JPH0625836B2 - プログラマブル光学論理装置 - Google Patents
プログラマブル光学論理装置Info
- Publication number
- JPH0625836B2 JPH0625836B2 JP2138674A JP13867490A JPH0625836B2 JP H0625836 B2 JPH0625836 B2 JP H0625836B2 JP 2138674 A JP2138674 A JP 2138674A JP 13867490 A JP13867490 A JP 13867490A JP H0625836 B2 JPH0625836 B2 JP H0625836B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- logic
- signal
- photodiode
- power
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F3/00—Optical logic elements; Optical bistable devices
- G02F3/02—Optical bistable devices
- G02F3/028—Optical bistable devices based on self electro-optic effect devices [SEED]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/14—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光波デバイスおよび、特に、自己電気光学デ
バイスを含む光半導体デバイスに関する。
バイスを含む光半導体デバイスに関する。
［従来の技術］ コンピュータ、通信、スイッチおよび相互接続は、光学
および光学デバイスの利用可能性および必要性をともに
示してきた技術分野である。これらの技術分野で、必要
とされているデバイス（装置、素子）の種類の１つは、
光学論理デバイスである。光学論理デバイスに対して
は、デバイスに入射するデータあるいは情報が運ばれる
信号は、組合せ（ブール）および／またはメモリ（ラッ
チ）機能に対し、入射信号が実行するようになしかたで
デバイスの状態を制御する。非線形ファブリ＝ペロー・
エタロンは、光学論理機能を可能にする完全光学デバイ
スとして提案されている。（Ｓ．Ｄ．スミス(S.D.Smit
h)、「アプライド・オプティクス(Applied Optice)」、
第２５巻、第１０号、１１５０〜６４ページ（１９８６
年）およびＨ．Ｓ．ヒントン(H.S.Hinton)、「ＩＥＥＥ
・ジャーナル・オン・セレクティド・エリアズ・イン・
コミュニケーションズ(IEEE Journal on Selected Area
s in Communications)」、第６巻、第７号、１２０９〜
２６ページ（１９８８年）参照。）高速動作で非線形フ
ァブリ＝ペロー・エタロンを使用する際の障害の１つ
は、１つの波長がエタロンの非線形材料の吸収ピークに
対応するように、入射するクロックのような制御信号と
データ信号の波長とを分離しなければならないことであ
る。このような制限は、非線形ファブリ＝ペロー・エタ
ロンで透過状態と反射状態の間で切替えおよび同調を行
うために必要である。この動作方法の結果として、入力
波長は出力波長と異なり、このためこうしたデバイスを
次々とカスケード接続する可能性が排除される。要求さ
れる波長の差が重大な制限を課している一方、他の制限
が生じることも避けられない。それは、温度変化によっ
て、空洞の共鳴ピークの位置の変化を受けるからであ
る。さらに、エタロンは入力光信号に反応することもし
ないこともある。そのうえ、入力信号の強度の変化が、
偶発的にファブリ＝ペロー・エタロンの状態を変化させ
ることもあるし、何も引き起こさないこともある。
および光学デバイスの利用可能性および必要性をともに
示してきた技術分野である。これらの技術分野で、必要
とされているデバイス（装置、素子）の種類の１つは、
光学論理デバイスである。光学論理デバイスに対して
は、デバイスに入射するデータあるいは情報が運ばれる
信号は、組合せ（ブール）および／またはメモリ（ラッ
チ）機能に対し、入射信号が実行するようになしかたで
デバイスの状態を制御する。非線形ファブリ＝ペロー・
エタロンは、光学論理機能を可能にする完全光学デバイ
スとして提案されている。（Ｓ．Ｄ．スミス(S.D.Smit
h)、「アプライド・オプティクス(Applied Optice)」、
第２５巻、第１０号、１１５０〜６４ページ（１９８６
年）およびＨ．Ｓ．ヒントン(H.S.Hinton)、「ＩＥＥＥ
・ジャーナル・オン・セレクティド・エリアズ・イン・
コミュニケーションズ(IEEE Journal on Selected Area
s in Communications)」、第６巻、第７号、１２０９〜
２６ページ（１９８８年）参照。）高速動作で非線形フ
ァブリ＝ペロー・エタロンを使用する際の障害の１つ
は、１つの波長がエタロンの非線形材料の吸収ピークに
対応するように、入射するクロックのような制御信号と
データ信号の波長とを分離しなければならないことであ
る。このような制限は、非線形ファブリ＝ペロー・エタ
ロンで透過状態と反射状態の間で切替えおよび同調を行
うために必要である。この動作方法の結果として、入力
波長は出力波長と異なり、このためこうしたデバイスを
次々とカスケード接続する可能性が排除される。要求さ
れる波長の差が重大な制限を課している一方、他の制限
が生じることも避けられない。それは、温度変化によっ
て、空洞の共鳴ピークの位置の変化を受けるからであ
る。さらに、エタロンは入力光信号に反応することもし
ないこともある。そのうえ、入力信号の強度の変化が、
偶発的にファブリ＝ペロー・エタロンの状態を変化させ
ることもあるし、何も引き起こさないこともある。
自己電気光学効果デバイスもまた、Ｓ−Ｒフリップフロ
ップとして実現して順次記憶素子としての動作に適する
ということが示されている。米国特許第４７５４１３２
号および４７５１３７８号参照。これらの双安定記憶素
子は、現在の入力とともに過去の入力にも影響される。
これらの記憶素子の論理的相互接続によって、光リング
カウンタのようなシフトレジスタ回路を実現することが
できる。（「プロシーディングズ・オブ・ザ・コンファ
レンス・オン・レーザーズ・アンド・エレクトロオプテ
ィクス(Proceedings of the Conference on Lasers and
Electrooptics)」、論文ＴＵＥ４（１９８８年）参
照。）しかし、コンピュータ、通信、およびスイッチへ
の応用においては、このような光記憶デバイスの利用
は、ＡＮＤ、ＯＲ、排他的ＯＲその他のゲートのような
組合せ光論理素子の存在なしには制限されたものとな
る。
ップとして実現して順次記憶素子としての動作に適する
ということが示されている。米国特許第４７５４１３２
号および４７５１３７８号参照。これらの双安定記憶素
子は、現在の入力とともに過去の入力にも影響される。
これらの記憶素子の論理的相互接続によって、光リング
カウンタのようなシフトレジスタ回路を実現することが
できる。（「プロシーディングズ・オブ・ザ・コンファ
レンス・オン・レーザーズ・アンド・エレクトロオプテ
ィクス(Proceedings of the Conference on Lasers and
Electrooptics)」、論文ＴＵＥ４（１９８８年）参
照。）しかし、コンピュータ、通信、およびスイッチへ
の応用においては、このような光記憶デバイスの利用
は、ＡＮＤ、ＯＲ、排他的ＯＲその他のゲートのような
組合せ光論理素子の存在なしには制限されたものとな
る。
最近、対称自己電気光学デバイスが、ＮＯＲ関数を作成
するための組合せ論理ゲートに利用された。（「プロシ
ーディングズ・オヴ・ザ・コンファレンス・オン・レー
ザーズ・アンド・エレクトロオプティクス(Proceedings
of the Conference on Lasers and Electrooptic
s)」、論文ＴＵＥ４（１９８８年）参照。）この論文で
は、ＯＲ、ＮＡＮＤおよびＡＮＤ関数が実現されたと述
べている。記述されているデバイスの適切な動作には、
各光学データ信号およびその論理的補数が論理ゲートに
供給される必要がある。結果として、各光学データ信号
に対し、補数のデータ信号を得るために、ビーム分割器
や光学インバータのような付加的なハードウェアが、た
だちに補数のデータ信号が利用可能でない場合には必要
となる。上で引用した参考文献にはＡＮＤおよびＯＲ論
理ゲートが記述されてはいるが、その参考文献では排他
的ＯＲゲートの実現法はどこにも掲示されていないこと
に注意すべきである。光エンコーダやスクランブラやそ
れらの逆を実現するためには、フィードバック経路およ
び光シフトレジスタの他の相互接続点における排他的Ｏ
Ｒゲートなしには不可能であるので、排他的ＯＲゲート
は重要である。
するための組合せ論理ゲートに利用された。（「プロシ
ーディングズ・オヴ・ザ・コンファレンス・オン・レー
ザーズ・アンド・エレクトロオプティクス(Proceedings
of the Conference on Lasers and Electrooptic
s)」、論文ＴＵＥ４（１９８８年）参照。）この論文で
は、ＯＲ、ＮＡＮＤおよびＡＮＤ関数が実現されたと述
べている。記述されているデバイスの適切な動作には、
各光学データ信号およびその論理的補数が論理ゲートに
供給される必要がある。結果として、各光学データ信号
に対し、補数のデータ信号を得るために、ビーム分割器
や光学インバータのような付加的なハードウェアが、た
だちに補数のデータ信号が利用可能でない場合には必要
となる。上で引用した参考文献にはＡＮＤおよびＯＲ論
理ゲートが記述されてはいるが、その参考文献では排他
的ＯＲゲートの実現法はどこにも掲示されていないこと
に注意すべきである。光エンコーダやスクランブラやそ
れらの逆を実現するためには、フィードバック経路およ
び光シフトレジスタの他の相互接続点における排他的Ｏ
Ｒゲートなしには不可能であるので、排他的ＯＲゲート
は重要である。
［発明の概要］ 対称自己電気光学効果デバイス（Ｓ−ＳＥＥＤ）と、所
定のモードで論理演算を開始するために光学的にＳ−Ｓ
ＥＥＤをプログラムするための論理制御素子とを結合す
ることによって、プログラマブル光学論理デバイスにお
いて組合せ（ブール）論理関数を実現している。要求さ
れる組合せ論理演算が光学論理デバイスによって光学デ
ータ信号に対して実行されるように、所定のしきい値光
信号がＳ−ＳＥＥＤの１つの入力に加えられ、一方、第
１および第２の光学データ信号は同時にＳ−ＳＥＥＤの
もう１つの入力に加えられる。このように、プログラマ
ブル光学論理デバイスは、しきい値論理演算を実行する
といわれている。光学論理デバイスにプログラムされる
論理演算には、ＡＮＤ、ＯＲおよびＮＯＴ関数が含まれ
る。単一の光信号が各光学論理デバイスからの出力とし
て与えられる。
定のモードで論理演算を開始するために光学的にＳ−Ｓ
ＥＥＤをプログラムするための論理制御素子とを結合す
ることによって、プログラマブル光学論理デバイスにお
いて組合せ（ブール）論理関数を実現している。要求さ
れる組合せ論理演算が光学論理デバイスによって光学デ
ータ信号に対して実行されるように、所定のしきい値光
信号がＳ−ＳＥＥＤの１つの入力に加えられ、一方、第
１および第２の光学データ信号は同時にＳ−ＳＥＥＤの
もう１つの入力に加えられる。このように、プログラマ
ブル光学論理デバイスは、しきい値論理演算を実行する
といわれている。光学論理デバイスにプログラムされる
論理演算には、ＡＮＤ、ＯＲおよびＮＯＴ関数が含まれ
る。単一の光信号が各光学論理デバイスからの出力とし
て与えられる。
本発明の１つの実施例では、第１しきい値光学信号がＡ
ＮＤ論理演算を実行するため利用され、第２しきい値光
信号がＯＲ論理演算を実行するために使用されている。
排他的ＯＲ演算は、ＡＮＤおよびＯＲ論理演算の両方を
並行して同一のデータに対し別々のＳ−ＳＥＥＤデバイ
スで実行した後、Ｓ−ＳＥＥＤのＳ−Ｒフリップフロッ
プを使用して各論理ゲートからの出力光信号を処理（例
えば、ＡＮＤ出力をＲ入力へ、および、ＯＲ出力をＳ入
力に）して排他的ＯＲの出力を生成することによって実
現される。
ＮＤ論理演算を実行するため利用され、第２しきい値光
信号がＯＲ論理演算を実行するために使用されている。
排他的ＯＲ演算は、ＡＮＤおよびＯＲ論理演算の両方を
並行して同一のデータに対し別々のＳ−ＳＥＥＤデバイ
スで実行した後、Ｓ−ＳＥＥＤのＳ−Ｒフリップフロッ
プを使用して各論理ゲートからの出力光信号を処理（例
えば、ＡＮＤ出力をＲ入力へ、および、ＯＲ出力をＳ入
力に）して排他的ＯＲの出力を生成することによって実
現される。
本発明の原理に従って、Ｓ−ＳＥＥＤに基づいたプログ
ラマブル光学論理デバイスはすべての光信号が同一の波
長であることを可能にする。従って、プログラマブル光
学論理デバイスはただちにカスケード接続にすることが
できる。
ラマブル光学論理デバイスはすべての光信号が同一の波
長であることを可能にする。従って、プログラマブル光
学論理デバイスはただちにカスケード接続にすることが
できる。
本発明のもう１つの目的によれば、プログラマブル光学
論理デバイスは、標準的な通常の製造技術を使用して、
他の光学論理デバイスを含む他のデバイスとともに、１
００×１００のオーダーの大規模のアレイに集積するこ
とが可能である。
論理デバイスは、標準的な通常の製造技術を使用して、
他の光学論理デバイスを含む他のデバイスとともに、１
００×１００のオーダーの大規模のアレイに集積するこ
とが可能である。
本発明のさらにもう１つの目的によれば、非線形ファブ
リ＝ペロー・エタロンデバイスがほんの数オングストロ
ームという非常に狭い範囲でしか動作可能でないのに対
し、プログラマブル光学論理デバイスは数ナノメートル
にわたる広範囲の波長で動作することができる。
リ＝ペロー・エタロンデバイスがほんの数オングストロ
ームという非常に狭い範囲でしか動作可能でないのに対
し、プログラマブル光学論理デバイスは数ナノメートル
にわたる広範囲の波長で動作することができる。
［実施例］ 自己電気光学効果デバイス（ＳＥＥＤ）、対称自己電気
光学効果デバイス（Ｓ−ＳＥＥＤ）、およびこれらに適
用できる製造技術は、米国特許Ｒｅ．３２８９３；４５
４６２４４；４７５１３７８；および４７５４１３２に
十分に開示されており、また、以下の技術参考文献があ
る：Ｄ．Ａ．Ｂ．ミラー（D.A.B.Miller）他、Appl.Phy
s.Lett.、第４５（１）巻、１３〜１５ページ（１９８
４年）およびＡ．Ｌ．レンティーン（A.L.Lentine）
他、Appl.Phys.Lett.、第５２（１７）巻、１４１９〜
２１ページ（１９８８年）。上に引用した参考文献およ
びそれらの教示は特にここに参考のために取り入れられ
たものである。
光学効果デバイス（Ｓ−ＳＥＥＤ）、およびこれらに適
用できる製造技術は、米国特許Ｒｅ．３２８９３；４５
４６２４４；４７５１３７８；および４７５４１３２に
十分に開示されており、また、以下の技術参考文献があ
る：Ｄ．Ａ．Ｂ．ミラー（D.A.B.Miller）他、Appl.Phy
s.Lett.、第４５（１）巻、１３〜１５ページ（１９８
４年）およびＡ．Ｌ．レンティーン（A.L.Lentine）
他、Appl.Phys.Lett.、第５２（１７）巻、１４１９〜
２１ページ（１９８８年）。上に引用した参考文献およ
びそれらの教示は特にここに参考のために取り入れられ
たものである。
Ｓ−ＳＥＥＤは、少なくとも２つの光学入力と２つの光
学出力を持つ４ポートデバイスである。Ｓ−ＳＥＥＤデ
バイスは、第１図に示されているように、多重量子井戸
ｐ−ｉ−ｎダイオード１０１を、リード線１０４を介し
て多重量子井戸ｐ−ｉ−ｎダイオード１０２と直列に電
気的に相互接続することによって形成される。ダイオー
ド１０１，１０２には逆バイアス電圧Ｖがかけられてい
る。ダイオード１０１，１０２がこのように接続される
場合、出力線１１２上に信号Ｑとして示されている単一
の光学出力は、後続のデバイスによって使用可能であ
る。ダイオード１０２からの出力光信号は、たとえば１
つのダイオードがオンでそのとき他のダイオードがオフ
である場合でも、続いて使用することは望ましくない。
それは、以下で示されるように、入力信号レベルおよ
び、従って、このダイオードからの出力信号レベルはよ
く制御されていないからである。
学出力を持つ４ポートデバイスである。Ｓ−ＳＥＥＤデ
バイスは、第１図に示されているように、多重量子井戸
ｐ−ｉ−ｎダイオード１０１を、リード線１０４を介し
て多重量子井戸ｐ−ｉ−ｎダイオード１０２と直列に電
気的に相互接続することによって形成される。ダイオー
ド１０１，１０２には逆バイアス電圧Ｖがかけられてい
る。ダイオード１０１，１０２がこのように接続される
場合、出力線１１２上に信号Ｑとして示されている単一
の光学出力は、後続のデバイスによって使用可能であ
る。ダイオード１０２からの出力光信号は、たとえば１
つのダイオードがオンでそのとき他のダイオードがオフ
である場合でも、続いて使用することは望ましくない。
それは、以下で示されるように、入力信号レベルおよ
び、従って、このダイオードからの出力信号レベルはよ
く制御されていないからである。
Ｓ−ＳＥＥＤの動作中は、ダイオードのうちの１つが吸
収状態にあり、そのとき他のダイオードは透過状態にあ
るということがわかっている。Ｓ−ＳＥＥＤの状態変化
は、入力信号の絶対強度の関数としてではなく、入力信
号のパワーの比の関数として生起することが知られてい
る。状態変化は、Ｑが０から１あるいは１から０に変化
するようなレベルの変化する出力から観測される。
収状態にあり、そのとき他のダイオードは透過状態にあ
るということがわかっている。Ｓ−ＳＥＥＤの状態変化
は、入力信号の絶対強度の関数としてではなく、入力信
号のパワーの比の関数として生起することが知られてい
る。状態変化は、Ｑが０から１あるいは１から０に変化
するようなレベルの変化する出力から観測される。
特に、ダイオード１０１および１０２からなるＳ−ＳＥ
ＥＤは、ダイオード１０２に入射する光信号強度をダイ
オード１０１に入射する光信号強度で割った値がしきい
値Ｔを超えるときに、第１の状態から第２の状態へと切
り替わる。一方、Ｓ−ＳＥＥＤは、ダイオード１０１に
入射する光信号強度をダイオード１０２に入射する光信
号強度で割った値がしきい値Ｔを超えるときに、第２の
状態から第１の状態へと切り替わる。
ＥＤは、ダイオード１０２に入射する光信号強度をダイ
オード１０１に入射する光信号強度で割った値がしきい
値Ｔを超えるときに、第１の状態から第２の状態へと切
り替わる。一方、Ｓ−ＳＥＥＤは、ダイオード１０１に
入射する光信号強度をダイオード１０２に入射する光信
号強度で割った値がしきい値Ｔを超えるときに、第２の
状態から第１の状態へと切り替わる。
ある実際の実験例では、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ半導体
材料システムに基づいたＳ−ＳＥＥＤデバイスのしきい
値は約１．１であることが知られている。この例から、
ダイオード１０１からの光学出力パワーが、同じダイオ
ードに入射する光学パワーの１９％におよそ等しいとき
に、Ｓ−ＳＥＥＤは第１の状態（Ｑ＝０）にあると決定
されている。また、この例では、ダイオード１０１から
の光学出力パワーが、同じダイオードに入射する光学パ
ワーの３２％におよそ等しいときに、Ｓ−ＳＥＥＤは第
２の状態（Ｑ＝１）にあると決定されている。
材料システムに基づいたＳ−ＳＥＥＤデバイスのしきい
値は約１．１であることが知られている。この例から、
ダイオード１０１からの光学出力パワーが、同じダイオ
ードに入射する光学パワーの１９％におよそ等しいとき
に、Ｓ−ＳＥＥＤは第１の状態（Ｑ＝０）にあると決定
されている。また、この例では、ダイオード１０１から
の光学出力パワーが、同じダイオードに入射する光学パ
ワーの３２％におよそ等しいときに、Ｓ−ＳＥＥＤは第
２の状態（Ｑ＝１）にあると決定されている。
動作中は、光学入力信号ビーム１０５および１０９が、
ダイオード１０１および１０２からなるＳ−ＳＥＥＤに
入射している。光信号ビームは、特定のダイオードに入
射するように、以下のようにまとめられている：論理制
御装置１０３からの光学しきい値参照信号ＲＥＦを表現
する光信号ビーム１０５はダイオード１０１に入射し、
データ信号ＡおよびＢのパワー和であるデータ信号Ｃを
表現する光信号ビーム１０９はダイオード１０２に入射
する。光信号ビーム１０５および１０９は、Ｓ−ＳＥＥ
Ｄの出力状態を変化させることができる。これらの光信
号ビームの振幅は、出力レベルが不明瞭になる双安定領
域にＳ−ＳＥＥＤが入らないことを保証するように、論
理的０と論理的１との間で十分なコントラストを持つよ
うに選択される。例えば２：１のコントラストが上記の
基準を満たすということがわかっている。
ダイオード１０１および１０２からなるＳ−ＳＥＥＤに
入射している。光信号ビームは、特定のダイオードに入
射するように、以下のようにまとめられている：論理制
御装置１０３からの光学しきい値参照信号ＲＥＦを表現
する光信号ビーム１０５はダイオード１０１に入射し、
データ信号ＡおよびＢのパワー和であるデータ信号Ｃを
表現する光信号ビーム１０９はダイオード１０２に入射
する。光信号ビーム１０５および１０９は、Ｓ−ＳＥＥ
Ｄの出力状態を変化させることができる。これらの光信
号ビームの振幅は、出力レベルが不明瞭になる双安定領
域にＳ−ＳＥＥＤが入らないことを保証するように、論
理的０と論理的１との間で十分なコントラストを持つよ
うに選択される。例えば２：１のコントラストが上記の
基準を満たすということがわかっている。
データ信号ＡとＢの和を以下のようにして得ることが可
能である。入力データ信号ビーム１０６（信号Ａ）が、
図示されているように、ビーム結合器１０７に向けられ
る。入力データ信号ビーム１０８（信号Ｂ）が鏡１１３
によってビーム結合器１０７のもう１つの入力ポートに
向けられる。ビーム結合器１０７は、信号ＡとＢのパワ
ーレベルの和にほぼ等しいパワーレベルを持つデータ信
号Ｃとして出力ビーム１０９を生成する。
能である。入力データ信号ビーム１０６（信号Ａ）が、
図示されているように、ビーム結合器１０７に向けられ
る。入力データ信号ビーム１０８（信号Ｂ）が鏡１１３
によってビーム結合器１０７のもう１つの入力ポートに
向けられる。ビーム結合器１０７は、信号ＡとＢのパワ
ーレベルの和にほぼ等しいパワーレベルを持つデータ信
号Ｃとして出力ビーム１０９を生成する。
クロック１１０は、クロック信号に対応する出力光信号
を持つように破線で示されているが、これは、クロック
１１０は光学素子であり、本発明の実行には必要でない
ということを示している。光信号ビーム１１１は、一般
的に、Ｓ−ＳＥＥＤの各ダイオードに供給される。クロ
ック信号に対応する光信号ビーム１１１は、それぞれＣ
ＬＫとして示されているが、これらはほぼ等しい強度を
持ち、最初は、データおよび参照しきい値の信号ビーム
強度と比較して低いということがわかっている。出力信
号ビームＱのレベルがクロック信号ビームのレベルと関
係づけられるように論理ゲートの状態を読み出すため
に、クロック信号ビーム１１１がＳ−ＳＥＥＤに印加さ
れることがある。クロック信号ビームのＳ−ＳＥＥＤへ
の印加は、二重レール出力、すなわち、Ｑ出力がダイオ
ード１０１から放射され、Ｑ−出力がダイオード１０２
から放射されるような相補的な出力を得る方法を与え
る。
を持つように破線で示されているが、これは、クロック
１１０は光学素子であり、本発明の実行には必要でない
ということを示している。光信号ビーム１１１は、一般
的に、Ｓ−ＳＥＥＤの各ダイオードに供給される。クロ
ック信号に対応する光信号ビーム１１１は、それぞれＣ
ＬＫとして示されているが、これらはほぼ等しい強度を
持ち、最初は、データおよび参照しきい値の信号ビーム
強度と比較して低いということがわかっている。出力信
号ビームＱのレベルがクロック信号ビームのレベルと関
係づけられるように論理ゲートの状態を読み出すため
に、クロック信号ビーム１１１がＳ−ＳＥＥＤに印加さ
れることがある。クロック信号ビームのＳ−ＳＥＥＤへ
の印加は、二重レール出力、すなわち、Ｑ出力がダイオ
ード１０１から放射され、Ｑ−出力がダイオード１０２
から放射されるような相補的な出力を得る方法を与え
る。
クロック信号ビームに関しては、データ信号および参照
しきい値信号が休止中の期間にクロック信号ビームを印
加することが望ましいことがわかっている。Ｓ−ＳＥＥ
Ｄの出力状態はダイオードに入射する信号パワーの比に
よって決定されるので、データおよび参照しきい値信号
と同時にクロック信号が存在することは、入力ビームの
コントラスト比を低下させる傾向があり、Ｓ−ＳＥＥＤ
の状態切替えの失敗を引き起こす可能性がある。
しきい値信号が休止中の期間にクロック信号ビームを印
加することが望ましいことがわかっている。Ｓ−ＳＥＥ
Ｄの出力状態はダイオードに入射する信号パワーの比に
よって決定されるので、データおよび参照しきい値信号
と同時にクロック信号が存在することは、入力ビームの
コントラスト比を低下させる傾向があり、Ｓ−ＳＥＥＤ
の状態切替えの失敗を引き起こす可能性がある。
クロック信号は、一般的に、相補的な出力信号ビームＱ
およびＱ−（図示せず）を介してＳ−ＳＥＥＤの状態を
読み出すために印加されることがわかっているが、Ｓ−
ＳＥＥＤの状態が干渉および変更なしに読み出されるた
めに、光信号ビーム１１は、十分な強度とともに、その
強度間には相対的に小さい差を維持することが望まれ
る。多くのＳ−ＳＥＥＤに対し、データ信号Ａに対する
データ信号Ｂのパワーの比が１．１を超えるか、また
は、０．９よりも小さい場合にＳ−ＳＥＥＤの切替えが
起こると決定されている。ここでは、光学ヒステリシス
ループが、参照しきい値およびデータの信号の強度がほ
ぼ等しい点のあたりに中心を持つということがわかって
いる。
およびＱ−（図示せず）を介してＳ−ＳＥＥＤの状態を
読み出すために印加されることがわかっているが、Ｓ−
ＳＥＥＤの状態が干渉および変更なしに読み出されるた
めに、光信号ビーム１１は、十分な強度とともに、その
強度間には相対的に小さい差を維持することが望まれ
る。多くのＳ−ＳＥＥＤに対し、データ信号Ａに対する
データ信号Ｂのパワーの比が１．１を超えるか、また
は、０．９よりも小さい場合にＳ−ＳＥＥＤの切替えが
起こると決定されている。ここでは、光学ヒステリシス
ループが、参照しきい値およびデータの信号の強度がほ
ぼ等しい点のあたりに中心を持つということがわかって
いる。
第１図のプログラマブル光学論理デバイスは、論理制御
装置１０３、直列接続ダイオード１０１および１０２、
および、必要ならば、光学データ信号ビーム１０６
（Ａ）および１０８（Ｂ）が両方ともＳ−ＳＥＥＤの同
一のダイオードに入射するように結合させるビーム結合
素子（素子１１３および１０７）からなる。光信号ビー
ム１０６および１０８は、それに対して組合せ論理演算
が実行されるデータ信号である。例えば、第２、第３お
よび第５図を参照。図示されているように、光信号ビー
ム１０９（Ｃ）は、個々のデータ信号ＡおよびＢの組合
せを含む。組合せ論理（ブール）演算を実行する場合、
プログラマブル光学論理デバイスはその演算を個々のデ
ータ信号ＡおよびＢに対して実行する。すなわち、プロ
グラマブル光学論理デバイスは、ＡＮＤ関数をｆ（Ａ，
Ｂ）＝Ａ・Ｂのように、ＯＲ関数をｆ（Ａ，Ｂ）＝Ａ＋
Ｂのように実行する。
装置１０３、直列接続ダイオード１０１および１０２、
および、必要ならば、光学データ信号ビーム１０６
（Ａ）および１０８（Ｂ）が両方ともＳ−ＳＥＥＤの同
一のダイオードに入射するように結合させるビーム結合
素子（素子１１３および１０７）からなる。光信号ビー
ム１０６および１０８は、それに対して組合せ論理演算
が実行されるデータ信号である。例えば、第２、第３お
よび第５図を参照。図示されているように、光信号ビー
ム１０９（Ｃ）は、個々のデータ信号ＡおよびＢの組合
せを含む。組合せ論理（ブール）演算を実行する場合、
プログラマブル光学論理デバイスはその演算を個々のデ
ータ信号ＡおよびＢに対して実行する。すなわち、プロ
グラマブル光学論理デバイスは、ＡＮＤ関数をｆ（Ａ，
Ｂ）＝Ａ・Ｂのように、ＯＲ関数をｆ（Ａ，Ｂ）＝Ａ＋
Ｂのように実行する。
第１図に示されているように、本発明の実施例はＳ−Ｓ
ＥＥＤにおけるダイオードの組合せの例を含む。ここで
は、ダイオードは、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ半導体ダイ
オードのような多重量子井戸ｐ−ｉ−ｎダイオードが直
列接続されている。ここでは、これとは異なるダイオー
ド対の実施例も考えられているということにも注意すべ
きである。例えば、ダイオード１０１またはダイオード
１０２のいずれかは、量子井戸の真性領域を使用してい
ない標準的なｐ−ｉ−ｎダイオードで置き換えることが
できる。このよう場合、このダイオードの組合せが、ｐ
−ｉ−ｎダイオードを負荷として持つ自己電気光学効果
デバイスになるように、残りのダイオードは量子井戸ｐ
−ｉ−ｎダイオードであることが要求される。このよう
な組合せでは、活動出力および、実際には、唯一の出力
は、量子井戸ｐ−ｉ−ｎダイオードの出力から引き出さ
れる。
ＥＥＤにおけるダイオードの組合せの例を含む。ここで
は、ダイオードは、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ半導体ダイ
オードのような多重量子井戸ｐ−ｉ−ｎダイオードが直
列接続されている。ここでは、これとは異なるダイオー
ド対の実施例も考えられているということにも注意すべ
きである。例えば、ダイオード１０１またはダイオード
１０２のいずれかは、量子井戸の真性領域を使用してい
ない標準的なｐ−ｉ−ｎダイオードで置き換えることが
できる。このよう場合、このダイオードの組合せが、ｐ
−ｉ−ｎダイオードを負荷として持つ自己電気光学効果
デバイスになるように、残りのダイオードは量子井戸ｐ
−ｉ−ｎダイオードであることが要求される。このよう
な組合せでは、活動出力および、実際には、唯一の出力
は、量子井戸ｐ−ｉ−ｎダイオードの出力から引き出さ
れる。
従来技術では、Ｓ−ＳＥＥＤに基づいたメモリ論理素子
（Ｓ−Ｒフリップフロップ）は、あるデータ信号が一方
のダイオードに印加されると他のデータ信号はもう一方
のダイオードに印加される必要があった。最近の従来技
術では、Ｓ−ＳＥＥＤに基づいたプログラマブル光学組
合せ論理ゲートは、両方のデータ信号が結合されてＳ−
ＳＥＥＤの同一のダイオードに入射され、両方のデータ
信号の補数が結合されてもう一方のダイオードに入射さ
れる必要があった。これらの方法とは対照的に、本発明
のプログラマブル光学組合せ論理ゲートは、Ｓ−ＳＥＥ
Ｄの一方のダイオードに入射する参照しきい値信号ビー
ムで特定のブール関数（ＡＮＤ、ＯＲ）をプログラム
し、結合したデータ信号ビームをもう一方のダイオード
に入射する。
（Ｓ−Ｒフリップフロップ）は、あるデータ信号が一方
のダイオードに印加されると他のデータ信号はもう一方
のダイオードに印加される必要があった。最近の従来技
術では、Ｓ−ＳＥＥＤに基づいたプログラマブル光学組
合せ論理ゲートは、両方のデータ信号が結合されてＳ−
ＳＥＥＤの同一のダイオードに入射され、両方のデータ
信号の補数が結合されてもう一方のダイオードに入射さ
れる必要があった。これらの方法とは対照的に、本発明
のプログラマブル光学組合せ論理ゲートは、Ｓ−ＳＥＥ
Ｄの一方のダイオードに入射する参照しきい値信号ビー
ムで特定のブール関数（ＡＮＤ、ＯＲ）をプログラム
し、結合したデータ信号ビームをもう一方のダイオード
に入射する。
上で述べたように、Ｓ−ＳＥＥＤおよび論理制御装置１
０３の組合せ全体が、要求されるブール関数規制に従う
プログラマブル光学論理デバイスとして動作するよう
に、論理制御装置１０３は特定のブール関数が実行され
るようにプログラムをする。論理制御装置１０３はＲＥ
Ｆで示されているほぼ一定の光学パワービーム１０５を
生成する。実際、この光ビームは参照しきい値として動
作し、これに対してデータ信号ＡおよびＢを結合したパ
ワー（ｐＣ＝ｐＡ＋ｐＢ）が比例して測定される。すな
わち、ｐREFを信号ＲＥＦのパワーとして、ｐＣ／ｐREF
＞Ｔ≒１．１の場合、ダイオード１０１は実質的透過状
態に変化し、出力信号Ｑを生成する。この信号のパワー
は入力信号（ＲＥＦ）パワーの約３２％であり、それに
よってＱを論理的に“１”に設定する。ｐREF／ｐＣ＞
Ｔ≒１．１の場合、ダイオード１０１は実質的吸収状態
に変化し、入力信号（ＲＥＦ）パワーの約１９％のパワ
ーレベルの出力信号Ｑを生成し、それによってＱを論理
的“０”に設定する。
０３の組合せ全体が、要求されるブール関数規制に従う
プログラマブル光学論理デバイスとして動作するよう
に、論理制御装置１０３は特定のブール関数が実行され
るようにプログラムをする。論理制御装置１０３はＲＥ
Ｆで示されているほぼ一定の光学パワービーム１０５を
生成する。実際、この光ビームは参照しきい値として動
作し、これに対してデータ信号ＡおよびＢを結合したパ
ワー（ｐＣ＝ｐＡ＋ｐＢ）が比例して測定される。すな
わち、ｐREFを信号ＲＥＦのパワーとして、ｐＣ／ｐREF
＞Ｔ≒１．１の場合、ダイオード１０１は実質的透過状
態に変化し、出力信号Ｑを生成する。この信号のパワー
は入力信号（ＲＥＦ）パワーの約３２％であり、それに
よってＱを論理的に“１”に設定する。ｐREF／ｐＣ＞
Ｔ≒１．１の場合、ダイオード１０１は実質的吸収状態
に変化し、入力信号（ＲＥＦ）パワーの約１９％のパワ
ーレベルの出力信号Ｑを生成し、それによってＱを論理
的“０”に設定する。
このデバイスのプログラム可能な動作を理解するために
は、第２および第３図に注意を向けるべきである。非否
定論理関数ＡＮＤおよびＯＲに対する動作の説明を以下
で行う。
は、第２および第３図に注意を向けるべきである。非否
定論理関数ＡＮＤおよびＯＲに対する動作の説明を以下
で行う。
第２図は、与えられた光学データ信号ＡおよびＢに関し
て、第１図のプログラマブル光学論理デバイスのＯＲゲ
ードの動作に対する光信号パワーレベルを含む真理値表
であ。参照しきい値信号に対するパワーレベルは、 （２ｐ０（ｐ０＋ｐ１））1/2に設定されており、ＴＨ
１で示されている。ただし、ｐ０は論理的“０”レベル
での入力信号の光学パワーであり、ｐ１は論理的“１”
レベルでの入力信号の光学パワーである。論理的“１”
レベルの入力信号のパワーは論理的“０”レベルでの入
力信号のパワーよりも大きいので、信号ＲＥＦに対する
所定のパワーレベルは、データ信号ＡおよびＢが論理的
に逆のレベルにあるか、または、両方とも論理的“１”
レベルにある場合に信号Ｑを論理的“１”状態に切り替
えるのに十分であることは明らかである。また、信号Ｒ
ＥＦに対する所定のパワーレベルは、データ信号Ａおよ
びＢが両方とも論理的“０”レベルにある場合、信号Ｑ
を論理的“０”レベルに保ち、あるいは、そのレベルに
切り替えるのに十分である。従って、第１図のプログラ
マブル光学論理デバイスは、第２図に示されている真理
値表に従ったレベルの信号を使用して動作する場合は、
論理的ＯＲゲートとして動作可能である。
て、第１図のプログラマブル光学論理デバイスのＯＲゲ
ードの動作に対する光信号パワーレベルを含む真理値表
であ。参照しきい値信号に対するパワーレベルは、 （２ｐ０（ｐ０＋ｐ１））1/2に設定されており、ＴＨ
１で示されている。ただし、ｐ０は論理的“０”レベル
での入力信号の光学パワーであり、ｐ１は論理的“１”
レベルでの入力信号の光学パワーである。論理的“１”
レベルの入力信号のパワーは論理的“０”レベルでの入
力信号のパワーよりも大きいので、信号ＲＥＦに対する
所定のパワーレベルは、データ信号ＡおよびＢが論理的
に逆のレベルにあるか、または、両方とも論理的“１”
レベルにある場合に信号Ｑを論理的“１”状態に切り替
えるのに十分であることは明らかである。また、信号Ｒ
ＥＦに対する所定のパワーレベルは、データ信号Ａおよ
びＢが両方とも論理的“０”レベルにある場合、信号Ｑ
を論理的“０”レベルに保ち、あるいは、そのレベルに
切り替えるのに十分である。従って、第１図のプログラ
マブル光学論理デバイスは、第２図に示されている真理
値表に従ったレベルの信号を使用して動作する場合は、
論理的ＯＲゲートとして動作可能である。
第３図は、与えられた光学データ信号ＡおよびＢに関し
ては、第１図のプログラマブル光学論理デバイスのＡＮ
Ｄゲートの動作に対する光信号パワーレベルを含む真理
値表である、参照しきい値信号に対するパワーレベル
は、 約（２ｐ１（ｐ０＋ｐ１））1/2に設定されており、Ｔ
Ｈ２で示されている。ただし、ｐ０は論理的“０”レベ
ルでの入力信号の光学パワーであり、ｐ１は理論的
“１”レベルでの入力信号の光学パワーである。論理的
“１”レベルでの入力信号のパワーは理論的“０”レベ
ルでの入力信号のパワーよりも大きい（すなわち、ｐ１
＞ｐ０）ので、信号ＲＥＦに対する所定のパワーレベル
は、データ信号ＡおよびＢが両方とも論理的“１”レベ
ルにある場合に信号Ｑを論理的“１”状態に切り替える
のに十分であることは明らかである。また、信号ＲＥＦ
に対する所定のパワーレベルは、データ信号ＡおよびＢ
が論理的に逆のレベルにあるか、または、両方とも論理
的“０”レベルにある場合に、信号Ｑを論理的“０”レ
ベルに切り替えるのに十分である。従って、第１図のプ
ログラマブル光学論理デバイスは、第３図に示されてい
る真理値表に従ったレベルの信号を使用して動作する場
合は、論理的ＡＮＤゲートとして動作可能である。
ては、第１図のプログラマブル光学論理デバイスのＡＮ
Ｄゲートの動作に対する光信号パワーレベルを含む真理
値表である、参照しきい値信号に対するパワーレベル
は、 約（２ｐ１（ｐ０＋ｐ１））1/2に設定されており、Ｔ
Ｈ２で示されている。ただし、ｐ０は論理的“０”レベ
ルでの入力信号の光学パワーであり、ｐ１は理論的
“１”レベルでの入力信号の光学パワーである。論理的
“１”レベルでの入力信号のパワーは理論的“０”レベ
ルでの入力信号のパワーよりも大きい（すなわち、ｐ１
＞ｐ０）ので、信号ＲＥＦに対する所定のパワーレベル
は、データ信号ＡおよびＢが両方とも論理的“１”レベ
ルにある場合に信号Ｑを論理的“１”状態に切り替える
のに十分であることは明らかである。また、信号ＲＥＦ
に対する所定のパワーレベルは、データ信号ＡおよびＢ
が論理的に逆のレベルにあるか、または、両方とも論理
的“０”レベルにある場合に、信号Ｑを論理的“０”レ
ベルに切り替えるのに十分である。従って、第１図のプ
ログラマブル光学論理デバイスは、第３図に示されてい
る真理値表に従ったレベルの信号を使用して動作する場
合は、論理的ＡＮＤゲートとして動作可能である。
当業者には明らかなように、第３図のＱ出力に対する論
理的レベルに現れているダッシュ記号は、第２図に示さ
れたレベルとは差があるということを示している。この
ことが起こるのは、ダイオード１０１に供給される参照
しきい値信号ＲＥＦがＡＮＤゲートの動作とＯＲゲート
の動作では異なるレベルを持っているからである。結果
として、ダイオード１０１からの出力信号Ｑは、ＡＮＤ
ゲートの動作が要求される場合には対応してわずかに高
いレベルに変化する。
理的レベルに現れているダッシュ記号は、第２図に示さ
れたレベルとは差があるということを示している。この
ことが起こるのは、ダイオード１０１に供給される参照
しきい値信号ＲＥＦがＡＮＤゲートの動作とＯＲゲート
の動作では異なるレベルを持っているからである。結果
として、ダイオード１０１からの出力信号Ｑは、ＡＮＤ
ゲートの動作が要求される場合には対応してわずかに高
いレベルに変化する。
結合したデータ信号Ｃに対して第２および第３図の真理
値表に示された光学パワーレベルは、個々のデータ信号
ＡおよびＢの適当な論理状態に対する光学パワーレベル
の和をとることによって求められることに注意すべきで
ある。入力データ信号の論理状態に対する適当なレベル
を決定するために、論理的“０”および“１”の入力パ
ワーレベルが、ランダムパワー単位（ｐ．ｕ．）で規格
化された先行するデバイスからの論理的“０”および
“１”の出力パワーレベルにほぼ等しく設定されること
が提案されている。すなわち、論理的“１”は、規格化
された光学パワーレベルで３２ｐ．ｕ．を持つと仮定さ
れ、論理的“０”は、規格化された光学パワーレベルで
１９ｐ．ｕ．を持つと仮定される。規格化されたパワー
単位を使用して、ＡＮＤゲートおよびＯＲゲートの動作
に対する出力信号（Ｑ）の論理的レベルの差が次のよう
にわかる。
値表に示された光学パワーレベルは、個々のデータ信号
ＡおよびＢの適当な論理状態に対する光学パワーレベル
の和をとることによって求められることに注意すべきで
ある。入力データ信号の論理状態に対する適当なレベル
を決定するために、論理的“０”および“１”の入力パ
ワーレベルが、ランダムパワー単位（ｐ．ｕ．）で規格
化された先行するデバイスからの論理的“０”および
“１”の出力パワーレベルにほぼ等しく設定されること
が提案されている。すなわち、論理的“１”は、規格化
された光学パワーレベルで３２ｐ．ｕ．を持つと仮定さ
れ、論理的“０”は、規格化された光学パワーレベルで
１９ｐ．ｕ．を持つと仮定される。規格化されたパワー
単位を使用して、ＡＮＤゲートおよびＯＲゲートの動作
に対する出力信号（Ｑ）の論理的レベルの差が次のよう
にわかる。
規格化されたパワー単位に関寸る以上の説明は、本発明
を理解するために、例を用いて明確化のためになされた
ものであり、本発明の制限を目的とするものでないこと
を理解すべきである。
を理解するために、例を用いて明確化のためになされた
ものであり、本発明の制限を目的とするものでないこと
を理解すべきである。
排他的ＯＲゲートおよびその演算真理値表がそれぞれ第
４および第５図に示されている。図示されているよう
に、光学排他的ＯＲゲートは、第１および第３図に関し
て上で説明したような光学ＡＮＤゲート４０１、第１お
よび第２図に関して説明した光学ＯＲゲート４０２およ
び直列に接続されたダイオード４１０および４１１から
なる標準的なＳ−Ｒフリップフロップを含む。データ入
力信号Ａ（ビーム４０５および４０７）ならびにＢ（ビ
ーム４０６および４０８）が排他的ＯＲゲートに供給さ
れる。即値データ信号Ｒ（ビーム４０３）およびＳ（ビ
ーム４０４）が、論理ゲートの初期段階から出力され
る。出力信号Ｑが排他的ＯＲ出力を表現する。また、第
４図に示されているのは排他的ＯＲゲートからの補数出
力信号Ｑ−であり、これによって光学排他的ＯＲゲート
からの二重レール動作（相補的な出力信号の生成）が可
能になる。
４および第５図に示されている。図示されているよう
に、光学排他的ＯＲゲートは、第１および第３図に関し
て上で説明したような光学ＡＮＤゲート４０１、第１お
よび第２図に関して説明した光学ＯＲゲート４０２およ
び直列に接続されたダイオード４１０および４１１から
なる標準的なＳ−Ｒフリップフロップを含む。データ入
力信号Ａ（ビーム４０５および４０７）ならびにＢ（ビ
ーム４０６および４０８）が排他的ＯＲゲートに供給さ
れる。即値データ信号Ｒ（ビーム４０３）およびＳ（ビ
ーム４０４）が、論理ゲートの初期段階から出力され
る。出力信号Ｑが排他的ＯＲ出力を表現する。また、第
４図に示されているのは排他的ＯＲゲートからの補数出
力信号Ｑ−であり、これによって光学排他的ＯＲゲート
からの二重レール動作（相補的な出力信号の生成）が可
能になる。
第４図から省略されているが、当業者には明らかなよう
に、Ｓ−Ｒフリップフロップの各ダイオードに供給する
光学クロック信号を生成するためのクロック源が、第４
図の装置へのオプションの組み込みとして企図されてい
る。このようなオプションの装置では、クロック信号が
印加されている期間中は即値データ信号を抑止する必要
がある場合がある。このようなクロック信号の使用法
は、Ａ．レンティーン(A.Lentine)他、「ポストデッド
ライン・ペーパーズ、プロシーディングズ・オヴ・コン
ファレンス・オン・レーザーズ・アンド・エレクトロオ
プティクス(Postdeadline Papers,Proceedings of Conf
erence on Lasers and Electrooptics)」論文ＴｈＴ１
２（１９８７年）および「プロシーディングズ・オヴ・
コンファレンス・オン・レーザーズ・アンド・エレクト
ロオプティクス(Proceedings of Conference on Lasers
and Electrooptics)」論文ＴＵＥ３（１９８８年）に
よる記事と、前記の特許第４７５４１３２号に開示され
ている。クロック信号が存在しない場合、組合せ論理ゲ
ートは、特定のクロック間隔の間だけではなくほぼ全時
間にわたって妥当な出力レベルを示すことができる。
に、Ｓ−Ｒフリップフロップの各ダイオードに供給する
光学クロック信号を生成するためのクロック源が、第４
図の装置へのオプションの組み込みとして企図されてい
る。このようなオプションの装置では、クロック信号が
印加されている期間中は即値データ信号を抑止する必要
がある場合がある。このようなクロック信号の使用法
は、Ａ．レンティーン(A.Lentine)他、「ポストデッド
ライン・ペーパーズ、プロシーディングズ・オヴ・コン
ファレンス・オン・レーザーズ・アンド・エレクトロオ
プティクス(Postdeadline Papers,Proceedings of Conf
erence on Lasers and Electrooptics)」論文ＴｈＴ１
２（１９８７年）および「プロシーディングズ・オヴ・
コンファレンス・オン・レーザーズ・アンド・エレクト
ロオプティクス(Proceedings of Conference on Lasers
and Electrooptics)」論文ＴＵＥ３（１９８８年）に
よる記事と、前記の特許第４７５４１３２号に開示され
ている。クロック信号が存在しない場合、組合せ論理ゲ
ートは、特定のクロック間隔の間だけではなくほぼ全時
間にわたって妥当な出力レベルを示すことができる。
データ信号Ａに対応する光学入力ビーム４０５および４
０７は、データ信号Ａをビーム分割器（図示されていな
い）に通過させ、分割された２つのほとんど同一の光ビ
ームが適当な論理ゲートに入射するように、形成され
る。同様の方法が、データ信号Ｂに対応し、適当な論理
ゲートに入射する光学入力ビーム４０６および４０８を
生成するために使用される。
０７は、データ信号Ａをビーム分割器（図示されていな
い）に通過させ、分割された２つのほとんど同一の光ビ
ームが適当な論理ゲートに入射するように、形成され
る。同様の方法が、データ信号Ｂに対応し、適当な論理
ゲートに入射する光学入力ビーム４０６および４０８を
生成するために使用される。
ＡＮＤゲート４０１は、第１および第３図ならびにそれ
に関連した説明に従って実現される光学ＡＮＤゲートで
ある。ＡＮＤゲート４０１は、データ信号ＡおよびＢに
作用して、Ａ・Ｂに等しい即値データ信号Ｒに対応する
光学ビーム４０３を生成する。
に関連した説明に従って実現される光学ＡＮＤゲートで
ある。ＡＮＤゲート４０１は、データ信号ＡおよびＢに
作用して、Ａ・Ｂに等しい即値データ信号Ｒに対応する
光学ビーム４０３を生成する。
ＯＲゲート４０２は、第１および第２図ならびにそれに
関連した説明に従って実現される光学ＡＮＤゲートであ
る。ＯＲゲート４０２は、データ信号ＡおよびＢに作用
して、Ａ＋Ｂに等しい即値データ信号Ｓに対応する光ビ
ーム４０４を生成する。
関連した説明に従って実現される光学ＡＮＤゲートであ
る。ＯＲゲート４０２は、データ信号ＡおよびＢに作用
して、Ａ＋Ｂに等しい即値データ信号Ｓに対応する光ビ
ーム４０４を生成する。
即値データ信号Ｒはダイオード４１０に入射し、即値デ
ータ信号Ｓはダイオード４１１に入射する。ダイオード
４１０および４１１はリード線４１４によって直列に接
続され、逆バイアス電圧Ｖがかかっている。従って、ダ
イオード４１０および４１１はＳ−ＳＥＥＤ・Ｓ−Ｒフ
リップフロップを形成している。Ｓ−Ｒフリップフロッ
プは、信号ＱおよびＱ−にそれぞれ対応する出力信号ビ
ーム４１５および４１６を生成する。動作中は、出力信
号Ｑはデータ信号ＡおよびＢに対して実行される排他的
ＯＲ関数を表す。すなわち、Ｑ＝ＡＢである。出力信
号Ｑ−は出力信号Ｑの補数を表す。ＡＮＤゲート４０１
およびＯＲゲート４０２で使用された参照しきい値の所
定の値によって、Ｓ−Ｒフリップフロップがある論理状
態から他の論理状態に切ら替わるのに十分なレベルで、
即値データ信号ＲおよびＳを生成することができる。第
５図に示されている論理的“１”および“０”状態に関
連して使用されているダッシュ記号は、上で説明したの
と同じ意味を持っている。
ータ信号Ｓはダイオード４１１に入射する。ダイオード
４１０および４１１はリード線４１４によって直列に接
続され、逆バイアス電圧Ｖがかかっている。従って、ダ
イオード４１０および４１１はＳ−ＳＥＥＤ・Ｓ−Ｒフ
リップフロップを形成している。Ｓ−Ｒフリップフロッ
プは、信号ＱおよびＱ−にそれぞれ対応する出力信号ビ
ーム４１５および４１６を生成する。動作中は、出力信
号Ｑはデータ信号ＡおよびＢに対して実行される排他的
ＯＲ関数を表す。すなわち、Ｑ＝ＡＢである。出力信
号Ｑ−は出力信号Ｑの補数を表す。ＡＮＤゲート４０１
およびＯＲゲート４０２で使用された参照しきい値の所
定の値によって、Ｓ−Ｒフリップフロップがある論理状
態から他の論理状態に切ら替わるのに十分なレベルで、
即値データ信号ＲおよびＳを生成することができる。第
５図に示されている論理的“１”および“０”状態に関
連して使用されているダッシュ記号は、上で説明したの
と同じ意味を持っている。
第６図は、インバータあるいは論理的ＮＯＴゲートを示
している。このゲートは、光ビーム６０５として参照し
きい値信号を生成するしきい値制御装置６０３を含む。
このビーム６０５は、直列接続されたダイオード６０
１、６０２からなるＳ−Ｒフリップフロップのセット
（Ｓ）入力に入射する。これらのダイオード６０１、６
０２はリード線６０４によって直列に接続され、逆バイ
アス電圧Ｖがかかっている。データ信号Ａの補数、すな
わち、信号Ａ−は、光ビーム６０７としてダイオード６
０１によって出力される。しきい値制御装置６０３から
の参照しきい値信号のパワーレベルは（ｐ０ｐ１）1/2
に選択される。
している。このゲートは、光ビーム６０５として参照し
きい値信号を生成するしきい値制御装置６０３を含む。
このビーム６０５は、直列接続されたダイオード６０
１、６０２からなるＳ−Ｒフリップフロップのセット
（Ｓ）入力に入射する。これらのダイオード６０１、６
０２はリード線６０４によって直列に接続され、逆バイ
アス電圧Ｖがかかっている。データ信号Ａの補数、すな
わち、信号Ａ−は、光ビーム６０７としてダイオード６
０１によって出力される。しきい値制御装置６０３から
の参照しきい値信号のパワーレベルは（ｐ０ｐ１）1/2
に選択される。
ある実際の実験例では、しきい値参照信号ビームＲＥＦ
は、標準的な、６３３ｎｍの音響光学変調ＨｅＮｅレー
ザによって、約６μＷから約１００μＷまでのピークパ
ワーレベルを使用して生成された。ＯＲゲートに対する
参照しきい値信号は約６．６μＷであり、ＡＮＤゲート
に対する参照しきい値信号は約８．６μＷである。明ら
かに、ダイオードによってよく吸収されるいかなる波長
でも使用することができる。上に引用した特殊例では、
Ｓ−ＳＥＥＤは、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子井戸真性
領域（公称８５０ｎｍ）を持つ量子井戸ｐ−ｉ−ｎダイ
オードからなる。論理ゲートに入射するデータ信号レベ
ルの例は、相補的な入力ビーム、すなわち、論理的
“１”および論理的“０”に対しそれぞれ約４．８μＷ
および２．８５μＷと推定されている。
は、標準的な、６３３ｎｍの音響光学変調ＨｅＮｅレー
ザによって、約６μＷから約１００μＷまでのピークパ
ワーレベルを使用して生成された。ＯＲゲートに対する
参照しきい値信号は約６．６μＷであり、ＡＮＤゲート
に対する参照しきい値信号は約８．６μＷである。明ら
かに、ダイオードによってよく吸収されるいかなる波長
でも使用することができる。上に引用した特殊例では、
Ｓ−ＳＥＥＤは、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子井戸真性
領域（公称８５０ｎｍ）を持つ量子井戸ｐ−ｉ−ｎダイ
オードからなる。論理ゲートに入射するデータ信号レベ
ルの例は、相補的な入力ビーム、すなわち、論理的
“１”および論理的“０”に対しそれぞれ約４．８μＷ
および２．８５μＷと推定されている。
以上の説明から、当業者には明らかなように、ここに記
述されたプログラマブル光学論理デバイスは、専用の論
理ゲートとして動作するか、または、実行される論理関
数が期間ごとに変化するようなプログラム可能モードで
動作するかのいずれかである。
述されたプログラマブル光学論理デバイスは、専用の論
理ゲートとして動作するか、または、実行される論理関
数が期間ごとに変化するようなプログラム可能モードで
動作するかのいずれかである。
プログラマブル光学論理デバイスは、同一光源から光信
号を引き出すことにより、光信号の強度変化を十分にま
ぬがれるように実現することができる。これは、Ｓ−Ｓ
ＥＥＤが入力信号の絶対強度ではなく入力パワーの比に
従って切替えを行うためである。
号を引き出すことにより、光信号の強度変化を十分にま
ぬがれるように実現することができる。これは、Ｓ−Ｓ
ＥＥＤが入力信号の絶対強度ではなく入力パワーの比に
従って切替えを行うためである。
上に述べたように、プログラマブル光学論理デバイス
は、標準的な通常の製造技術を使用して、他の光学論理
デバイスを含む他のデバイスとともに、１００×１００
のオーダーの大規模のアレイに集積することが可能であ
る。（Ｍ．Ｅ．プライズ(M.E.Prise)他、「ＯＳＡ・ト
ピカル・ミーティング・オン・フォトニック・スイッチ
ング(OSA Topical Meeting on Photonic Switching)」
（ソルトレイクシティー）論文ＰＤＰ５（１９８９年）
参照）。現在知られているアレイ生成技術は、光学パワ
ートラッキングが、強度変化に対する影響を受けないよ
うにすることを可能にする。
は、標準的な通常の製造技術を使用して、他の光学論理
デバイスを含む他のデバイスとともに、１００×１００
のオーダーの大規模のアレイに集積することが可能であ
る。（Ｍ．Ｅ．プライズ(M.E.Prise)他、「ＯＳＡ・ト
ピカル・ミーティング・オン・フォトニック・スイッチ
ング(OSA Topical Meeting on Photonic Switching)」
（ソルトレイクシティー）論文ＰＤＰ５（１９８９年）
参照）。現在知られているアレイ生成技術は、光学パワ
ートラッキングが、強度変化に対する影響を受けないよ
うにすることを可能にする。
上で説明した利点に加えて、プログラマブル光学論理デ
バイスから導かれる他の利点は、オプションのクロック
信号を使用することによってもバイアスに限界のないこ
とを可能とする時間順序利得、高利得（低入力パワー対
高出力パワー）、おおきいファンアウトを取ることがで
きるということである。
バイスから導かれる他の利点は、オプションのクロック
信号を使用することによってもバイアスに限界のないこ
とを可能とする時間順序利得、高利得（低入力パワー対
高出力パワー）、おおきいファンアウトを取ることがで
きるということである。
第１図は本発明の原理に従ってプログラマブル光学論理
デバイスの実施例を示す図、 第２図および第３図は第１図に示されたデバイスの演算
の異なるモードに関する論理真理値表、 第４図は本発明の原理に従って光学排他的ＯＲゲートの
例を示す図、 第５図は第４図に図示されたゲートの演算に関する論理
真理値表、 第６図は本発明の原理に従ってインバータの実施例を示
す図である。
デバイスの実施例を示す図、 第２図および第３図は第１図に示されたデバイスの演算
の異なるモードに関する論理真理値表、 第４図は本発明の原理に従って光学排他的ＯＲゲートの
例を示す図、 第５図は第４図に図示されたゲートの演算に関する論理
真理値表、 第６図は本発明の原理に従ってインバータの実施例を示
す図である。
Claims (14)
- 【請求項１】第１および第２の光学データ信号に対して
ブール論理演算を実行するプログラマブル光学論理装置
において、 第１および第２の光ダイオードを有し、これらのダイオ
ードは直列に接続されて所定のしきい値を持つ自己電気
光学効果デバイスを形成し、少なくとも前記第１の光ダ
イオードは半導体量子井戸領域を含み、前記第１の光ダ
イオードは第１および第２のレベルを持つ光学出力信号
を生成し； 前記第１の光ダイオードに入射し実行されるブール論理
演算を制御する光学参照しきい値信号を生成する手段を
有し； 前記第２の光ダイオードに入射する前記第１および第２
の光学データ信号を含み；および 全光学データ信号パワーに対する光学参照しきい値信号
パワーの比が所定のしきい値を超過したときに前記第１
レベルの前記光学出力信号を生成し、かつ、光学参照し
きい値信号パワーに対する全光学データ信号パワーの比
が所定のしきい値を超過したときに前記第２レベルの前
記光学出力信号を生成することを特徴とするプログラマ
ブル光学論理装置。 - 【請求項２】前記第１および第２の光学データ信号を結
合されたデータ信号に結合し、前記結合されたデータ信
号は前記第２の光ダイオードに入射する手段をさらに含
むことを特徴とする請求項１記載の装置。 - 【請求項３】前記第１および第２の光学データ信号の論
理的ＯＲ演算を実行する前記装置であって、各光学デー
タ信号は、第１の論理状態を表す第１のパワーレベルｐ
０および第２の論理状態を表す第２のパワーレベルｐ１
を持ち、前記光学参照しきい値信号パワーが２ｐ０より
大きくｐ０＋ｐ１よりも小さい（ただし、ｐ１＞ｐ０）
ことを特徴とする請求項１記載の装置。 - 【請求項４】前記第１および第２の光学データ信号を結
合されたデータ信号に結合し、前記結合されたデータ信
号は前記第２の光ダイオードに入射する手段をさらに含
む請求項３記載の装置。 - 【請求項５】光学参照しきい値信号パワーが（２ｐ
０（ｐ０＋ｐ１））1/2にほぼ等しいことを特徴とする
請求項４記載の装置。 - 【請求項６】前記第１および第２の光学データ信号の論
理的ＡＮＤ演算を実行する前記装置であって、各光学デ
ータ信号は、第１の論理状態を表す第１のパワーレベル
ｐ０および第２の論理状態を表す第２のパワーレベルｐ
１を持ち、前記光学参照しきい値信号パワーがｐ０＋ｐ
１より大きく２ｐ１よりも小さい（ただし、ｐ１＞
ｐ０）ことを特徴とする請求項１記載の装置。 - 【請求項７】前記第１および第２の光学データ信号を結
合されたデータ信号に結合し、前記結合されたデータ信
号は前記第２の光ダイオードに入射する手段を更に含む
ことを特徴とする請求項６記載の装置。 - 【請求項８】光学参照しきい値信号パワーが（２ｐ１
（ｐ０＋ｐ１））12にほぼ等しいことを特徴とする請求
項７記載の装置。 - 【請求項９】光学データ信号に対して論理演算を実行す
るプログラマブル光学論理装置において、 第１および第２の光ダイオードを有し、これらのダイオ
ードは直列に接続されて所定のしきい値を持つ自己電気
光学効果デバイスを形成し、少なくとも前記第１の光ダ
イオードは半導体量子井戸領域を含み、前記第１の光ダ
イオードは第１および第２のレベルを持つ光学出力信号
を生成し； 第２光ダイオードに入射し、実行される論理演算が前記
光学データ信号の論理的反転であるよう制御する光学参
照しきい値信号を生成する手段を有し、 前記第１の光ダイオードに、前記光学データ信号を入射
し、 全光学データ信号パワーに対する光学参照しきい値信号
パワーの比が所定のしきい値を超過したときに前記第１
のレベルの前記光学出力信号を生成し、かつ、光学参照
しきい値信号パワーに対する全光学データ信号パワーの
比が所定のしきい値を超過したときに前記第２のレベル
の前記光学出力信号を生成することを特徴とするプログ
ラマブル光学論理装置。 - 【請求項１０】前記光学データ信号が第１の論理状態を
表す第１のパワーレベルｐ０および第２の論理状態を表
す第２のパワーレベルｐ１を持ち、前記光学参照しきい
値信号パワーがｐ０より大きく、ｐ１よりも小さいこと
を特徴とする請求項９記載の装置。 - 【請求項１１】光学参照しきい値信号パワーが、 （ｐ０ｐ１）1/2にほぼ等しいことを特徴とする請求項
１０記載の装置。 - 【請求項１２】第１および第２の論理ゲートならびに論
理メモリ素子を有し、第１および第２の光学データ信号
に対してブール論理演算を実行するプログラマブル光学
論理装置において、 第１および第２の論理ゲートは、それぞれ第１および第
２の光ダイオードからなり、これらのダイオードは直列
に接続されて所定のしきい値を持つ自己電気光学効果デ
バイスを形成し、少なくとも前記第１の光ダイオードは
半導体量子井戸領域を含み、前記第１の光ダイオードは
第１および第２のレベルを持つ光学出力信号を生成し； 前記第１および第２の光学データ信号は前記第２の光ダ
イオードに入射し； 光学参照しきい値信号を生成する手段を有し、前記光学
参照しきい値信号の１つが前記第１の光ダイオードに入
射して各論理ゲートによって実行されるブール論理演算
を制御し； 各論理ゲートは全光学データ信号パワーに対する光学参
照しきい値信号パワーの比が所定のしきい値を超過した
ときに前記第１のレベルの前記光学出力信号を生成し、
光学参照しきい値信号パワーに対する全光学データ信号
パワーの比が所定のしきい値を超えたときに前記第２の
レベルの前記光学出力信号を生成し； 前記第１の論理ゲートは前記第１および第２の光学デー
タ信号に対する論理的ＡＮＤ演算を実行し、そのとき各
光学データ信号は、第１の論理状態を表す第１のパワー
レベルｐ０および第２の論理状態を表す第２のパワーレ
ベルｐ１を持ち、前記第１の論理ゲートに供給される前
記光学参照しきい値信号パワーはｐ０＋ｐ１よりも大き
く、２ｐ１よりも小さく（ただし、ｐ１＞ｐ０）、前記
第２の論理ゲートは前記第１および第２の光学データ信
号に対し論理的ＯＲ演算を実行し、そのとき前記第２の
論理ゲートに供給される前記光学参照しきい値信号パワ
ーは２ｐ０よりも大きく、ｐ０＋ｐ１よりも小さく； 前記論理メモリ素子は、第３および第４の光ダイオード
からなり、これらのダイオードは直列に接続されて所定
のしきい値を持つ自己電気光学効果デバイスをなし、少
なくとも前記第３の光ダイオードは半導体量子井戸領域
を含み、前記第３の光ダイオードは第１および第２のレ
ベルを持つ光学出力信号を生成し、前記第１の論理ゲー
トからの前記光学出力信号は前記第３の光ダイオードに
供給され、前記第２の論理ゲートからの前記出力信号は
前記第４の光ダイオードに供給され； 前記論理メモリ素子からの前記光学出力信号を、前記第
１および第２の光学データ信号に対する排他的ＯＲ関数
として生成するなることを特徴とするプログラマブル光
学論理装置。 - 【請求項１３】前記第１および第２の光学データ信号を
結合されたデータ信号へと結合し、そのとき、結合され
たデータ信号は、前記第１および第２の論理ゲートのそ
れぞれの前記第２の光ダイオードに入射する手段をさら
に含むことを特徴とする請求項１２記載の装置。 - 【請求項１４】前記第１の論理ゲートへの前記光学参照
しきい値信号パワーが、 ほぼ（２ｐ１（ｐ０＋ｐ１））1/2に等しく、前記第２
の論理ゲートへの前記光学参照しきい値信号パワーが、
ほぼ（２ｐ０（ｐ０＋ｐ１））1/2に等しいことを特徴
とする請求項１３記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US359252 | 1989-05-31 | ||
| US07/359,252 US4904858A (en) | 1989-05-31 | 1989-05-31 | Programmable optical logic devices operable by measuring the ratio of optical data signal power to optical reference threshold power |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0318834A JPH0318834A (ja) | 1991-01-28 |
| JPH0625836B2 true JPH0625836B2 (ja) | 1994-04-06 |
Family
ID=23413009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2138674A Expired - Lifetime JPH0625836B2 (ja) | 1989-05-31 | 1990-05-30 | プログラマブル光学論理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4904858A (ja) |
| JP (1) | JPH0625836B2 (ja) |
| DE (1) | DE4017401C2 (ja) |
| GB (1) | GB2233133B (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4967068A (en) * | 1989-08-28 | 1990-10-30 | At&T Bell Laboratories | Single-ended optical logic arrangement |
| US4959534A (en) * | 1989-08-28 | 1990-09-25 | At&T Bell Laboratories | Differential optical logic arrangement |
| US5111034A (en) * | 1989-09-27 | 1992-05-05 | Omron Corporation | Apparatus utilizing light emitting semiconductor device |
| US5093565A (en) * | 1990-07-18 | 1992-03-03 | At&T Bell Laboratories | Apparatus for sequential optical systems where an independently controllable transmission gate is interposed between successive optoelectronic gates |
| US5146078A (en) * | 1991-01-10 | 1992-09-08 | At&T Bell Laboratories | Articles and systems comprising optically communicating logic elements including an electro-optical logic element |
| US5198656A (en) * | 1991-06-06 | 1993-03-30 | At&T Bell Laboratories | Dynamic optical logic using voltage pull up |
| US6128110A (en) * | 1991-10-23 | 2000-10-03 | Bulow; Jeffrey A. | Apparatus for optical signal processing |
| DE4225511C2 (de) * | 1992-08-01 | 1999-06-10 | Bosch Gmbh Robert | Codier- und Decodierschaltung |
| US5251052A (en) * | 1992-09-02 | 1993-10-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | System for solving boolean equations using optical lookup tables |
| US5623140A (en) * | 1994-11-15 | 1997-04-22 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Nonbiased bistable optical device having a lower mirror having a plurality of reflective layers repeatedly formed on a substrate |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4546244A (en) * | 1984-03-14 | 1985-10-08 | At&T Bell Laboratories | Nonlinear and bistable optical device |
| DE3519252A1 (de) * | 1985-05-29 | 1986-12-04 | Fresenius AG, 6380 Bad Homburg | Fehlersichere logikschaltung |
| US4754132A (en) * | 1987-04-24 | 1988-06-28 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Symmetric optical device with quantum well absorption |
| US4751378B1 (en) * | 1987-04-24 | 2000-04-25 | Bell Telephone Labor Inc | Optical device with quantum well absorption |
-
1989
- 1989-05-31 US US07/359,252 patent/US4904858A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-05-25 GB GB9011703A patent/GB2233133B/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-05-30 DE DE4017401A patent/DE4017401C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-05-30 JP JP2138674A patent/JPH0625836B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0318834A (ja) | 1991-01-28 |
| DE4017401C2 (de) | 1997-10-16 |
| DE4017401A1 (de) | 1990-12-06 |
| GB9011703D0 (en) | 1990-07-18 |
| GB2233133B (en) | 1993-06-16 |
| US4904858A (en) | 1990-02-27 |
| GB2233133A (en) | 1991-01-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4751378A (en) | Optical device with quantum well absorption | |
| US4978842A (en) | Programmable optical logic device with complementary inputs | |
| US4754132A (en) | Symmetric optical device with quantum well absorption | |
| US4689793A (en) | Optical logic and memory apparatus | |
| JPH0625836B2 (ja) | プログラマブル光学論理装置 | |
| US4967068A (en) | Single-ended optical logic arrangement | |
| JP2724270B2 (ja) | 光スイッチ | |
| US4810050A (en) | Optical inverter and logic devices using same with buffer limited electrical interface | |
| JPH0738058B2 (ja) | 光デバイス | |
| US4959534A (en) | Differential optical logic arrangement | |
| JPH06281987A (ja) | 光デジタル記憶装置 | |
| JPH0585889B2 (ja) | ||
| JP2978503B2 (ja) | 全光学型光制御素子 | |
| Soccolich et al. | Cascade of ultrafast soliton-dragging and trapping logic gates | |
| JPH0277030A (ja) | 光論理回路 | |
| Lentine et al. | Integrated array of self electro-optic effect device logic gates | |
| JP2812494B2 (ja) | 光機能素子の駆動方法 | |
| JPS63128319A (ja) | 光パルス発生器 | |
| JPH02190830A (ja) | 光ｎａｎｄゲート | |
| JPH0297920A (ja) | 光ｎａｎｄゲート | |
| Roos et al. | Integrated optical maze | |
| JPH07107591B2 (ja) | 光情報記憶回路 | |
| Kanellos et al. | Optical RAM devices and architectures: A way to solve the “Memory Wall” problem? | |
| Miller | Self Electro-optic Effect Devices for Optical Processing Applications | |
| Lentine | Application Specific Self Electro-optic Effect Devices |