JPS6074584A - アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法Info
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- JPS6074584A JPS6074584A JP58180627A JP18062783A JPS6074584A JP S6074584 A JPS6074584 A JP S6074584A JP 58180627 A JP58180627 A JP 58180627A JP 18062783 A JP18062783 A JP 18062783A JP S6074584 A JPS6074584 A JP S6074584A
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- amorphous silicon
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- monosilane
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はモノシランガスと高次シランガスとの混合比
を連続的（または段階的）に変化させて中性層（ｉ層）
を積層することを特徴とするアモルファス太陽電池の製
造方法に関する。
を連続的（または段階的）に変化させて中性層（ｉ層）
を積層することを特徴とするアモルファス太陽電池の製
造方法に関する。
従来アモルファスシリコン太陽電池（または受光素子）
として、第１図（イ）または（ロ）に示す構造のものが
公知である。
として、第１図（イ）または（ロ）に示す構造のものが
公知である。
第１図（イ）に示すものはガラス基板ａ上に透明導電膜
す、ｐ型アモルファスシリコン層Ｃ９ｉ型アモルファス
シリコン層ｄ、ｎ型アモルファスシリーン層ｅ及び金属
電極ｆを順次積層した構造、また第１図（ロ）は金属電
極ｆ上にｐ型アモルファスシリコン層Ｃ９ｉ型アモルフ
ァスシリコン層ｄ、ｎ型７モルファスシリコ７層ｅ及び
透明電極すを順次積層した構造で、アモルファスシリコ
ン太陽電池の場合、光起電力を発生するのはｉ型アモル
ファスシリフン層ｄのみである。
す、ｐ型アモルファスシリコン層Ｃ９ｉ型アモルファス
シリコン層ｄ、ｎ型アモルファスシリーン層ｅ及び金属
電極ｆを順次積層した構造、また第１図（ロ）は金属電
極ｆ上にｐ型アモルファスシリコン層Ｃ９ｉ型アモルフ
ァスシリコン層ｄ、ｎ型７モルファスシリコ７層ｅ及び
透明電極すを順次積層した構造で、アモルファスシリコ
ン太陽電池の場合、光起電力を発生するのはｉ型アモル
ファスシリフン層ｄのみである。
従ってｌ型アモルファスシリコン層ｄの性質で太陽電池
（または受光素子）の性能がほぼ決ってしまう。
（または受光素子）の性能がほぼ決ってしまう。
しかし従来ではｉ型アモルファスシリコン層ｄを積層す
る際モノシラン（ＳｉＨ４）またはジシラン（ＳｉｇＨ
ａ ）を単一もしくは水素やアルゴンガスで希釈して供
給しているため、１型アモルファスシリコン層ｄの光学
的禁止帯幅（Ｅｇｏｐｔ ）を制御することがほとんど
不可能であり、そのＶ 結果Ｅｇｏｐｔ ＝ １−７０〜１．７５ 程度であっ
た。なお第２図に光学的禁止幅と変換効率の関係を示す
Ｏ この発明はかかる点に鑑みなされたもので、ｉ型アモル
ファスシリコン層を積層する際、高次シランとモノシラ
ンの混合比を連続的（または段階的）に変えることによ
り、１型アモルファスシリコン層の光学禁止帯幅を連続
的（または段階的）に変化させたアモルファスシリコン
太陽電池の製造方法を提供して、変換効率の向上を図ろ
うとするものである。
る際モノシラン（ＳｉＨ４）またはジシラン（ＳｉｇＨ
ａ ）を単一もしくは水素やアルゴンガスで希釈して供
給しているため、１型アモルファスシリコン層ｄの光学
的禁止帯幅（Ｅｇｏｐｔ ）を制御することがほとんど
不可能であり、そのＶ 結果Ｅｇｏｐｔ ＝ １−７０〜１．７５ 程度であっ
た。なお第２図に光学的禁止幅と変換効率の関係を示す
Ｏ この発明はかかる点に鑑みなされたもので、ｉ型アモル
ファスシリコン層を積層する際、高次シランとモノシラ
ンの混合比を連続的（または段階的）に変えることによ
り、１型アモルファスシリコン層の光学禁止帯幅を連続
的（または段階的）に変化させたアモルファスシリコン
太陽電池の製造方法を提供して、変換効率の向上を図ろ
うとするものである。
以下この発明の一実施例を第３図以下に示す図面を参照
して詳述すると、第３図はプラズマＣＶＤ装置を示すも
ので、この装置の反応炉１内に表面に透明導電膜２を形
成したガラス基板３を収容し、ガス供給源４よりモノシ
ラン（ＳｉＨ４）ガスを供給して、透明導電膜２上にプ
ラズマＣｖＤ法によりｐ型アモルファスシリコン層５を
積層する。
して詳述すると、第３図はプラズマＣＶＤ装置を示すも
ので、この装置の反応炉１内に表面に透明導電膜２を形
成したガラス基板３を収容し、ガス供給源４よりモノシ
ラン（ＳｉＨ４）ガスを供給して、透明導電膜２上にプ
ラズマＣｖＤ法によりｐ型アモルファスシリコン層５を
積層する。
次にガス供給源４よりモノシランガス高次シラン（５ｉ
２Ｈ，など一般にＳｌｎ Ｈａｎｄ−） カスヲ混合比
を連続的または段階的に変化させて供給し、ｐ型アモル
ファスシリコン層５上に光学的禁止帯幅が連続的または
段階的に変化する１型アモルファスシリコン層６を形成
スる。
２Ｈ，など一般にＳｌｎ Ｈａｎｄ−） カスヲ混合比
を連続的または段階的に変化させて供給し、ｐ型アモル
ファスシリコン層５上に光学的禁止帯幅が連続的または
段階的に変化する１型アモルファスシリコン層６を形成
スる。
なお第４図はモノシランガスとジシランガスの混合比を
変化させて作成した１型アモルファスシリコン層６の特
性を示す。
変化させて作成した１型アモルファスシリコン層６の特
性を示す。
また次の表−１に各直層構造と変換効率を示す。
表−１
この表−１からジシラン（５ｉａＨａ ） １００チか
ら連続的にモノシラン（８ｉＨ，） ｔｏｏ ％へ変化
させることにより変換効率が向上することが明らかであ
る。
ら連続的にモノシラン（８ｉＨ，） ｔｏｏ ％へ変化
させることにより変換効率が向上することが明らかであ
る。
次に再びガス供給源４よりモノシランガスを供給して１
型アモルファスシリコン層６上にｎ型アモルファスシリ
コ７層７を積層した後、蒸着法などによりｎ型アモルフ
ァスシリコ７層７上にアルミニウムなどを積層して金属
電極を形成し、最後に透明電極２と金属電極ｇにリード
線を接続した後全体を保護用被膜（ともに図示せず）で
被膜して第５図に示すようなアモルファスシリコン太陽
電池（または受光素子）を製造するものである。
型アモルファスシリコン層６上にｎ型アモルファスシリ
コ７層７を積層した後、蒸着法などによりｎ型アモルフ
ァスシリコ７層７上にアルミニウムなどを積層して金属
電極を形成し、最後に透明電極２と金属電極ｇにリード
線を接続した後全体を保護用被膜（ともに図示せず）で
被膜して第５図に示すようなアモルファスシリコン太陽
電池（または受光素子）を製造するものである。
なお第１図（ロ）に示す構□造の太陽電池においテモ、
１ｆｆｌアモルファスシリコン層を形成する際上記実施
例と同様な処理を行うことにより、変換効率の向上が図
れるものである。
１ｆｆｌアモルファスシリコン層を形成する際上記実施
例と同様な処理を行うことにより、変換効率の向上が図
れるものである。
この発明は以上詳述したように光起電力を発生するｉ型
アモルファスシリコン層を積層する際、モノシランガス
と高次シランガスの混合比を連続的（または段階的）に
変化させること罠より、光学的禁止帯幅が連続的（また
は段階的）に変化するｉ型アモルファスシリコン層を積
層したことから、入射光の利用効率が大幅に向上し、こ
れによって変換効率のよいアモルファスシリコン太陽電
池や受光素子が容易に得られるようになる。
アモルファスシリコン層を積層する際、モノシランガス
と高次シランガスの混合比を連続的（または段階的）に
変化させること罠より、光学的禁止帯幅が連続的（また
は段階的）に変化するｉ型アモルファスシリコン層を積
層したことから、入射光の利用効率が大幅に向上し、こ
れによって変換効率のよいアモルファスシリコン太陽電
池や受光素子が容易に得られるようになる。
第１図（イ）及び（ロ）は従来のアそルファスシリコン
太陽電池の構造を示す説明図、第２図は光学的禁止帯幅
と変換効率の関係を示す線図、第３図はこの発明の方法
を実施するためのプラズマＣＶＤ装置を示す概略図、第
４図はモノシランガス及びジシランガスの混合比と、光
学的禁止帯幅の関係を示す線図、第５図は得られた太陽
電池の断面図である。 ５はｐ型アモルファスシリ；ン層、６は１型アモルファ
スシリコン層、７はｎ型アモルファスシリコン層。 出願人 株式会社 小松製作所 代理人 弁理士 米 原 正 章 弁理士 浜 本 忠 特開昭ＧＯ−７４５８４（３）
太陽電池の構造を示す説明図、第２図は光学的禁止帯幅
と変換効率の関係を示す線図、第３図はこの発明の方法
を実施するためのプラズマＣＶＤ装置を示す概略図、第
４図はモノシランガス及びジシランガスの混合比と、光
学的禁止帯幅の関係を示す線図、第５図は得られた太陽
電池の断面図である。 ５はｐ型アモルファスシリ；ン層、６は１型アモルファ
スシリコン層、７はｎ型アモルファスシリコン層。 出願人 株式会社 小松製作所 代理人 弁理士 米 原 正 章 弁理士 浜 本 忠 特開昭ＧＯ−７４５８４（３）
Claims (1)
- ＤｆＪアモルファスシリコン層５．！型アモルファスシ
リコン層６及びｎ型アモルファスシリコ７層７を順次積
層してアモルファスシリコン太陽電池（または受光素子
）を製造する方法において、上記１型アモルファスシリ
コン層６を積層する際、モノシランガスと高次シランガ
スの混合比を連続的（または段階的）に変化させて、光
学的禁止帯幅が連続的（または段階的）に変化するｉ型
アモルファスシリコン層６を積層することを特徴とする
アモルファスシリコン太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58180627A JPS6074584A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58180627A JPS6074584A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074584A true JPS6074584A (ja) | 1985-04-26 |
Family
ID=16086502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58180627A Pending JPS6074584A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | アモルフアスシリコン太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074584A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63220578A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造方法 |
| JPS63220577A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造方法 |
| JPS6477181A (en) * | 1987-06-19 | 1989-03-23 | Toa Nenryo Kogyo Kk | Multilayer-structured solar battery |
| US20200355326A1 (en) * | 2018-01-23 | 2020-11-12 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Cryogenic cooling system |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58180627A patent/JPS6074584A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63220578A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造方法 |
| JPS63220577A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光電変換素子の製造方法 |
| JPS6477181A (en) * | 1987-06-19 | 1989-03-23 | Toa Nenryo Kogyo Kk | Multilayer-structured solar battery |
| US20200355326A1 (en) * | 2018-01-23 | 2020-11-12 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Cryogenic cooling system |
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