JPS591219B2 - 光ファイバ用多孔質母材の脱水処理法 - Google Patents
光ファイバ用多孔質母材の脱水処理法Info
- Publication number
- JPS591219B2 JPS591219B2 JP10737480A JP10737480A JPS591219B2 JP S591219 B2 JPS591219 B2 JP S591219B2 JP 10737480 A JP10737480 A JP 10737480A JP 10737480 A JP10737480 A JP 10737480A JP S591219 B2 JPS591219 B2 JP S591219B2
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- Japan
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- optical fiber
- dehydrating
- base material
- porous
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、光通信に用いる光ファイバの素材となる多
孔質母材を脱水処理する方法に関する。
孔質母材を脱水処理する方法に関する。
通信用の光ファイバは、通常、熱酸化反応または加水分
解反応を利用して多孔質ガラス微粉末を棒状基材の先端
に軸方向に堆積させたり、棒状基材の外周に堆積させる
、いわゆるＶＡＤ法あるいは外付け法により光ファイバ
用多孔質母材を作り、これを加熱して焼結し、透明ガラ
ス化して、その後加熱線引きして紡糸することにより製
造される。ところでこの光ファイバ中にＯＨ基が存在す
ると、特定波長帯での吸収が生じるため、これを除去す
る必要がある。そこで従来では多孔質母材をＨｅ、ＳＯ
Ｃｌ２、Ｃｌ２などの脱水ガス雰囲気下で脱水処理し、
その後焼結を行つていた。ところで脱水効果をあげるた
めには長時間を要するので、本発明者等がその原因を調
べたところ多孔質母材に含まれるＯＨ基量以上に脱水ガ
ス中にＯＨ基が存在することが判明した。本発明は、こ
の点に鑑み脱水ガス中に含まれるＯＨ基を除去すること
により脱水効果を高めるようにした光ファイバ用多孔質
母材の脱水処理法を提供することを目的とする。
解反応を利用して多孔質ガラス微粉末を棒状基材の先端
に軸方向に堆積させたり、棒状基材の外周に堆積させる
、いわゆるＶＡＤ法あるいは外付け法により光ファイバ
用多孔質母材を作り、これを加熱して焼結し、透明ガラ
ス化して、その後加熱線引きして紡糸することにより製
造される。ところでこの光ファイバ中にＯＨ基が存在す
ると、特定波長帯での吸収が生じるため、これを除去す
る必要がある。そこで従来では多孔質母材をＨｅ、ＳＯ
Ｃｌ２、Ｃｌ２などの脱水ガス雰囲気下で脱水処理し、
その後焼結を行つていた。ところで脱水効果をあげるた
めには長時間を要するので、本発明者等がその原因を調
べたところ多孔質母材に含まれるＯＨ基量以上に脱水ガ
ス中にＯＨ基が存在することが判明した。本発明は、こ
の点に鑑み脱水ガス中に含まれるＯＨ基を除去すること
により脱水効果を高めるようにした光ファイバ用多孔質
母材の脱水処理法を提供することを目的とする。
一般にＳｉＯ２・Ａｌ２Ｏ等の二元酸化物触媒は、焼結
処理によつて二元酸化物中に酸点と塩基点とを有するこ
とが知られている。
処理によつて二元酸化物中に酸点と塩基点とを有するこ
とが知られている。
そして水（ＯＨ基）はルイス酸として作用するため、塩
基点を有する触媒と反応するので、二元酸化物触媒を用
いれば、ＯＨ基を除去することが可能である。本発明者
等は、上記光ファイバの製造工程において、火炎加水分
解反応または熱酸化反応により作られる多孔質ガラス微
粉末がＳｉＯ２を主成分としＰ２Ｏ５やＧｅＯ２等を含
むものであることに着目し、この多孔質ガラス微粉末も
また上記二元酸化物触媒としての作用をもつものと予想
し、上記多孔質ガラス微粉末を脱水用の触媒として用い
る本発明をなしたものである。以下、本発明の一実施例
について図面を参照しながら説明する。
基点を有する触媒と反応するので、二元酸化物触媒を用
いれば、ＯＨ基を除去することが可能である。本発明者
等は、上記光ファイバの製造工程において、火炎加水分
解反応または熱酸化反応により作られる多孔質ガラス微
粉末がＳｉＯ２を主成分としＰ２Ｏ５やＧｅＯ２等を含
むものであることに着目し、この多孔質ガラス微粉末も
また上記二元酸化物触媒としての作用をもつものと予想
し、上記多孔質ガラス微粉末を脱水用の触媒として用い
る本発明をなしたものである。以下、本発明の一実施例
について図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例を模式的に示すもので、この
図にち・いて１はＶＤＡ法により作られた多孔質ガラス
微粉末が棒状基材１１の先端に軸方向に堆積してなる光
フアイバ母材である。この母材１は、例えば下表に示す
条件で原料ガスをバーナに送り込んで行なう火炎加水分
解法を用いたＶＡＤ法により作製され、そのサイズは例
えば長さ３００ｍ』直径５５ｍ７７！とする〇そしてこ
の光フアイバ母材１は、カーボンヒータ２１を有する電
気炉２の石英管でなる内筒マツフル２２内に配置される
。２３は石英管でなる上部フランジであり、２４は石英
管でなる下部フランジであつて、この下部フランジ２４
内に脱水用触媒３が配置される。
図にち・いて１はＶＤＡ法により作られた多孔質ガラス
微粉末が棒状基材１１の先端に軸方向に堆積してなる光
フアイバ母材である。この母材１は、例えば下表に示す
条件で原料ガスをバーナに送り込んで行なう火炎加水分
解法を用いたＶＡＤ法により作製され、そのサイズは例
えば長さ３００ｍ』直径５５ｍ７７！とする〇そしてこ
の光フアイバ母材１は、カーボンヒータ２１を有する電
気炉２の石英管でなる内筒マツフル２２内に配置される
。２３は石英管でなる上部フランジであり、２４は石英
管でなる下部フランジであつて、この下部フランジ２４
内に脱水用触媒３が配置される。
２５は、Ｈｅ，ＳＯＣｌ２・Ｃｌ２等の脱水ガス等の入
口である。
口である。
この脱水用触媒３は、例えば上記と同様の条件で火炎加
水分解法または熱酸化反応を用いたＶＡＤ法により作ら
れた多孔質ガラス微粉末からなる。
水分解法または熱酸化反応を用いたＶＡＤ法により作ら
れた多孔質ガラス微粉末からなる。
この多孔質ガラス微粉末の成分はＳｉＯ２・Ｐ２Ｏ５・
ＧｅＯ２系三元酸化物であるから、上述の二元酸化物の
脱水用触媒叫ズの機能を果たす。この多孔質ガラス微粉
末からなる脱水用触媒３は、電気炉２の下部に配置され
るため、上部の炉からの輻射熱によつて加熱される。ま
ずこの触媒３の温度が２００〜３００℃になるようにし
て入口２５からＨｅガスを導入し、多孔質ガラス微粉末
を活性化させ、触媒作用を高めるよう前処理する０この
実施例ではＨｅを５１／Ｍｒ送り込みながら、３００℃
で３０分間この前処理を行なつた。ここで、この前処理
が電気炉２の輻射熱を利用して行なわれていること（こ
着目すべきである。次に炉下部の入口２５からＨｅ及び
脱水剤をガス状にして、触媒３を通してマツフル２２内
に導入するとともに、光フアイバ母材１をカーボンヒー
タ２１により１４５０〜１５５０℃程度に加熱する。
ＧｅＯ２系三元酸化物であるから、上述の二元酸化物の
脱水用触媒叫ズの機能を果たす。この多孔質ガラス微粉
末からなる脱水用触媒３は、電気炉２の下部に配置され
るため、上部の炉からの輻射熱によつて加熱される。ま
ずこの触媒３の温度が２００〜３００℃になるようにし
て入口２５からＨｅガスを導入し、多孔質ガラス微粉末
を活性化させ、触媒作用を高めるよう前処理する０この
実施例ではＨｅを５１／Ｍｒ送り込みながら、３００℃
で３０分間この前処理を行なつた。ここで、この前処理
が電気炉２の輻射熱を利用して行なわれていること（こ
着目すべきである。次に炉下部の入口２５からＨｅ及び
脱水剤をガス状にして、触媒３を通してマツフル２２内
に導入するとともに、光フアイバ母材１をカーボンヒー
タ２１により１４５０〜１５５０℃程度に加熱する。
すると脱水ガスにより脱水が行なわれるとともに、高温
のため多孔質ガラス微粉末が溶融焼結し、多孔質ガラス
微粉末の単なる堆積体であつた光フアイバ母材１が焼結
ガラス化して透明ガラス体となる。この実施例では温度
を１４５０〜１５５０℃とし、Ｈｅを５１／Ｍｍ，Ｃｌ
２（脱水用ガス）を８０ＣＣ／Ｍｉ！ｌで送り込み、光
フアイバ母材１を２５０ｍ１Ｌ／ｈの速度で降下させな
がら、この脱水工程と焼結工程とを同時に行なつた。こ
うして脱水及び透明ガラス化された光フアイバ母材１を
用いて光フアイバを作製し、その波長特性を計測してみ
たところ、第２図に示す結果が得られた。
のため多孔質ガラス微粉末が溶融焼結し、多孔質ガラス
微粉末の単なる堆積体であつた光フアイバ母材１が焼結
ガラス化して透明ガラス体となる。この実施例では温度
を１４５０〜１５５０℃とし、Ｈｅを５１／Ｍｍ，Ｃｌ
２（脱水用ガス）を８０ＣＣ／Ｍｉ！ｌで送り込み、光
フアイバ母材１を２５０ｍ１Ｌ／ｈの速度で降下させな
がら、この脱水工程と焼結工程とを同時に行なつた。こ
うして脱水及び透明ガラス化された光フアイバ母材１を
用いて光フアイバを作製し、その波長特性を計測してみ
たところ、第２図に示す結果が得られた。
第２図にち・ける実線が上述のようにして作つた光フア
イバの特性であり、点線は未脱水の光フアイバ母材を用
いて作つた光フアイバの特性を示す。この第２図から分
るように、１．４μｍ付近等の０Ｈ基吸収による損失の
ピークは殆んど検知されない程度になつている。そのた
め０Ｈ基の残留量は１ｐｐｂ以下と推定される。以上、
実施例について説明したように、本発明によれば、脱水
工程と焼結工程とを同時に行なうことができ、しかも０
Ｈ基残留量を１ｐｐｂ以下にすることが可能である。
イバの特性であり、点線は未脱水の光フアイバ母材を用
いて作つた光フアイバの特性を示す。この第２図から分
るように、１．４μｍ付近等の０Ｈ基吸収による損失の
ピークは殆んど検知されない程度になつている。そのた
め０Ｈ基の残留量は１ｐｐｂ以下と推定される。以上、
実施例について説明したように、本発明によれば、脱水
工程と焼結工程とを同時に行なうことができ、しかも０
Ｈ基残留量を１ｐｐｂ以下にすることが可能である。
そのため脱水工程と焼結工程とを短時間で同時に行なう
ことができ、かつ脱水効果が大きい。その結果、他のい
かなる方法（例えば現在最も残留０Ｈ基量が少ない方法
と考えられている内付けＣＶＤ法）よりも残留０Ｈ基量
の少ない光フアイバを製造することができる〇な訃、上
記の実施例では触媒となる多孔質ガラス微粉末を光フア
イバ用と同様にＡＤ法で作製したが、別途に作製するよ
うにしてもよい○またこの多孔質ガラス微粉末を用いて
行なう脱水処理法は光フアイバの製造工程だけでなく、
他にも適用できるものである。
ことができ、かつ脱水効果が大きい。その結果、他のい
かなる方法（例えば現在最も残留０Ｈ基量が少ない方法
と考えられている内付けＣＶＤ法）よりも残留０Ｈ基量
の少ない光フアイバを製造することができる〇な訃、上
記の実施例では触媒となる多孔質ガラス微粉末を光フア
イバ用と同様にＡＤ法で作製したが、別途に作製するよ
うにしてもよい○またこの多孔質ガラス微粉末を用いて
行なう脱水処理法は光フアイバの製造工程だけでなく、
他にも適用できるものである。
第１図は本発明の一実施例を示す模式図、第２図は同実
施例により作られた光フアイバの波長特性を示すグラフ
である。 １・・・・・・光フアイバ母材、２・・・・・・電気炉
、２１・・・・・・カーボンヒータ、２２・・・・・・
内筒マツフル、２３・・・・・・上部フランジ、２４・
・・・・・下部フランジ、２５・・・・・・ガス入口、
３・・・・・・脱水用触媒。
施例により作られた光フアイバの波長特性を示すグラフ
である。 １・・・・・・光フアイバ母材、２・・・・・・電気炉
、２１・・・・・・カーボンヒータ、２２・・・・・・
内筒マツフル、２３・・・・・・上部フランジ、２４・
・・・・・下部フランジ、２５・・・・・・ガス入口、
３・・・・・・脱水用触媒。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光ファイバ用多孔質母材を加熱炉内において脱水ガ
ス雰囲気下で脱水処理するに際し、前記脱水ガスを、予
め活性化された、熱酸化反応または加水分解反応によつ
て作られた多孔質ガラス微粉末からなる触媒中を通過さ
せた後加熱炉内に送り込むことを特徴とする光ファイバ
用多孔質母材の脱水処理法。 ２ 前記触媒の活性化を加熱炉からの輻射熱で行なうこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光ファイバ
用多孔質母材の脱水処理法。 ３ 前記加熱炉内温度が光ファイバ用多孔質母材の焼結
温度であることを特徴とする特許請求の範囲第１項また
は第２項記載の光ファイバ用多孔質母材の脱水処理法。 ４ 前記触媒をなす多孔質ガラス微粉末がＳｉＯ＿２・
ｐ＿２Ｏ＿５・ＧｅＯ＿２系三元酸化物であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の光フ
ァイバ用多孔質母材の脱水処理法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10737480A JPS591219B2 (ja) | 1980-08-05 | 1980-08-05 | 光ファイバ用多孔質母材の脱水処理法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10737480A JPS591219B2 (ja) | 1980-08-05 | 1980-08-05 | 光ファイバ用多孔質母材の脱水処理法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5734034A JPS5734034A (en) | 1982-02-24 |
| JPS591219B2 true JPS591219B2 (ja) | 1984-01-11 |
Family
ID=14457476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10737480A Expired JPS591219B2 (ja) | 1980-08-05 | 1980-08-05 | 光ファイバ用多孔質母材の脱水処理法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS591219B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6090843A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 |
| JPS60239337A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ−用ガラス母材の製造法 |
| US5221309A (en) * | 1984-05-15 | 1993-06-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for producing glass preform for optical fiber |
| US6904772B2 (en) | 2000-12-22 | 2005-06-14 | Corning Incorporated | Method of making a glass preform for low water peak optical fiber |
| KR100713460B1 (ko) * | 2005-12-20 | 2007-04-30 | 삼성전자주식회사 | 광섬유 모재의 소결 장치 |
| CN102348654B (zh) | 2009-03-12 | 2014-09-17 | 株式会社藤仓 | 光纤母材的制造方法 |
-
1980
- 1980-08-05 JP JP10737480A patent/JPS591219B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5734034A (en) | 1982-02-24 |
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