JPS59123769A - エツチング方法 - Google Patents
エツチング方法Info
- Publication number
- JPS59123769A JPS59123769A JP22865282A JP22865282A JPS59123769A JP S59123769 A JPS59123769 A JP S59123769A JP 22865282 A JP22865282 A JP 22865282A JP 22865282 A JP22865282 A JP 22865282A JP S59123769 A JPS59123769 A JP S59123769A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- chamber
- film
- cathode
- insulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明はエツチング方法、詳しくばトライエソチンクに
おい゛ζ選択比を向上さセる方法に関する。
おい゛ζ選択比を向上さセる方法に関する。
（２）技術の背景
例えばウェハの露光に用いるマスクは、ガラス基板全面
上にクロム（Ｃｒ）膜を、次いで仝而にレジン、 ｌ−
膜ヲ短布形成し、このレンス１−パターンヲマスクにし
”ζＣｒ膜をエツチングしてクロムのパターンを形成す
ることによって作られる。
上にクロム（Ｃｒ）膜を、次いで仝而にレジン、 ｌ−
膜ヲ短布形成し、このレンス１−パターンヲマスクにし
”ζＣｒ膜をエツチングしてクロムのパターンを形成す
ることによって作られる。
上記したエツチングは第１図に示されるカッ−１−カッ
プリング方式のドライエツチンク装置内で、プラスマ化
された反応カスを用いて行うもので、同図において、１
はエツチング室（チェンバ）、２ば円板状の平行乎Ｉｆ
ｊ型の対向電極（アノード）、３はカソード、４ば１ｌ
Ｘ（′ｌ」（夕１ｊえはマスク、５は１４色縁（本、６
ばｊ山ｊ司波電沙Ｌ ７はエツチングのための反応カス
をナエンハ１的に供給するリンク状に配置された反応カ
ス導入管、８は反応カス排気Ｉ」を示す。マスク全面上
には前記したＣｒ膜が形成されており、それをレンスト
バクーンをマスクにしてリアクティブイオンエノチンつ
てパターニンクするのである。クロムのエツチングにお
いては、例えは反応カスとして四塩化炭素カス（ＣＣｆ
ｑ）を１２０５ＣにＭ、酸素ガス（０２）を７０３ＣＣ
Ｍの導入量で供給する。
プリング方式のドライエツチンク装置内で、プラスマ化
された反応カスを用いて行うもので、同図において、１
はエツチング室（チェンバ）、２ば円板状の平行乎Ｉｆ
ｊ型の対向電極（アノード）、３はカソード、４ば１ｌ
Ｘ（′ｌ」（夕１ｊえはマスク、５は１４色縁（本、６
ばｊ山ｊ司波電沙Ｌ ７はエツチングのための反応カス
をナエンハ１的に供給するリンク状に配置された反応カ
ス導入管、８は反応カス排気Ｉ」を示す。マスク全面上
には前記したＣｒ膜が形成されており、それをレンスト
バクーンをマスクにしてリアクティブイオンエノチンつ
てパターニンクするのである。クロムのエツチングにお
いては、例えは反応カスとして四塩化炭素カス（ＣＣｆ
ｑ）を１２０５ＣにＭ、酸素ガス（０２）を７０３ＣＣ
Ｍの導入量で供給する。
（３）従来技術と問題、点
上記したドライエツチングにおいて、クロムとレジスト
のエツチング速度の比を選択比といい、それかｕ工要な
意義をもつ。すなわち、選択比か悪いと、レジストか早
くＱこ損失されるからその膜厚を犬にしなければならず
、そのため乙ユＪ高粘度のレシス１−を用いる必要があ
ることに加えて、レノスト膜厚が大に過ぎると電子ヒー
ム籟光時す・、・−ンアノプか佳してレノストのパター
ン楯度か、従ってパターンの形状か悪くなるという問題
がある。
のエツチング速度の比を選択比といい、それかｕ工要な
意義をもつ。すなわち、選択比か悪いと、レジストか早
くＱこ損失されるからその膜厚を犬にしなければならず
、そのため乙ユＪ高粘度のレシス１−を用いる必要があ
ることに加えて、レノスト膜厚が大に過ぎると電子ヒー
ム籟光時す・、・−ンアノプか佳してレノストのパター
ン楯度か、従ってパターンの形状か悪くなるという問題
がある。
他方、選１ノ〈比か向上すると、レノスｈ Ｚ） ）ｉ
’ｒ失か少ノぎく、クロムのエツチングされる速度力・
早くなり、レタス１−バクーンの乱れなしにクロム膜が
良好なパターンにエツチングされる。
’ｒ失か少ノぎく、クロムのエツチングされる速度力・
早くなり、レタス１−バクーンの乱れなしにクロム膜が
良好なパターンにエツチングされる。
エツチングにおける選択比を向上させるためには高周波
電源５の出力と、その出力の反射分とのマノチンクに注
惹して反射分をセＩコに抑えるだめの努力がなされてい
るか、一般に、５００會の出力に対し反射分は１００Ｗ
にも達することがある。それば王として対向電極２の界
雷放電によるものであり、この異常放電は、対向ｊＪ１
４４２の鋭い祠、＞１＋分すナワち１喘面に放電集中現
象か発生ずるごとに原因かある。事実、）＋二発明者の
観測によると、対向電極２の縁部分のまわりか点線９で
示す如くに光っていて、そごに／１文′１咀か集中して
いることか（１′仁忍されたのである。
電源５の出力と、その出力の反射分とのマノチンクに注
惹して反射分をセＩコに抑えるだめの努力がなされてい
るか、一般に、５００會の出力に対し反射分は１００Ｗ
にも達することがある。それば王として対向電極２の界
雷放電によるものであり、この異常放電は、対向ｊＪ１
４４２の鋭い祠、＞１＋分すナワち１喘面に放電集中現
象か発生ずるごとに原因かある。事実、）＋二発明者の
観測によると、対向電極２の縁部分のまわりか点線９で
示す如くに光っていて、そごに／１文′１咀か集中して
いることか（１′仁忍されたのである。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の問題点に鑑み、対向７ｕ極の端面（
もしくは縁部）におりる放電集中を解消し、選択比の向
上した工、チンタ方法を提供することを目的とする。
もしくは縁部）におりる放電集中を解消し、選択比の向
上した工、チンタ方法を提供することを目的とする。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれは、チェンバ内に対向し
て設りられた１対の電極の一力の電極」二〇ごエツチン
グすべき試料を載置し、他方の電極の周縁ｇ１＋に絶縁
物を設け、該チェンバ内に反ノ心カスを導入して該反応
ガスを活性化し、リアクティフ゛イオンコニソチングを
行″うことを特？’ｌｔとするコニノチング方法を提イ
バすることによって達成される。
て設りられた１対の電極の一力の電極」二〇ごエツチン
グすべき試料を載置し、他方の電極の周縁ｇ１＋に絶縁
物を設け、該チェンバ内に反ノ心カスを導入して該反応
ガスを活性化し、リアクティフ゛イオンコニソチングを
行″うことを特？’ｌｔとするコニノチング方法を提イ
バすることによって達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳述する。
本発明者は、カソートカノブリンク力式のトライエツチ
ングを行うに１緊して、第２図に示す如く、対向′屯極
２のまわりを絶縁物１０で囲み、対向７ｈ極端面におけ
る放電集中を消滅するトライエツチング方法を考えつい
た。なお、第２図の装置は、従来装置とは対向電極を前
記の如くに＋Ｍ成する点におい°このめ異なるものであ
り、第１図に示した部分と同し部分は同し符号を付して
表示する。絶縁物９は対向電極２か円板状であるので、
カッ−１−３の外縁よりかなり外力に拡がるようなリン
ク伏に、テフロンまたはセラミックで形成する。か（す
ることによって、対向電極２の０１”：４面のＪｊｌ
ｉ市柴中ばほぼ完全に避）フられることが’ｆ＋Ｉｒ認
された。
ングを行うに１緊して、第２図に示す如く、対向′屯極
２のまわりを絶縁物１０で囲み、対向７ｈ極端面におけ
る放電集中を消滅するトライエツチング方法を考えつい
た。なお、第２図の装置は、従来装置とは対向電極を前
記の如くに＋Ｍ成する点におい°このめ異なるものであ
り、第１図に示した部分と同し部分は同し符号を付して
表示する。絶縁物９は対向電極２か円板状であるので、
カッ−１−３の外縁よりかなり外力に拡がるようなリン
ク伏に、テフロンまたはセラミックで形成する。か（す
ることによって、対向電極２の０１”：４面のＪｊｌ
ｉ市柴中ばほぼ完全に避）フられることが’ｆ＋Ｉｒ認
された。
上記の９１」＜に改良したチェンバを用い、１ＩＱｌ￥
０．０７〜０．１μｍのクロム１央を、レジスト）１襲
のＩＩ泪（ｋを０−６〜１．０ ｐ ｍに設定し、ｉｉ
Ｊ記した（ （：（Ｊ：：ｕ ＋０２）カスを用いてエ
ツチングしたところ、クロム膜は完全にパターン通りに
エツチングされた。
０．０７〜０．１μｍのクロム１央を、レジスト）１襲
のＩＩ泪（ｋを０−６〜１．０ ｐ ｍに設定し、ｉｉ
Ｊ記した（ （：（Ｊ：：ｕ ＋０２）カスを用いてエ
ツチングしたところ、クロム膜は完全にパターン通りに
エツチングされた。
即ち従来の第１図の装置を用いる上記１１泉厚のクロム
膜のトライエツチングに比べ、本発明の方法においＣは
、選択比か約３０％向」ニし大幅に改善された。
膜のトライエツチングに比べ、本発明の方法においＣは
、選択比か約３０％向」ニし大幅に改善された。
なお、上記の例においては、マスク作成におりるクロム
膜のエツチングを例に説明したか、本発明の適用範囲は
その場合に限定されるものでなく、ウェハ上に形成され
た膜のエツチング等のドライエノチンク一般に及ぶもの
である。
膜のエツチングを例に説明したか、本発明の適用範囲は
その場合に限定されるものでなく、ウェハ上に形成され
た膜のエツチング等のドライエノチンク一般に及ぶもの
である。
（力発明のジノ果
以上、経細に説明したように、本発明の方法によれは、
対向電極のまわりを絶縁物で囲むことにより、トライエ
ツチング選択比か大幅に改善され、レノスト膜を特に厚
く形成することなしに、かつ、シンスト１模の損失を回
避しつつ、マスク、ウェハ等の試料のエツチングか可能
となり、半導体装置製造の歩留り向上と、生Ｊ盃される
製品の信頼性向上に効果大である。
対向電極のまわりを絶縁物で囲むことにより、トライエ
ツチング選択比か大幅に改善され、レノスト膜を特に厚
く形成することなしに、かつ、シンスト１模の損失を回
避しつつ、マスク、ウェハ等の試料のエツチングか可能
となり、半導体装置製造の歩留り向上と、生Ｊ盃される
製品の信頼性向上に効果大である。
第１図は従来のカソードカノプリンクカ式チェンバの概
略断面図、第２図は本発明の方法の実施に用いる第１図
の装置に類似の装置の概略断面図である。 １−チェンバ、２一対向電極（アノード）、３−カソー
ド、４−マスク−１５−午色縁（本、６ 高周波電源、
７−反応カス導入管、）３−反応ガス排気口、１０−リ
ンク状ｆ邑縁物ｑ２四２千２ 惰 １ｒ２１ 第２図
略断面図、第２図は本発明の方法の実施に用いる第１図
の装置に類似の装置の概略断面図である。 １−チェンバ、２一対向電極（アノード）、３−カソー
ド、４−マスク−１５−午色縁（本、６ 高周波電源、
７−反応カス導入管、）３−反応ガス排気口、１０−リ
ンク状ｆ邑縁物ｑ２四２千２ 惰 １ｒ２１ 第２図
Claims (1)
- チェンバ内に対向して設りられた１対の電極の一方の？
口枠上に工・ノチンクすべき試料を載置し、他力の電極
の周縁部に絶縁物を設の、該チェンバ内に反応ガスを導
入して該反応カスをｌ６性化し、リアクティブイオンエ
ツチングを行うことを特徴とするエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22865282A JPS59123769A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22865282A JPS59123769A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | エツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59123769A true JPS59123769A (ja) | 1984-07-17 |
Family
ID=16879687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22865282A Pending JPS59123769A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59123769A (ja) |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP22865282A patent/JPS59123769A/ja active Pending
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