JPS62142774A - 堆積膜形成法 - Google Patents
堆積膜形成法Info
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- JPS62142774A JPS62142774A JP60283988A JP28398885A JPS62142774A JP S62142774 A JPS62142774 A JP S62142774A JP 60283988 A JP60283988 A JP 60283988A JP 28398885 A JP28398885 A JP 28398885A JP S62142774 A JPS62142774 A JP S62142774A
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- gaseous
- deposited film
- film forming
- oxidizing agent
- raw material
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/407—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は１機能性膜、殊に″ＩＬ、導体デバイス、７Ｌ
子写真用の感光デバイス、光学的画像入力装置用の先入
力センサ−デバイス等の電ｒデバイスの用途に有用な透
明電極膜の形成法に関する。
子写真用の感光デバイス、光学的画像入力装置用の先入
力センサ−デバイス等の電ｒデバイスの用途に有用な透
明電極膜の形成法に関する。
従来、透明電極膜は、所望される物理的特性や用途等の
観点から個々に適した成膜方法が採用されている・ 例えば、電子ビームによる真空蒸着法やスパッタ法など
によって透明電極を形成している。
観点から個々に適した成膜方法が採用されている・ 例えば、電子ビームによる真空蒸着法やスパッタ法など
によって透明電極を形成している。
従来Ａ−５ｉ：Ｈ膜を使用した太陽電池では、Ａ−５ｉ
：Ｈ膜形成までは、連続的に行い。その後、あらためて
電子ビーム蒸着器またはスパッタ装置を使用して、Ａ−
３ｉ：Ｈ膜上に透明電極を形成している。
：Ｈ膜形成までは、連続的に行い。その後、あらためて
電子ビーム蒸着器またはスパッタ装置を使用して、Ａ−
３ｉ：Ｈ膜上に透明電極を形成している。
真空中で形成したＡ−５ｉ：Ｈ膜を、人気に放置してか
ら透明電極を形成することになるため、Ａ−Ｓｉ：Ｈ膜
表面が酸化して、透明電極との接触が悪化することがあ
り、太陽電池の変換効率の低ｒをまねいていた。また、
Ａ−５ｉ：Ｈ膜表面にゴミがつきやすくなるため、透明
電極に欠陥が増え、シリーズ抵抗が増加するという問題
点があった。
ら透明電極を形成することになるため、Ａ−Ｓｉ：Ｈ膜
表面が酸化して、透明電極との接触が悪化することがあ
り、太陽電池の変換効率の低ｒをまねいていた。また、
Ａ−５ｉ：Ｈ膜表面にゴミがつきやすくなるため、透明
電極に欠陥が増え、シリーズ抵抗が増加するという問題
点があった。
本発明の目的は、上述した透明電極形成法の欠点を除去
すると同時に、従来の形成方法によらない新規な堆積膜
形成法を提供するものである。
すると同時に、従来の形成方法によらない新規な堆積膜
形成法を提供するものである。
本発明の他の目的は、省エネルギー化を計ると同時に膜
品質の管理が容易で大面積に亘って均一特性の堆積膜が
得られる堆積膜形成法を提供するものである。
品質の管理が容易で大面積に亘って均一特性の堆積膜が
得られる堆積膜形成法を提供するものである。
本発明の更に別の目的は、生産性、お産性に優れ、高品
質で電気的、光学的等の物理特性に優れた膜が簡便に得
られる堆積膜形成法を提供することでもある。
質で電気的、光学的等の物理特性に優れた膜が簡便に得
られる堆積膜形成法を提供することでもある。
的に接触させることで励起状態の前駆体を生成し、該＋
ｉｉｊ駆体を堆積膜構成要素の供給源として成膜空間内
にあるノ１（体りに堆積膜を形成することを特徴とする
。
ｉｉｊ駆体を堆積膜構成要素の供給源として成膜空間内
にあるノ１（体りに堆積膜を形成することを特徴とする
。
］二記の本発明の堆積１１り形成法によれば、省エネル
ギー化と同時に大面積化、膜厚均一・性、膜品質の均一
性を十分満足させて管理の簡素化とｊＩ￥産化を図り、
量産装置に多大な設備投資も惑星とせず、またその量産
の為の管理項目も明確になり、管理許容幅も広く、装置
はの調整も１）ｎ単になる。たとえば、複数の成膜装：
；！ｌからなるＡ−５ｉ：Ｈ太陽電池形成装置において
、もう１つ本発明の成膜装置を接続することで、真空を
やぶらずに透明電極まで連続的に形成することができる
。
ギー化と同時に大面積化、膜厚均一・性、膜品質の均一
性を十分満足させて管理の簡素化とｊＩ￥産化を図り、
量産装置に多大な設備投資も惑星とせず、またその量産
の為の管理項目も明確になり、管理許容幅も広く、装置
はの調整も１）ｎ単になる。たとえば、複数の成膜装：
；！ｌからなるＡ−５ｉ：Ｈ太陽電池形成装置において
、もう１つ本発明の成膜装置を接続することで、真空を
やぶらずに透明電極まで連続的に形成することができる
。
本発明の堆積膜形成法に於いて、使用される堆積膜形成
法の気体状原料物質は、気体状／＼ロゲン系酸化剤との
接触により酸化作用をうけるものであり、目的とする堆
積膜の種類、特性。
法の気体状原料物質は、気体状／＼ロゲン系酸化剤との
接触により酸化作用をうけるものであり、目的とする堆
積膜の種類、特性。
用途等によって所望に従って適宜選択される。
本発明に於いては、上記の気体状原料物質及び気体状原
料物質は、接触をする際に気体状とされるものであれば
良く１通常の場合は、気体でも液体でも固体であっても
差支えない。
料物質は、接触をする際に気体状とされるものであれば
良く１通常の場合は、気体でも液体でも固体であっても
差支えない。
い。
堆積膜形成用の原料物質あるいは原料物質が液体又は固
体である場合には、Ａｒ。
体である場合には、Ａｒ。
Ｈｅ 、Ｎ２ 、Ｈ２７のキャリアーガスを使用し、必
要に応じては熱も加えながらバブリングを行なって反応
空間に堆積膜形成用の原料物質及び原料物質を気体状と
して導入する。
要に応じては熱も加えながらバブリングを行なって反応
空間に堆積膜形成用の原料物質及び原料物質を気体状と
して導入する。
る。
この際、１配気体状原料物質及び気体状／＼ロゲン系酸
化剤の分圧及び混合比は、キャリアーガスの流部あるい
は堆積膜形成用の原料物質及び気体状原料物質の蒸気圧
を調節することにより設定される。
化剤の分圧及び混合比は、キャリアーガスの流部あるい
は堆積膜形成用の原料物質及び気体状原料物質の蒸気圧
を調節することにより設定される。
本発明に於いて使用される透明電極形成用の原料物質と
しては、例えばＩｎ系原料としては、Ｉｎ ＣＣＨ３）
３．Ｉｎ （Ｃ２Ｈ５）３ 。
しては、例えばＩｎ系原料としては、Ｉｎ ＣＣＨ３）
３．Ｉｎ （Ｃ２Ｈ５）３ 。
１ ｎ （Ｃ３Ｈ７）３ 、Ｉ ｎ （Ｃ４Ｈ９）３な
どのイ１機Ｉｎ化合物が有用な原料として挙げることが
できる。また、Ｓｎ系原料としては５ｎＨａ Ｓｎ
（ＣＨ３）４．Ｓｎ （Ｃ２Ｈ５）２Ｓ ｎ （Ｃ２Ｈ
５）４ 、Ｓｎ （ｎ−Ｃ４Ｈ９）４ 。
どのイ１機Ｉｎ化合物が有用な原料として挙げることが
できる。また、Ｓｎ系原料としては５ｎＨａ Ｓｎ
（ＣＨ３）４．Ｓｎ （Ｃ２Ｈ５）２Ｓ ｎ （Ｃ２Ｈ
５）４ 、Ｓｎ （ｎ−Ｃ４Ｈ９）４ 。
Ｓ ｎＨ（ｎ−Ｃ４Ｈ９） ３ 、 Ｓ ｎｃｌ （ｎ
−Ｃ４Ｈ９）３ ［Ｓｎ （Ｃ２Ｈ５）３１２などの
水素化および有機Ｓｎ化合物が有用な原料とし０ 、
Ｎ Ｏ２、ＣＯ、Ｃ０２、Ｈ２０すどが有用な原ネ”ｌ
として挙げることができる。
−Ｃ４Ｈ９）３ ［Ｓｎ （Ｃ２Ｈ５）３１２などの
水素化および有機Ｓｎ化合物が有用な原料とし０ 、
Ｎ Ｏ２、ＣＯ、Ｃ０２、Ｈ２０すどが有用な原ネ”ｌ
として挙げることができる。
勿論、これ等の原ネ゛ｌ物質は１種のみならず２種以］
二混合して使用することも出来る。
二混合して使用することも出来る。
本発明に於いて使用される原料物質は、反応空間内に導
入される際気体状とされ、 同時に反応空間内に導入される堆積膜形成用の気体状原
料物質に化学的接触だけで効果的に酸化作用をする性質
を有するもので、Ｆ２゜ＣＪ１２．Ｂｒ２．Ｉ２等のハ
ロゲンガス、発生期状態の弗素、塩素、臭素等が有効な
ものとして挙げることが出来る。
入される際気体状とされ、 同時に反応空間内に導入される堆積膜形成用の気体状原
料物質に化学的接触だけで効果的に酸化作用をする性質
を有するもので、Ｆ２゜ＣＪ１２．Ｂｒ２．Ｉ２等のハ
ロゲンガス、発生期状態の弗素、塩素、臭素等が有効な
ものとして挙げることが出来る。
これ等の原料物質は気体状で、前記の堆積膜形成用の原
料物質の気体と共に所望の流樋と供給圧を与えられて反
応空間内に導入されて前記原料物質と混合衝突すること
で接触をし、前記原料物質に酸化作用をして励起状態の
前駆体を含む複数種の前駆体を効率的に生成する。生成
される励起状態の前駆体及び他の前駆体は、少なくとも
そのいずれか１つが形成される堆積膜の構成要素の供給
源として働く。
料物質の気体と共に所望の流樋と供給圧を与えられて反
応空間内に導入されて前記原料物質と混合衝突すること
で接触をし、前記原料物質に酸化作用をして励起状態の
前駆体を含む複数種の前駆体を効率的に生成する。生成
される励起状態の前駆体及び他の前駆体は、少なくとも
そのいずれか１つが形成される堆積膜の構成要素の供給
源として働く。
生成される前駆体は分解して又は反応して別の励起状態
の前駆体又は別の励起状態にある前駆体になって、或い
は必要に応じてエネルギーを放出はするがそのままの形
態で成膜空間に配設された基体表面に触れることで三次
元ネットワーク構造の堆積膜が作成される。
の前駆体又は別の励起状態にある前駆体になって、或い
は必要に応じてエネルギーを放出はするがそのままの形
態で成膜空間に配設された基体表面に触れることで三次
元ネットワーク構造の堆積膜が作成される。
本発明に於いては、堆積膜形成プロセスが円滑に進行し
、高品質で所望の物理特性を有する膜が形成される可く
、成膜因子としての、原料物質及び原料物質の種類と組
み合せ、 これ等の混合比、混合時の圧力、流量、成膜空間内圧、
ガスの波型、成膜温度（基体温度及び雰囲気温度）が所
望に応じて適宜選択される。
、高品質で所望の物理特性を有する膜が形成される可く
、成膜因子としての、原料物質及び原料物質の種類と組
み合せ、 これ等の混合比、混合時の圧力、流量、成膜空間内圧、
ガスの波型、成膜温度（基体温度及び雰囲気温度）が所
望に応じて適宜選択される。
これ等の成膜因子は有機的に関連し、ｍ独で決定される
ものではなく相互関連の下に夫々に応じて決定される。
ものではなく相互関連の下に夫々に応じて決定される。
本発明に於いて、反応空間に導入される堆積膜形成用の
気体状原料物質と気体状原料物質との量の割合は、Ｌ記
成膜因子の中間速する成膜因子との関係に於いて適宜所
望に従って決められるが、導入１Ｎ ’＋１比で、好ま
しくは、１／２０〜１００／ｌが１Ｉ８ｉちであり、よ
り好ましくは１１５〜５０／ｌとさ反応空間に導入され
る際の混合時の圧力としては前記気体状原料物質と前記
気体状原料物質との化学的接触を確率的により高める為
には、より高い方が良いが、反応性を考慮して適宜所望
に応じて最適値を決定するのが良い。
気体状原料物質と気体状原料物質との量の割合は、Ｌ記
成膜因子の中間速する成膜因子との関係に於いて適宜所
望に従って決められるが、導入１Ｎ ’＋１比で、好ま
しくは、１／２０〜１００／ｌが１Ｉ８ｉちであり、よ
り好ましくは１１５〜５０／ｌとさ反応空間に導入され
る際の混合時の圧力としては前記気体状原料物質と前記
気体状原料物質との化学的接触を確率的により高める為
には、より高い方が良いが、反応性を考慮して適宜所望
に応じて最適値を決定するのが良い。
前記混合時の圧力としては、に記の様にして決められる
が、夫々の導入時の圧力として、好ましくはｌＸｌ０−
７気圧〜１０気圧、より好ましくはＩ Ｘ １０−６気
圧〜３気圧とされるのが望ましい。
が、夫々の導入時の圧力として、好ましくはｌＸｌ０−
７気圧〜１０気圧、より好ましくはＩ Ｘ １０−６気
圧〜３気圧とされるのが望ましい。
成膜空間内の圧力、即ち、その表面に成膜される基体が
配設されている空間内の圧力は、反応空間に於いて生成
される励起状ｙｇの前駆体（Ｅ）及び場合によって該前
駆体（Ｅ）より派生的に生ずる前駆体（Ｄ）が成膜に効
果的に寄！ｊ−する様に適宜所望に応じて５没定される
。
配設されている空間内の圧力は、反応空間に於いて生成
される励起状ｙｇの前駆体（Ｅ）及び場合によって該前
駆体（Ｅ）より派生的に生ずる前駆体（Ｄ）が成膜に効
果的に寄！ｊ−する様に適宜所望に応じて５没定される
。
成“脱字間の内圧力は、成１１Ｑ空間が反応空間と開放
的に連続してい６場合には、堆積膜形成用の基体状原＄
：１物質と気体状原料物質との反応′空間での導入圧及
び流量との関連に於いて、例えば差動４Ｊ１気或いは、
大型の排気装置の使用等の工夫を加えて調整することが
出来る。
的に連続してい６場合には、堆積膜形成用の基体状原＄
：１物質と気体状原料物質との反応′空間での導入圧及
び流量との関連に於いて、例えば差動４Ｊ１気或いは、
大型の排気装置の使用等の工夫を加えて調整することが
出来る。
或いは、反応空間と成ｌ模空間の連結部のフンダクタン
スが小さい場合には、成膜空間に適当な排気装置を設け
、該装置の排気量を制御することで成膜空間の圧力を調
整することが出来る。
スが小さい場合には、成膜空間に適当な排気装置を設け
、該装置の排気量を制御することで成膜空間の圧力を調
整することが出来る。
又１反応空間と成膜空間が一体的になっていて、反応位
置と成膜位差か空間的に異なるだけの場合には、前述の
様に差動Ｖ［気するか或いは、排気能力の充分ある大型
の排気装置を設けてやれば良い。
置と成膜位差か空間的に異なるだけの場合には、前述の
様に差動Ｖ［気するか或いは、排気能力の充分ある大型
の排気装置を設けてやれば良い。
上記のようにして成膜空間内の圧力は、反応れるが、好
ましくは０．００１Ｔｏ ｒ ｒ−１００Ｔｏ ｒ ｒ
、より好ましくは０．０１Ｔｏｒｒ〜３０Ｔｏｒｒ、
最適には０．０５〜１０Ｔｏｒｒとされるのが望ましい
。
ましくは０．００１Ｔｏ ｒ ｒ−１００Ｔｏ ｒ ｒ
、より好ましくは０．０１Ｔｏｒｒ〜３０Ｔｏｒｒ、
最適には０．０５〜１０Ｔｏｒｒとされるのが望ましい
。
ガスの波型に就いては、反応空間への前記堆積膜形成用
の原料物質及び原料物質の導入の際にこれ等が均一に効
率良く混合され、 前記前駆体（Ｅ）が効率的に生成され且つ成膜が支障な
く適切になされる様に、ガス導入ＣＩと基体とガス排気
口との幾何学的配置を考慮して設計される必要がある。
の原料物質及び原料物質の導入の際にこれ等が均一に効
率良く混合され、 前記前駆体（Ｅ）が効率的に生成され且つ成膜が支障な
く適切になされる様に、ガス導入ＣＩと基体とガス排気
口との幾何学的配置を考慮して設計される必要がある。
この幾何学的な配置面の好適な例の１つが第１図に示さ
れる。
れる。
成膜時の基体温度（Ｔｓ）としては、使用されるガス種
及び形成される堆積膜の種数と要求される特性に応じて
、個々に適宜所望に従って設定されるが、非晶質の膜を
得る場合には好ましくは室温から５００°Ｃ１より好ま
しくは５０〜４００℃とされるのが望ましい。
及び形成される堆積膜の種数と要求される特性に応じて
、個々に適宜所望に従って設定されるが、非晶質の膜を
得る場合には好ましくは室温から５００°Ｃ１より好ま
しくは５０〜４００℃とされるのが望ましい。
成膜空間の雰囲気温度（Ｔａｔ）としては、生成される
前記前駆体（Ｅ）及び前記前駆体（Ｄ）が成膜に不適当
な化学種に変化せず、且つ効率良く前記前駆体（Ｅ）が
生成される様にノ＾体温度（Ｔｓ）との関連で適宜所望
に応じて決められる。
前記前駆体（Ｅ）及び前記前駆体（Ｄ）が成膜に不適当
な化学種に変化せず、且つ効率良く前記前駆体（Ｅ）が
生成される様にノ＾体温度（Ｔｓ）との関連で適宜所望
に応じて決められる。
本発明に於いて使用される基体としては、形成される堆
積膜の用途に応じて適宜所望に応じて選択されるのであ
れば導電性でも電気絶縁性であっても良い。導電性基体
としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｉ、Ｃｒ
、Ｍｏ。
積膜の用途に応じて適宜所望に応じて選択されるのであ
れば導電性でも電気絶縁性であっても良い。導電性基体
としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｉ、Ｃｒ
、Ｍｏ。
Ａｕ、Ｉ ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ笠の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。
金属又はこれ等の合金が挙げられる。
電気絶縁性基体としては、ポリエステル、ポリエチレン
、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリプロ
ピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ１！！１ヒビニリテン、
ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又は
シート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。
、ポリカーボネート、セルローズアセテート、ポリプロ
ピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ１！！１ヒビニリテン、
ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又は
シート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。
これらの電気絶縁性基体は、導電処理されていても良い
。
。
例えばガラスであれば、その表面がＮｉＣｒ、ＡＪｌ、
Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉ ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２゜ＩＴＯ（Ｉ ｎ２０
３＋５ｎ０２）’ｙの７１シＮを設ける”バによって導
電処理され、或いはポリエステＪレフ・イルム客の合成
樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ 、 Ａ１１．
Ａｇ、 Ｐｂ、 Ｚｎ 、 Ｎｉ 、Ａｕ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ 、 Ｉ ｒ、 Ｎｂ、 Ｔａ、
Ｖ。
Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｉ ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ｉｎ２Ｏ３，５ｎ０２゜ＩＴＯ（Ｉ ｎ２０
３＋５ｎ０２）’ｙの７１シＮを設ける”バによって導
電処理され、或いはポリエステＪレフ・イルム客の合成
樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ 、 Ａ１１．
Ａｇ、 Ｐｂ、 Ｚｎ 、 Ｎｉ 、Ａｕ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ 、 Ｉ ｒ、 Ｎｂ、 Ｔａ、
Ｖ。
Ｔｉ、Ｐｔ笠の金属で真空法着、電子ビーム蒸着、スパ
ッタリング等で処理し、又は前記金属でラミネート処理
して、その表面が導電処理される。
ッタリング等で処理し、又は前記金属でラミネート処理
して、その表面が導電処理される。
支持体の形状としては、円筒状、ベルト状。
板状等、任意の形状とし得、所望によって、その形状が
決定される。
決定される。
ノ、（体は、基体と膜との密着性及び反応性を考ｈ’ｊ
、 して上記の中より選ぶのが好ましい。更に両名の熱
ＩＩＭ張の差が大きいと１漠中に多Ｊ１１の歪が生じ、
良品質の１１りが得られない場合があるので、両者の熱
１彰張の差が近接している基体を選択して使用するのが
好ましい。
、 して上記の中より選ぶのが好ましい。更に両名の熱
ＩＩＭ張の差が大きいと１漠中に多Ｊ１１の歪が生じ、
良品質の１１りが得られない場合があるので、両者の熱
１彰張の差が近接している基体を選択して使用するのが
好ましい。
又、基体の表面状態は、１１りの構造（配向）や３Ｉｔ
状組織の発生に直接関係するので、所９！の特°性が得
られる様なＩＩり構造と膜組織となる様に基体の表面を
処理するのが望ましい。
状組織の発生に直接関係するので、所９！の特°性が得
られる様なＩＩり構造と膜組織となる様に基体の表面を
処理するのが望ましい。
第１図は本発明の堆積膜形成法を具現するに好適な装置
の１例を示すものである。
の１例を示すものである。
第１図に示す堆積膜形成装置は、装置本体、１ノ１気系
及びカス供給系の３つに大別される。
及びカス供給系の３つに大別される。
装置本体には１反応室間及び成膜空間が設けられている
。
。
１０１〜１０８は夫々、成膜する際に使用されるガスが
充填されているボンベ、１０１ａ〜１０８ａは夫々ガス
供給パイプ、１０１ｂ〜１０８ｂは夫々各ボンベからの
ガスの流量調整用ツマスフローコントローラー、１ＯＩ
Ｃ〜１０８ｃはそれぞれガス圧力計、１０１ｄ〜１０８
ｄ及び１ｏ１ｅ−１０８ｅは夫々バルブ、１ｏｌｆ〜１
０８ｆは夫々対応するガスボンベ内の圧力を示す圧力計
である。
充填されているボンベ、１０１ａ〜１０８ａは夫々ガス
供給パイプ、１０１ｂ〜１０８ｂは夫々各ボンベからの
ガスの流量調整用ツマスフローコントローラー、１ＯＩ
Ｃ〜１０８ｃはそれぞれガス圧力計、１０１ｄ〜１０８
ｄ及び１ｏ１ｅ−１０８ｅは夫々バルブ、１ｏｌｆ〜１
０８ｆは夫々対応するガスボンベ内の圧力を示す圧力計
である。
１２０は真空チャンバーであって、上部にガス導入用の
配管が設けられ、配管の丁流に反応室ＩＩＩが形成され
る構造を有し、且つ該配管のガス排出口に対向して、基
体１１８が設置される様に基体ホールダー１１２が設け
られた成膜空間が形成される構造を有する。ガス導入用
の配管は、Ｅ、爪間心円配置構造となっており、中より
ガスポンへ１０ Ｌ 、１０２よりのガスが導入される
第１のガス導入ｔ６ ｔ ０９ 、ガスボンベ１０３〜
１０５よりのガスが導入される：ｔＴＪ２のガス導入管
１１０、及びガスボンベ１０６〜１０８よりのガスが導
入される第３のガス導入管ｔｘｔを有する。
配管が設けられ、配管の丁流に反応室ＩＩＩが形成され
る構造を有し、且つ該配管のガス排出口に対向して、基
体１１８が設置される様に基体ホールダー１１２が設け
られた成膜空間が形成される構造を有する。ガス導入用
の配管は、Ｅ、爪間心円配置構造となっており、中より
ガスポンへ１０ Ｌ 、１０２よりのガスが導入される
第１のガス導入ｔ６ ｔ ０９ 、ガスボンベ１０３〜
１０５よりのガスが導入される：ｔＴＪ２のガス導入管
１１０、及びガスボンベ１０６〜１０８よりのガスが導
入される第３のガス導入管ｔｘｔを有する。
各ガス導入管の反応室ｆｌｎへのガス排出には。
その位置が内側の管になる程基体の表面位置より遠い位
置に配される設計とされている。即ち、外側の管になる
程その内側にある管を包囲する様に夫々のガス導入管が
配設されている。
置に配される設計とされている。即ち、外側の管になる
程その内側にある管を包囲する様に夫々のガス導入管が
配設されている。
各導入管への管ボンベからのガスの供給は、ガス供給パ
イプライン１２３〜１２５によって夫々なされる。
イプライン１２３〜１２５によって夫々なされる。
各ガス導入管、各ガス供給パイプライン及び真空チャン
バー１２０は、メイン真空バルブ１１９を介して不図示
の真空排気装置により真空排気される。
バー１２０は、メイン真空バルブ１１９を介して不図示
の真空排気装置により真空排気される。
基体ｌ１８はノ、（体ホルダー１１２を上下に移動させ
ることによって各ガス導入管の位置より適宜所ｅ１！ｊ
の距離に設置される。
ることによって各ガス導入管の位置より適宜所ｅ１！ｊ
の距離に設置される。
本発明の場合、この基体とガス導入管のガス排出口の距
離は、形成される堆積膜の種類及びその所！−Ｉ＋！さ
れる特性、ガス流賃、真空チャンバーの内圧等を考慮し
て適切な状態になる様に決められるが、好ましくは、数
ｍｍ〜２０ｃｍ、より好ましくは、５ｍｍ〜１５ｃｍ程
度とされるのが望ましい。
離は、形成される堆積膜の種類及びその所！−Ｉ＋！さ
れる特性、ガス流賃、真空チャンバーの内圧等を考慮し
て適切な状態になる様に決められるが、好ましくは、数
ｍｍ〜２０ｃｍ、より好ましくは、５ｍｍ〜１５ｃｍ程
度とされるのが望ましい。
１１３は、基体１１８を成膜時に適当な温度に加熱した
り、或いは、成膜前に基体１１８を予備加熱したり、更
には、成膜後、膜をアニールする為に加熱する基体加熱
ヒータである。
り、或いは、成膜前に基体１１８を予備加熱したり、更
には、成膜後、膜をアニールする為に加熱する基体加熱
ヒータである。
基体加熱ヒータ１１３は、導線１１４により電源１１５
により電力が供給される。
により電力が供給される。
１１６は、基体温度（Ｔｓ）の温度をＪ１１定する為の
熱電対で温度表示装置１１７に電気的に接続されている
。
熱電対で温度表示装置１１７に電気的に接続されている
。
以ド、実施例に従って、本発明を具体的に説明する。
実施例１
第１図に示す成膜装置を用いて、第１表実施例１の条件
で堆積膜を作成した。
で堆積膜を作成した。
ボンベｌｏｔに充填されているＩ ｎ （ＣＨ３）３を
ヒーター１０１ｇで１４０℃に加熱し、Ｉｎ（ＣＨ３）
３を気化させ流量５５ＣＣｍでガス導入管１０９より、
また、ボンベ１０２に充填されティるＳｎ （ＣＨ３）
４をヒーター１０２ｇで加熱し、気化させ、流量５ｓ
ｅｃｍでガス導入管１０９よりさらにボンベ１０６に充
填されているＦ２ガスを流１７１″１ｓｅｃ’ｍ、ポン
ベ１０７に充填されているＨｅガスを流！１１１１ Ｏ
５ＣＣｍでガス導入／ｉ？１１１よりそしてさらにボン
ベ１０４に充填されているＮｏガスを、流’Ｂ：ＨＩ
ＯＳ ＣＣｍでガス導入管１１１より、真空チャンバー
１０２内に導入した。
ヒーター１０１ｇで１４０℃に加熱し、Ｉｎ（ＣＨ３）
３を気化させ流量５５ＣＣｍでガス導入管１０９より、
また、ボンベ１０２に充填されティるＳｎ （ＣＨ３）
４をヒーター１０２ｇで加熱し、気化させ、流量５ｓ
ｅｃｍでガス導入管１０９よりさらにボンベ１０６に充
填されているＦ２ガスを流１７１″１ｓｅｃ’ｍ、ポン
ベ１０７に充填されているＨｅガスを流！１１１１ Ｏ
５ＣＣｍでガス導入／ｉ？１１１よりそしてさらにボン
ベ１０４に充填されているＮｏガスを、流’Ｂ：ＨＩ
ＯＳ ＣＣｍでガス導入管１１１より、真空チャンバー
１０２内に導入した。
このとき、真空チャン八−１２０内の圧力を真空バルブ
１１９の開閉度を調整して８００ｍＴｏｒｒにした。基
体に石英ガラス（１５ｃｍＸ１５ｃｍ）を用いガス導入
［］１１１と基体との圧路は３ｃｍに設定した。基体温
度（Ｔｓ）は各試料に対して表１に示す様に１００℃に
設定した。
１１９の開閉度を調整して８００ｍＴｏｒｒにした。基
体に石英ガラス（１５ｃｍＸ１５ｃｍ）を用いガス導入
［］１１１と基体との圧路は３ｃｍに設定した。基体温
度（Ｔｓ）は各試料に対して表１に示す様に１００℃に
設定した。
この状態で表１に示す様な膜厚の透明電極かり、（体」
−に堆積した。
−に堆積した。
又膜厚の分布むらは±５％以内におさまった。
堆積した膜の特性は、第１表の実施例１に示す値であっ
た・ 実施例２ 第１図に示す成膜装置を用いて、第１表実施例２の条件
で堆積膜を形成した。
た・ 実施例２ 第１図に示す成膜装置を用いて、第１表実施例２の条件
で堆積膜を形成した。
成膜装置の操作手順は、実施例１と同様に行った。第１
表実施例２に示す結果を得た。
表実施例２に示す結果を得た。
実施例３
第１図に示す成膜装６を用いて、第１表実施例３の条件
で堆積膜を形成した。
で堆積膜を形成した。
成膜装置の操作手順は実施例１と同様に行った。第１表
実施例３に示す結果を得た。
実施例３に示す結果を得た。
第 １ 表
〔効果〕
以りの詳細な説明及び各実施例より、本発明の堆積膜形
成法によれば、省エネルギー化を計ると同時に膜品質の
管理が容易で大面積に亘って均一物理特性の堆積１模が
得られる。又、生産性、；Ｉ￥産性に優れ、高品質で電
気的、光学的。
成法によれば、省エネルギー化を計ると同時に膜品質の
管理が容易で大面積に亘って均一物理特性の堆積１模が
得られる。又、生産性、；Ｉ￥産性に優れ、高品質で電
気的、光学的。
半導体的等の物理特性に優れた１１りを簡便に得ること
が出来る。
が出来る。
４、１２面の筒中な説明
第１図は本発明の実施例に用いた成膜装置の模式的概略
図である。
図である。
１０１〜１０８−−−−−−−−−−−−ガスボンベ、
１０１ ａ −１０８ａ−−−−−一−−ガスの導入管
。
１０１ ａ −１０８ａ−−−−−一−−ガスの導入管
。
１０ ｌ ｂ −１０８ｂ−−−−−−−−マスフロメ
ーター、１０１ ｃ 〜１０８ ｃ−−−−−−−−ガ
ス圧力３１１゜１０１ｄ〜１０８ｄ及び １０１ ｅ” 〜１０８ ｅ−−−−−−−−バルブ、
１０１ ｆ ＮＩ Ｏ８ｆ −−−−−−−一圧力計、
１０１ｇ〜１０２ ｇ−−−−−−−−ヒーター。
ーター、１０１ ｃ 〜１０８ ｃ−−−−−−−−ガ
ス圧力３１１゜１０１ｄ〜１０８ｄ及び １０１ ｅ” 〜１０８ ｅ−−−−−−−−バルブ、
１０１ ｆ ＮＩ Ｏ８ｆ −−−−−−−一圧力計、
１０１ｇ〜１０２ ｇ−−−−−−−−ヒーター。
１０９．１１０．１１１−−−−カヌ導入管、１１２−
−−−−−−−−−−−−−−一基体ホルダー。
−−−−−−−−−−−−−−一基体ホルダー。
ｔ ｔ ３−−−−−−−−−−−−−−−一基体加熱
用ヒーター、１１６−−−−−−−−−−基体温度モニ
ター用熱電対、１１８−−−−−−−−−−−−−−−
一基 体。
用ヒーター、１１６−−−−−−−−−−基体温度モニ
ター用熱電対、１１８−−−−−−−−−−−−−−−
一基 体。
１１９−−−−−−−〜−−−−−−−−１９空排気バ
ルブ、を夫々表わしている。
ルブ、を夫々表わしている。
Claims (10)
- （１）堆積膜形成用のＩｎ原子またはＳｎ原子を含む気
体状原料物質と、該原料物質に酸化作用をする性質を有
する気体状ハロゲン系酸化剤と、酸素含有気体状化合物
とを反応空間内に導入して化学的に接触させることで励
起状態の前駆体を含む複数の前駆体を生成し、これらの
前駆体の内少なくとも１つの前駆体を堆積膜構成要素の
供給源として成膜空間内にある基体上に堆積膜を形成す
ることを特徴とする堆積膜形成法。 - （２）前記気体状原料物質は、有機Ｉｎ化合物である特
許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形成法。 - （３）前記気体状原料物質は、有機Ｓｎ化合物である特
許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形成法。 - （４）前記気体状ハロゲン系酸化剤は、ハロゲンガスを
含む特許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形成法。 - （５）前記気体状ハロゲン系酸化剤は、弗素ガスを含む
特許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形成法。 - （６）前記気体状ハロゲン系酸化剤は、塩素ガスを含む
特許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形成法。 - （７）前記気体状ハロゲン系酸化剤は、弗素原子を構成
成分として含むガスである特許請求の範囲第１項に記載
の堆積膜形成法。 - （８）前記気体状ハロゲン系酸化剤は、発生期状態のハ
ロゲンを含む特許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形成
法。 - （９）前記基体は、前記気体状原料物質と前記気体状ハ
ロゲン系酸化剤の前記反応空間への導入方向に対して対
向する位置に配設される特許請求の範囲第１項に記載の
堆積膜形成法。 - （１０）前記気体状原料物質と前記気体状ハロゲン系酸
化剤は前記反応空間へ、多重管構造の輸送管から導入さ
れる特許請求の範囲第１項に記載の堆積膜形成法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60283988A JPH0645888B2 (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 堆積膜形成法 |
| US07/298,202 US4865883A (en) | 1985-12-17 | 1989-01-17 | Method for forming a deposited film containing IN or SN |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60283988A JPH0645888B2 (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 堆積膜形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62142774A true JPS62142774A (ja) | 1987-06-26 |
| JPH0645888B2 JPH0645888B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=17672826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60283988A Expired - Lifetime JPH0645888B2 (ja) | 1985-12-17 | 1985-12-17 | 堆積膜形成法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4865883A (ja) |
| JP (1) | JPH0645888B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2665454B1 (fr) * | 1990-08-01 | 1994-04-01 | Elf Aquitaine Ste Nale | Procede pour deposer un film mince transparent et antistatique a la surface en polymere de styrene d'un objet faconne. |
| US5122391A (en) * | 1991-03-13 | 1992-06-16 | Watkins-Johnson Company | Method for producing highly conductive and transparent films of tin and fluorine doped indium oxide by APCVD |
| US5135581A (en) * | 1991-04-08 | 1992-08-04 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Light transmissive electrically conductive oxide electrode formed in the presence of a stabilizing gas |
| JP3073327B2 (ja) * | 1992-06-30 | 2000-08-07 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法 |
| GB9421335D0 (en) * | 1994-10-22 | 1994-12-07 | Epichem Ltd | Chemical vapour deposition |
Family Cites Families (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US3188230A (en) * | 1961-03-16 | 1965-06-08 | Alloyd Corp | Vapor deposition process and device |
| US3203827A (en) * | 1962-06-26 | 1965-08-31 | Union Carbide Corp | Chromium plating process |
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| SE393967B (sv) * | 1974-11-29 | 1977-05-31 | Sateko Oy | Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket |
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| US4146657A (en) * | 1976-11-01 | 1979-03-27 | Gordon Roy G | Method of depositing electrically conductive, infra-red reflective, transparent coatings of stannic oxide |
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-
1985
- 1985-12-17 JP JP60283988A patent/JPH0645888B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-01-17 US US07/298,202 patent/US4865883A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4865883A (en) | 1989-09-12 |
| JPH0645888B2 (ja) | 1994-06-15 |
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