JPS5913333A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5913333A JPS5913333A JP57121734A JP12173482A JPS5913333A JP S5913333 A JPS5913333 A JP S5913333A JP 57121734 A JP57121734 A JP 57121734A JP 12173482 A JP12173482 A JP 12173482A JP S5913333 A JPS5913333 A JP S5913333A
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- JP
- Japan
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- film
- glass
- silicon nitride
- nitride film
- radiation
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、ガラスをノｆ、シベーションとして用いた
ブレーナ型或はメサ型等の半導体装置に関する。
ブレーナ型或はメサ型等の半導体装置に関する。
低融点ガラスによるノ母、シベーシ、ン膜（保護膜）は
、酸化膜等の他のノｆ７シペーシヨン膜に比べ特に高耐
圧のものが得られるため、高電圧の印加されるＰＮ接合
部の・９ツンペーシヨン膜として、電力素子を中心に各
種の半導体装置に使用されている。
、酸化膜等の他のノｆ７シペーシヨン膜に比べ特に高耐
圧のものが得られるため、高電圧の印加されるＰＮ接合
部の・９ツンペーシヨン膜として、電力素子を中心に各
種の半導体装置に使用されている。
しかし、この低融点ガラスによるノ９．シペーションは
、放射線が照射された場合には著しく耐圧が劣下する。
、放射線が照射された場合には著しく耐圧が劣下する。
第１図に一例として、１３００Ｖクラスの高耐圧ドブン
・ゾスタにおいて、ペース・コレクタ間のＰＮ接合部を
ガラスパッシベーション膜にて保護した場合の、放射線
ドーズ（照射）量φ、とペース・コレクタ間の耐圧の劣
化−ΔｖｃＢｏ との関係を示す。ここに示すように、
例えばφ＝１０ ” ２ｃｍ−２程度の放射線照射によ
って、約５０Ｖも耐圧が低下した。
・ゾスタにおいて、ペース・コレクタ間のＰＮ接合部を
ガラスパッシベーション膜にて保護した場合の、放射線
ドーズ（照射）量φ、とペース・コレクタ間の耐圧の劣
化−ΔｖｃＢｏ との関係を示す。ここに示すように、
例えばφ＝１０ ” ２ｃｍ−２程度の放射線照射によ
って、約５０Ｖも耐圧が低下した。
この発明は上記のような点に鑑みなされたもので、放射
線の照射による耐圧劣化の低減されたガラス・卆ッシベ
ーシ、ン膜を有する半導体装置を提供しようとするもの
である。
線の照射による耐圧劣化の低減されたガラス・卆ッシベ
ーシ、ン膜を有する半導体装置を提供しようとするもの
である。
すなわちこの発明に係る半導体装置は、坐導体ウェーハ
上に形成されたガラスノヤッシペーシ曹ン膜上にシリコ
ン窒化膜を積層被着し、耐放射線性を向上させるように
したものである。
上に形成されたガラスノヤッシペーシ曹ン膜上にシリコ
ン窒化膜を積層被着し、耐放射線性を向上させるように
したものである。
以下図面を）Ｃ照してこの発明の一実施例につき説明す
る。第２図に、ＮＰＮ型のガラスブレーナ型トランジス
タを例にとシ示す。Ｎ型半導体基板１０に拡散窓を有す
るシリコン酸化膜をマスクとしたＰ型不純物拡散を行い
ペース領域１１を形成し、同様にしてＮ型のエミッタ領
域１２を拡散形成する。そして、上記基板１０表面に被
着したシリコン酸化膜１３およびＰＳＧ（リンシリケー
トガラス）膜１４に開口部を設け、ペース領域１１と、
基板１０の非拡散領域すなわちコレクタ領域１６とのＰ
Ｎ接合部にメサ溝１６をあけ、この部分に電気泳動法等
を用いて低融点ガラスを付着させた後、焼成する。
る。第２図に、ＮＰＮ型のガラスブレーナ型トランジス
タを例にとシ示す。Ｎ型半導体基板１０に拡散窓を有す
るシリコン酸化膜をマスクとしたＰ型不純物拡散を行い
ペース領域１１を形成し、同様にしてＮ型のエミッタ領
域１２を拡散形成する。そして、上記基板１０表面に被
着したシリコン酸化膜１３およびＰＳＧ（リンシリケー
トガラス）膜１４に開口部を設け、ペース領域１１と、
基板１０の非拡散領域すなわちコレクタ領域１６とのＰ
Ｎ接合部にメサ溝１６をあけ、この部分に電気泳動法等
を用いて低融点ガラスを付着させた後、焼成する。
その後、上記ウェーハのメサ溝１６に焼成形成されたｆ
ラスノやツシベーション膜１７が溶融しない温度で、例
えばプラズマＣＶＤ装置によシリコン酸化膜１８を１０
（１０Ｘの膜厚で被着し、次に、上記ガラスノ２ツシ
ベーシ＊７Ｍ１７上のシリコン窒化膜１８のみ残すよう
に写真食刻する。
ラスノやツシベーション膜１７が溶融しない温度で、例
えばプラズマＣＶＤ装置によシリコン酸化膜１８を１０
（１０Ｘの膜厚で被着し、次に、上記ガラスノ２ツシ
ベーシ＊７Ｍ１７上のシリコン窒化膜１８のみ残すよう
に写真食刻する。
さらに上記シリコン酸化膜１３およびＰＥＧ膜１膜圧４
−スおよびエミ、り用のコンタクトホールを設け、ペー
ス電極１９およびエミッタ電極２０とを形成すると共に
、基板１ｏ裏面にコレクタ電極２１を被着形成する。
−スおよびエミ、り用のコンタクトホールを設け、ペー
ス電極１９およびエミッタ電極２０とを形成すると共に
、基板１ｏ裏面にコレクタ電極２１を被着形成する。
第３図に上記のようなガラスプレーナトランジスタにお
ける放射線ドーズ量φ に対するトランジスタのペース
・コレクタ間の耐圧の劣化−ＩＶｃＢ、の関係を示す。
ける放射線ドーズ量φ に対するトランジスタのペース
・コレクタ間の耐圧の劣化−ＩＶｃＢ、の関係を示す。
ここに示されるように、シリコン窒化膜の被着されたＩ
ラスノヤッシベーション膜を有するトランジスタでは、
耐圧の劣化が抑制され、例えばφ＝ Ｉ Ｘ１０１２ｃ
ｍ−’では約３０Ｖの改善がみられるように、特に放射
線トーン陸が比較的低い範囲において効果的であること
が判明した。 。
ラスノヤッシベーション膜を有するトランジスタでは、
耐圧の劣化が抑制され、例えばφ＝ Ｉ Ｘ１０１２ｃ
ｍ−’では約３０Ｖの改善がみられるように、特に放射
線トーン陸が比較的低い範囲において効果的であること
が判明した。 。
尚、上記のように耐放射線性が向上する理由として考え
られることは次のようなものである。
られることは次のようなものである。
一般にプラスは約１ｘｉ、ｏ”の負電荷、を有するが、
放射線照射により正電荷が誘起され約ｌＸｌＯ１２の正
電荷を有するように変化し、この大きな電荷の変化７３
１耐圧漬化の誘因と考えられる。一方、シリコン窒化膜
は約Ｉ×１０１２の正電荷を有し、窒化膜を被着した場
合ｆラスノクツシペーション膜がみかけ上正に帯電し、
放射線の照射による電荷密度の変化量が等制約に低下す
るためと予想される。
放射線照射により正電荷が誘起され約ｌＸｌＯ１２の正
電荷を有するように変化し、この大きな電荷の変化７３
１耐圧漬化の誘因と考えられる。一方、シリコン窒化膜
は約Ｉ×１０１２の正電荷を有し、窒化膜を被着した場
合ｆラスノクツシペーション膜がみかけ上正に帯電し、
放射線の照射による電荷密度の変化量が等制約に低下す
るためと予想される。
以上のようにこの発明によれば、ガラスノ々ッシペーシ
璽ン膜上にシリコン窒化膜を積層被着することによシ、
放射線照射による耐圧劣化の抑制された半導体装置を提
供できる。
璽ン膜上にシリコン窒化膜を積層被着することによシ、
放射線照射による耐圧劣化の抑制された半導体装置を提
供できる。
尚、上記実施例では、ガラスプレーナトランジスタの場
合について述べたが、サイリスタ等、ガラス／々ッシベ
ーシ、ン膜を有するものであれば、他の半導体素子にも
適用可能である。
合について述べたが、サイリスタ等、ガラス／々ッシベ
ーシ、ン膜を有するものであれば、他の半導体素子にも
適用可能である。
第１図は、従来の半導体装置における放射線照射量と耐
圧劣化の関係を示す図、第２図はこの発明の一実施例に
係る半導体装置を示す図、第３図はこの半導体装置にお
ける放射線照射量と耐圧劣化の関係を示す図である。 １０・・・半導体基板、１１・・・ペース領域、１６・
・・コレクタ領域％１７・・・ガラスノ母ツシペーシ。 ン膜、１８・・・シリコン窒化膜。
圧劣化の関係を示す図、第２図はこの発明の一実施例に
係る半導体装置を示す図、第３図はこの半導体装置にお
ける放射線照射量と耐圧劣化の関係を示す図である。 １０・・・半導体基板、１１・・・ペース領域、１６・
・・コレクタ領域％１７・・・ガラスノ母ツシペーシ。 ン膜、１８・・・シリコン窒化膜。
Claims (1)
- ＰＮ接合を含む所定の各領域の形成された半導体ウェー
八と、上記ＰＮ接合の外表面に露出した部位を覆うよう
に形成されたガラスパッシベーション膜ト、上記ガラス
パッシベーション膜上に被着されたシリコン窒化膜とを
具備することを特徴とする半導体装Ｍ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57121734A JPS5913333A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57121734A JPS5913333A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5913333A true JPS5913333A (ja) | 1984-01-24 |
Family
ID=14818557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57121734A Pending JPS5913333A (ja) | 1982-07-13 | 1982-07-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5913333A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6169863A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-10 | Dainippon Ink & Chem Inc | 含浸積層紙用硬化性樹脂組成物 |
| JPS62114233A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-26 | Nec Corp | 耐放射線性が強化された半導体装置 |
| US5137837A (en) * | 1990-08-20 | 1992-08-11 | Hughes Aircraft Company | Radiation-hard, high-voltage semiconductive device structure fabricated on SOI substrate |
| US5860405A (en) * | 1996-02-28 | 1999-01-19 | Suzuki Kabushiki Kaisha | Intake apparatus of internal combustion engine |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5472971A (en) * | 1977-11-22 | 1979-06-11 | Seiko Epson Corp | Protective coating for semiconductor surface |
-
1982
- 1982-07-13 JP JP57121734A patent/JPS5913333A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5472971A (en) * | 1977-11-22 | 1979-06-11 | Seiko Epson Corp | Protective coating for semiconductor surface |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6169863A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-10 | Dainippon Ink & Chem Inc | 含浸積層紙用硬化性樹脂組成物 |
| JPS62114233A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-26 | Nec Corp | 耐放射線性が強化された半導体装置 |
| US5137837A (en) * | 1990-08-20 | 1992-08-11 | Hughes Aircraft Company | Radiation-hard, high-voltage semiconductive device structure fabricated on SOI substrate |
| US5860405A (en) * | 1996-02-28 | 1999-01-19 | Suzuki Kabushiki Kaisha | Intake apparatus of internal combustion engine |
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