JPS59116624A - 光−電気インタフエ−ス回路 - Google Patents
光−電気インタフエ−ス回路Info
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- JPS59116624A JPS59116624A JP57232518A JP23251882A JPS59116624A JP S59116624 A JPS59116624 A JP S59116624A JP 57232518 A JP57232518 A JP 57232518A JP 23251882 A JP23251882 A JP 23251882A JP S59116624 A JPS59116624 A JP S59116624A
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- Japan
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- light
- layer
- optical pulse
- pulse
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/1028—Coupling to elements in the cavity, e.g. coupling to waveguides adjacent the active region, e.g. forward coupled [DFC] structures
- H01S5/1032—Coupling to elements comprising an optical axis that is not aligned with the optical axis of the active region
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- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
- H01S5/0028—Laser diodes used as detectors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
- H01S5/0424—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer lateral current injection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0604—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium comprising a non-linear region, e.g. generating harmonics of the laser frequency
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
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- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18341—Intra-cavity contacts
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、極短光パルスを用いた光コンピュータ等に利
用される光−電気インタフェース回路に関する。
用される光−電気インタフェース回路に関する。
ピコ秒（ｐＳ） 級の極短光パルスを用いる光コンピ
ュータの構成素子として、非線形光学現象を用いる光双
安定素子の研究が盛んである。
ュータの構成素子として、非線形光学現象を用いる光双
安定素子の研究が盛んである。
この光双安定素子としては、２つのミラーの対向するフ
ァブリペロ−共振器内に非線形光学媒質を挿入して構成
される、いわゆる非線形ファプリベロー光双安定素子が
有望である。その非線形光学媒質としては、ＧＢＡｓ−
ＧａＡｊａＡｇ 系の超格子構造が実験報告されてい
る（例えばＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ ” Ｃ
ｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｌａ５ｅｒａｎｄ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｏｐｔｉｃｓ“、 ＦＬ−６、Ｐｈｏｅｎｉｘ
。
ァブリペロ−共振器内に非線形光学媒質を挿入して構成
される、いわゆる非線形ファプリベロー光双安定素子が
有望である。その非線形光学媒質としては、ＧＢＡｓ−
ＧａＡｊａＡｇ 系の超格子構造が実験報告されてい
る（例えばＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ ” Ｃ
ｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｌａ５ｅｒａｎｄ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｏｐｔｉｃｓ“、 ＦＬ−６、Ｐｈｏｅｎｉｘ
。
Ａｒ１ｚｏｎａ、 Ａｐｒｉｌ １４−１６．１９８２
参照）０このような超格子を用いた非線形ファプリ
ペロー光双安定素子は、スイッチング時間ＬＰＳ、スイ
ッチしきい値光電力１μＷ９寸法１μｍφ 程度が目標
性能として考えられている。
参照）０このような超格子を用いた非線形ファプリ
ペロー光双安定素子は、スイッチング時間ＬＰＳ、スイ
ッチしきい値光電力１μＷ９寸法１μｍφ 程度が目標
性能として考えられている。
ところで、上述のような光双安定素子を用いて構成され
る光演算回路は、１ｐＳの光波が距離に換算して１００
μｍ（等側屈折率−３として）に相当するため、必ずし
も高密度集積化には適合しない可能性がある。このため
、光コンピュータは、光双安定素子を用いた回路とこれ
より演算速度は）いが集積密度音高くできるＧａＡｓ−
ＩＣ勢と全融合して構成することが好ましい形態となる
。このとき、ＧａＡｓ−ＩＣはゲート遅延時間が１０
ｐｓ程度であり、１ｐＳの極短光パルス苓：直接ＧａＡ
ｓ−ＩＣに結合することは困難である。このため、一種
の速度変換を行う光−電気インタフェース回路を用いる
ことが合理的と考えられる。
る光演算回路は、１ｐＳの光波が距離に換算して１００
μｍ（等側屈折率−３として）に相当するため、必ずし
も高密度集積化には適合しない可能性がある。このため
、光コンピュータは、光双安定素子を用いた回路とこれ
より演算速度は）いが集積密度音高くできるＧａＡｓ−
ＩＣ勢と全融合して構成することが好ましい形態となる
。このとき、ＧａＡｓ−ＩＣはゲート遅延時間が１０
ｐｓ程度であり、１ｐＳの極短光パルス苓：直接ＧａＡ
ｓ−ＩＣに結合することは困難である。このため、一種
の速度変換を行う光−電気インタフェース回路を用いる
ことが合理的と考えられる。
本発明は上記の点に鑑み、超高速光演算素子データをこ
れより低速の電子デバイスに醪すための光−電気インタ
フェース回路を提供することを目的とする。
れより低速の電子デバイスに醪すための光−電気インタ
フェース回路を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
本発明に係る光−電気インタフェース回路は、非線形フ
ァプリペロー光双安定素子全用い、これに与えるバ・ｒ
アメ光を、書込み光パルスとデータ光パルスを励起光波
として４波非線形混合にエリ増幅して入力する。このと
き前記バイアス光は、光双安定素子を高透過率状態に遷
移させるしきい値エリは小さく、かつ光双安定素子が高
透過率状態であるときはこれを維持するに足る強さに設
定しておく（ｌそして書込み光パルスとデータ光パルス
による４波非線形混合による光増幅器でバイアス光を前
記光双安定素子のしきい値」ジ上に増幅する○これにエ
リ、光双安定素子は高透過率状態に遷移して、−書込み
光パルスとデータ光パルスがなくなった後もバイアス光
により高透過率状態全維持する。つまり、データが５己
憶されたことになる。そしてこの光双安定素子の透過光
（定常光）全光検出器により電気信号に変換する。
ァプリペロー光双安定素子全用い、これに与えるバ・ｒ
アメ光を、書込み光パルスとデータ光パルスを励起光波
として４波非線形混合にエリ増幅して入力する。このと
き前記バイアス光は、光双安定素子を高透過率状態に遷
移させるしきい値エリは小さく、かつ光双安定素子が高
透過率状態であるときはこれを維持するに足る強さに設
定しておく（ｌそして書込み光パルスとデータ光パルス
による４波非線形混合による光増幅器でバイアス光を前
記光双安定素子のしきい値」ジ上に増幅する○これにエ
リ、光双安定素子は高透過率状態に遷移して、−書込み
光パルスとデータ光パルスがなくなった後もバイアス光
により高透過率状態全維持する。つまり、データが５己
憶されたことになる。そしてこの光双安定素子の透過光
（定常光）全光検出器により電気信号に変換する。
本発明に係る光−電気インタフエース回路を用いれば、
２８級の光パルスデータは光双安定素子メモリに書込ま
れ、その定常出力・を電子デバイスの速度で電気信号に
変換できるようになる。従って本発明によれば、光演算
素子とこれより速度は遅いが集積密度の高いＧＪＬＡ
ｓ −Ｉ Ｃ等との融合が可能となる。
２８級の光パルスデータは光双安定素子メモリに書込ま
れ、その定常出力・を電子デバイスの速度で電気信号に
変換できるようになる。従って本発明によれば、光演算
素子とこれより速度は遅いが集積密度の高いＧＪＬＡ
ｓ −Ｉ Ｃ等との融合が可能となる。
以下図面企参照して本発明の詳細な説明Ｔる。第１図は
一実施例の概略構成金示すもので、１はレーザ等の光バ
イアス発生器、２は４波非線形混合による光増幅器、３
は非線形ファブリベロー光双安定素子、４は光検出器で
ある。
一実施例の概略構成金示すもので、１はレーザ等の光バ
イアス発生器、２は４波非線形混合による光増幅器、３
は非線形ファブリベロー光双安定素子、４は光検出器で
ある。
光双安定素子３０入出力特性は第２図に示すとおりであ
る。光入力がスイッチしきい値ＦＴより小さいときは、
曲線０−Ａに沿った小さな透過光出力を出す。光入力が
しきい値ｐ ７ ｆ、（越えると光双安定素子３はタ
ーンオンしてＢ点の高透過率状態（共振状態）となり、
曲線Ｂ−Ｃに沿・つた大きな透過光出力を出す。この後
、光入力力：減少するときは曲線Ｃ−Ｂ−Ｄｉ移動し、
維持光入力Ｐ８まではオン状態金床ら、光入力がＰ８以
下になると低透過率状態にターンオフする。
る。光入力がスイッチしきい値ＦＴより小さいときは、
曲線０−Ａに沿った小さな透過光出力を出す。光入力が
しきい値ｐ ７ ｆ、（越えると光双安定素子３はタ
ーンオンしてＢ点の高透過率状態（共振状態）となり、
曲線Ｂ−Ｃに沿・つた大きな透過光出力を出す。この後
、光入力力：減少するときは曲線Ｃ−Ｂ−Ｄｉ移動し、
維持光入力Ｐ８まではオン状態金床ら、光入力がＰ８以
下になると低透過率状態にターンオフする。
光バイアス発生器Ｉからのバイアス光はセット電気信号
により発生させるもので、その強さは第２図に示すＰＢ
点、即ち維持光入力２８以上でしきい値Ｉ’Ｔ 以
下に設定され、リセット電気信号で維持光入力Ｐ８以下
（例えばＯ）とされる。
により発生させるもので、その強さは第２図に示すＰＢ
点、即ち維持光入力２８以上でしきい値Ｉ’Ｔ 以
下に設定され、リセット電気信号で維持光入力Ｐ８以下
（例えばＯ）とされる。
光増幅器２は、例えば超格子を用いた非線形媒質にエリ
４波非線形混合でバイアス光を増幅するものである。即
ち、書込まれるデータ光パルスと書込み光パルスがバイ
アス光と同時に入力されると４波混合にエリバイアス光
を第２図のＴ’Ｂ 点からしきい値ＰＴ 以上のＩ
’Ａ 点まで増幅して光双安定素子３に供給する。書込
み光バルクまたはデータ光パルスがいずれか一方でもな
い場合には、４波混合を生じず、バイアス光がその″ｌ
：ｌ：増光増幅器過して光双安定素子３に供給されるこ
とになる。
４波非線形混合でバイアス光を増幅するものである。即
ち、書込まれるデータ光パルスと書込み光パルスがバイ
アス光と同時に入力されると４波混合にエリバイアス光
を第２図のＴ’Ｂ 点からしきい値ＰＴ 以上のＩ
’Ａ 点まで増幅して光双安定素子３に供給する。書込
み光バルクまたはデータ光パルスがいずれか一方でもな
い場合には、４波混合を生じず、バイアス光がその″ｌ
：ｌ：増光増幅器過して光双安定素子３に供給されるこ
とになる。
このような構成であれば、バイアス光がＦＢ点にある状
態で書込み光パルスとデータ光パルスが同時に入力する
と、バイアス光は増幅されて光双安定素子３はしきい値
ＰＴ 以上の光入力ＦＡ となって高透過率状態の
Ｅ点に移る０このとき、２８級の極短光パルスであるデ
ータ光パルスや書込み光パルスが消滅しても、バイアス
光がある間、光双安定素子３は高透過率のオン状態、即
ち、第２図のＦ点全維持する。従って光検出器４にエリ
この光双安定素子３の透過出力光を電気信号に変換して
ＧａＡｓ−Ｉ Ｃ等の電子デバイスに結合することがで
きる。
態で書込み光パルスとデータ光パルスが同時に入力する
と、バイアス光は増幅されて光双安定素子３はしきい値
ＰＴ 以上の光入力ＦＡ となって高透過率状態の
Ｅ点に移る０このとき、２８級の極短光パルスであるデ
ータ光パルスや書込み光パルスが消滅しても、バイアス
光がある間、光双安定素子３は高透過率のオン状態、即
ち、第２図のＦ点全維持する。従って光検出器４にエリ
この光双安定素子３の透過出力光を電気信号に変換して
ＧａＡｓ−Ｉ Ｃ等の電子デバイスに結合することがで
きる。
第１図の構成をエリ具体化した例を第３図に示す０１１
は半絶縁性Ｇ ａＡ ａ基板であり、この上に第１図の
光バイアス発生器Ｉ、光増幅器２、光双安定素子３お↓
び光検出器４全この順に穣層形成したものである。即ち
、１２は面発光型のＧＢＡｔＡｓ−ＧａＡｓ 分布帰
還形半導体レーザで、第１図の光バイアス発生器に相当
する０このレーザ１２の上に半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｔ
Ａ ８バッファ層１３を介して、第２図の光増幅器２を
構成するＧａＡｔＡｓ−ＧＢＡ Ｓ 超格子非線形媒質
１４を形成し、更にその上に半絶縁性Ｇ ＢＡ７Ａ ｓ
−Ｇ ａＡｓＡｓバラフッ５を形成している。非線形
媒質Ｉ４は横方向に伝播さ、ｌするデータ光パルスおよ
び書込み光パルスの光導波路でもあり、上下のバッファ
層１３．１４はこの光導波路のブラッドｆｆｋ構成して
いる。バッファ層Ｉ５の上には、ＧａＡＲ−Ａノ、Ａ８
ブラッグ反射器１６．．１６２とこれ（で挾まれたＱ
ａＡ７Ａ （Ｈ−Ｇ ａＡ−ｓ 超格子非線形媒質１
６３とからなる光双安定素子１６ｆ！：形成し、更にこ
の上に半絶縁性Ｇａ、ＡｔＡｓバッファ層１７ｆ介して
Ｇ ２１ Ａ、 ｈのｐ−ｎ 接合音用いたホトダイ
オード１８全形成している０こうしてこの構造により、
ＱａＡｓ−ｃαＡｔＡｓの結晶成長技術全利用して第１
図の元−電気インタフェース回路ｆ Ｑ Ｂ Ａ ｓ基
板の厚み方向に一体的に集積形成することができる０ 以上の実施例で説明した光−電気インタフェース回路を
単位素子としてこれ？並列配置すれば、数ｐＳのタイム
スロットで時系列化されたシリアル超高速光パルスデー
タの並列低速読出しが可能となる。その実施例を第４図
により説明する。図において、２１ ａ、 、 ２１
ｂ 、 ２１ ｃが並列配置された単位素子で例えばそ
れぞれが第３図の構造を有し１．その光増幅器部分が同
一平面−ヒに並んでいて、単一の書込み光パ／ｌ／ 、
（ＥＶ とシリアルデータ光パルスＢ１ 、Ｂ２ 。
は半絶縁性Ｇ ａＡ ａ基板であり、この上に第１図の
光バイアス発生器Ｉ、光増幅器２、光双安定素子３お↓
び光検出器４全この順に穣層形成したものである。即ち
、１２は面発光型のＧＢＡｔＡｓ−ＧａＡｓ 分布帰
還形半導体レーザで、第１図の光バイアス発生器に相当
する０このレーザ１２の上に半絶縁性Ｇ ａ Ａ ｔ
Ａ ８バッファ層１３を介して、第２図の光増幅器２を
構成するＧａＡｔＡｓ−ＧＢＡ Ｓ 超格子非線形媒質
１４を形成し、更にその上に半絶縁性Ｇ ＢＡ７Ａ ｓ
−Ｇ ａＡｓＡｓバラフッ５を形成している。非線形
媒質Ｉ４は横方向に伝播さ、ｌするデータ光パルスおよ
び書込み光パルスの光導波路でもあり、上下のバッファ
層１３．１４はこの光導波路のブラッドｆｆｋ構成して
いる。バッファ層Ｉ５の上には、ＧａＡＲ−Ａノ、Ａ８
ブラッグ反射器１６．．１６２とこれ（で挾まれたＱ
ａＡ７Ａ （Ｈ−Ｇ ａＡ−ｓ 超格子非線形媒質１
６３とからなる光双安定素子１６ｆ！：形成し、更にこ
の上に半絶縁性Ｇａ、ＡｔＡｓバッファ層１７ｆ介して
Ｇ ２１ Ａ、 ｈのｐ−ｎ 接合音用いたホトダイ
オード１８全形成している０こうしてこの構造により、
ＱａＡｓ−ｃαＡｔＡｓの結晶成長技術全利用して第１
図の元−電気インタフェース回路ｆ Ｑ Ｂ Ａ ｓ基
板の厚み方向に一体的に集積形成することができる０ 以上の実施例で説明した光−電気インタフェース回路を
単位素子としてこれ？並列配置すれば、数ｐＳのタイム
スロットで時系列化されたシリアル超高速光パルスデー
タの並列低速読出しが可能となる。その実施例を第４図
により説明する。図において、２１ ａ、 、 ２１
ｂ 、 ２１ ｃが並列配置された単位素子で例えばそ
れぞれが第３図の構造を有し１．その光増幅器部分が同
一平面−ヒに並んでいて、単一の書込み光パ／ｌ／ 、
（ＥＶ とシリアルデータ光パルスＢ１ 、Ｂ２ 。
Ｂ、・・・とが互いに逆方向から各単位素子２１ＦＬ、
４２１ｂ、２１ｃの光増幅器部分を順次透過していくよ
うに構成される。データ光パルスＢＩ＋Ｂ２ 、Ｂ３
、・・はそれぞれパルス幅が例えば１ｐＳであり、パル
ス間隔（タイムスロット）を例えば６ｐＳ（媒Ｔ（の屈
折率を考慮して距離に換算するとＬｐ＝６００μｍ ）
とし、単位素子２１ａ、２１ｂ、２１ｃ間の配列間隔を
Ｌｐ／／２ ＝ ３００ ｔｔ ｍ と°ｆる。そう
すると、図に示すように、時刻Ｔ、で書込み光パルスＥ
ｗ とシリアルデータ光パルスのＢ、が単位素子２１
ａで重なったどき、単位素子２ＩａにＢ、が書込まれ％
３ＰＳ後の時刻Ｔ２において書込み光パルスＥｗ と２
データ光パルスＢ２が単位素子２１ｂでＭなってこれに
Ｂ２が■込まれる。
４２１ｂ、２１ｃの光増幅器部分を順次透過していくよ
うに構成される。データ光パルスＢＩ＋Ｂ２ 、Ｂ３
、・・はそれぞれパルス幅が例えば１ｐＳであり、パル
ス間隔（タイムスロット）を例えば６ｐＳ（媒Ｔ（の屈
折率を考慮して距離に換算するとＬｐ＝６００μｍ ）
とし、単位素子２１ａ、２１ｂ、２１ｃ間の配列間隔を
Ｌｐ／／２ ＝ ３００ ｔｔ ｍ と°ｆる。そう
すると、図に示すように、時刻Ｔ、で書込み光パルスＥ
ｗ とシリアルデータ光パルスのＢ、が単位素子２１
ａで重なったどき、単位素子２ＩａにＢ、が書込まれ％
３ＰＳ後の時刻Ｔ２において書込み光パルスＥｗ と２
データ光パルスＢ２が単位素子２１ｂでＭなってこれに
Ｂ２が■込まれる。
この↓うにして、データ光パルスのタイムスロットの半
分に相当する空間ピッチで単位素子を配列して、単一光
パルスである書込み光パルスを用いてシリアル超高速光
パルスデータを並列に電気信号に変換することができる
。
分に相当する空間ピッチで単位素子を配列して、単一光
パルスである書込み光パルスを用いてシリアル超高速光
パルスデータを並列に電気信号に変換することができる
。
第１図は本発明の一実施例の光−電気インタフェース回
路を示す図、第２図はその光双安定素子の入出力特性を
示す図、第３図は上記光−電気インタフェース回路をエ
リ具体化した構造例ケ示す図、第４図は本発明の回路を
シリアル超高速光パルスデータの並列電気信号への変換
に適用した実施例全説明するための図である。 １・・・光バイアス発生器、２・・・光増幅器、３・・
・光双安定素子、４・・・光検出器、１１・・Ｇ ａ
Ａ ｓ基板、Ｉ ２−ＧａＡｔＡ５−ＧＢＡＢ 分布
帰還形半導体レーザ、１４− ＧａＡｔＡ ａ−ＧａＡ
ｓ 超格子非線形媒質（光増幅器）、１６・・・光
双安定素子、１６１ 、Ｉ ６２ ・−ＧＢＡｓ−Ａ
７Ａｓブラッグ反射器、Ｉ ６３ ・・・Ｇ ａＡＬＡ
ｓ −Ｇ ａＡ ｓ 超格子非線形媒質、１８・・・
Ｇ ａＡ ｓホトダイオード、１３゜Ｊ ５ 、１７−
ＧａＡ７Ａｒ、バッファ層、２１ａ。 ２１ｂ、２１ｃ・・・学位素子。
路を示す図、第２図はその光双安定素子の入出力特性を
示す図、第３図は上記光−電気インタフェース回路をエ
リ具体化した構造例ケ示す図、第４図は本発明の回路を
シリアル超高速光パルスデータの並列電気信号への変換
に適用した実施例全説明するための図である。 １・・・光バイアス発生器、２・・・光増幅器、３・・
・光双安定素子、４・・・光検出器、１１・・Ｇ ａ
Ａ ｓ基板、Ｉ ２−ＧａＡｔＡ５−ＧＢＡＢ 分布
帰還形半導体レーザ、１４− ＧａＡｔＡ ａ−ＧａＡ
ｓ 超格子非線形媒質（光増幅器）、１６・・・光
双安定素子、１６１ 、Ｉ ６２ ・−ＧＢＡｓ−Ａ
７Ａｓブラッグ反射器、Ｉ ６３ ・・・Ｇ ａＡＬＡ
ｓ −Ｇ ａＡ ｓ 超格子非線形媒質、１８・・・
Ｇ ａＡ ｓホトダイオード、１３゜Ｊ ５ 、１７−
ＧａＡ７Ａｒ、バッファ層、２１ａ。 ２１ｂ、２１ｃ・・・学位素子。
Claims (1)
- 非線形ファプリベロー光双安定素子と、この光双安定素
子を高透過率状態に遷移させるしきい値より小さく、か
つ高透過率状態全維持するに足る強さのバイアス光を発
生する光バイアス発生器と、この光バイアス発生器から
のバイアス光全書込み光パルスとデータ光パルス全励起
光波として４波非線形混合にエリ前記しきい値以上に光
増幅して前記光双安定素子に入力する光増幅器と、前記
光双安定素子の透過光を検出して電気信号に変換する光
検出器とを備えたこと全特徴とする光−電気インタフェ
ース回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57232518A JPS59116624A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 光−電気インタフエ−ス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57232518A JPS59116624A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 光−電気インタフエ−ス回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59116624A true JPS59116624A (ja) | 1984-07-05 |
Family
ID=16940580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57232518A Pending JPS59116624A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | 光−電気インタフエ−ス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59116624A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6311915A (ja) * | 1986-06-05 | 1988-01-19 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | モノリシック非線形ファブリ−ペロ エタロンを含む装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57151919A (en) * | 1981-03-16 | 1982-09-20 | Mitsubishi Electric Corp | Optical function element |
| JPS57158832A (en) * | 1981-03-27 | 1982-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | Image memory device |
-
1982
- 1982-12-23 JP JP57232518A patent/JPS59116624A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57151919A (en) * | 1981-03-16 | 1982-09-20 | Mitsubishi Electric Corp | Optical function element |
| JPS57158832A (en) * | 1981-03-27 | 1982-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | Image memory device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6311915A (ja) * | 1986-06-05 | 1988-01-19 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | モノリシック非線形ファブリ−ペロ エタロンを含む装置の製造方法 |
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