JPS5912805A - ポリエチレンテレフタレ−トチツプの製造方法 - Google Patents

ポリエチレンテレフタレ−トチツプの製造方法

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Publication number
JPS5912805A
JPS5912805A JP12174682A JP12174682A JPS5912805A JP S5912805 A JPS5912805 A JP S5912805A JP 12174682 A JP12174682 A JP 12174682A JP 12174682 A JP12174682 A JP 12174682A JP S5912805 A JPS5912805 A JP S5912805A
Authority
JP
Japan
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chips
polyethylene terephthalate
sheet
strand
cut
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12174682A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiaki Kawasumi
川澄 俊明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Kasei Corp
Original Assignee
Mitsubishi Kasei Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Kasei Corp filed Critical Mitsubishi Kasei Corp
Priority to JP12174682A priority Critical patent/JPS5912805A/ja
Publication of JPS5912805A publication Critical patent/JPS5912805A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29BPREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
    • B29B13/00Conditioning or physical treatment of the material to be shaped
    • B29B13/02Conditioning or physical treatment of the material to be shaped by heating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29BPREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
    • B29B9/00Making granules
    • B29B9/02Making granules by dividing preformed material
    • B29B9/06Making granules by dividing preformed material in the form of filamentary material, e.g. combined with extrusion

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はポリエチレンテレフタ1/−トチツブの製造方
法に関するものである。詳しくは、乾燥時に融着を起し
難く、かつ透明性に秀れた成形品を与えろポリエチレン
テレフタレートチップの製造法に関するものである。
ポリエチレンテレフタレートは、周知グ)ように、繊維
、フィルム、シート、中空容器(ボトル)等に広く用い
られている。ポリエチレンテレフタレートは溶融状態で
重縮合反応により製造されたのち、シートまたはストラ
ンドとして重合装置から押出され、急冷により透明な非
晶質の固体となり、裁断機てより細片(チップ)に切断
される。シートの厚さは通常5rrrrn以下であり、
またストランドの最大径も通常3 ff1ll+以下で
ある。チップの形状は板状、紐状、円柱状等さまざまで
あるが、通常、最大長さが70111m以下で、体積が
20−/θOl・un3程度である。
このようにして製造されたチックは、含水率がS Op
pm以下になるまで乾燥したのち成形加工に供されてい
る。チップの乾燥シ′!、通常、750℃前後の温変で
行なわれろか、非晶質のチップを直ち疋この温度に昇温
すると、チップが相互に融着して凝塊物が生成する。そ
こで通常は、チップを攪拌しながら乾燥させ、融着を防
ぐことが行なわ1tている。しかし、この方法でも、乾
燥機内・り)攪拌が弱い部分で、チップが相互に融着し
たり、オだ乾燥機の壁1q1にチップが融着したり1−
ろ現象を、完全に抑制することは困難である。寸だ、こ
のようにして乾燥させたチップは、静高′シて乾燥させ
たチップに比較して、一般に透明ヒ1:、の劣った成形
品を与えろ傾向かある。
本発明化は、乾燥時に融着を起し雌く、かつ透明1牛に
すぐれた成形品をhえろチップの製造方法について検削
した結果、シートまたはストランドとして押出されたポ
リエチレンテレフタレートの少なくとも表面を結晶化さ
せたのちチップとすることにより目的を達成し得ろこと
を見出し、本発明を達成した・ すなわち、本発明は、溶融状態のポリエチレンテレフタ
レートをシートまたはストランドとして押出し、固化さ
せたのち切断してチップとするポリエチレンテレフタレ
ートチップの製造方法において、該シートまたはストラ
ンドを少なくともその表面を結晶化させてから切断して
チップとすることを特徴とするものである。
本発明について詳aIに説明すると、本発明でいうポリ
エチレンテレフタレートとは、テレフタール酸およびエ
チレングリコールからなるポモポリマーおよびテレフタ
ール酸、エチレングリコールにさらに第三成分な共重合
させたコポリマーの両者を意味する。このようなコポリ
マーは公知であり、第三成分としては・1常、イソフタ
ール酸、ナフタレンジカルボン酸などの芳香族ジカルボ
ン酸、p−ヒドロキシ安息香酸などのオキシカルボン酸
、グロピレングリコール、テトラメチレングリコール、
ネオペンチルグリコールナトのアルキレン、クリコール
、ホリエチレングリコールなどのポリアルキレングリコ
ール等が用いられろ。コポリマー中の第三Fi見分の比
率は通常、tSモル%以下である。コポリマーはポモポ
リマーに比較してチップが融着しやすいが、本発明方法
はコポリマーにも有効に適用されろ。
本発明方法では、溶融状態のポリエチレンテレフタレー
トを常法てよりノートまたはストランドとして押出し、
冷却して固什させろ。例えば押出されたシートまたはス
トランド?常法により冷却ロールに接触させて急冷し、
さらに水で冷却して700℃以下とする。もちろん、冷
却ロール−水冷以外の他の方法で冷却してもよい。この
ようにして得られる非晶質のシートまた+Sストランド
を次いで再加熱して結晶化させたのち、裁断機ニより切
断してチップとする。
加熱はシートまたはストランド? 加Mロールに接触さ
せる方法、赤外線ヒータで照射する方法、熱風が循環し
ている加熱炉中7通過させる方法など、任意の方法で行
なうことができろ。加熱温度は、結晶化が進行しゃすい
13θ〜/gθ℃が適当である。本発明方法では、シー
トまたはストランドの表面が結晶化すればよく、内部ま
で結晶化させる必要はないが、内部まで結晶化が進行し
てもさしつかえはない。通常は得られるチップの密度が
I、330以上、好ましくはl、31.0以上となるま
で結晶化させる。従来、非晶質のチップを加熱、結晶化
させると、融着し難くなることは公知である。この場合
には、チップはその全表面が結晶化している。これに対
し、本発明方法により得られるチップは、切断面に非晶
質部が存在していても、加熱・乾燥罠際し融着は殆んど
生じない。
シートまたはストランドの結晶化は、若し所望ならば、
冷却したものケ再加熱するのではなく、溶融状態のポリ
エチレンテレフタレー)Vシートまたはストランドに押
出して固化させたのち、これを冷却する過程において行
なうこともできる。すなわち冷却途中で/J17〜/g
O℃に保持して結晶化させればよい。
結晶化させたシートまたはストランドは切断してチップ
とする。本発明方法ではシートまたはストランドの切断
は、通常、ポリエチレンテレフタレートのガラス転移点
以上の温度で行なわれる。結晶化したポリエチレンテレ
フタレートは常温では非常に脆いが、ガラス転移点以上
の温度では剛性もあまり高くなくかつ粘性もあるので、
常法によりチップ化が可能である。通常は、結晶化温度
に保持して結晶化させたシートまたはストランドが、ガ
ラス転移点以上の温度にある間に切断してチップとする
本発明方法により得られるチップは、加熱して乾燥する
際に融着し稚いという特徴を有している。従って成型加
工に際して、棚段式乾燥機や攪拌装置のないホッパード
ライヤー等で乾燥することができる。そして、チップを
このような非撹拌下に乾燥することにより、透明性にす
ぐれた成形品を得ることができる。
次に実施例により、本発明をさらに具体的に説明するが
、本発明はその要旨をこえない限り、以下の実施例に限
定されるものではない。
実施例1 〔η) = 0.72、融点2に3℃の溶融したポリエ
チレンテレフタレートを重合槽からシート状に押出し、
急冷して厚さ2S鎮の透明なシートを得た。常温のこの
シートラ熱プレスを用いて、/gO℃×2θ秒間如熱し
て秒間化熱せたのち、直ちに切断してII X II 
X 2. S nmのチップを得た。
切断−は容易であり、破砕物は生じなかった。
このチップな静置式の真空乾燥機で/30℃×9時間の
乾燥に付したのち、射出成形機により厚さq#DI+の
シートを成形した。このシートのヘーズをデジタル濁度
計NDH2OD型(日本電色社製)で測定した。結果¥
rζ1表に示す。
実施例コ 実施例1で得たIMさ2S醋のジートン、熱プレスでi
gθ℃×60秒間加熱して結晶化させたのち、直ちに切
断してQ X 9 X 2.3■のチップを得た。この
場合も切断は容易であり、破砕物は生じなかった。この
チップ乞実施例1と全く同様にして乾燥・成形に付し、
成形品のへ一ズを測定した。摘果を第1表に示す。
比較例1 実施例1で得られた厚さコS市のシートをそのまま切断
して、vxpx23WMの透明なチップと゛した。この
チップを実施例1と全く同様にして乾燥・成形に付し、
成形品のヘーズを測定した。結果?第1表に示す。
比較例コ 比較例/で得られた透明なチップを、回転式の真空乾燥
機で/3θCX1時間の乾燥に付したのち、実施例1と
全く同様にして乾燥・成形((付し、成形品のヘーズを
測定した。結果を第1表に示す。
第1表

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  溶融状態のポリエチレンテレフタと一トをシ
    ートまたはス小ランドとして押出し、固化させたのち切
    断してチップとするポリエ・チレンテレフタレートチッ
    プの製造方法にオイテ、該シートまたはストランドを少
    なくともその表面な結晶化させてから切断してチップと
    することを特徴とする方法。
  2. (2)  シートまたはストランドとして押出し固化さ
    せたポリエチレンテレフタレートを100℃以下に冷却
    し、次いで130〜/IIQ℃に加熱して少なくともそ
    の表面を結晶化させたのち切断してチップとすることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の方法。
  3. (3)  得られるチップの密度が1330以上になる
    まで結晶化させることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項または第2項記載の方法。
  4. (4)少な、くとも表面が結晶化したシートまたはス、
    トランドが、ポリエチレンテレフタレートのガ、ラス転
    移点以下に冷却されろまえに切断してチップとすること
    ケ特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第3項のいず
    れかに記載の、方、法。
JP12174682A 1982-07-13 1982-07-13 ポリエチレンテレフタレ−トチツプの製造方法 Pending JPS5912805A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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