JPS59124721A - プレ−ト支持方法 - Google Patents
プレ−ト支持方法Info
- Publication number
- JPS59124721A JPS59124721A JP57233902A JP23390282A JPS59124721A JP S59124721 A JPS59124721 A JP S59124721A JP 57233902 A JP57233902 A JP 57233902A JP 23390282 A JP23390282 A JP 23390282A JP S59124721 A JPS59124721 A JP S59124721A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spring
- mask substrate
- substrate
- supporting
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は例えば１２．７ｃｍ （５ｔン）もしくはそれ
以上のマスク基板などを支持するプレート支持方法に関
する。
以上のマスク基板などを支持するプレート支持方法に関
する。
（２）技術の背景
例えばウェハの焼付に用いるフォトマスクは第１図の断
面図に示される構造のもので、ソーダガラスまたは石英
ガラスの２ ｍｍ〜３ ｍｍ （約０．０９３．ン）の
厚さのガラス基Ｆｊ１の上表面に、クロムと酸化クロム
の２層構成のパターン２（通常の場合膜厚６００人程度
）が形成されている。なお図において、パターン２は誇
張して示した。
面図に示される構造のもので、ソーダガラスまたは石英
ガラスの２ ｍｍ〜３ ｍｍ （約０．０９３．ン）の
厚さのガラス基Ｆｊ１の上表面に、クロムと酸化クロム
の２層構成のパターン２（通常の場合膜厚６００人程度
）が形成されている。なお図において、パターン２は誇
張して示した。
（１）
このようなマスクの精度、例えばランナウトの検査をし
たりリピータ−１あるいは電子ビーム［ＩｖＩ画装置で
焼付を行うのに、ガラス基板１を平坦な状態に保って保
持しなければならず、そのために種にの提案がなされて
いる。
たりリピータ−１あるいは電子ビーム［ＩｖＩ画装置で
焼付を行うのに、ガラス基板１を平坦な状態に保って保
持しなければならず、そのために種にの提案がなされて
いる。
（３）従来技術と問題点
第２図は従来のプレート支持方法を説明するための図で
、同図を参照すると従来は四角形のマスク基板（ソーダ
ガラス） １を、その４隅を支持点２として支える４点
支持方法が用いられていた。
、同図を参照すると従来は四角形のマスク基板（ソーダ
ガラス） １を、その４隅を支持点２として支える４点
支持方法が用いられていた。
そして４隅のそれぞれの支持は、第３図に示す如く板ハ
ネ３と支持具４によってマスク基板１をはさむように行
う。なお支持具４のマスク載板１を圧縮する部分５に孔
６をあけ、この部分を排気装置（図示せず）により排気
してマスク基板１を真空吸着する方法をとる場合もある
。
ネ３と支持具４によってマスク基板１をはさむように行
う。なお支持具４のマスク載板１を圧縮する部分５に孔
６をあけ、この部分を排気装置（図示せず）により排気
してマスク基板１を真空吸着する方法をとる場合もある
。
いずれにしても従来の支持方法では、特にマスクが大き
くなるほど（例えば１２．７ｃｍ （５＠ン以上））第
２図に破線で示す如く自重により撓む欠点がある。例え
ば１２．７ｃｍ （５！ン）口で厚さ２〜３ ｍｍの（
２） ソーダガラス基板の場合、基板の縁で２ないし４μ■、
中央で４〜８μｍも下刃に湾曲することが本発明者らに
よって確認された。
くなるほど（例えば１２．７ｃｍ （５＠ン以上））第
２図に破線で示す如く自重により撓む欠点がある。例え
ば１２．７ｃｍ （５！ン）口で厚さ２〜３ ｍｍの（
２） ソーダガラス基板の場合、基板の縁で２ないし４μ■、
中央で４〜８μｍも下刃に湾曲することが本発明者らに
よって確認された。
このように撓んだ状態でマスクが支持されると、ウェハ
に転写されるパターンに歪や位置ずれなどを生じ、半導
体の信頼性低下をまねく。
に転写されるパターンに歪や位置ずれなどを生じ、半導
体の信頼性低下をまねく。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題に漏み、マスク基板の自重によ
る撓みを防止することができるプレート支持方法の提供
を目的とする。
る撓みを防止することができるプレート支持方法の提供
を目的とする。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、プレートが、該プレ
ートの少なくとも３箇所において、それぞれ複数点で挾
持されて支持されることを特徴とするプレート支持方法
を提供することによって達成され、また上記支持具をマ
スク基板の１辺の長さを１：４：］から１：２：１の範
囲に内分する位置に設定することを特徴とする上記プレ
ート支持方法を提供することによっても達成される。
ートの少なくとも３箇所において、それぞれ複数点で挾
持されて支持されることを特徴とするプレート支持方法
を提供することによって達成され、また上記支持具をマ
スク基板の１辺の長さを１：４：］から１：２：１の範
囲に内分する位置に設定することを特徴とする上記プレ
ート支持方法を提供することによっても達成される。
（６）発明の実施例
（３）
以下本発明実施例を図面により詳述する。
第４図は本発明に係わるプレート支持方法を説明するた
めの断面図で、同図を参照すると、支持具１１のマスク
基板１に圧着する部分（以下支持部と呼ぶ）１１ａは断
面が下に凹形状に形成して２点を同時に圧着するものと
し、またその四部の開口幅ｄは５１もしくはそれ以上に
する。
めの断面図で、同図を参照すると、支持具１１のマスク
基板１に圧着する部分（以下支持部と呼ぶ）１１ａは断
面が下に凹形状に形成して２点を同時に圧着するものと
し、またその四部の開口幅ｄは５１もしくはそれ以上に
する。
一方、マスク基板１の反対側には上記支持具１１と相ま
って基板１を支持する２つのハネ１４をバネ支持台１６
に取り付け、このバネ１４の先端にはそれぞれバネカバ
ー１３を取り付けた構造体を、該バネカバー１３の位置
が上記支持部１１ａの２つの圧着部１２と基板１をはさ
んでそれぞれ相対する如く配設する。
って基板１を支持する２つのハネ１４をバネ支持台１６
に取り付け、このバネ１４の先端にはそれぞれバネカバ
ー１３を取り付けた構造体を、該バネカバー１３の位置
が上記支持部１１ａの２つの圧着部１２と基板１をはさ
んでそれぞれ相対する如く配設する。
上述した構造であるから、マスク基板１は下方からのバ
ネ１４の圧力で２つの圧着部１２とバネカバー１３とに
よって強固に支持されるため、矢印１７で示す方向のマ
スク基板１の撓み防止に効果がある。なお上記圧着部１
２の距離ｄは大きいほど撓み防止に効果があるが、支持
に使用出来る領域がマ（４） スフ基板１の周辺部であるごとによる制約および基板１
の大きさを計算して適宜選定する。
ネ１４の圧力で２つの圧着部１２とバネカバー１３とに
よって強固に支持されるため、矢印１７で示す方向のマ
スク基板１の撓み防止に効果がある。なお上記圧着部１
２の距離ｄは大きいほど撓み防止に効果があるが、支持
に使用出来る領域がマ（４） スフ基板１の周辺部であるごとによる制約および基板１
の大きさを計算して適宜選定する。
第５図は上記支持方法によるマスク基板１の支持位置を
説明するための図で、同図を参照すると、符号Ｉ５は上
記支持部１１ａの圧着部１２の配置位置を表し、本願の
発明者によれば、上記配置位置１５を同図にａ、ｂ、ｃ
で示す如く長さの比がａ：ｂ：ｃ＝１：４：ｌから１：
２：１の範囲とし、合計４ケ所で支持したとき撓み防止
効果がもっとも良いことが確認された。かくして図のＸ
方向の撓みによるマスク基板１の上下変位幅が０．１μ
ｍ以下におさえられ、またＹ方向では同しく上下変位幅
が１μｍ以下におさえられる。ところで圧着部１２の基
板ｌと密着する面の面積は微細なゴミなどが間にはさま
るのをさけるため、本発明の効果がｔＳなわれない範囲
でできるだけ小さくする。例えば１μ■程度のゴミであ
っても撓みが上述した如＜０．１ｘ！ｍ以下と小さいの
で影響が大きい。
説明するための図で、同図を参照すると、符号Ｉ５は上
記支持部１１ａの圧着部１２の配置位置を表し、本願の
発明者によれば、上記配置位置１５を同図にａ、ｂ、ｃ
で示す如く長さの比がａ：ｂ：ｃ＝１：４：ｌから１：
２：１の範囲とし、合計４ケ所で支持したとき撓み防止
効果がもっとも良いことが確認された。かくして図のＸ
方向の撓みによるマスク基板１の上下変位幅が０．１μ
ｍ以下におさえられ、またＹ方向では同しく上下変位幅
が１μｍ以下におさえられる。ところで圧着部１２の基
板ｌと密着する面の面積は微細なゴミなどが間にはさま
るのをさけるため、本発明の効果がｔＳなわれない範囲
でできるだけ小さくする。例えば１μ■程度のゴミであ
っても撓みが上述した如＜０．１ｘ！ｍ以下と小さいの
で影響が大きい。
なお、以上の実施例では四角形のマスク基板について説
明したが、円形のプレート等に関して（５） も３箇所あるいは５箇所、６箇所等で同様に支持するこ
とによってプレートの撓みを小さくすることができる。
明したが、円形のプレート等に関して（５） も３箇所あるいは５箇所、６箇所等で同様に支持するこ
とによってプレートの撓みを小さくすることができる。
（７）発明の効果
以上詳細に説明した如く、本発明によれば、例えばマス
ク基板などのプレートを従来に比べわずかの撓みで支持
できるプレート支持方法を提供できるため、ウェハ上の
パターン焼付の精度が向上し、半導体装置の信頼性向上
に効果大なるものである。
ク基板などのプレートを従来に比べわずかの撓みで支持
できるプレート支持方法を提供できるため、ウェハ上の
パターン焼付の精度が向上し、半導体装置の信頼性向上
に効果大なるものである。
第１図はフォトマスクの断面図、第２図および第３図は
従来のプレート支持方法を説明するための斜視図および
断面図、第４図および第５図は本発明実施例を説明する
ための断面図および斜視図である。 １−マスク基板、３−板バネ、 ５．１ｍ−一支持具、１３−バネカバー、１４− バネ （６） 第１図 第２図 第３図 ３泗（７÷３年： １ 第４図 第５図 七
従来のプレート支持方法を説明するための斜視図および
断面図、第４図および第５図は本発明実施例を説明する
ための断面図および斜視図である。 １−マスク基板、３−板バネ、 ５．１ｍ−一支持具、１３−バネカバー、１４− バネ （６） 第１図 第２図 第３図 ３泗（７÷３年： １ 第４図 第５図 七
Claims (1)
- プレートが、該プレートの少なくとも３箇所において、
それぞれ枚数点で挾持されて支持されることを特徴とす
るプレート支持方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57233902A JPS59124721A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | プレ−ト支持方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57233902A JPS59124721A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | プレ−ト支持方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59124721A true JPS59124721A (ja) | 1984-07-18 |
Family
ID=16962367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57233902A Pending JPS59124721A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | プレ−ト支持方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59124721A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4908995A (en) * | 1988-01-04 | 1990-03-20 | Zenith Electronics Corporation | Rail grinding method and apparatus |
| JP2000031019A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-01-28 | Nikon Corp | マスクおよび露光装置 |
| US6270400B1 (en) | 1997-02-06 | 2001-08-07 | Calsonic Dansei Corporation | Door mechanism for automobile air conditioner |
| US6305462B1 (en) | 1997-02-06 | 2001-10-23 | Calsonic Kansei Corporation | Door mechanism of automobile air conditioner |
| KR100502142B1 (ko) * | 1997-05-29 | 2005-10-19 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | 마스크보존프레임의지지구조 |
| CN1297854C (zh) * | 2003-04-15 | 2007-01-31 | 力晶半导体股份有限公司 | 光掩模传送方法 |
| JP2016506621A (ja) * | 2012-12-13 | 2016-03-03 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 半導体加工用のマスク位置決めシステム |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP57233902A patent/JPS59124721A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4908995A (en) * | 1988-01-04 | 1990-03-20 | Zenith Electronics Corporation | Rail grinding method and apparatus |
| US6270400B1 (en) | 1997-02-06 | 2001-08-07 | Calsonic Dansei Corporation | Door mechanism for automobile air conditioner |
| US6305462B1 (en) | 1997-02-06 | 2001-10-23 | Calsonic Kansei Corporation | Door mechanism of automobile air conditioner |
| US6450877B2 (en) | 1997-02-06 | 2002-09-17 | Calsonic Kansei Corporation | Door mechanism of automotive air conditioning device |
| US6659167B2 (en) | 1997-02-06 | 2003-12-09 | Calsonic Kansei Corporation | Door mechanism of automotive air conditioning device |
| KR100502142B1 (ko) * | 1997-05-29 | 2005-10-19 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | 마스크보존프레임의지지구조 |
| JP2000031019A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-01-28 | Nikon Corp | マスクおよび露光装置 |
| CN1297854C (zh) * | 2003-04-15 | 2007-01-31 | 力晶半导体股份有限公司 | 光掩模传送方法 |
| JP2016506621A (ja) * | 2012-12-13 | 2016-03-03 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 半導体加工用のマスク位置決めシステム |
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