JPS60149780A - Ｃｖｄ被膜の形成方法 - Google Patents
Ｃｖｄ被膜の形成方法Info
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- JPS60149780A JPS60149780A JP517084A JP517084A JPS60149780A JP S60149780 A JPS60149780 A JP S60149780A JP 517084 A JP517084 A JP 517084A JP 517084 A JP517084 A JP 517084A JP S60149780 A JPS60149780 A JP S60149780A
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- JP
- Japan
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- base body
- furnace
- rotation
- evaporation
- forming
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45589—Movable means, e.g. fans
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
この発明は、加熱領域に原料ガスを導入して化学反応火
庄じ嘔ぜ、基体上に非揮発性物質を析出させる化学気相
析出（以下ＣＶＤと称する）法による被膜の形成方法に
関する。
庄じ嘔ぜ、基体上に非揮発性物質を析出させる化学気相
析出（以下ＣＶＤと称する）法による被膜の形成方法に
関する。
従来公知のＣＶＤ法は、第１図に示すように、気体送入
管６，７から原料ガスがペルジャー５内の加熱領域に導
入ａｈで反応ガスとなり、下面にヒータ４を有し、上面
に基体３を載置する載置台１ン支持棒２で支持してペル
ジャー５で覆い、載置台１欠支持棒２を軸として回転爆
ぜることにより、基体３の表面上の反応ガス濃度を平均
化し、基体３の表面全体にわたって均一な被膜ケ形成嘔
せようとするものであったが、このような従来のＣＶＤ
法では、基体３０表面上の反応ガスの濃度が平均比重れ
るために、非揮発性物質が第２図に示すように、基体３
上に柱状析出物８として析出し、成長するために、被膜
としての強度が低く、被膜な厚くするとひび割れを生じ
る等の問題があった＠ 〔発明の目的〕 この発明の目的は、被膜の強度を高め、被膜ン厚く形成
することを可能にするＣＶＤ被膜の形成方法を提供する
こと。
管６，７から原料ガスがペルジャー５内の加熱領域に導
入ａｈで反応ガスとなり、下面にヒータ４を有し、上面
に基体３を載置する載置台１ン支持棒２で支持してペル
ジャー５で覆い、載置台１欠支持棒２を軸として回転爆
ぜることにより、基体３の表面上の反応ガス濃度を平均
化し、基体３の表面全体にわたって均一な被膜ケ形成嘔
せようとするものであったが、このような従来のＣＶＤ
法では、基体３０表面上の反応ガスの濃度が平均比重れ
るために、非揮発性物質が第２図に示すように、基体３
上に柱状析出物８として析出し、成長するために、被膜
としての強度が低く、被膜な厚くするとひび割れを生じ
る等の問題があった＠ 〔発明の目的〕 この発明の目的は、被膜の強度を高め、被膜ン厚く形成
することを可能にするＣＶＤ被膜の形成方法を提供する
こと。
この発明のＣＶＤ被膜の形成方法は、基板表面上の反応
ガスの濃度を周期的に変化ネせて被膜を形成するもので
ある。
ガスの濃度を周期的に変化ネせて被膜を形成するもので
ある。
上述の方法によると、被膜を構成する析出物が析出成長
する際、単純な柱状ではなく、柱状部と塊状部が反応ガ
スの濃度変化に応じて周期的に形成され、析出物が互い
に入り組んだ層状構造となリ、層状間における一種の緩
衝効果により被膜の強度が高くなり、被膜を厚く形成す
ることを可能［−Ｊ゛ろものである。
する際、単純な柱状ではなく、柱状部と塊状部が反応ガ
スの濃度変化に応じて周期的に形成され、析出物が互い
に入り組んだ層状構造となリ、層状間における一種の緩
衝効果により被膜の強度が高くなり、被膜を厚く形成す
ることを可能［−Ｊ゛ろものである。
以下、この発明の実施例を第３図乃至第７図に糸づいて
説明する。
説明する。
第３図に示す第１実施例に於いては、横方向から矢印で
示すように反応ガスＧを炉１２内に導入し、炉１２内に
載置台１１を配置し、載置台１１−ＬＫＭ体１３を載置
すると共に、基体１３の上方の近傍にファン１５を基体
１３に対回芒せて設けて駆動軸１６により回転嘔せるも
のであり、ファン１５の回転により基体１３の上方の反
応ガスＧを（Ｗ：拌Ｉ２、反応ガスＧの濃度乞周期的に
変化毛せる。ファン１５の回転方向は一方向に定めても
良いが、所定時間毎に反転子せても良い。
示すように反応ガスＧを炉１２内に導入し、炉１２内に
載置台１１を配置し、載置台１１−ＬＫＭ体１３を載置
すると共に、基体１３の上方の近傍にファン１５を基体
１３に対回芒せて設けて駆動軸１６により回転嘔せるも
のであり、ファン１５の回転により基体１３の上方の反
応ガスＧを（Ｗ：拌Ｉ２、反応ガスＧの濃度乞周期的に
変化毛せる。ファン１５の回転方向は一方向に定めても
良いが、所定時間毎に反転子せても良い。
なお、１４は炉］２の外側に設けた加熱用ヒータである
。
。
第４図に示す第２実施例に於いては、上記第１実施例の
ファン１５に代えて、板１７暑軸１８周りに回動自在に
設置したものであり、軸１８を基体１３と平行に、且つ
反応ガスＧの流入方向と直交して設置することにより、
反応ガスＧの流ｆ１． Ｋ対する板１７の迎え角を自由
に変比重せることができる（−例として、第４図に於け
る実線から点線の位置迄）。板１７の反応ガスＧの流れ
に対する迎え角を周期的に変化させることで、基体１３
の表面上の反応ガスＧの濃度を周期的に変比重せる。
ファン１５に代えて、板１７暑軸１８周りに回動自在に
設置したものであり、軸１８を基体１３と平行に、且つ
反応ガスＧの流入方向と直交して設置することにより、
反応ガスＧの流ｆ１． Ｋ対する板１７の迎え角を自由
に変比重せることができる（−例として、第４図に於け
る実線から点線の位置迄）。板１７の反応ガスＧの流れ
に対する迎え角を周期的に変化させることで、基体１３
の表面上の反応ガスＧの濃度を周期的に変比重せる。
なお、第３図と同符号は同一の部材を示すものである。
次に、第５図に基づいて第３実施例を説明する。
外周にヒータ２４を有する炉２５内に反応ガスＧを矢印
の如く導入し、炉２５の端板２５ａに軸受２６を設けて
回転軸２２を貫通させ、回転軸２２の炉２５内の先端に
支持板２１な、回転軸２２の軸線火含む平面で固定【２
、支持体２１の両面又は片面に基体２３を支持し、回転
軸２２を介して公知の駆動源により回転芒せろものであ
り、回転方向は任意に選択すれば良く、所定時間毎に反
転塾代でも良い。
の如く導入し、炉２５の端板２５ａに軸受２６を設けて
回転軸２２を貫通させ、回転軸２２の炉２５内の先端に
支持板２１な、回転軸２２の軸線火含む平面で固定【２
、支持体２１の両面又は片面に基体２３を支持し、回転
軸２２を介して公知の駆動源により回転芒せろものであ
り、回転方向は任意に選択すれば良く、所定時間毎に反
転塾代でも良い。
第５図に於いては、炉２５を横方向に設置した状態を図
示しであるが、端板２５ａを底面として炉２５を縦方向
に股Ｗ１．でも良く、反応ガスＧを支持体２１及び基体
２３と直交する方向から流入づセても良い。又、炉２５
の設置方向とは無関係に、炉２５と端板２５ａと！別体
と（７ても良い。
示しであるが、端板２５ａを底面として炉２５を縦方向
に股Ｗ１．でも良く、反応ガスＧを支持体２１及び基体
２３と直交する方向から流入づセても良い。又、炉２５
の設置方向とは無関係に、炉２５と端板２５ａと！別体
と（７ても良い。
第４実施例を第６図に基づめで説明する。両端板３５ａ
、３５１〕と円胴３５Ｃとから成り、円胴３５ｃの外周
にヒータ３４を有する炉３５に於いて、円胴３５ｃの内
壁に半径方向のフレード３８ｙｘ１枚以上設け、一方の
端板３５ａに軸受３６を設けて軸３２を貝通忌せ、軸３
２の炉３５内先端に、軸３２を含む平面内に支持板３１
を固定［７て支持板３１の両面又は片面に基体３３を支
持し、叱方の端板３５ｂに反応ガスＧの流入管３７を設
け、炉３５火適宜公知の駆動手段で回転ネせ、支持板３
１及び基体３３は固定しておくものであり、フレード３
８により基体３３０表面上の反応ガスＧの濃度を変化尽
せる。端板３５ａ又は３５ｂを着脱自在に【７て基体３
３の着装及び取外１．ヲ容易にすることは当然である。
、３５１〕と円胴３５Ｃとから成り、円胴３５ｃの外周
にヒータ３４を有する炉３５に於いて、円胴３５ｃの内
壁に半径方向のフレード３８ｙｘ１枚以上設け、一方の
端板３５ａに軸受３６を設けて軸３２を貝通忌せ、軸３
２の炉３５内先端に、軸３２を含む平面内に支持板３１
を固定［７て支持板３１の両面又は片面に基体３３を支
持し、叱方の端板３５ｂに反応ガスＧの流入管３７を設
け、炉３５火適宜公知の駆動手段で回転ネせ、支持板３
１及び基体３３は固定しておくものであり、フレード３
８により基体３３０表面上の反応ガスＧの濃度を変化尽
せる。端板３５ａ又は３５ｂを着脱自在に【７て基体３
３の着装及び取外１．ヲ容易にすることは当然である。
なお、炉３５０回転方向は特に限定するものではなく、
所定時間毎に反転子せても良い。
所定時間毎に反転子せても良い。
更に、第６図に示すものは炉３５が横方向に設置−ｇ：
ｎ、ｆｃものであるが、流入管３７を上方と［２て縦方
向に設置しても良く、又、端板３５ａ、３５ｂと円胴３
５ｃとを別体にし、円胴３５ｃのみを回転尽せても良く
、この場合には駆動力が小嘔くてすむものである。
ｎ、ｆｃものであるが、流入管３７を上方と［２て縦方
向に設置しても良く、又、端板３５ａ、３５ｂと円胴３
５ｃとを別体にし、円胴３５ｃのみを回転尽せても良く
、この場合には駆動力が小嘔くてすむものである。
第５実施例を第７図に基づいて説明する。下面にヒータ
４４を設置し２、上面に基体４３を載置した載置台４１
をペルジャー４５で覆い、ペルジャー４５の上端に反応
ガスＧの流入管４６を設け、基体４３の上方近傍に案内
羽根４７を、基体４３と平行な軸４８周りに回動自在に
取り付け、案内羽根４７０角度を周期的に変化爆ぜるこ
とにより。
４４を設置し２、上面に基体４３を載置した載置台４１
をペルジャー４５で覆い、ペルジャー４５の上端に反応
ガスＧの流入管４６を設け、基体４３の上方近傍に案内
羽根４７を、基体４３と平行な軸４８周りに回動自在に
取り付け、案内羽根４７０角度を周期的に変化爆ぜるこ
とにより。
基体４３０表面上の反応ガスＧの濃度を周期的に変比重
せる。
せる。
上述のとおり、この発明によれば、加熱領域に於（ハて
基体の表面上方の反応ガスの濃度を周期的に変化ネせろ
ことにより、析出物の成長が周期的に変動して多層状に
積層することになり、層状間における一種の緩衝効果に
より、被膜の強度が高く在り厚膜な形成することができ
るものである。
基体の表面上方の反応ガスの濃度を周期的に変化ネせろ
ことにより、析出物の成長が周期的に変動して多層状に
積層することになり、層状間における一種の緩衝効果に
より、被膜の強度が高く在り厚膜な形成することができ
るものである。
第１図は従来のＣＶＤ被膜の形成方法を示す全体図、第
２図はその被膜の組成ヶ示す拡大図、第３図乃至第７図
は本発明の−ｆ：１．ぞわ、異なる実施例を示す全体図
である。 １．１１．４１”’載置台、 ３，１３，２３゜３３．
４３・・・基体、 ２１．３１・・・支持板、５．４５
゛・ペルジャー、１２，２５，３５°°°炉、４．１４
，２４，３４．４４・・・ヒ〜り、Ｇ・・・反応ガス。 代理人 鵜 沼 辰 之 （ほか１名） 第′ １ 目 ｆｊ７ ２ ＋、（１ 日 第３図 第４目 第５図 ４ 第７図 Ｇ 手続補正書 昭和５９）１“３ 月７７月 特許庁長官 殿 １ 事件の表示 昭和５９年 特許願 第 ５１７０ 号２ 発明の名称 ＣＶＤ被膜の形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ン・称 （５９０）三井造船株式会社 ４代理人 自発 ６ 補正により増加する発明の数 ７、 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄。 ８、 補正の内容 （１）明細書第２頁第１２行の「こと。」を１ことであ
る。」と改める・
２図はその被膜の組成ヶ示す拡大図、第３図乃至第７図
は本発明の−ｆ：１．ぞわ、異なる実施例を示す全体図
である。 １．１１．４１”’載置台、 ３，１３，２３゜３３．
４３・・・基体、 ２１．３１・・・支持板、５．４５
゛・ペルジャー、１２，２５，３５°°°炉、４．１４
，２４，３４．４４・・・ヒ〜り、Ｇ・・・反応ガス。 代理人 鵜 沼 辰 之 （ほか１名） 第′ １ 目 ｆｊ７ ２ ＋、（１ 日 第３図 第４目 第５図 ４ 第７図 Ｇ 手続補正書 昭和５９）１“３ 月７７月 特許庁長官 殿 １ 事件の表示 昭和５９年 特許願 第 ５１７０ 号２ 発明の名称 ＣＶＤ被膜の形成方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 ン・称 （５９０）三井造船株式会社 ４代理人 自発 ６ 補正により増加する発明の数 ７、 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄。 ８、 補正の内容 （１）明細書第２頁第１２行の「こと。」を１ことであ
る。」と改める・
Claims (1)
- 基板表面上の反応ガスの濃度を周期的に変化嘔せること
を特徴とするＣＶＤ被膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP517084A JPS60149780A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | Ｃｖｄ被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP517084A JPS60149780A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | Ｃｖｄ被膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60149780A true JPS60149780A (ja) | 1985-08-07 |
Family
ID=11603757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP517084A Pending JPS60149780A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | Ｃｖｄ被膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60149780A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5362228A (en) * | 1991-11-04 | 1994-11-08 | Societe Europeenne De Propulsion | Apparatus for preheating a flow of gas in an installation for chemical vapor infiltration, and a densification method using the apparatus |
| EP0705913A1 (en) * | 1994-08-26 | 1996-04-10 | Kabushiki Kaisha Kyokutou Giken | Method for manufacturing plastic forming dies |
| NL1036234C (nl) * | 2007-11-30 | 2010-04-16 | Ardenne Anlagentech Gmbh | Diffusie-oven en werkwijze voor het produceren van een gasstroming. |
-
1984
- 1984-01-13 JP JP517084A patent/JPS60149780A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5362228A (en) * | 1991-11-04 | 1994-11-08 | Societe Europeenne De Propulsion | Apparatus for preheating a flow of gas in an installation for chemical vapor infiltration, and a densification method using the apparatus |
| EP0705913A1 (en) * | 1994-08-26 | 1996-04-10 | Kabushiki Kaisha Kyokutou Giken | Method for manufacturing plastic forming dies |
| NL1036234C (nl) * | 2007-11-30 | 2010-04-16 | Ardenne Anlagentech Gmbh | Diffusie-oven en werkwijze voor het produceren van een gasstroming. |
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