JPS5911635A - 金属コ−テイング膜の製造方法 - Google Patents
金属コ−テイング膜の製造方法Info
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- JPS5911635A JPS5911635A JP57120908A JP12090882A JPS5911635A JP S5911635 A JPS5911635 A JP S5911635A JP 57120908 A JP57120908 A JP 57120908A JP 12090882 A JP12090882 A JP 12090882A JP S5911635 A JPS5911635 A JP S5911635A
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- film
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- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
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- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電力用半導体装置に半導体基板の保護または
温度補償に用いる電極板の表面に端子等との半田付性を
良くする為に周辺部まで均一・な厚さのコーテイング膜
を形成する・μｓ造方法に関するものである。
温度補償に用いる電極板の表面に端子等との半田付性を
良くする為に周辺部まで均一・な厚さのコーテイング膜
を形成する・μｓ造方法に関するものである。
従来、電極板表面の金属コーティングは、自然圧溶融に
よって形成されていた。しかしながら、この方法による
と次の様な欠点があった。
よって形成されていた。しかしながら、この方法による
と次の様な欠点があった。
以下図面により説明する。
第１図（ａ）でカーボン治具３に電極板とするタングス
テン板またはモリブデン板等２金入れ、その上にコーテ
ィング材料とする金属箔１を置く。次に第１図（ｂ）で
炉に入れ水素中自然圧で金属箔１を溶融すると第１図（
Ｃ）のようになる。その後冷却すると第１図（ｄｌのよ
うにコーティング材料は、材料の表面張力により中央に
集まり、厚くなると共に。
テン板またはモリブデン板等２金入れ、その上にコーテ
ィング材料とする金属箔１を置く。次に第１図（ｂ）で
炉に入れ水素中自然圧で金属箔１を溶融すると第１図（
Ｃ）のようになる。その後冷却すると第１図（ｄｌのよ
うにコーティング材料は、材料の表面張力により中央に
集まり、厚くなると共に。
周辺部は非常に薄くなり、形成されたコーテイング膜４
け、山型になってしまう欠点があった。
け、山型になってしまう欠点があった。
この様な電極板を半導体装置の組立部品として使用する
際、上記の如き山型になったコーテイング膜の上に端子
等を半田付すると半田厚が不均一になり、半田の流れが
悪くなるばかりでなく、半田付は強度が小さい、平行度
が恐い（端子が傾く）等の不具合発生の原因となる為、
生産上の阻害要因となっていた。
際、上記の如き山型になったコーテイング膜の上に端子
等を半田付すると半田厚が不均一になり、半田の流れが
悪くなるばかりでなく、半田付は強度が小さい、平行度
が恐い（端子が傾く）等の不具合発生の原因となる為、
生産上の阻害要因となっていた。
本発明は、これらの欠点を解決し、平担で均一な厚さの
コーテイング膜を形成するＷ１規な剰造方法全提供する
ものである。
コーテイング膜を形成するＷ１規な剰造方法全提供する
ものである。
本発明の特徴は、電力用半導体素子に用いる電極板ある
いは温度補償板の表面に金属コーテイング膜を形成する
場合において、カーボン治具に電極板を置き、コーテイ
ング膜の材料となる金属箔をその上に置き、さらにカー
ボン治具を重ね、水素中で力日圧溶融し、その後冷却し
て、全面または、選択的なコーテイング膜を周辺部まで
均一な厚さに形成する金属コーテイング膜の製造方法に
ある。
いは温度補償板の表面に金属コーテイング膜を形成する
場合において、カーボン治具に電極板を置き、コーテイ
ング膜の材料となる金属箔をその上に置き、さらにカー
ボン治具を重ね、水素中で力日圧溶融し、その後冷却し
て、全面または、選択的なコーテイング膜を周辺部まで
均一な厚さに形成する金属コーテイング膜の製造方法に
ある。
本発明により形成されたコーテイング面上には、良好々
半田付けが可能となる。
半田付けが可能となる。
第２図（ａ）〜（ｄ）及び第３図（ａ）〜（ｄ）、第４
図は、本発明の実施例であって第２図（ａ）〜（ｄ）は
全面コーティングの工程実施例であり、第３図（ａ）〜
（ｄ）は選択コーティングの工程実施例である。第２図
（ａ）〜（ｄ）で説明する。まず第２図１ａ）のように
カーボン治具３に電極板２とコーティング材料となる金
属箔１とを組み込む。次に第２図（ｂ）のようにその上
にカーボン製の重フ５を重ねて炉に入れ、水素中で溶融
する。この時、第２図１ｃ）に示す様に、°カーボン裏
型り５と電極板２の上面との間に出来た隙間にコーティ
ング材料が２の周辺部まで広がる。このまま冷却するこ
とで、第２図（ｄ）に示す形状のコーテイング膜４を得
ることができる。コーテイング膜４の厚さは、カーボン
治具３上面と電機板または温度補償板２の上面との差に
よって決めることが出来る。この差とコーティング材料
となる金属箔１の厚さを同じにすることで、目的の場所
に金属箔と同じ広さのコーテイング膜４を得ることが出
来る。
図は、本発明の実施例であって第２図（ａ）〜（ｄ）は
全面コーティングの工程実施例であり、第３図（ａ）〜
（ｄ）は選択コーティングの工程実施例である。第２図
（ａ）〜（ｄ）で説明する。まず第２図１ａ）のように
カーボン治具３に電極板２とコーティング材料となる金
属箔１とを組み込む。次に第２図（ｂ）のようにその上
にカーボン製の重フ５を重ねて炉に入れ、水素中で溶融
する。この時、第２図１ｃ）に示す様に、°カーボン裏
型り５と電極板２の上面との間に出来た隙間にコーティ
ング材料が２の周辺部まで広がる。このまま冷却するこ
とで、第２図（ｄ）に示す形状のコーテイング膜４を得
ることができる。コーテイング膜４の厚さは、カーボン
治具３上面と電機板または温度補償板２の上面との差に
よって決めることが出来る。この差とコーティング材料
となる金属箔１の厚さを同じにすることで、目的の場所
に金属箔と同じ広さのコーテイング膜４を得ることが出
来る。
第５図（ａ）〜（ｄ）は、選択コーティング方法の工程
例であって金属箔１を目的の大きさにし、第２図（ａ）
〜（ｄ）の工程と同様にすると、＠３図（ｄ）のコーテ
イング膜が得られる。
例であって金属箔１を目的の大きさにし、第２図（ａ）
〜（ｄ）の工程と同様にすると、＠３図（ｄ）のコーテ
イング膜が得られる。
第４図は、第２図（ｂ）、 （Ｃ１及び第３図ｆｂ）、
（Ｃ）の工程で、カーボン重り５のかわりに既に組込
み済のカーボン治具３を重ね、同時に多量処理を可能に
した製造方法である。
（Ｃ）の工程で、カーボン重り５のかわりに既に組込
み済のカーボン治具３を重ね、同時に多量処理を可能に
した製造方法である。
以、上の説明で明らかな様に、周辺部まで均一な厚さで
、さらに、カーボン治具の面で決まる平担な面のコーテ
イング膜を得ることができる。また、治具を多段に重ね
られるので一度に多量の処理が可能になる。
、さらに、カーボン治具の面で決まる平担な面のコーテ
イング膜を得ることができる。また、治具を多段に重ね
られるので一度に多量の処理が可能になる。
このコーティング膜面に端子等全半田付する場合、半田
の流れが良く、厚さが均一になり、半田付は強度が増す
と共に平行度が良くなるので、生産の効率が著るしく改
善されるばかりでなく：半導体装置の品質向丘にも効果
が大きいと期待される。
の流れが良く、厚さが均一になり、半田付は強度が増す
と共に平行度が良くなるので、生産の効率が著るしく改
善されるばかりでなく：半導体装置の品質向丘にも効果
が大きいと期待される。
第１図（ａ）〜（ｄ）は各々従来の金属コーティングの
製造方法を工程順に示す断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）
は、各々本発明による全面金属コーテイング膜の製造方
法の実施例を工程順に示す断面図、第３図（ａ）〜（由
は各々本発明による選択金属コーテイング膜の製造方法
の実施例を工程順に示す断面図、第４図は、本゛発明に
よる金属コーテイング膜の製造方法の実施例の一工程を
示す断面図、である。 尚、図に於いて、 １・・・・・・コーティング材料となる金属箔、２・・
・・・・電極板、３・・・・・・カーボン治具、４・・
・・・・溶融後形成されたコーテイング膜、５・・・・
・・カーボン製電り治具、である。
製造方法を工程順に示す断面図、第２図（ａ）〜（ｄ）
は、各々本発明による全面金属コーテイング膜の製造方
法の実施例を工程順に示す断面図、第３図（ａ）〜（由
は各々本発明による選択金属コーテイング膜の製造方法
の実施例を工程順に示す断面図、第４図は、本゛発明に
よる金属コーテイング膜の製造方法の実施例の一工程を
示す断面図、である。 尚、図に於いて、 １・・・・・・コーティング材料となる金属箔、２・・
・・・・電極板、３・・・・・・カーボン治具、４・・
・・・・溶融後形成されたコーテイング膜、５・・・・
・・カーボン製電り治具、である。
Claims (1)
- 電力用半導体素子に用いる電極板あるいは温度補償板の
表面に金属コーテイング膜を形成する製造方法において
、カーボン治具に電極板を置き、コーテイング膜の材料
となる金属箔を該電極板の上に置き、さらに別のカーボ
ン治具を重ね、水素中で加圧溶融し、その後冷却して、
全面または、選択的なコーティング膜全週辺邪まで均一
な厚さに形成することを特徴とする金属コーテイング膜
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57120908A JPS5911635A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 金属コ−テイング膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57120908A JPS5911635A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 金属コ−テイング膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5911635A true JPS5911635A (ja) | 1984-01-21 |
Family
ID=14797972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57120908A Pending JPS5911635A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | 金属コ−テイング膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5911635A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614787A (ja) * | 1984-06-08 | 1986-01-10 | モ−ビル オイル コ−ポレ−ション | 重質装入原料からの改質した潤滑油の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5311577A (en) * | 1976-07-19 | 1978-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | Soldering method for wafers of semiconductor devices |
-
1982
- 1982-07-12 JP JP57120908A patent/JPS5911635A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5311577A (en) * | 1976-07-19 | 1978-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | Soldering method for wafers of semiconductor devices |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614787A (ja) * | 1984-06-08 | 1986-01-10 | モ−ビル オイル コ−ポレ−ション | 重質装入原料からの改質した潤滑油の製造方法 |
| JPH0562160B2 (ja) * | 1984-06-08 | 1993-09-07 | Mobil Oil |
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