JPH08160367A

JPH08160367A - 光リミッタ回路

Info

Publication number: JPH08160367A
Application number: JP29864194A
Authority: JP
Inventors: Akira Hirano; 章平野; Hiroyuki Tsuda; 裕之津田; Akira Takahashi; 亮高橋
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1994-12-01
Filing date: 1994-12-01
Publication date: 1996-06-21
Anticipated expiration: 2017-04-22
Also published as: JP3276097B2

Abstract

(57)【要約】【目的】小さな光強度で動作し、応答速度が速く、振
幅の小さな光強度揺らぎも除去できる光リミッタ回路を
提供する。【構成】入射光を二つの光導波路１２、１３に分波
し、その一方の光導波路１２に入射光強度がしきい値を
超えたときに急激に透過率が増加する可飽和吸収体１４
を配置し、二つの光導波路１２、１３により動作された
光を逆相で重ね合わせる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光信号の振幅を制限して
平坦化する光リミッタ回路に関する。このような光リミ
ッタ回路は、将来の高速かつ大容量の光伝送システムあ
るいは光論理処理回路に利用される。

【０００２】

【従来の技術】光の強度の揺らぎを抑制する光リミッタ
回路としては、シリコン薄膜の非線形屈折率変化を利用
したものや、空間系での光の非線形なデフォーカシング
を利用したものなどが知られている。前者の例として
は、R.Normandin and D.C.Houghton, Appl.Phys.Lett.5
4(19),8 May 1989に示されたものがある。後者の例とし
ては、D.J.Hagan, E.W.Van Stryland, M.J.Soileau and
Y.Y.Wu, Opt.Lett.Vol.13, No.4, April 1988に示され
たものがある。

【０００３】図１９はシリコン薄膜の非線形屈折率変化
を利用した従来例の光リミッタ回路を示す図であり、そ
の構造を斜視図により示す。この従来例は、非線形応答
シリコン薄膜導波路１９２と、このシリコン薄膜導波路
１９２の両端に光学的に結合された光ファイバ１９１、
１９３とにより構成される。光ファイバ１９１からシリ
コン薄膜導波路１９２に入射した光信号は、その光強度
が小さいときには、シリコン薄膜導波路１９２を通過し
て光ファイバ１９３に結合する。しかし、入射光の光強
度が増大すると、シリコン薄膜導波路１９２の屈折率が
減少する。このため、導波モード光がうまくシリコン薄
膜導波路１９２内を導波されなくなり、その結果、光パ
ワーの損失が増大してカットオフされることになる。

【０００４】図２０は非線形なデフォーカシングを利用
した従来例の光リミッタ回路を示す図であり、その構造
を簡略化して示す。この従来例は、非線形屈折率変化を
引き起こす非線形応答光学素子２０３と、入力側および
出力側の二つの光ファイバ２０１、２０５と、光ファイ
バ２０１、２０５のそれぞれと非線形応答光学素子２０
３との間に配置された集光素子２０２、２０４とにより
構成される。この従来例は空間系のカップリングが入射
光強度の増大によって減少することを利用したものであ
る。非線形応答光学素子２０３および集光素子２０２、
２０４は、光強度が小さいときには光ファイバ２０１か
らの光信号をすべて光ファイバ２０５に結合するように
構成される。しかし、光ファイバ２０１からの光信号の
光強度が増大すると、非線形光学素子２０３の屈折率が
変化する。このため、ビームプロファイルが変化して光
が出射側の光ファイバ２０５に結合しなくなり、リミッ
タ特性が得られる。非線形光学素子２０３としては、例
えば、ＣＳ₂における２光子吸収キャリアの生成による
非線形屈折率変化を用いることができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の光リミ
ッタ回路は必要光強度が非常に大きく、数ｎＪないし数
１００ｎＪという光入力パワーでしか動作できない。数
ｎＪを超える光パワーは汎用の半導体レーザダイオード
では実現不可能であり、大がかりな気体レーザその他を
用いなければならないことになる。しかも、このような
大きな光パワーのため、光リミッタ回路自身だけでな
く、他の光部品も光損傷を受ける可能性が高い。このた
め、光処理や光伝送のための光回路を構成する上で、非
常に大きな問題となる。

【０００６】また、応答速度も数ｎｓから数１０ｐｓで
あり、将来の超高速の光処理あるいは光伝送には不十分
である。

【０００７】さらに、振幅の小さな光強度揺らぎは除去
できないという欠点もある。

【０００８】本発明は、以上の課題を解決し、小さな光
強度で動作し、応答速度が速く、振幅の小さな光強度揺
らぎも除去することのできる光リミッタ回路を提供する
ことを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の光リミッタ回路
は、あらかじめ設定された強度以上の光入力に対して光
出力強度を一定とする光リミッタ回路において、入射光
を二つに分岐する光分波手段と、分岐された二つの光を
別々に導波する二つの光導波手段と、この二つの光導波
手段の一方に配置され入射光強度がしきい値を超えたと
きに急激に透過率が増加する可飽和吸収体と、二つの光
導波手段により導波された光を実質的に逆相で重ね合わ
せる光合波手段とを備えたことを特徴とする。

【００１０】光分波手段と光合波手段とを光導波手段の
両端に設けて光を一方向に導波する構成とすることもで
きるが、光分波手段および光合波手段をひとつの光学素
子で構成し、二つの光導波手段にはそれぞれその一端に
光反射手段を設けることもできる。二つの光導波手段
は、互いの光路長差が入力光のコヒーレント長以内で実
質的にπの奇数倍に設定されることが望ましい。二つの
光導波手段の少なくとも一方に光位相調節器を備えるこ
ともできる。二つの光導波手段の少なくとも一方に光減
衰器を備えることもできる。光分波手段の分岐比を可変
にすることもできる。二つの光導波手段の双方に互いに
しきい値の異なる可飽和吸収体を配置することもでき
る。

【００１１】

【作用】光リミッタ回路は、光パルスの振幅の大きさを
そろえることで、振幅ノイズを除去することができる。
このような振幅ノイズ除去は光伝送システムにおいて問
題となる光パルスの振幅ノイズの除去に有効である。ま
た、突発的な光強度の増大である光サージの吸収にも対
応できる。さらに、光論理素子実現のための基礎技術と
して重要である。本発明では、このような光リミッタ回
路を可飽和吸収体と干渉計とを組み合わせた光回路で実
現する。これにより、小さな光強度で動作させることが
できる。また、高速の緩和時間をもつ可飽和吸収体を使
用することで、応答速度を改善することができる。

【００１２】すなわち本発明の光リミッタ回路は、入射
光振幅を二つに分岐し、この二つの光振幅の相対的位相
差を実質的にπとして互いに合波する。このとき、二つ
の光経路のうちの一方に可飽和吸収体を配置する。これ
により、入射光強度があるしきい値を超えると、二つに
分かれた互いに逆位相の光振幅の光が重なって散逸し、
光リミッタ動作が実現される。

【００１３】全体の構成を反射型とした場合には、リミ
ットされるのに必要な光パワーをさらに低減することが
できる。すなわち、光が二度にわたり同一の可飽和吸収
体を通過するので、必要光強度が小さくてすむ。

【００１４】飽和光強度の異なる二つの可飽和吸収体を
組み合わせた場合には、ある光強度以下の光入力を遮断
でき、かつある光入力以上の光をリミットすることがで
きるので、小さな光強度の振幅揺らぎをも除去すること
ができる。

【００１５】光位相調節器を用いることで、二つに分か
れた光振幅の相対的位相差が正しくπとなるように調整
することができる。また、光減衰器を用いることで、二
つに分かれた光振幅の強度を整合させることができる。

【００１６】

【実施例】図１は本発明第一実施例の光リミッタ回路を
示す構造図である。この実施例はＰＬＣ（Planer Light
wave Circuit) 光導波路を用いて本発明を実施したもの
であり、基板１０上に、入射光を二つに分岐する光分波
部１１と、分岐された二つの光を別々に導波する二つの
光導波路１２、１３と、光導波路１２に配置され入射光
強度がしきい値を超えたときに急激に透過率が増加する
可飽和吸収体１４と、二つの光導波路１２、１３により
導波された光を実質的に逆相で重ね合わせる光合波部１
５とが設けられる。光分波部１１は、光強度をあらかじ
め定められた比率で二つに分岐する。光合波部１５は、
二つの光導波路１２、１３からの光をあらかじめ定めら
れた比率でひとつに結合する。可飽和吸収体１４として
は、例えば、低温成長させてＢｅをドープしたＩｎＧａ
Ａｓ／ＩｎＡｌＡｓ系多重量子井戸を用いる。

【００１７】図２は光波長に対する可飽和吸収体１４の
光吸収率特性の一例を示し、図３は入射光強度に対する
可飽和吸収体１４の透過率特性の一例を示す。可飽和吸
収体１４は、入射光強度が小さいときには光に対する光
吸収係数が大きく、あるしきい値を超える光強度に対し
ては光吸収係数が突然に小さくなる性質をもつ。この特
性により、図３に示したように、入射光強度がそのしき
い値を超えたとき、その光に対する透過率が急に大きく
なる。

【００１８】次に、図１に示した光リミッタ回路の動作
について説明する。光分波部１１によって二つに分離さ
れた光は、一方は光導波路１３を経由してそのまま光合
波部１５に向かい、他方は光導波路１２から可飽和吸収
体１４を経て光合波部１５に向かう。このとき、可飽和
吸収体１４に入射した光は、その可飽和吸収体１４のし
きい値特性のため、入射光強度が小さいときは吸収さ
れ、光合波部１５に到達することができない。このた
め、光合波部１５からは、光導波路１３を経由した光だ
けが出射される。この出射光は光分波部１１による損失
および光合波部１５による損失を受けているため、その
分だけ強度が低下している。

【００１９】ここで、この光リミッタ回路に入射する光
強度を大きくし、光分波部１１を経て可飽和吸収体１４
に入射する光強度がそのしきい値を超えたとする。その
ときには、可飽和吸収体１４へ入射した光のいくらか
は、光合波部１５まで到達できるようになる。光分波部
１１で分かれた二つの光が光合波部１５で出会うとき、
ちょうどその二つの光の位相がπだけずれるように光導
波路１２、１３の光路長を設定しておくと、光合波部１
５において二つの光はちょうど逆位相となり、光出力と
して導波されなくなる。

【００２０】すなわち、光リミッタ回路に入射する光強
度が小さいときは、幾分の損失を受けながらも光は通過
していくのに対し、光強度が大きくなり可飽和吸収体１
４を光が通過するようになると、光合波部１５における
散逸効果のため、この光リミッタ回路から出ていく光強
度は頭打ちとなる。このため、この光リミッタ回路の透
過率は、入射強度があるしきい値を超えたところで減少
し始める。これを図４に示す。

【００２１】図４は入射光強度に対する光リミッタ回路
の光透過率特性を示しており、この図から、入射光強度
があるしきい値に達すると透過率が急激に減少すること
がわかる。

【００２２】図５は二つの光導波路１２、１３から光合
波部１５に結合する光強度を光リミッタ回路の入射光強
度の関数として表す。光導波路１２から光合波部１５に
結合する光強度は、図５（ａ）に示すように、入射光強
度が可飽和吸収体１４のしきい値に相当する値Ｉ_thに達
するまではほぼ零であり、入射光強度がＩ_thを超えると
増加を始める。これに対し、光導波路１３から光合波部
１５に結合する光強度は、図５（ｂ）に示すように、入
射光強度が増加するとともに増加する。

【００２３】ここで、光分波部１１の最適な分岐比につ
いて説明する。ただし、説明を簡単にするため、分岐比
が変化しても図５（ａ）に示した光強度が立ち上がる入
射光強度は変化しないものとする。このような近似をし
ても、分岐比の変化が小さい場合には問題はない。

【００２４】さて、最適な光リミッタ特性を得るには、
入射光強度がＩ_thを超えたとき、その入射光強度の増加
に対して光導波路１２、１３からの光強度が同じ傾きで
増加する必要がある。そこで、入射光強度がＩ_thからＣ
だけ増加したときの光導波路１２からの光強度の増加分
をＡとし、入射光強度がＩ_thからＤだけ増加したときの
光導波路１３からの光強度の増加分をＢとすると、Ａ＝
Ｂとなるように、光分波部１１における光強度の分岐比
をＣ：Ｄとなるようにとればよい。

【００２５】図６は得られる光リミッタ特性を示し、図
７は時間の経過に対する入射光強度と出射光強度との関
係を示す。光分波部１１の分岐比を上述のように設定す
ることにより、入射光強度があるしきい値を超えたとこ
ろで、光リミッタ回路の出射光強度が一定となる。すな
わち、図７に示したように、出力波形があるしきい値で
制限される。

【００２６】また、光分波部１１による光の分岐比を変
えることで、光リミッタ回路のしきい値を任意に設定す
ることが可能である。つまり、可飽和吸収体１４へ向か
う光の強度を大きくすれば、それだけ小さなパワーでし
きい値特性が生じる。また、この可飽和吸収体１４は数
ピコ秒という非常に速い応答速度をもち、数ピコジュー
ルという低パワーで動作することができる。

【００２７】図８は本発明第二実施例の光リミッタ回路
を示す。この実施例は、可飽和吸収体１４の後段に光減
衰器１６を備え、逆位相の光の強度を調整することで光
リミッタのしきい値強度を可変にすることが第一実施例
と異なる。光減衰器１６としては、例えば光を吸収する
ガラス板を通すことで出力光を減衰させるものを用い
る。この実施例では、二つに分けた光の相互の強度関係
を微調整することにより、出力光強度の平坦性を高める
ことができる。

【００２８】図９は本発明第三実施例の光リミッタ回路
を示す。この実施例は、可飽和吸収体１４の後段に光位
相調節器１７を備えたことが第一実施例と異なる。光位
相調節器１７としては、例えば、電気光学効果あるいは
温度変化による屈折率変化を利用して光路波長を変化さ
せるものを用いることができる。

【００２９】第二実施例および第三実施例において、光
減衰器１６あるいは光位相調節器１７の位置は可飽和吸
収体１４の前段でもよい。また、光減衰器１６と光位相
調節器１７とを組み合わせて使用し、それぞれの利点を
同時に実現することもできる。その場合、可飽和吸収体
１４、光減衰器１６および光位相調節器１７の配置順は
どのようにしてもよい。

【００３０】図１０は本発明第四実施例の光リミッタ回
路を示す。この実施例は、可飽和吸収体１４が設けられ
ていない側の光導波路１３上に光位相調節器１８を配置
したことが第三実施例と異なる。この場合にも、光減衰
器を併用することができる。光導波路１２、１３の双方
に光位相調節器を配置することもできる。

【００３１】図１１は本発明第五実施例の光リミッタ回
路を示す。この実施例は、ＰＬＣ光導波路ではなくリッ
ジ導波路を用いたことが第一実施例と基本的に異なる。
すなわち、ＩｎＰ基板２０上のＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌ
Ａｓ多重量子井戸層をコアとするリッジ導波路により、
第一実施例と同様の光分波部２１、二つの光導波路２
２、２３、可飽和吸収体２４および光合波部２５が形成
される。可飽和吸収体２４としては、コア層へのＢｅイ
オン注入により形成されたものを用いる。ただし、イオ
ン注入部は、他の導波路部に比較してバンドギャップの
小さいＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ層とする。この構成
により、回路全体の小型化、集積化が可能である。この
光リミッタ回路の動作は基本的に第一実施例と同等であ
る。

【００３２】図１２は本発明第六実施例の光リミッタ回
路を示す。この実施例は、反射型構成であることが第一
実施例と異なる。すなわち、基板３０上に、入射光を二
つに分岐する光合分波部３１と、分岐された二つの光を
別々に導波する二つの光導波部３２、３３と、光導波部
３２に配置され入射光強度がしきい値を超えたときに急
激に透過率が増加する可飽和吸収体３４とを備え、光導
波部３２の一端は可飽和吸収体３４の片面に施された高
反射膜で終端され、光導波部３３の一端にはミラー３５
が設けられ、これらで反射されて光導波路３２、３３に
より導波された光を光合分波部３１で実質的に逆相で重
ね合わせる。可飽和吸収体３４は、その片面には低反射
膜、もう片方の面には高反射面が施され、低反射膜側か
ら入射した光をもとの向きへと反射する。

【００３３】このような反射型構成では、光が同じ光路
を引き返すため、吸収飽和を起こしつつある領域を折り
返すことになる。この場合、初期状態からキャリアを励
起させる必要がなくなるので、同じ光の強さで透過型よ
りも大きな最大透過率を達成できる。すなわち、反射型
構成をとることで、可飽和吸収体３４への入射光と出射
光の光路に重なりが生じ、光子密度の増加により最大透
過率が大きくなって、消光比を透過型構成よりも大きく
とることができる。言い換えると、同じ消光比を得るた
めに必要な可飽和吸収体３４上での光パワーを小さくで
き、透過型の構成よりも低パワーでの動作が可能であ
る。

【００３４】この実施例の動作は、基本的には第一実施
例と同等である。また、反射型構成の場合にも透過型構
成と同様に、光減衰器あるいは光位相調節器、またはそ
の双方を用いることができる。さらに、可飽和吸収体３
４およびミラー３５を光導波路３２、３３の双方に配置
することもできる。

【００３５】図１３は本発明七実施例の光リミッタ回路
を示す。この実施例は、反射型構成であることが第五実
施例と異なり、リッジ導波路を用いたことが第六実施例
と異なる。すなわち、ＩｎＰ基板４０上のＩｎＧａＡｓ
／ＩｎＡｌＡｓ多重量子井戸層をコアとするリッジ導波
路により、光合分波部４１、二つの光導波路４２、４３
および可飽和吸収体４４が形成され、ＩｎＰ基板４０の
一方の端面、すなわち光導波路４３の一端および可飽和
吸収体４４の端面に、高反射膜４５が設けられる。

【００３６】図１４は本発明第八実施例の光リミッタ回
路を示す。この実施例は、光導波路１２、１３の双方に
可飽和吸収体１４−１、１４−２を配置し、光識別回路
の機能をもたせたことが第一実施例と異なる。ここで、
可飽和吸収体１４−２の飽和光強度は可飽和吸収体１４
−２の飽和光強度より小さいものとする。

【００３７】図１５は二つの光導波路１２、１３から光
合波部１５に結合する光強度を光リミッタ回路の入射光
強度の関数として表す。入射光強度がＥより小さい領域
では、光導波路１２、１３のいずれからの光路でも光が
通ることができず、カットオフされる。しかし、光強度
を強くしていくと、飽和光強度の小さい可飽和吸収体１
４−２が先に透明になって光を通す。そして、可飽和吸
収体１４−１が透明になって光リミッタ動作が開始され
るまで、光リミッタ回路の出力は入射光強度に比例する
ようになる。

【００３８】図１６は得られる光リミッタ特性を示し、
図１７は時間の経過に対する入射光強度と出射光強度と
の関係を示す。図１５を参照して説明した動作により、
図１６に示すように、飽和光強度の小さな可飽和吸収体
１４−２が透明になる光強度以下の光は遮断され、か
つ、飽和光強度の大きな可飽和吸収体１４−１が透明に
なる光強度以上の光は制限される。したがって、この光
リミッタ回路の出力特性は図１７のようになり、可飽和
吸収体１４−２が透明になる光強度Ｅの強度の光は制限
され、かつ可飽和吸収体１４−１が透明になる光強度Ｆ
以上の強度の光も制限される。この場合も先に説明した
ように、Ａ＝Ｂとなるように、光分波部１１における光
分岐比をＣ：Ｄとなるようにとることがよい。このよう
な光リミッタ回路では、例えばディジタル光信号を入射
すると、０レベルおよび１レベルのどちらの部分に乗っ
ているノイズも除去できる。

【００３９】図１８は本発明第九実施例の光リミッタ回
路を示す。この実施例は、反射型構成であることが第八
実施例と異なる。すなわち、基板３０上に光合分波部３
１および光導波部３２、３３を備え、この光導波部３
２、３３にそれぞれ可飽和吸収体３４−１、３４−２を
備え、可飽和吸収体３４−１、３４−２はそれぞれ、そ
の片面には低反射膜、もう片方の面には高反射面が施さ
れる。

【００４０】第八および第九実施例においても、光減衰
器または光位相調節器を組み合わせて使用することがで
きる。

【００４１】以上の実施例では本発明をＰＬＣ光導波路
またはリッジ導波路で実施した例を説明したが、他の光
学素子、例えば光カプラと光ファイバを用いても本発明
を同様に実施できる。可飽和吸収体としては、ＩｎＧａ
Ａｓ／ＩｎＡｌＡｓ系だけでなく、ＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ
ＧａＡｌＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系、ＩｎＧａ
Ａｓ／ＧａＡｓ歪超格子系、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡ
ｓＰ歪超格子系などの材料を用いてもよい。また、光分
波部としてその分岐比が可変のものを使用することで、
光リミット特性を変更あるいは微調整することが可能で
ある。分岐比が可変な光分波部としては、干渉計と位相
調節器とを組み合わせたものを用いることができる。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の光リミッ
タ回路は、可飽和吸収体と干渉計とを組み合わせること
で、光リミッタ動作を実現している。可飽和吸収体は低
エネルギで高速に動作可能であり、リミッタ動作に必要
な光パワーを従来に比べて数桁下げることができる。応
答速度は用いる可飽和吸収体の応答速度で決まるが、緩
和時間が数ピコ秒と高速の可飽和吸収体を用いること
で、非常に高速の動作が可能となる。可飽和吸収体は動
作する光波長幅が数十ｎｍ程度あり、広い波長範囲にわ
たって有効に機能する。したがって、本発明の光リミッ
タ回路は、高速光伝送システムに利用して大きな効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明第一実施例の光リミッタ回路を示す図。

【図２】光波長に対する可飽和吸収体の光吸収率特性の
一例を示す図。

【図３】入射光強度に対する可飽和吸収体の透過率特性
の一例を示す図。

【図４】入射光強度に対する光リミッタ回路の光透過率
特性を示す図。

【図５】二つの光導波路から光合波部に結合する光強度
を光リミッタ回路の入射光強度の関数として表す図。

【図６】得られる光リミッタ特性を示す図。

【図７】時間の経過に対する入射光強度と出射光強度と
の関係を示す図。

【図８】本発明第二実施例の光リミッタ回路を示す図。

【図９】本発明第三実施例の光リミッタ回路を示す図。

【図１０】本発明第四実施例の光リミッタ回路を示す
図。

【図１１】本発明第五実施例の光リミッタ回路を示す
図。

【図１２】本発明第六実施例の光リミッタ回路を示す
図。

【図１３】本発明七実施例の光リミッタ回路を示す図。

【図１４】本発明第八実施例の光リミッタ回路を示す
図。

【図１５】二つの光導波路から光合波部に結合する光強
度を光リミッタ回路の入射光強度の関数として表す図。

【図１６】得られる光リミッタ特性を示す図。

【図１７】時間の経過に対する入射光強度と出射光強度
との関係を示す図。

【図１８】本発明第九実施例の光リミッタ回路を示す
図。

【図１９】従来例の光リミッタ回路を示す図であり、シ
リコン薄膜の非線形屈折率変化を利用した構成を示す
図。

【図２０】従来例の光リミッタ回路を示す図であり、非
線形なデフォーカシングを利用した構成を示す図。

【符号の説明】

１０、３０基板１１、２１光分波部１２、１３、２２、２３、３２、３３、４２、４３光
導波路１４、１４−１、１４−２、２４、３４、３４−１、３
４−２、４４可飽和吸収体１５、２５光合波部１６光減衰器１７、１８光位相調節器２０、４０ＩｎＰ基板３１、４１光合分波部３５ミラー４５高反射膜１９１、１９３、２０１、２０５光ファイバ１９２シリコン薄膜導波路２０２、２０４集光素子２０３非線形応答光学素子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】あらかじめ設定された強度以上の光入力
に対して光出力強度を一定とする光リミッタ回路におい
て、入射光を二つに分岐する光分波手段と、分岐された二つの光を別々に導波する二つの光導波手段
と、この二つの光導波手段の一方に配置され入射光強度がし
きい値を超えたときに急激に透過率が増加する可飽和吸
収体と、前記二つの光導波手段により導波された光を実質的に逆
相で重ね合わせる光合波手段とを備えたことを特徴とす
る光リミッタ回路。
【請求項２】前記光分波手段および前記光合波手段は
ひとつの光学素子であり、前記二つの光導波手段にはそれぞれその一端に光反射手
段が設けられた請求項１記載の光リミッタ回路。
【請求項３】前記二つの光導波手段は、互いの光路長
差が入力光のコヒーレント長以内で実質的にπの奇数倍
に設定された請求項１または２記載の光リミッタ回路。
【請求項４】前記二つの光導波手段の少なくとも一方
に光位相調節器を備えた請求項１ないし３のいずれか記
載の光リミッタ回路。
【請求項５】前記二つの光導波手段の少なくとも一方
に光減衰器を備えた請求項１ないし４のいずれか記載の
光リミッタ回路。
【請求項６】前記光分波手段はその分岐比が可変であ
る請求項１ないし５のいずれか記載の光リミッタ回路。
【請求項７】前記二つの光導波手段の双方に互いにし
きい値の異なる可飽和吸収体が配置された請求項１ない
し６のいずれか記載の光リミッタ回路。