JPH05190032A - 透明導電膜の成膜方法 - Google Patents
透明導電膜の成膜方法Info
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- JPH05190032A JPH05190032A JP610192A JP610192A JPH05190032A JP H05190032 A JPH05190032 A JP H05190032A JP 610192 A JP610192 A JP 610192A JP 610192 A JP610192 A JP 610192A JP H05190032 A JPH05190032 A JP H05190032A
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- Japan
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- transparent conductive
- film
- conductive film
- shielding plate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は透明導電膜の成膜方法に関し，膜厚
が均一で抵抗率の分布が一様な透明導電膜を得ることを
目的とする。 【構成】 直流マグネトロンスパッタ装置を用いて基板
１上に透明導電膜を成膜するに際し，基板１とターゲッ
ト５の間の空間にターゲット５のエロージョン領域８に
対向する遮蔽板４を配置して成膜するように構成する。
また，前記遮蔽板４は無機物遮蔽板及び無機物遮蔽板の
ターゲット５と対向する面に被着された有機物被膜から
なるように構成する。また，直流マグネトロンスパッタ
装置を用いて基板１上に透明導電膜を成膜するに際し，
基板１とターゲット５の間の空間にターゲット５のエロ
ージョン領域８に対向する遮蔽板４を配置し，かつその
空間を囲む膜厚補償シールドであって複数の開孔を有す
る膜厚補償シールド９を配置して成膜するように構成す
る。
が均一で抵抗率の分布が一様な透明導電膜を得ることを
目的とする。 【構成】 直流マグネトロンスパッタ装置を用いて基板
１上に透明導電膜を成膜するに際し，基板１とターゲッ
ト５の間の空間にターゲット５のエロージョン領域８に
対向する遮蔽板４を配置して成膜するように構成する。
また，前記遮蔽板４は無機物遮蔽板及び無機物遮蔽板の
ターゲット５と対向する面に被着された有機物被膜から
なるように構成する。また，直流マグネトロンスパッタ
装置を用いて基板１上に透明導電膜を成膜するに際し，
基板１とターゲット５の間の空間にターゲット５のエロ
ージョン領域８に対向する遮蔽板４を配置し，かつその
空間を囲む膜厚補償シールドであって複数の開孔を有す
る膜厚補償シールド９を配置して成膜するように構成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は透明導電膜の成膜方法に
係り，特に，直流マグネトロンスパッタ装置を用いる透
明導電膜の成膜方法に関する。
係り，特に，直流マグネトロンスパッタ装置を用いる透
明導電膜の成膜方法に関する。
【０００２】近年，液晶ディスプレイの大型化，カラー
化が要求されている。液晶表示パネルの製造工程には，
ガラス基板にＡＺＯ（又はＩＴＯ）を用いて透明導電膜
を形成する工程があるが，透明導電膜表面の高抵抗に起
因す表示ムラが発生しやすいため，より低抵抗で抵抗値
の分布が一様な透明導電膜の形成方法が要求されてい
る。
化が要求されている。液晶表示パネルの製造工程には，
ガラス基板にＡＺＯ（又はＩＴＯ）を用いて透明導電膜
を形成する工程があるが，透明導電膜表面の高抵抗に起
因す表示ムラが発生しやすいため，より低抵抗で抵抗値
の分布が一様な透明導電膜の形成方法が要求されてい
る。
【０００３】
【従来の技術】従来，直流マグネトロンスパッタ装置を
用いる透明導電膜の成膜では，スパッタを行った時ター
ゲットにエロージョン領域が生じ，それに対向する基板
位置での膜の抵抗値が増加するという問題があった。
用いる透明導電膜の成膜では，スパッタを行った時ター
ゲットにエロージョン領域が生じ，それに対向する基板
位置での膜の抵抗値が増加するという問題があった。
【０００４】この問題に対して，従来透明導電膜の膜厚
を厚くして抵抗値を全体的に低下さ０ることで対処して
いた。しかし，膜厚を厚くすることで抵抗値を低下させ
ると，今度は透明導電膜の光透過性が低下して光の使用
効率が低下するという問題が生じるので，できるだけ薄
い透明導電膜で低抵抗値を実現したいという要望は依然
として大きい。
を厚くして抵抗値を全体的に低下さ０ることで対処して
いた。しかし，膜厚を厚くすることで抵抗値を低下させ
ると，今度は透明導電膜の光透過性が低下して光の使用
効率が低下するという問題が生じるので，できるだけ薄
い透明導電膜で低抵抗値を実現したいという要望は依然
として大きい。
【０００５】また，透明導電膜の膜厚を均一にするた
め，スパッタ装置内にターゲットを囲むように膜厚補償
シールドを配置して成膜を行っている。一方，この膜厚
補償シールドの設置には，ターゲット周辺の排気効率を
低下させ，ターゲット周辺に残留ガスや不純物を残しや
すく，また，目標真空値への到達が遅くなるという不利
な点がある。
め，スパッタ装置内にターゲットを囲むように膜厚補償
シールドを配置して成膜を行っている。一方，この膜厚
補償シールドの設置には，ターゲット周辺の排気効率を
低下させ，ターゲット周辺に残留ガスや不純物を残しや
すく，また，目標真空値への到達が遅くなるという不利
な点がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題に
鑑み，透明導電膜の膜厚を厚くすることなく抵抗値を低
下させ，抵抗値の分布を一様にする方法の提供を目的と
する。また，膜厚補償シールドの効果を損なうことなく
スパッタ装置内の排気特性を向上させる方法の提供を目
的とする。
鑑み，透明導電膜の膜厚を厚くすることなく抵抗値を低
下させ，抵抗値の分布を一様にする方法の提供を目的と
する。また，膜厚補償シールドの効果を損なうことなく
スパッタ装置内の排気特性を向上させる方法の提供を目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の直流マグ
ネトロンスパッタ装置の断面図，図２は遮蔽板の斜視
図，図３は膜厚補償シールドの斜視図である。
ネトロンスパッタ装置の断面図，図２は遮蔽板の斜視
図，図３は膜厚補償シールドの斜視図である。
【０００８】上記課題は，直流マグネトロンスパッタ装
置を用いて基板１上に透明導電膜を成膜するに際し，該
基板１とターゲット５の間の空間に該ターゲット５のエ
ロージョン領域８に対向する遮蔽板４を配置して成膜す
る透明導電膜の成膜方法によって解決される。
置を用いて基板１上に透明導電膜を成膜するに際し，該
基板１とターゲット５の間の空間に該ターゲット５のエ
ロージョン領域８に対向する遮蔽板４を配置して成膜す
る透明導電膜の成膜方法によって解決される。
【０００９】また，前記遮蔽板４は無機物遮蔽板4a及び
該無機物遮蔽板4aの該ターゲット５と対向する面に被着
された有機物被膜4bからなる透明導電膜の成膜方法によ
って解決される。
該無機物遮蔽板4aの該ターゲット５と対向する面に被着
された有機物被膜4bからなる透明導電膜の成膜方法によ
って解決される。
【００１０】また，直流マグネトロンスパッタ装置を用
いて基板１上に透明導電膜を成膜するに際し，該基板１
とターゲット５の間の空間に該ターゲット５のエロージ
ョン領域８に対向する遮蔽板４を配置し，かつ該空間を
囲む膜厚補償シールドであって複数の開孔10を有する膜
厚補償シールド９を配置して成膜する透明導電膜の成膜
方法によって解決される。
いて基板１上に透明導電膜を成膜するに際し，該基板１
とターゲット５の間の空間に該ターゲット５のエロージ
ョン領域８に対向する遮蔽板４を配置し，かつ該空間を
囲む膜厚補償シールドであって複数の開孔10を有する膜
厚補償シールド９を配置して成膜する透明導電膜の成膜
方法によって解決される。
【００１１】
【作用】本発明では，基板１とターゲット５の間の空間
にターゲット５のエロージョン領域８に対向する遮蔽板
４を配置して成膜する。図５は遮蔽板の作用を説明する
ための図であり，遮蔽板４として同心円状のエロージョ
ン領域８に対向して遮蔽板４を配置している。
にターゲット５のエロージョン領域８に対向する遮蔽板
４を配置して成膜する。図５は遮蔽板の作用を説明する
ための図であり，遮蔽板４として同心円状のエロージョ
ン領域８に対向して遮蔽板４を配置している。
【００１２】エロージョン領域８からは透明導電膜に悪
影響を及ぼす（抵抗を増加させる）酸素イオン（Ｏ- ）
等の負イオン７あるいは不純物が飛び出すが，それがガ
ラス基板１に衝突するのを防ぐため，エロージョン領域
８に対向して遮蔽板４を配置し，遮蔽板４で負イオン７
を吸収するか又は反射させている。これにより，エロー
ジョン領域８に対向するガラス基板１上に形成される透
明導電膜の抵抗値の増加を防いでいる。
影響を及ぼす（抵抗を増加させる）酸素イオン（Ｏ- ）
等の負イオン７あるいは不純物が飛び出すが，それがガ
ラス基板１に衝突するのを防ぐため，エロージョン領域
８に対向して遮蔽板４を配置し，遮蔽板４で負イオン７
を吸収するか又は反射させている。これにより，エロー
ジョン領域８に対向するガラス基板１上に形成される透
明導電膜の抵抗値の増加を防いでいる。
【００１３】また，図２に示すように遮蔽板４を無機物
遮蔽板（ガラスリング板）4a及びそのターゲット５と対
向する面に被着された有機物被膜（ＰＶＡ被膜）4bから
なるように構成すれば，エロージョン領域８から飛び出
した負イオン７あるいは不純物を有機物被膜4bに吸収さ
せることができる。透明導電膜形成後，有機物被膜4bを
ガラスリング板4aから剥離し，次の透明導電膜形成時に
あらたにガラスリング板4aに有機物被膜4bを被着するよ
うにすれば，何回でも新品同様に使える遮蔽板４が実現
できる。無機物遮蔽板4aから，例えば有機溶剤を用いて
有機物被膜4bを容易に剥離することができる。
遮蔽板（ガラスリング板）4a及びそのターゲット５と対
向する面に被着された有機物被膜（ＰＶＡ被膜）4bから
なるように構成すれば，エロージョン領域８から飛び出
した負イオン７あるいは不純物を有機物被膜4bに吸収さ
せることができる。透明導電膜形成後，有機物被膜4bを
ガラスリング板4aから剥離し，次の透明導電膜形成時に
あらたにガラスリング板4aに有機物被膜4bを被着するよ
うにすれば，何回でも新品同様に使える遮蔽板４が実現
できる。無機物遮蔽板4aから，例えば有機溶剤を用いて
有機物被膜4bを容易に剥離することができる。
【００１４】また，ガラス基板１とターゲット５の間の
空間を囲む膜厚補償シールド９に，図３に示すような複
数の開孔10を設けることにより，装置内の排気を効率的
に行い，ターゲット５周辺に残留ガスや不純物が残らな
いようにし，目標真空値への到達速度を向上させること
ができる。
空間を囲む膜厚補償シールド９に，図３に示すような複
数の開孔10を設けることにより，装置内の排気を効率的
に行い，ターゲット５周辺に残留ガスや不純物が残らな
いようにし，目標真空値への到達速度を向上させること
ができる。
【００１５】
【実施例】図１は本発明の直流マグネトロンスパッタ装
置の断面図であり，１はガラス基板，２は基板ホルダ，
３はマグネット，４は遮蔽板，５はターゲット，６はシ
ールド板，８はエロージョン領域，９は膜厚補償シール
ド，11はターゲット搭載台を表す。
置の断面図であり，１はガラス基板，２は基板ホルダ，
３はマグネット，４は遮蔽板，５はターゲット，６はシ
ールド板，８はエロージョン領域，９は膜厚補償シール
ド，11はターゲット搭載台を表す。
【００１６】ガラス基板１は，例えば３０mm× 100mm，
厚さ1.1 mmのソーダライムガラスを使用する。ターゲッ
ト５は，例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）に酸化アルミニウム
（Ａｌ2 Ｏ3 ）を2.5 wt％混入した材料による直径 100
mmのＡＺＯ円形ターゲットを使用する。
厚さ1.1 mmのソーダライムガラスを使用する。ターゲッ
ト５は，例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）に酸化アルミニウム
（Ａｌ2 Ｏ3 ）を2.5 wt％混入した材料による直径 100
mmのＡＺＯ円形ターゲットを使用する。
【００１７】マグネット３として，中心に配置された円
筒状のマグネットと円周上に配置されたリング状のマグ
ネットがあり，極性は互いに逆である。ガラス基板１周
縁からマグネット３を囲むシールド板６が配置され，さ
らに，ターゲット５とガラス基板１の間の空間を囲むよ
うに膜厚補償シールド９を配置する。
筒状のマグネットと円周上に配置されたリング状のマグ
ネットがあり，極性は互いに逆である。ガラス基板１周
縁からマグネット３を囲むシールド板６が配置され，さ
らに，ターゲット５とガラス基板１の間の空間を囲むよ
うに膜厚補償シールド９を配置する。
【００１８】ターゲット５には，外径約９０mm，内径約
７０mmのリング状のエロージョン領域８の生じることが
わかったので，遮蔽板４はそれに対応させて形成した。
図２は遮蔽板の斜視図である。ガラスリング板4aは，例
えば厚さ1.1 mmのソーダライムガラスにより外径が９０
mm，内径が７０mmの形状に形成する。有機物被膜4bの形
成は，例えばＰＶＡ（ポリビニルアルコール）をガラス
リング板4aに塗布し，成膜温度以上の温度，例えば 250
℃でベーキングする。
７０mmのリング状のエロージョン領域８の生じることが
わかったので，遮蔽板４はそれに対応させて形成した。
図２は遮蔽板の斜視図である。ガラスリング板4aは，例
えば厚さ1.1 mmのソーダライムガラスにより外径が９０
mm，内径が７０mmの形状に形成する。有機物被膜4bの形
成は，例えばＰＶＡ（ポリビニルアルコール）をガラス
リング板4aに塗布し，成膜温度以上の温度，例えば 250
℃でベーキングする。
【００１９】図３は膜厚補償シールドの斜視図である。
膜厚補償シールド９は，複数箇の開孔の形成されたパー
マロイ板を使用して，一辺が例えば 130mmの正方形で，
高さが３０mmの枠形に形成する。開孔の寸法と数量はシ
ールド性と排気性の兼ね合いから定める。即ち，開孔の
寸法が大きく数量が多い場合は排気性はよくなるが，シ
ールド性は低下するので，開孔の寸法と数量は予め実験
を行って定める。
膜厚補償シールド９は，複数箇の開孔の形成されたパー
マロイ板を使用して，一辺が例えば 130mmの正方形で，
高さが３０mmの枠形に形成する。開孔の寸法と数量はシ
ールド性と排気性の兼ね合いから定める。即ち，開孔の
寸法が大きく数量が多い場合は排気性はよくなるが，シ
ールド性は低下するので，開孔の寸法と数量は予め実験
を行って定める。
【００２０】図２に示した遮蔽板４をターゲット５上に
２０mmの間隔をおいて配置し, 図３に示した膜厚補償シ
ールド９をシールド板６上にガラス基板１とターゲット
５の間の空間を囲むように配置し，ガラス基板１はター
ゲット５との距離が７５mmとなるように配置した。目標
真空値は３×１０-6Torrであり, そこに到達する時間は
２６分であった。ちなみに，開孔のない従来の膜厚補償
シールドを配置した時に要する時間は３１分であった。
２０mmの間隔をおいて配置し, 図３に示した膜厚補償シ
ールド９をシールド板６上にガラス基板１とターゲット
５の間の空間を囲むように配置し，ガラス基板１はター
ゲット５との距離が７５mmとなるように配置した。目標
真空値は３×１０-6Torrであり, そこに到達する時間は
２６分であった。ちなみに，開孔のない従来の膜厚補償
シールドを配置した時に要する時間は３１分であった。
【００２１】スパッタ条件として導入ガスＡｒ，投入電
力２kW，スパッタガス圧５×１０-3Paを採用し，成膜時
間11.5分でガラス基板１上に厚さ300 nmのＡＺＯ膜を形
成した。
力２kW，スパッタガス圧５×１０-3Paを採用し，成膜時
間11.5分でガラス基板１上に厚さ300 nmのＡＺＯ膜を形
成した。
【００２２】図４は成膜された透明導電膜の抵抗率の分
布を示す図であり，比較のため，遮蔽板を配置しない従
来例も合わせて示している。図４に見るように，遮蔽板
を配置した場合は基板中心から５cm以内で抵抗率ρが５
×１０-4Ω・cm程度の一様な分布を示しているのに対し
て, 遮蔽板を配置しない場合は基板中心から３cm以内で
は抵抗率ρは５×１０-4Ω・cm程度でほぼ一様である
が，基板中心から３〜５cmの領域で抵抗率が数倍大きく
なる。
布を示す図であり，比較のため，遮蔽板を配置しない従
来例も合わせて示している。図４に見るように，遮蔽板
を配置した場合は基板中心から５cm以内で抵抗率ρが５
×１０-4Ω・cm程度の一様な分布を示しているのに対し
て, 遮蔽板を配置しない場合は基板中心から３cm以内で
は抵抗率ρは５×１０-4Ω・cm程度でほぼ一様である
が，基板中心から３〜５cmの領域で抵抗率が数倍大きく
なる。
【００２３】このように，遮蔽板を配置することによ
り，抵抗率が低く一様な透明導電膜をガラス基板１上に
形成することができる。遮蔽板４は次に使用する時，有
機物被膜4bを例えば有機溶剤に浸して剥離し,あらたに
有機物被膜4bを前述のようにして形成する。このように
すれば，常に新品同様の遮蔽板４を使用することがで
き，遮蔽板４としての効果を保つことができる。
り，抵抗率が低く一様な透明導電膜をガラス基板１上に
形成することができる。遮蔽板４は次に使用する時，有
機物被膜4bを例えば有機溶剤に浸して剥離し,あらたに
有機物被膜4bを前述のようにして形成する。このように
すれば，常に新品同様の遮蔽板４を使用することがで
き，遮蔽板４としての効果を保つことができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
ターゲット５とガラス基板１間にエロージョン領域８に
対向させて遮蔽板４を配置し，透明導電膜を成膜するこ
とにより，膜厚が例えば300 nm程度と薄くとも抵抗率が
一様な透明導電膜を形成することができる。
ターゲット５とガラス基板１間にエロージョン領域８に
対向させて遮蔽板４を配置し，透明導電膜を成膜するこ
とにより，膜厚が例えば300 nm程度と薄くとも抵抗率が
一様な透明導電膜を形成することができる。
【００２５】また，遮蔽板４として，無機物遮蔽板4aに
有機物被膜4bを形成したものを用いることにより，有機
物被膜4bの形成，除去が簡単となる。透明導電膜を形成
するためのスパッタを行う度に有機物被膜4bを形成する
ようにすれば，いつも新品同様の遮蔽板４の効果を保つ
ことができる。
有機物被膜4bを形成したものを用いることにより，有機
物被膜4bの形成，除去が簡単となる。透明導電膜を形成
するためのスパッタを行う度に有機物被膜4bを形成する
ようにすれば，いつも新品同様の遮蔽板４の効果を保つ
ことができる。
【００２６】また，膜厚補償シールド９に開孔10を設け
ることにより，ターゲット５周辺の残留ガスや不純物を
除去しやすくし，容易に目標真空値に到達させることが
できる。
ることにより，ターゲット５周辺の残留ガスや不純物を
除去しやすくし，容易に目標真空値に到達させることが
できる。
【図１】本発明の直流マグネトロンスパッタ装置の断面
図である。
図である。
【図２】遮蔽板の斜視図である。
【図３】膜厚補償シールドの斜視図である。
【図４】透明導電膜の抵抗率の分布を示す図である。
【図５】遮蔽板の作用を説明するための図である。
１は基板であってガラス基板 ２は基板ホルダ ３はマグネット ４は遮蔽板 4aは無機物遮蔽板であってガラスリング板 4bは有機物被膜であってＰＶＡ被膜 ５はターゲット ６はシールド板 ７は負イオン ８はエロージョン領域 ９は膜厚補償シールド 10は開孔 11はターゲット搭載台
Claims (3)
- 【請求項１】 直流マグネトロンスパッタ装置を用いて
基板(1) 上に透明導電膜を成膜するに際し，該基板(1)
とターゲット(5) の間の空間に該ターゲット(5) のエロ
ージョン領域(8) に対向する遮蔽板(4) を配置して成膜
することを特徴とする透明導電膜の成膜方法。 - 【請求項２】 前記遮蔽板(4) は無機物遮蔽板(4a)及び
該無機物遮蔽板(4a)の該ターゲット(5) と対向する面に
被着された有機物被膜(4b)からなることを特徴とする請
求項１記載の透明導電膜の成膜方法。 - 【請求項３】 直流マグネトロンスパッタ装置を用いて
基板(1) 上に透明導電膜を成膜するに際し，該基板(1)
とターゲット(5) の間の空間に該ターゲット(5) のエロ
ージョン領域(8) に対向する遮蔽板(4) を配置し，かつ
該空間を囲む膜厚補償シールドであって複数の開孔(10)
を有する膜厚補償シールド(9) を配置して成膜すること
を特徴とする透明導電膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP610192A JPH05190032A (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 透明導電膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP610192A JPH05190032A (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 透明導電膜の成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190032A true JPH05190032A (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=11629114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP610192A Withdrawn JPH05190032A (ja) | 1992-01-17 | 1992-01-17 | 透明導電膜の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190032A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016132806A (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-25 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置、薄膜製造方法 |
-
1992
- 1992-01-17 JP JP610192A patent/JPH05190032A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016132806A (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-25 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置、薄膜製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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