JPS59125624A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS59125624A JPS59125624A JP57233716A JP23371682A JPS59125624A JP S59125624 A JPS59125624 A JP S59125624A JP 57233716 A JP57233716 A JP 57233716A JP 23371682 A JP23371682 A JP 23371682A JP S59125624 A JPS59125624 A JP S59125624A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- patterning
- patterned
- mask
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）発明の技術分野
本発明はレジストを用いた導電層などのパターン形成方
法に関する。
法に関する。
（ｂ）技術の背景
半導体装置の製造工程において、例えばアルミニウム配
線の形成を行なう場合に、形成されたアルミニウム層の
パターニングを行なうが、この際アルミニウム層上に紫
外線用レジストを塗布し、紫外線を選択的に照射し、そ
の後現像してアルミニウム層のエツチングのマスクを形
成′支る。
線の形成を行なう場合に、形成されたアルミニウム層の
パターニングを行なうが、この際アルミニウム層上に紫
外線用レジストを塗布し、紫外線を選択的に照射し、そ
の後現像してアルミニウム層のエツチングのマスクを形
成′支る。
ところがアルミニウムのようンよ反１５寸−・＜）ｉ”
ｉ＋い物り１がレジストの］：にり７ｂと、ｔ／シスト
厄荀辿Ｍすした紫外触が一ノ′ルミニウム層″Ｃン−〈
、１又躬づるｒ・りで、レジストにとの反ノ、１ノ仏分
が影侶θ−及（，１、して商４１Ｊ″反のバターニング
かで母ない。叉、ｔン１．ミリｉにさい１１１３分ても
糸外７□＞Ｊｊが佃万トすにＪスｄＪシて回１ン〆の問
題／）・、ちる。
ｉ＋い物り１がレジストの］：にり７ｂと、ｔ／シスト
厄荀辿Ｍすした紫外触が一ノ′ルミニウム層″Ｃン−〈
、１又躬づるｒ・りで、レジストにとの反ノ、１ノ仏分
が影侶θ−及（，１、して商４１Ｊ″反のバターニング
かで母ない。叉、ｔン１．ミリｉにさい１１１３分ても
糸外７□＞Ｊｊが佃万トすにＪスｄＪシて回１ン〆の問
題／）・、ちる。
（Ｃ） 従米技（１：ｊと１晶Ｊ ｕ；Ａ人、！、そ
こで従来は第１（ネ］（ａ）のように、アルミ−１７ム
Ｉ由１上に；ノぐリノテルメタクリレート（ｆＪＭＩＶ
ｉ、Ａ ）に増感剤を加えた遠＞１娑外）面に感ＬＬ８
、するシンスト２社イ・に布する。このレジスト２ ｉ
’、ｉ： 紫外ｊ１Ｊ！ イで収収するく）のであって
、弦１区効シ代τより尚める１こダ）にはづビ・１十：
ｆ混ぜたものでνってもよい。
こで従来は第１（ネ］（ａ）のように、アルミ−１７ム
Ｉ由１上に；ノぐリノテルメタクリレート（ｆＪＭＩＶ
ｉ、Ａ ）に増感剤を加えた遠＞１娑外）面に感ＬＬ８
、するシンスト２社イ・に布する。このレジスト２ ｉ
’、ｉ： 紫外ｊ１Ｊ！ イで収収するく）のであって
、弦１区効シ代τより尚める１こダ）にはづビ・１十：
ｆ混ぜたものでνってもよい。
次いで第１！ン１（ｂ）に示ｊ−よう’ｔｃｚ し／ス
ト２り上Ｋ 県外ｉ１＋＝： Ｋ Ｉｅｉ 応’ｙるレ
ジスト３．１５・すｉｒｊＯＦＰＲ８００（束示比、化
社込１）を惇イ１ｊ−７る。この除し／スト２がＩＩＪ
Ｉ−ルイしてレジスト３との１」］に境界層４が形成式
ｉする。レノスト３を紫外向Ｉで鈴光後現像を行なって
第１１Ｊ（ｃ）にボずようにパターニングを行なう。
ト２り上Ｋ 県外ｉ１＋＝： Ｋ Ｉｅｉ 応’ｙるレ
ジスト３．１５・すｉｒｊＯＦＰＲ８００（束示比、化
社込１）を惇イ１ｊ−７る。この除し／スト２がＩＩＪ
Ｉ−ルイしてレジスト３との１」］に境界層４が形成式
ｉする。レノスト３を紫外向Ｉで鈴光後現像を行なって
第１１Ｊ（ｃ）にボずようにパターニングを行なう。
次いで紀１図（ｄ）に示１ように遠紫外線５を照射して
レジスト２の線光を行７１：′）。遠循外緋５は紫外線
に比べて波長が短〃ｊいので、アルミ二ソｌ一層次Ｌ［
ｌＩ’Ｃの）又勤Ｊか１ｐ−ｔ、４いので、を６精す二
のパターニングがｒＩ］能で□νる。し力・し実際には
前Ｍｅす、Ｘｙ′［り曽４があるために遠紫外ｍｔ照射
後、彷、像（＋？何７′、、っでも視界）Ｙ４４にニジ
ブロックされ、第１図（ｅ）に示すように現像されない
。
レジスト２の線光を行７１：′）。遠循外緋５は紫外線
に比べて波長が短〃ｊいので、アルミ二ソｌ一層次Ｌ［
ｌＩ’Ｃの）又勤Ｊか１ｐ−ｔ、４いので、を６精す二
のパターニングがｒＩ］能で□νる。し力・し実際には
前Ｍｅす、Ｘｙ′［り曽４があるために遠紫外ｍｔ照射
後、彷、像（＋？何７′、、っでも視界）Ｙ４４にニジ
ブロックされ、第１図（ｅ）に示すように現像されない
。
（ｄ） 発明の目的
本発明は従米のこのような欠点を坤Ｙ消し、商４’ｉ−
Ｊ度のパターニングが可能な方法を提供することを目１
灼とする。
Ｊ度のパターニングが可能な方法を提供することを目１
灼とする。
警
（ｅ） 発明の構成５
上記目的を違ｍ、’するための本発明Ｑ：Ｊ１、パター
ン形成されるべ＠物質層上に熱架憐ポジ型の雨１のレノ
ストを鼠イ１ｊシ、ベーキングを行・ｒっ−Ｃ該１１シ
１のレジストを熱架橋させた１支、該ξｉｚ１の１／
／スト上に第２のレジストをｈ’−ＡＩ Ｌ 、ん’：
＜庄２のし／ストをパターニングして４．ムｌ；”＃
２ （、ニー・レジストをマスクとして該躬１リレシス
ト６″バターニジクシ、ｉｆンｒ、ｌ； ］のレジスト
をマスクとして該′１２Ｉ知２層り、：パターニングす
ることを特徴とする。
ン形成されるべ＠物質層上に熱架憐ポジ型の雨１のレノ
ストを鼠イ１ｊシ、ベーキングを行・ｒっ−Ｃ該１１シ
１のレジストを熱架橋させた１支、該ξｉｚ１の１／
／スト上に第２のレジストをｈ’−ＡＩ Ｌ 、ん’：
＜庄２のし／ストをパターニングして４．ムｌ；”＃
２ （、ニー・レジストをマスクとして該躬１リレシス
ト６″バターニジクシ、ｉｆンｒ、ｌ； ］のレジスト
をマスクとして該′１２Ｉ知２層り、：パターニングす
ることを特徴とする。
（ｆ） 発明のＸ〃υ：例
以下、図凹會用いて・：（発ゆ１の−２：５施１＋；＋
ｊ折？ １ｔｊｆｌすＩＪする。先ず第２図（ａ）に示
−４よりにアルミニｒ’／ノ・ハ゛・ｔ１土に熱架橋ポ
ジ型レゾスト２】、Ｉ／りえｔＪ’、 ］）Ｍｌ＼４Ａ
と７タクリル藏の共重合体５０ヴとＰｉν１ＬｂｉＡと
メククリル敞クロリドの共重合体５０チの混合物をイタ
ミイ１】後、１８０℃、３０分○ベーキング、６行１．
！Ｓう。ベーキングｔ＝ ｐ、ｔと特出１としてｌ；’
； １５ （Ｊ’１Ｕ−２２０’Ｏｆ １０ カル６０
分の範囲からだ択ｔう・−とかで４る。こσツバ・−キ
ングによりレジスＦ ２ ］、 ｆ、ｉ ｋ６ ｍ ｆ
ｉｉｊ シ、ゲル化の程度が高められる。
ｊ折？ １ｔｊｆｌすＩＪする。先ず第２図（ａ）に示
−４よりにアルミニｒ’／ノ・ハ゛・ｔ１土に熱架橋ポ
ジ型レゾスト２】、Ｉ／りえｔＪ’、 ］）Ｍｌ＼４Ａ
と７タクリル藏の共重合体５０ヴとＰｉν１ＬｂｉＡと
メククリル敞クロリドの共重合体５０チの混合物をイタ
ミイ１】後、１８０℃、３０分○ベーキング、６行１．
！Ｓう。ベーキングｔ＝ ｐ、ｔと特出１としてｌ；’
； １５ （Ｊ’１Ｕ−２２０’Ｏｆ １０ カル６０
分の範囲からだ択ｔう・−とかで４る。こσツバ・−キ
ングによりレジスＦ ２ ］、 ｆ、ｉ ｋ６ ｍ ｆ
ｉｉｊ シ、ゲル化の程度が高められる。
従って、七の飲第２．〆１（ｂ）に不−４−’ Ｌノに
系外４ｂ１用Ｖシスト３（ＯＦ″ＰＲ８００’）’ｔ０
．５ａｍ ｒ；Ａ４１ｉＬ、ても税昇り＋”ｊ ｌ−、
ｒ、’ Ｊ□’ｚ成坦、れηい（・ンで、第２ ＋２４
（ｃ） ！ｌこ／Ｊマ丁ようＶこ４外ｋｊ＋！ Ｎ’
、’ｒツ（、およＯ−現像を行なってレゾスト３をパタ
ーニングした佼、ｉｉ’７２図（ｄ）に示すように遠紫
外Ｗ！＋！ ５を照射し、酢しヲエチルに２分間浸して
現１メ鞘行４一つと、２；’ｉｊ； ２図（ｅｌに示す
ようにレジスト２１がパ・４−ニングされる。レジスト
２１は上１［１のｆＢＩ Ｉ）スリ１は外ポ／２１１１
１レジスｉ・であり、遠紫外フ゛１．：中゛アルミニウ
ム層衣而での反射が少ないのでレジスト２１ｋｔ ｌ＋
”？ｊ ４ｊ：ｉ Ｉ”ｔにパターニングされる。との
伎レジスト２１ ：Ｉマスクドしてプルミニラム１曽１
をエノフングすることにより、アへシミニウム八＝、ｉ
（１） ＩＩ 、’ｌ ４白０−のパターニングが何
なわれる。
系外４ｂ１用Ｖシスト３（ＯＦ″ＰＲ８００’）’ｔ０
．５ａｍ ｒ；Ａ４１ｉＬ、ても税昇り＋”ｊ ｌ−、
ｒ、’ Ｊ□’ｚ成坦、れηい（・ンで、第２ ＋２４
（ｃ） ！ｌこ／Ｊマ丁ようＶこ４外ｋｊ＋！ Ｎ’
、’ｒツ（、およＯ−現像を行なってレゾスト３をパタ
ーニングした佼、ｉｉ’７２図（ｄ）に示すように遠紫
外Ｗ！＋！ ５を照射し、酢しヲエチルに２分間浸して
現１メ鞘行４一つと、２；’ｉｊ； ２図（ｅｌに示す
ようにレジスト２１がパ・４−ニングされる。レジスト
２１は上１［１のｆＢＩ Ｉ）スリ１は外ポ／２１１１
１レジスｉ・であり、遠紫外フ゛１．：中゛アルミニウ
ム層衣而での反射が少ないのでレジスト２１ｋｔ ｌ＋
”？ｊ ４ｊ：ｉ Ｉ”ｔにパターニングされる。との
伎レジスト２１ ：Ｉマスクドしてプルミニラム１曽１
をエノフングすることにより、アへシミニウム八＝、ｉ
（１） ＩＩ 、’ｌ ４白０−のパターニングが何
なわれる。
（ｇ） 発明の効果
壱
歩上筬明し罠よに本発明によれｒｒｒ、、−７スクオぢ
としてのし／スト）１いが高＞ｆｉ Ｉｕにパターニン
グされるので、アルミニウム配’；ＩＳｉ Ｉｆ’Ｊな
どを高４．Ｊｊにパターニングすることができる。
としてのし／スト）１いが高＞ｆｉ Ｉｕにパターニン
グされるので、アルミニウム配’；ＩＳｉ Ｉｆ’Ｊな
どを高４．Ｊｊにパターニングすることができる。
第１図は従来の工程を示す図、
第２図は本発明の一実施例を示す図である。
図において、１はアルミニウム層（パターニングされる
べき物質）、２Ｉは’、・諜４１υ１”ジ望し・／スト
（第１のレジスト） 、３ ｙＪ２．、ｉ ２のレジス
ト、４は境界層で４りるＯ ↓ ↓ ↓ ｔ ↓ ↓１ｒ−５ 第２何
べき物質）、２Ｉは’、・諜４１υ１”ジ望し・／スト
（第１のレジスト） 、３ ｙＪ２．、ｉ ２のレジス
ト、４は境界層で４りるＯ ↓ ↓ ↓ ｔ ↓ ↓１ｒ−５ 第２何
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 パターン形成されるべき物質層上に熱架橋小ジ型の拐］
のｌ／ジノ、トを塗布［７、ベーキングを行なって該第
１のレシス） ’ｓ：熱架４１１８さ（１−た後、該第
１のレジスト」二に第２のレジストを＊ｚ 、％ Ｌ
、該Ｍ：’ｒ ２のし／ストをバターニングして該第２
のレジストをマスクとして該第１のし／シストτパクー
ニングレ、該、１↓］のレジス）・をマスクとして該物
質層をハクーニングすることを特徴とす、と・パターン
形Ｊに。 方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57233716A JPS59125624A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57233716A JPS59125624A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59125624A true JPS59125624A (ja) | 1984-07-20 |
| JPH0376574B2 JPH0376574B2 (ja) | 1991-12-05 |
Family
ID=16959431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57233716A Granted JPS59125624A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59125624A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0197519A2 (en) * | 1985-04-10 | 1986-10-15 | International Business Machines Corporation | Process for masking and resist formation |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5559725A (en) * | 1978-10-27 | 1980-05-06 | Fujitsu Ltd | Pattern forming method |
| JPS55148423A (en) * | 1979-05-07 | 1980-11-19 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of pattern formation |
| JPS5636134A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | Forming method for pattern of semiconductor substrate |
| JPS57191636A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-25 | Toshiba Corp | Formation of resist pattern |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP57233716A patent/JPS59125624A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5559725A (en) * | 1978-10-27 | 1980-05-06 | Fujitsu Ltd | Pattern forming method |
| JPS55148423A (en) * | 1979-05-07 | 1980-11-19 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Method of pattern formation |
| JPS5636134A (en) * | 1979-09-03 | 1981-04-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | Forming method for pattern of semiconductor substrate |
| JPS57191636A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-25 | Toshiba Corp | Formation of resist pattern |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0197519A2 (en) * | 1985-04-10 | 1986-10-15 | International Business Machines Corporation | Process for masking and resist formation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0376574B2 (ja) | 1991-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2016095393A1 (zh) | 薄膜图案化的方法 | |
| JPS59125624A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH0740543B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5623783A (en) | Formation of electrode for semiconductor device | |
| JPS62166520A (ja) | 微細パタ−ンのパタ−ニング法 | |
| JPS62245251A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPS63275115A (ja) | 半導体装置のパタ−ン形成方法 | |
| JP2676833B2 (ja) | フォトレジストパターンの形成方法 | |
| JPH06132208A (ja) | 基板のパターニング法 | |
| JPS5448485A (en) | Photo etching method | |
| JPS59155930A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| JPH1195450A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH09139484A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
| JPH01102464A (ja) | フォトマスク | |
| JPH0276219A (ja) | 配線形成法 | |
| KR970024005A (ko) | 반도체 소자의 미세콘택홀 형성방법 | |
| JPS55124230A (en) | Forming method of pattern | |
| JPH0262548A (ja) | 多層レジスト膜の形成方法 | |
| JPH02312235A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5618445A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5381083A (en) | Focusing method of projection exposure apparatus | |
| JPH0652723B2 (ja) | イオン注入方法 | |
| JPS62117342A (ja) | 多層配線構造の形成方法 | |
| JPS63102317A (ja) | レジスト膜の現像方法 | |
| JPS6229134A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 |