JPS59129852A - マスクの洗浄方法 - Google Patents
マスクの洗浄方法Info
- Publication number
- JPS59129852A JPS59129852A JP58007027A JP702783A JPS59129852A JP S59129852 A JPS59129852 A JP S59129852A JP 58007027 A JP58007027 A JP 58007027A JP 702783 A JP702783 A JP 702783A JP S59129852 A JPS59129852 A JP S59129852A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- abrasive
- water
- oxide
- chromium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は゛半導体素子製造における写真蝕刻に用いるク
ロムまたはクロムと酸化クロムからなるマスク（以下、
マスクという）の洗浄方法に関するものである。
ロムまたはクロムと酸化クロムからなるマスク（以下、
マスクという）の洗浄方法に関するものである。
従来のマスク洗浄方法は比抵抗ＩＱＭａｍ以上の純水を
イオナイザーを通過させ比抵抗を減少させたのち、加圧
ポンプで１００ ｋｇ／ｃｍ２の水圧とし、数百μｍの
径のノズルを通し、被洗浄マスクに吹きつけ、マスク上
の付着物を除去する方法である。
イオナイザーを通過させ比抵抗を減少させたのち、加圧
ポンプで１００ ｋｇ／ｃｍ２の水圧とし、数百μｍの
径のノズルを通し、被洗浄マスクに吹きつけ、マスク上
の付着物を除去する方法である。
従来の方法では、高比抵抗の純水とマスクとの摩擦によ
る静電気でマスクのクロムパターンが損傷するのを防止
するためにマグネシウムの棒或いは板からなるイオナイ
ザーに洗浄水を通過させ比抵抗を小さくしているが、洗
浄水にゲル状のマグネシウム化合物が含まれているので
、第１図に示すようにゲル状異物（３）が洗浄後のマス
ク基板（１）上の被洗浄マスク上に残り、またこのゲル
状異物（３）は同じ方法で再洗浄しても除去されにくい
という欠点がある。
る静電気でマスクのクロムパターンが損傷するのを防止
するためにマグネシウムの棒或いは板からなるイオナイ
ザーに洗浄水を通過させ比抵抗を小さくしているが、洗
浄水にゲル状のマグネシウム化合物が含まれているので
、第１図に示すようにゲル状異物（３）が洗浄後のマス
ク基板（１）上の被洗浄マスク上に残り、またこのゲル
状異物（３）は同じ方法で再洗浄しても除去されにくい
という欠点がある。
さらに第１図に示すマスク上のクロムパターン（２）端
に大きさ０．５〜２μｍの異物（４）が残りやすく、水
圧を２００ｋｇ／ｃｍ２程度以上にすれば除去可能であ
るが、同時にマスク上のクロムも除去され、本来のり四
ムパターンが損傷をうけるので、従来方法では完全に除
去するのが困難である。
に大きさ０．５〜２μｍの異物（４）が残りやすく、水
圧を２００ｋｇ／ｃｍ２程度以上にすれば除去可能であ
るが、同時にマスク上のクロムも除去され、本来のり四
ムパターンが損傷をうけるので、従来方法では完全に除
去するのが困難である。
本発明者は前記従来法の欠点を除去するため鋭意研究し
た結果、半導体素子の製造における写真蝕刻に用いるク
ロムまたはクロムと酸化クロムからなるマスクの洗浄に
おいて、研磨剤または研磨剤を表面活性剤と併用したも
のを用いて洗浄することにより従来法の欠点を解決させ
うろことを見出した。
た結果、半導体素子の製造における写真蝕刻に用いるク
ロムまたはクロムと酸化クロムからなるマスクの洗浄に
おいて、研磨剤または研磨剤を表面活性剤と併用したも
のを用いて洗浄することにより従来法の欠点を解決させ
うろことを見出した。
すなわち本発明では研磨剤または研磨剤を表面活性剤と
併用してクロムまたはクロムと酸化クロムからなるマス
クの洗浄において用いることにより、従来法では除去さ
れにくい付着物を除去することができるという効果かえ
られた。
併用してクロムまたはクロムと酸化クロムからなるマス
クの洗浄において用いることにより、従来法では除去さ
れにくい付着物を除去することができるという効果かえ
られた。
本発明に用いる研磨剤は粒子径が０．０５〜０．２μｍ
の酸化鉄または酸化アルミニウムであり、それら自体或
いはそれらと表面活性剤を併用して用いられる。
の酸化鉄または酸化アルミニウムであり、それら自体或
いはそれらと表面活性剤を併用して用いられる。
表面活性剤は水に溶解させてガーゼなどにしみこませて
使用してもよく、希釈したのち研磨剤と混合してガーゼ
などに付着させて使用してもよいが水に溶解して使用す
ることが好ましい。
使用してもよく、希釈したのち研磨剤と混合してガーゼ
などに付着させて使用してもよいが水に溶解して使用す
ることが好ましい。
本発明における研磨剤を用いる洗浄は前記のようにガー
ゼを用いてもよいが、ガーゼ以外の軟質部材、たとえば
布、不織布などの繊維材料や軟質ポリウレタンなどに水
分を含ませてまたは水分のかわりに前記のように水に表
面活性剤を溶解させたものを含ませて用いてもよく、そ
れらに研磨剤を付着させて被洗浄マスクをこすり洗いし
てもよい。また軟質部材よりなるブラシを備えた自動機
でマスクを洗浄してもよく、そのときに研磨剤または研
磨剤と表面活性剤を併用したものまたはこれらと水とを
併用して用いてもよい。
ゼを用いてもよいが、ガーゼ以外の軟質部材、たとえば
布、不織布などの繊維材料や軟質ポリウレタンなどに水
分を含ませてまたは水分のかわりに前記のように水に表
面活性剤を溶解させたものを含ませて用いてもよく、そ
れらに研磨剤を付着させて被洗浄マスクをこすり洗いし
てもよい。また軟質部材よりなるブラシを備えた自動機
でマスクを洗浄してもよく、そのときに研磨剤または研
磨剤と表面活性剤を併用したものまたはこれらと水とを
併用して用いてもよい。
被洗浄物をこすり洗いなどしたのちに水洗、乾燥させる
。
。
つぎに実施例および比較例をあげて本発明の方′ｔ′６
１１６・ ＼ 実施例および比較例 半導体素子の写真蝕刻をしたクロムマスク（クロムのパ
ターン幅５μｍ）を水を含ませたガーゼに付着させた研
磨剤（酸化鉄、粒子径０．０５〜０．２μｍ）を用いて
こすり洗い、そののち水洗、乾燥させた。
１１６・ ＼ 実施例および比較例 半導体素子の写真蝕刻をしたクロムマスク（クロムのパ
ターン幅５μｍ）を水を含ませたガーゼに付着させた研
磨剤（酸化鉄、粒子径０．０５〜０．２μｍ）を用いて
こすり洗い、そののち水洗、乾燥させた。
乾燥したマスクを倍率４００倍光学顕微鏡の方法で観察
し、ゲル状異物（３）および異物（４）が除去されてい
ることを確認した。
し、ゲル状異物（３）および異物（４）が除去されてい
ることを確認した。
比較として通常の方法により１００に９７ｃｍ２の水圧
の水を１５０μｍの径のノズルを通し、被洗浄マスクに
吹きつけ、付着物を除去し、そののち乾燥させ、前記と
同様の方法で観察したが、ゲル状異物（８）および異物
（４）は除去されきらず残存していた。
の水を１５０μｍの径のノズルを通し、被洗浄マスクに
吹きつけ、付着物を除去し、そののち乾燥させ、前記と
同様の方法で観察したが、ゲル状異物（８）および異物
（４）は除去されきらず残存していた。
前記において説明したように、マスクの洗浄に研磨剤を
用いることによりマスク表面の従来の方法では完全に除
去することが困難な付着物をマスク上のクロムパターン
を損傷することなく除去できた。
用いることによりマスク表面の従来の方法では完全に除
去することが困難な付着物をマスク上のクロムパターン
を損傷することなく除去できた。
第１図は従来方法で洗浄したマスクの状態を示す断面図
である。 代理人 葛野信−（ほか１名） ２１図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５８−７０２７号２、発明
の名称 マスクの洗浄方法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３列名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者片山仁八部 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５
、補正の対象 （１）明細書の「発明の詳細な説明」の欄６、補正の内
容 （１）明細書２頁１行の「１０Ｍｃｍ Ｊを「１０ＭΩ
ａｍＪと補正する。 （２）同２頁１６行の「の被洗浄マスク上」を削除する
。 （３）同５頁２行の「倍率４００倍光学顕微鏡の方法」
を「倍率４００倍の光学顕微鏡を用いた方法」と補正す
る。 （４）同５頁９行の「除去されきらず」を「除去されき
ｈず」と補正する。 以上
である。 代理人 葛野信−（ほか１名） ２１図 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １、事件の表示 特願昭５８−７０２７号２、発明
の名称 マスクの洗浄方法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３列名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者片山仁八部 ４、代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号５
、補正の対象 （１）明細書の「発明の詳細な説明」の欄６、補正の内
容 （１）明細書２頁１行の「１０Ｍｃｍ Ｊを「１０ＭΩ
ａｍＪと補正する。 （２）同２頁１６行の「の被洗浄マスク上」を削除する
。 （３）同５頁２行の「倍率４００倍光学顕微鏡の方法」
を「倍率４００倍の光学顕微鏡を用いた方法」と補正す
る。 （４）同５頁９行の「除去されきらず」を「除去されき
ｈず」と補正する。 以上
Claims (4)
- （１）半導体素子の製造における写真蝕刻に用いるクロ
ムまたはクロムと酸化クロムからなるマスクの洗浄にお
いて、研磨剤を用いて洗浄することを特徴とするマスク
の洗浄方法。 - （２）研磨剤として粒子径が０．０５〜０．２μｍの酸
化鉄または酸化アルミニウムを用いることを特徴とする
特許請求の範囲第（１）項記載のマスク洗浄方法。 - （３）研磨剤を付着させた軟質部材な用いる特許請求の
範囲第（１ン項記載のマスク洗浄方法。 - （４）研磨剤を表面活性剤と併用して用いることを特徴
とするマスク洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58007027A JPS59129852A (ja) | 1983-01-17 | 1983-01-17 | マスクの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58007027A JPS59129852A (ja) | 1983-01-17 | 1983-01-17 | マスクの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59129852A true JPS59129852A (ja) | 1984-07-26 |
Family
ID=11654553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58007027A Pending JPS59129852A (ja) | 1983-01-17 | 1983-01-17 | マスクの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59129852A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02296243A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク洗浄方法 |
-
1983
- 1983-01-17 JP JP58007027A patent/JPS59129852A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02296243A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-06 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク洗浄方法 |
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