の他に、Ｎ２、Ａｒ、 Ｎ２、Ｈ
θ等で希釈したＳｉＨ４も用いられ得る。膜形成条件と
しては、圧力０．１〜１０ Ｔｏｒｒ、基板温度１００
〜３００℃、投入電力０．１〜１０Ｗ、ガス流量１〜ｉ
ｏｏ ＳＣｃ！Ｍの範囲が好ましいが、必要に応じてこ
れらの条件は変化させ得る。
また、プラズマＣＶＤ法によってμｃ−８ｉ：Ｈ膜を形
成するには、通常、上記ａ−８ｉ：Ｈ膜の形成条件のう
ち、基板温度、投入電力、ガス流量を各々増加さぜ、さ
らに原料ガス（Ｎ２希釈ＳｉＨ４を使用する場合）の水
素濃度′（ｉ−高狛ろことが好ましい。
成するには、通常、上記ａ−８ｉ：Ｈ膜の形成条件のう
ち、基板温度、投入電力、ガス流量を各々増加さぜ、さ
らに原料ガス（Ｎ２希釈ＳｉＨ４を使用する場合）の水
素濃度′（ｉ−高狛ろことが好ましい。
また、ａ−８ｉ：Ｈおよびμｃ−８ｉ：Ｈの膜厚は、各
々１０００ Ａ 程昨以下であることが好ましく、積
Ｊ☆）後の全体の１．位埋は、約１μｍ以下であること
が好ましい。ａ−８ｉ：Ｈ！ｆとμｃ−８ｉ−Ｈ膜とは
交互に積層されろが、光入射面にａ−８ｉ：Ｈ膜を形成
することが、光電変換特性を向上させろ上で中ましい０ さらに、積層１嘩の両部；Ｍに一対の？ｌｉ橙４をスパ
ッタ法あるいは真空蒸着法などによりカる成する。
々１０００ Ａ 程昨以下であることが好ましく、積
Ｊ☆）後の全体の１．位埋は、約１μｍ以下であること
が好ましい。ａ−８ｉ：Ｈ！ｆとμｃ−８ｉ−Ｈ膜とは
交互に積層されろが、光入射面にａ−８ｉ：Ｈ膜を形成
することが、光電変換特性を向上させろ上で中ましい０ さらに、積層１嘩の両部；Ｍに一対の？ｌｉ橙４をスパ
ッタ法あるいは真空蒸着法などによりカる成する。
このようにし、て本発明の光導’ｊ！：＋、’ ４１′
柵５：１１ヴ■を用いた光？ｌｉ変換装置か得られ、そ
の光４１’ １ｆ−１，ＦＣｆは、５５５ ｎｍのｍ色
光１００ｅＸ照射時において、光導・朧＋ｑ １０−２
Ω−１ｃｍ−１を示し、た。これは、従来のａ−８ｉ：
Ｈ単層膜の光斗電度が１０−４１０−４Ｏ−１程度であ
ることと比較すると光電変換特性が飛ＷＴ４的に向上し
、ていることを示している。
柵５：１１ヴ■を用いた光？ｌｉ変換装置か得られ、そ
の光４１’ １ｆ−１，ＦＣｆは、５５５ ｎｍのｍ色
光１００ｅＸ照射時において、光導・朧＋ｑ １０−２
Ω−１ｃｍ−１を示し、た。これは、従来のａ−８ｉ：
Ｈ単層膜の光斗電度が１０−４１０−４Ｏ−１程度であ
ることと比較すると光電変換特性が飛ＷＴ４的に向上し
、ていることを示している。
上述したように、本発明の光導電性薄膜は、光吸収係数
の大きなアモルファス水素化シリコン層とキャリア移動
度の大きな微結晶性水素化シリコン層とを交互に積層す
るようにしたので、光感度が良好でかつ光電流が大きい
という効果を有する。
の大きなアモルファス水素化シリコン層とキャリア移動
度の大きな微結晶性水素化シリコン層とを交互に積層す
るようにしたので、光感度が良好でかつ光電流が大きい
という効果を有する。
したがって、本発明の光導電性薄膜は、高い光電変換特
性が要求される等倍光センサーに有用であるばかりで１
よく、カールソンプロセスなどに用いられる感光体とし
ても適用し得ろ。
性が要求される等倍光センサーに有用であるばかりで１
よく、カールソンプロセスなどに用いられる感光体とし
ても適用し得ろ。
図は本発明の実施例に係る光導電性薄Ｐりの断面の一部
省略図である。 １・・・絶縁性基板、２・・・ａ−８ｉ：Ｈ層、３・・
・μＣ−Ｅｌｉ：）Ｉ胎、４・・・電極。
省略図である。 １・・・絶縁性基板、２・・・ａ−８ｉ：Ｈ層、３・・
・μＣ−Ｅｌｉ：）Ｉ胎、４・・・電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、アモルファス水素化シリコン層と微結晶性水素化シ
リコン層とが交互に積層されてなることを特徴とする光
導電性薄膜。 ２、光入射面にアモルファス水素化シリコン層が形成さ
れた、特許請求の範囲η３，１項記載の光導電性〒）（
ｉ膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58012786A JPS59139682A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 光導電性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58012786A JPS59139682A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 光導電性薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59139682A true JPS59139682A (ja) | 1984-08-10 |
Family
ID=11815075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58012786A Pending JPS59139682A (ja) | 1983-01-31 | 1983-01-31 | 光導電性薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59139682A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63155A (ja) * | 1986-06-19 | 1988-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光検出装置およびその製造方法 |
| US5184200A (en) * | 1991-03-27 | 1993-02-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin film semiconductor device with particular grain size |
| US5686349A (en) * | 1992-10-07 | 1997-11-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Fabrication of a thin film transistor and production of a liquid crystal display apparatus |
| WO2007148569A1 (ja) | 2006-06-23 | 2007-12-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および光電変換素子 |
-
1983
- 1983-01-31 JP JP58012786A patent/JPS59139682A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63155A (ja) * | 1986-06-19 | 1988-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光検出装置およびその製造方法 |
| US5184200A (en) * | 1991-03-27 | 1993-02-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin film semiconductor device with particular grain size |
| US5686349A (en) * | 1992-10-07 | 1997-11-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Fabrication of a thin film transistor and production of a liquid crystal display apparatus |
| WO2007148569A1 (ja) | 2006-06-23 | 2007-12-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および光電変換素子 |
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