JPS59114724A - デイスプレイパネルの電極形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）発明の技術分野 本発明は各種のディスプレイパネルに於１ノるパネル電
極形成方法に関する。

（ｂ）技術の背景 本発明の対象とされるディスプレイパネルは。

プラズマガスの放電発光を応用した所謂プラズマディス
プレイパネルに係り、特にパネル駆動の放電用電極所謂
、透明電極の低抵抗化を図り、近時に於ける表示パネル
の大型化に対処せんとするものである。

（Ｃ）従来技術と問題点 係る表示パネルの基本的構成を、第１図のパネル断面図
によって説明する。

第１図において、ｌとｌ゛は平板状のガラスからなる絶
縁基板、２と３は前記の基板面に蒸着手段により成膜形
成する放電用の透明電極、４は前記電極表面がガス放電
空隙に露出しない様被着する絶縁層あるいは誘電体層、
５はイオン衝撃から絶縁Ｍ４を保護する保ｉ！層、及び
６は前記の基板ｌと２の間の微細空隙、空隙６は前記基
板間の７で示すスペーサにより気密に保持される。更に
。

微細空隙６にはネオンガスを主成分とするガスが充填且
つ封止されて表示パネル基体が構成される。

ところで、前記の基板表面上の放電電極２又は３は、従
来１例えば酸化インジウム（Ｉｎ２０３）等の透明電極
を真空蒸着法により厚さ１μｍ程度を膜付けし、その後
、マトリックスパターン形成のレジスト塗着をし写真蝕
刻技法により例図の如きマトリックス電極を形成してい
た。

然し乍ら、　　Ｉｎ系の合金及びその酸化物の成膜には
、基板表面の微小な塵を核として成長し易い傾向がある
為、前記蒸着の膜厚さ１００００人（１μｍ）より更に
厚い透明電極膜の成膜には、異常成長を来し白濁してし
まう。これに伴ない、電極膜の実効抵抗を下げることが
出来ない。

更に、前記異常成長を来し白濁した電極生成膜はその後
のマトリックスパターン形成に係る電極形成時、塗着の
レジストとの密着性が悪く、塗着ムラ生ずる等レジスト
コーティングに支障を来たし問題がある。

（ｄ）発明の目的 本発明の目的は前記の問題点を解決することである。即
ち、均一な低抵抗の透明電極膜を形成することによりパ
ネル表示の輝度を高め且つ表示面の大きさに関係なく発
光輝度の高いプラズマディスプレイパネルを実現する手
段を提示することである。

（ｅ）発明の構成 前記の目的は、＠細空隙でもって対向する夫々の基板面
上に放電電極と絶縁層が配置され且つ前記基板の対向空
隙に放電ガスを気密封止せる表示パネルに係る前記放電
電極の蒸着膜形成方法に於て、成膜前、放電プラズマ中
でエツチングして基板表面を清浄とする工程と、前記基
板表面にＩｎ系合金股厚さ１μｍ以上を成膜する工程と
からなる電極形成方法として達成される。

（ｆ）発明の実施例 以下１本発明の一実施例を、第２図電極形成をなすペル
ジャー装置断面図を参照しながら説明する。

第２図中、１０はへルジャー装置の筐体、１１は筐体１
０内の排気系連結部、１２ば加工対象の基板支持台兼ス
パンタエソヂ電極、１３は前記の電極１２に固定された
加工基板、１４はシャッタ兼スパッタエッチ電極、１５
はシャッタ１４を回動させる回転機構、１６はスパッタ
エッチ電源。

１７はペルジャー装置内に供給の不活性ガス源連結のガ
ス開閉弁、及び１８と１９は蒸発源と該蒸発源制御の電
子ビーム電源である。

前記構成の装置による低抵抗の電極膜成膜方法を以下説
明する。

洗浄済みの基板１３を支持台１２に懸吊すると共に、シ
ャック１４を図示閉止状態として、先づ。

スパッタエッチ電源１６によるプラズマエツチングをな
す。この場合、排気系１１により筐体１０内部を一旦真
空とし次いでガス開閉弁１７を介して、筺体１０内をア
ルゴン等不活性ガスを充填する。

次に前記エッチ電源１６に接続のスパッタエッチ電源１
２と１４の間で、基板１３がエツチングされる様に１２
側電極を深いバイアス状態となしプラズマガスによる基
板表面の清浄化をなす。

その後、前記の電源１６を解放し、且つ回転機構１５に
よりシャッタ１４を機械的に解放して。

Ｉｎ系合金又はＩｎ系酸化物収容の蒸発源（坩堝）１８
と電子ビーム電源１９とにより基板への前記金属蒸着膜
の成膜をなす。

前記のスパンクエソチとその後の電子ビーム成膜方法に
よる蒸着合金膜は、従来困難とされた１μｍ以上の成膜
でも異常成長がなく、均質且つ緻密な表面の滑らかな電
極膜が形成される。

第３図は１本発明の電極形成方法により得られたＩｎ２
０３−５％５ｎ０２１１ｉに就き、電気的抵抗を計測し
たデータである。

図の横軸は蒸着膜厚さ〔μｍ〕、又縦軸は単位膜厚さ当
りの比抵抗値（Ｏｈｍ／口μｍ〕で表示しである。

即ち９図示平坦性のよい特性は、　１ｉｉｉ＋厚さ１ミ
クロン〔μｍ〕以上に於ても同質の電極膜であることを
示すものである。

この様な手段になるＩｎ系合金及びその酸化物成膜体を
プラズマディスプレイパネルの電極に用いると表示のド
ラ１−輝度が二倍以上にもなり２表示品質が向上する。

（ｇ）発明の効果 以上、詳細に説明した本発明のディスプレイパネルの電
極形成方法によれば、１　〔μｍ〕以上の厚い導電膜が
形成容易であり、これにともない低抵抗性の透明電極が
安価に提供可能となる。係る観点から本発明の実用的効
果は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は表示パネルの基本的構成を示す断面図第２図は
本発明の詳細な説明するペルジャー装置の断面図、及び
第３図は本発明になる電極膜の象とする電極、４ば絶縁
層、６ば微細空隙、１２は加工対象基板の支持台束スパ
ッタエッチ電源。 １３は前記の電極１２に固定された加工基板、１４はシ
ャッタ兼スパンタエソチ電極、１５はシャッタ１４を回
動させる回転機構、１６ばスパッタエッチ電源、及び１
８と１９は蒸発源と電子ヒーム電源である。 手　１　聞 ヰ　２　図 を　３　口 （ ＄ 〔μｍ〕

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 微細空隙でもって対向する夫々の基板面上に放電電極と
   絶縁層が配置され且つ前記基板の対向空隙に放電ガスを
   気密封止せる表示パネルに係る前記放電電極の蒸着膜形
   成方法に於て、成膜前、放電プラズマ中でエツチングし
   て基板表面を清浄とする工程と、前記基板表面にＩｎ系
   合金膜厚さ１μｍ以上を成膜する工程とよりなることを
   特徴とするディスプレイパネルの電極形成方法。