JPS59123765A - 化学蒸着法 - Google Patents

化学蒸着法

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JPS59123765A
JPS59123765A JP23207382A JP23207382A JPS59123765A JP S59123765 A JPS59123765 A JP S59123765A JP 23207382 A JP23207382 A JP 23207382A JP 23207382 A JP23207382 A JP 23207382A JP S59123765 A JPS59123765 A JP S59123765A
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vapor deposition
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Hiroshi Mikita
三喜田 浩
Kazuhiko Tanizawa
谷沢 和彦
Nobuyuki Watanabe
渡辺 信享
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Toho Kinzoku Co Ltd
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Toho Kinzoku Co Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/08Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal halides
    • C23C16/14Deposition of only one other metal element
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34Nitrides

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明(弓1、被蒸着物にタングステン蒸着層を形成
するだめの化学蒸着法に関するものである。
高温で保持された被蒸着物上で六フッ化タンクステンを
水素ガスにより還元してタングステン蒸着層を形成する
タングステンの化学蒸着法(CVD法)が知られている
。上記従来のタングステン蒸脇法によって比較的緻密な
蒸着層か得られるか、最近タングステン蒸着層の利用範
囲の拡大にともなって、より硬度か高く緻密な蒸着層に
対する要望が強く々っていた。
この発明は上記事情に鑑み、緻密で硬度の高い蒸着層を
能率的に形成することのできる化学蒸着法を提供すへく
なされたもので、その特徴とするところは、反応室内に
保持された被メッキ物に、六フッ化夕/グステ/と水素
ガスからなる反応ガスと、該反応゛ガスに対しモル比で
0.05乃至5の割合の窒素ガスを含む混合ガスを供給
しつつ化学蒸着を行なう点にある。以下、実施例をあら
れす図面に基いて具体的に説明する。
第1図は本発明の実施に用いられる蒸着装置の1例をあ
られす系統図であり、外周部に加熱炉2が設けられた管
状の反応室1のガス流入111aに、水素ガスボンベ5
、窒素ガスボンベ6、六フッ化タノクスデ/ボッベアか
流↓f調節ノ・ルブ8,9゜10およO−流量計11 
、12 、 ]−3を介して接続されている。水素カス
(目2)および窒素ノノズ(N2)用の流i贋4i’ 
1 ] 、 1.2は回転浮遊式流量計(ロータメータ
)であり、六フッ化夕/クステン(〜’Fc)用の流量
計131は質量流社訓である。−また、反応室Jの拶[
気IN ] l)には41Fカス処理槽]4と排カス用
のターホファノ15か接続さノ′とて(・)る。1ン1
「11、P + 、 P2 (d、カス管、16.17
:ま開し1・・ルフである。
反応室jの[ぢ部には、テーフ、ノー4か設:すら、7
−)でおり、このチーフル4上(′こ被蒸着物3か載置
される。被蒸着物3は、テーブル4上にあって那熱炉2
によって所定の加熱l温度に加熱され、水素カス(l1
2) 、窒素カス(N2)2よび六フッ化タンクステ/
(〜V F 6 )の混合カスにさらされる。これによ
り、被蒸着物3の表面にタンカステンを主成分とする蒸
着層か形成さfzるのである。蒸着中における被蒸着物
3のjJJ熱温度は400〜700℃とするのか好捷し
く、4.50〜600°Cとするのかより好せしい。且
た、上記混合カスの成分中、窒素カス(N2)の添加量
は、水素カス(1−12)と六フッ化タンクステン(W
F6)からなる反応ガスに対し、モル比で0.05〜5
の割合とするのが好捷しく、O61〜4の割合とするの
かより好オしい。
反応カスに−一ける六ツノ化りンクステノ(〜7p5)
と水素カス(1,12)の好捷しい混合比率い〜’F6
:112)はモル比で13乃至」 15であり、より好
ましくは1.q)乃至112である。
このようシてして得られる蒸着層は、従来の蒸着層:・
ζよって得られるクノクステン蒸着層に較へて(τLる
かに硬度か高く、しかも緻密で平滑な表面をそなえてい
るのか普通である。例えは、従来法によるタンカステン
蒸着層の硬度(ヒノカース硬さ、1−h・)か約500
であるのに対し、本発明の最も好捷しい実施例では11
00〜1200(1−IV)程度の硬度か得られる。こ
の理由は必すしも明らかではないが、窒素カス中の窒素
(N )がタンクステン結晶格子内に侵入し、結晶格子
を歪捷せるためではないかと推定される。つきに、本発
明の実施例と比較例について1悦明する。
〔実施例I〕
第1図に示すような装置を用い、板状の被蒸着物(表面
:てニッケルメッキを施した鉄板)の表面に次の゛条件
で化学蒸着を行なった。
被蒸着物の温度:  4500C WFG流ff4y :       ] Q Q c 
c 7m1nII  2 15jp57  二    
       3 Q Q  c c /’mi nN
2流量、       100〜300 Q c c 
/min蒸着時間30分て20μm(ミクコン)の51
厚みのり7グステノ′7A着層か得られた。この蒸粘屁
・のi4質を第1表に示す。笛1表に1は、比較のため
窒素カスを添加せず、反応カスのみで化学蒸着を行なっ
た場合の結果、2よひ窒素ガスのかゎり:てアルコ/カ
ス(AI)を添加した場合の結果が併記されている。第
2図および第3図(d蒸着層表面の敬弔組織をあられず
顕微鏡写真であり、第2図は窒素カスを添加しない比較
例の組織を、また第3図(d窒素ガスを5 Q Q c
c /1ninの割合で添加した実施例(AI)の組織
をそれぞれあられしている。第1表かられかるように、
窒素カスのかわりにアルゴンカスを添加した場合は蒸着
層の硬さも表面粗さも全く改良されない。なお、硬度は
マイクロビッカース硬度計(荷重50g )を用いて測
定し、表皮、 面粗さは]0の平均粗さであられした。
〔実施例■〕 蒸着条件を下記条件としたほか(・づ、上記実7バ例I
と同様な条件で化学蒸着をイー〒なったところ、蒸着時
間20分て1厚み20μmのタンカステン蒸着層か得ら
れた。この蒸着層の硬さは1200(+−1〜)、表面
ネ1]さは06μn・(Rz)であった。
被熱;M物の、温度  600 ’C \\:】・6流量3 Q cc/m1nH2流量   
     920 cc/+旧I]入2流鼠     
  ] OQ Q cc、ln目+1以上に説明した如
く、・ケ発明、−t・かるイく学蒸着法(寸、縁密でσ
度の高い蒸着、[蕾を態率的に形成することのでさるき
わめてすぐれたものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施1・て用□、−)られる化学蒸着
装置の系り[図、第22および第3区1宅、蒸着1※の
顕微鏡写真である。 1・反応室、2 加熱炉、3・抜熱着物、4・・・テー
ブル、5 水素カスボ/へ、6 窒素カスホンへ、7 
・六フッ化り/クステ/ホ/へ。 第1図 手続補正書(ブ拭) 1事件の表示   昭和57年特許願第232073号
2.9:、明の名称   化 学 浩 着 法3、補正
をする者 本件との関係  特 許 出 願 人 住所(居所) 大阪府大阪市東区北浜3 T i」3番
地氏名(名称)東邦金属株式会社 代表取締役 中 村 秀 臣 7代理人 〒530

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (])反応室内に保持された被メッキ物に、六フッ化タ
    ングステンと水素ガスからなる反応ガスと、該反応ガス
    ((対しモル比で0.05乃至5の割合の窒素ガスを含
    む混合ガスを供給しつつ化学蒸着を行なうことを特徴と
    する化学蒸着法。 (2)  反応ガスにおける六ツノ化タンクステン(\
    〜下6)と水素カス(f−12)との混合比率(X〜I
    F6°■12)か、モル比で1.3乃至1:15である
    特許請求の範囲第1項記軟の化学蒸着法。 (3)被蒸着物の視度が400乃至700℃である特許
    請求の範囲第1項または第2項記載の化学蒸着法。
JP23207382A 1982-12-28 1982-12-28 化学蒸着法 Granted JPS59123765A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2693477A1 (fr) * 1992-07-09 1994-01-14 France Etat Armement Revêtement multicouche pour la protection de surface contre l'érosion et/ou l'abrasion.
US5547767A (en) * 1991-10-14 1996-08-20 Commissariat A L'energie Atomique Multilayer material, anti-erosion and anti-abrasion coating incorporating said multilayer material and process for producing said multilayer material
US5702829A (en) * 1991-10-14 1997-12-30 Commissariat A L'energie Atomique Multilayer material, anti-erosion and anti-abrasion coating incorporating said multilayer material
CN104018135A (zh) * 2014-04-25 2014-09-03 厦门虹鹭钨钼工业有限公司 一种用于短弧高压气体放电灯阳极表面粗糙化的方法
CN104213096A (zh) * 2014-08-12 2014-12-17 厦门虹鹭钨钼工业有限公司 一种含钨涂层坩埚的制备方法
CN105063573A (zh) * 2015-07-15 2015-11-18 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种两步法制备二硫化钼薄膜的工艺

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5547767A (en) * 1991-10-14 1996-08-20 Commissariat A L'energie Atomique Multilayer material, anti-erosion and anti-abrasion coating incorporating said multilayer material and process for producing said multilayer material
US5702829A (en) * 1991-10-14 1997-12-30 Commissariat A L'energie Atomique Multilayer material, anti-erosion and anti-abrasion coating incorporating said multilayer material
FR2693477A1 (fr) * 1992-07-09 1994-01-14 France Etat Armement Revêtement multicouche pour la protection de surface contre l'érosion et/ou l'abrasion.
CN104018135A (zh) * 2014-04-25 2014-09-03 厦门虹鹭钨钼工业有限公司 一种用于短弧高压气体放电灯阳极表面粗糙化的方法
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