KR20040018591A - 스퍼터링 프로세스 챔버 구조 및 이를 이용한 스퍼터링 방법 - Google Patents

스퍼터링 프로세스 챔버 구조 및 이를 이용한 스퍼터링 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 스퍼터링 챔버의 대형화 추세에 따라 챔버의 펌핑 시간을 줄이거나 생략할 수 있어 가동 효율을 높일 수 있는 스퍼터링 프로세스 챔버구조 및 이를 이용한 스퍼터링 방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 기판 상에 금속막이 형성될 수 있도록 하는 프로세스 챔버; 상기 프로세스 챔버의 측면 상에 하나 이상 배치되는 캐소드 전극부들; 상기 캐소드 전극부와 상기 프로세스 챔버 사이에 배치되어 있는 프로세스 챔버 도어들; 및 상기 프로세스 챔버로 금속막을 증착하고자 하는 기판을 이송하는 트랜스 챔버를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 프로세스 챔버 도어는 상기 프로세스 챔버내의 마스크 쉴드 안쪽에 각각 배치되어 있고, 상기 프로세스 챔버 도어의 두께는 상기 캐소드 전극부에 부착되어 있는 타겟과 기판 간의 오차 거리 이내인 것을 특징으로 한다.

Description

스퍼터링 프로세스 챔버 구조 및 이를 이용한 스퍼터링 방법{STRUCTURE OF CHAMBER SPUTTERING PROCESS AND METHODE FOR SPUTTERING}
본 발명은 스퍼터링 프로세스 챔버 구조에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 프로세스 챔버에 부착되어 있는 캐소드(cathode) 전극을 오픈할 때, 챔버를 외부와 차단시켜 진공도를 유지하도록 함으로써, 스퍼터링을 위한 펌핑 시간을 단축하고 제품의 수율을 향상시킬 수 있는 스퍼터링 프로세스 챔버구조 및 이를 이용한 스퍼터링 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 기술 및 액정표시장치에서 사용하는 스퍼터링 장치는 플라즈마에 의해 이온을 가속시켜 이온을 타겟(target)에 충돌하게 하여 기판(substrate)에 타겟 물질을 성막(forming film)하는 장비이다. 고온에서 진행되는 화학 증착 장치에 비해 스퍼터링 장치는 타겟(substrate)을 저온 상태(400℃)로 유지하면서 박막을 형성할 수 있다는 장점이 있어 수지(resin)에 성막하는 공정에도 적용할 수 있다.
스퍼터링 장치는 비교적 간단한 구조로 짧은 시간에 막을 형성할 수 있기 때문에 반도체 소자 생산과 LCD 제조에 널리 이용되고 있다. 이방식은 알루미늄(Al), 탄탈(Ta), 크롬(Cr) 등의 금속 박막을 형성하거나 ITO(Indium Tin Oxide) 박막 형성, SiO2등의 절연막 형성에 사용된다. 특히, LCD의 기판(glass)에 형성되는 것은 TFT 기판의 트랜지스터 전극 및 배선용 금속, 화소 전극 ITO 등의 전도성 물질이다.
스퍼터링 챔버의 구조도 계속해서 개발되어 오고 있는데, 그 주요 목적은 설비가 작은 부피를 차지하면서 생산 효율이 높은 챔버 시스템을 구현하는 것이다.
이러한 개발에 일환으로 하나의 프로세스 챔버에 다수개의 캐소드 전극부를 배치하여 다양한 금속막을 동일한 챔버에서 증착할 수 있도록 하는 시스템이 개발되었다. 이렇게 개발되어져 일반적으로 사용되고 있는 스퍼터링 챔버의 구조를 다음에 도면과 함께 설명한다.
도 1은 종래 기술에 따른 스퍼터링 프로세스 챔버의 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
종래에 일반적으로 사용하여 오던 챔버의 구조는 트랜스 챔버를 기준으로 로딩 챔버, 히팅 챔버, 프로세스 챔버를 원형 모양으로 배치하여 방사구조를 갖도록 하는 것이였으나, 설치비용의 증대와 넓은 공간을 차지하는 문제점이 나타나서 하나의 챔버내에 다수개의 캐소드 전극부를 배치하는 멀티 캐소드 구조가 개발되어 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 하나의 프로세스 챔버에 세 개의 캐소드 전극부(10, 20, 30)가 배치되어 있고, 일측면에는 금속막이 증착되어질 기판을 이송하는 트랜스 챔버(3)와 연결되어 있다. 그리고, 상기 트랜스 챔버(3)는 X자 형태로 두 개의 제 1 및 제 2 로드 챔버(5, 6)와 연결되어 있는 구조를 하고 있다.
상기 로드 챔버들(5, 6)과 트랜스 챔버(3)가 연결되는 영역에는 제 1 로드 챔버 도어(12a)와 제 2 로드 챔버 도어(12b)가 배치되어 상기 제 1 로드 챔버(5)와 제 2 로드 챔버(6)를 차폐하는 역할을 하도록 하였고, 상기 프로세스 챔버(1)와 트랜스 챔버(3)가 연결되는 영역에도 트랜스 챔버 도어(11)를 배치하여 두 개의 챔버 환경을 차단할 수 있도록 하였다.
그리고, 금속 막을 증착하기 위한 기판들이 저장된 카세트 케이스(9)의 카세트(7)로부터 로봇암이 제 1 로드 챔버(5) 또는 제 2 로드 챔버(6)로 기판을 로딩시키면, 상기 로드 챔버(5, 또는 6)는 상기 프로세스 챔버(1)의 높은 진공도에 따른 버퍼층 역할을 하도록 외부 환경으로부터 차단시킨다.
또한, 상기와 같이 X자 형태로 로드 챔버들(5, 6)이 배치되는 멀티 캐소드 전극을 갖는 스퍼터링 장치는 별도의 히팅 챔버를 구비하고 있지 않기 때문에 로드 챔버(5, 또는 6)에서 자외선 챔버를 이용하여 기판을 가열한다.
상기 로드 챔버들(5, 6)에서 가열된 기판은 상기 트랜스 챔버(3)로 이동한 후, 스퍼터링(sputtering)에 의하여 금속막을 증착하는 시간을 고려하여 하나의 프로세스 챔버(1)에 기판을 이동시킴으로써 생산 효율을 증대시키도록 한다.
상기 트랜스 챔버(3)로부터 이송되어 상기 프로세스 챔버(1)로 이동해온 기판은 상기 프로세스 챔버(1)에 부착되어 있는 캐소드 전극들(10:제 1 캐소드 전극부, 20: 제 2 캐소드 전극부, 30: 제 3 캐소드 전극부)에서 발생하는 고주파 방전에 의하여 금속 이온들을 기판 상에 성막 시킨다.
도 2는 종래 기술에 따른 캐소드 전극부가 부착된 스퍼터링 프로세스 챔버의 구조를 도시한 도면이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 종래 스퍼터링을 위한 챔버를 크게 분류하면 프로세스 챔버, 전원부(31, 33), 타겟(target: 24) 및 기판(22)으로 구성된다. 상기 프로세스 챔버(process chamber:1)는 스퍼터링 공정이 진행되는 챔버이고 원활한 공정 진행을 위하여 진공 상태로 유지되는 밀폐된 공간이다. 전원부는 고주파 발생기(radio frequence generator: RF: 33)와 직류 전원(direct current power supply: DC power supply: 31)으로 구성되며 각 단자는 기판(22)과 타겟(24)에 연결되어 그 사이에 전기장을 형성하여 플라즈마가 발생하도록 조성한다.
상기 타겟(24)은 증착할 금속 물질을 지지하는 부분으로 타겟(24)외에 백 플레이트(26), 마그네트(27)등으로 구성되어 있다. 상기 백 플레이트(26)는 상기 타겟(24)을 고정하고 지지하는 판이며 상기 마그네트(27)는 발생하는 전자 이온의 낭비를 방지하기 위하여 스퍼터링 효율을 향상시키기 위해 상기 타겟(24) 전방에 자기장을 발생시키는 구성 요소이다.
상기 기판(22)은 금속막을 증착할 때, 안정적으로 고정시키는 서셉터(21) 상에 위치시키고, 상기 프로세스 챔버(1)내의 압력을 조절하기 위하여 펌프부(37)에 의하여 펌핑을 실시한다.
상기와 같은 구조를 갖는 스퍼터링 프로세스 챔버(1)는 상기 제 2 캐소드 전극부(20)에 부착되어 있는 타겟(24)과 상기 기판(22)이 위치한 서셉터(21)를 각각 전원의 음극단과 양극단에 연결하고, 고주파를 발생시키면서 DC 전원을 인가하면전기장의 작용으로 상기 타겟(24)에서 전자가 발생하고 이 전자들은 양극단으로 가속된다.
이때 가속 전자들이 상기 프로세스 챔버(1)에 공급된 가스(Ar가스)와 충돌하여 가스가 이온화 된다. 아르곤 양이온(Ar)은 전기장의 작용으로 상기 제 2 캐소드 전극부(20)에 연결된 상기 타겟(24)을 가격하여 타겟 표면에서 타겟 원자들이 이탈되는 스퍼터링 형상이 발생된다.
한편 상기 타겟(24)에서 방출되어 양극단으로 가속되는 전자는 중성 원자와 충돌하여 여기되고, 이때 플라즈마가 발생한다. 플라즈마는 외부의 전위가 유지되고 전자가 계속 발생할 경우 유지된다.
도면에서는 도시하였지만 설명하지 않은 25는 그라운드 쉴드이고, 23은 마스크 쉴드이다.
그러나, 상기와 같은 종래 기술에 따른 스퍼터링 장치는 프로세스 챔버의 부품 교체 및 수리가 없고 캐소드 전극만 부품 교체 및 수리가 있는 경우에도 챔버 전체를 오픈 시켜야 되기 때문에 이후, 스퍼터링 프로세스 챔버의 진공도 유지를 위하여 펌핑 공정을 다시 해야하는 문제가 있다.
특히, 펌핑 공정은 대화면 액정표시장치를 추구하는 최근 추세에 때문에 7~8시간의 펌핑에 의하여 진공도를 10-4까지 유지해야하는데, 챔버의 가동 시간이 지연되어 생산 능률이 떨어지는 문제가 있다.
그리고, 펌핑 시간을 단축하기 위하여는 다수개의 펌핑 장치를 배치하여야하는데, 이럴 경우 설비의 부피 증가와 경비가 많이 소요되는 문제가 있다.
이것은 스퍼터링 장치의 가동 효율을 떨어 뜨리게 되고, 더 나아가 생산율 저하와 제품의 수율 저하를 발생시킨다.
본 발명은, 프로세스 챔버의 외각에 부착되어 있는 캐소드 전극의 부품 교체시에도 챔버내의 진공도를 유지할 수 있을 뿐 만아니라, 외부로부터 이물질 유입을 차단할 수 있기 때문에 챔버 가동 효율을 향상시킬 수 있고, 아울러 금속막 증착을 위한 펌핑 공정을 생략할 수 있어 생산성 효율을 증대시킬 수 있는 스퍼터링 프로세스 챔버구조 및 이를 이용한 스퍼터링 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 스퍼터링 프로세스 챔버의 구조를 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 종래 기술에 따른 캐소드 전극부가 부착된 스퍼터링 프로세스 챔버의 구조를 도시한 도면.
도 3은 본 발명에 따른 스퍼터링 프로세스 챔버의 구조를 개략적으로 도시한 도면.
도 4는 본 발명에 따른 캐소드 전극부가 부착된 프로세스 챔버의 구조를 도시한 도면.
도 5는 본 발명에 따른 캐소드 전극부가 프로세스 챔버로부터 오픈 된 상태를 도시한 도면.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
40: 프로세스 챔버41a: 제 1 프로세스 챔버 도어
41b: 제 2 프로세스 챔버 도어41c: 제 3 프로세스 챔버 도어
51: 트랜스 챔버 도어50: 트랜스 챔버
55a: 제 1 로드 챔버 도어55b: 제 2 로드 챔버 도어
60: 제 1 로드 챔버70: 제 2 로드 챔버
80: 카세트 케이스100: 제 1 캐소드 전극부
200: 제 2 캐소드 전극부300: 제 3 캐소드 전극부
상기한 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 따른 스퍼터링 프로세스 챔버구조는,
기판 상에 금속막이 형성될 수 있도록 하는 프로세스 챔버;
상기 프로세스 챔버의 측면 상에 하나 이상 배치되는 캐소드 전극부들;
상기 캐소드 전극부와 상기 프로세스 챔버 사이에 배치되어 있는 프로세스 챔버 도어들; 및
상기 프로세스 챔버로 금속막을 증착하고자 하는 기판을 이송하는 트랜스 챔버를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 프로세스 챔버 도어는 상기 프로세스 챔버내의 마스크 쉴드 안쪽에 각각 배치되어 있고, 상기 프로세스 챔버 도어의 두께는 상기 캐소드 전극부에 부착되어 있는 타겟과 기판 간의 오차 거리 이내인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 의한 스퍼터링 방법은,
프로세스 챔버와 캐소드 전극부 사이에 배치되어 있는 프로세스 챔버 도어를 오픈하는 단계;
금속막을 증착하기 위하여 기판을 상기 프로세스 챔버 내로 이동시키는 단계;
상기 캐소드 전극부들에 전압을 인가하고, 상기 기판 상에 금속막을 형성하는 단계; 및
상기 금속막이 증착된 기판을 상기 프로세스 챔버로 부터 트랜스퍼 챔버로 언로딩 시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 캐소드 전극부를 다시 상기 프로세스 챔버에 닫은 후, 진공 상태를 유지하기 위한 펌핑 단계를 생략 할 수 있고, 상기 프로세서 챔버 도어는 대응되는 상기 캐소드 전극부가 오픈 될 때 닫히도록 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 스퍼터링 프로세스 챔버 내부의 부품 교환이 없고, 캐소드 전극부의 부품만을 교환할 때, 진공 상태를 그대로 유지할 수 없어 펌핑 과정을 생략할 수 있거나 펌핑 시간을 줄일 수 있는 이점이 있다.
아울러, 프로세스 챔버의 오픈으로 인하여 발생할 수 있는 파티클, 이물질 등을 줄일 수 있으므로 제품 수율을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 자세히 설명하도록 한다.
도 3은 본 발명에 따른 스퍼터링 프로세스 챔버의 구조를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 대화면 액정표시장치의 기판 상에 금속막을 증착하기위한 X 타입의 스퍼터링 설비를 나타낸 것으로 하나의 프로세스 챔버(40) 둘레를 따라 세 개의 캐소드 전극부들(100, 200, 300)이 부착되어 있고, 상기 캐소드 전극부들(100, 200, 300)과 대응되는 상기 프로세스 챔버(40) 내에는 진공도 유지와 외부 환경으로부터 차단을 위한 프로세스 챔버 도어들(41a, 41b, 41c)이 각각 배치되어 있다.
상기 프로세스 챔버(40)의 일측면에는 금속막을 증착하기 위한 기판들을 이송하는 트랜스 챔버(50)가 연결되어 있고, 상기 트랜스 챔버(50) 내에는 트랜스 챔버 도어(51)가 배치되어 있다. 그리고, 상기 트랜스 챔버(50)에는 대기와 버퍼층 역할을 하면서 기판 상에 열을 가하는 로딩 챔버들(제 1 로드 챔버:60, 제 2 로드 챔버:70)이 X자 형태로 연결되어 있는 구조를 하고 있다.
상기 로드 챔버들(60, 70)과 트랜스 챔버(50)가 연결되는 영역에는 제 1 로드 챔버 도어(55a)와 제 2 로드 챔버 도어(55b)가 배치되어 상기 트랜스 챔버(50)와 상기 제 1 및 제 2 로드 챔버(60, 70) 간의 환경을 차폐하는 역할을 하도록 하였다.
먼저, 상기 프로세스 챔버도어들(41a, 41b, 41c)을 상기 프로세스 챔버(40)에서 오픈시킨 상태에서, 금속 막을 증착하기 위하여 기판들이 저장된 카세트 케이스(80)의 카세트(85)들로 부터 로봇암이 상기 제 1 로드 챔버(60) 또는 제 2 로드챔버(70)로 기판을 로딩시키면, 상기 제 1 로드 챔버(60)와 제 2 로드 챔버(70)는 대기 상태의 진공도와 상기 프로세스 챔버(40)의 높은 진공도의 완충 지대 역할을 하도록 하여 기판 상태를 진공도가 높은 챔버에서 용이하게 금속막을 증착할 수 있도록 환경을 조성한다.
또한, X자 형태로 상기 제 1 로드 챔버(60)와 제 2 로드 챔버(70)가 배치되어 있는 멀티 캐소드 스퍼터링 장치는 별도의 히팅 챔버를 구비하고 있지 않기 때문에 상기 로드 챔버들(60, 70)에서 자외선 램프를 이용하여 기판을 가열한다.
상기 제 1 로드 챔버(60) 또는 제 2 로드 챔버(70)에서 가열된 기판은 상기 트랜스 챔버(50)로 이동한 후, 스퍼터링에 의하여 금속막을 증착하는 시간을 고려하여 상기 프로세스 챔버(40)에 기판을 이동시킴으로써 생산 효율을 증대시키도록 한다.
상기 트랜스 챔버(50)로부터 이송되어 상기 프로세스 챔버(40)로 이동 해 온 기판은 상기 프로세스 챔버(40)의 서셉터에 안착된다. 그런 다음, 상기 제 1 캐소드 전극부(100), 제 2 캐소드 전극부(200) 및 제 3 캐소드 전극부(300)들 중 하나의 전극부의 타겟에 고주파 전류를 인가하여 금속 이온을 형성하도록 하고, 이를 직류 전원에 의하여 방전하게 함으로써 기판 상에 금속 이온들이 재결하여 금속막이 형성되도록 한다.
상기 기판 상에 금속막을 증착하고 나서 증착할 금속을 교환하거나 상기 캐소드 전극부들(100, 200, 300)에 부착되어 있는 그라운드 쉴드(도 4의 45), 또는 프로세스 챔버(40) 내에 배치되어 있는 마스크 쉴드(도 4의 43)를 교체하기 위하여상기 캐소드 전극부들(100, 200, 300)을 오픈한다. 이때, 상기 프로세스 챔버(40) 내에 배치되어 있는 제 1 프로세스 챔버 도어(41a), 제 2 프로세스 챔버 도어(41b) 및 제 3 프로세스 챔버 도어(41c)를 닫아 외부 환경으로부터 차단시킨다.
따라서, 상기 제 1 캐소드 전극부(100), 제 2 캐소드 전극부(200) 및 제 3 캐소드 전극부(300)들을 오픈 시킬 경우에 상기 프로세스 챔버(40) 내의 진공도가 낮아지는 것을 방지하여, 부품 교체후 진공도를 유지하기 위한 펌핑 공정이 하지 않아도 되기 때문에 생산 속도 및 생산 수율이 향상될 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 캐소드 전극부가 부착된 프로세스 챔버의 구조를 도시한 도면이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 액정표시장치 기판 상에 금속막을 증착하는 스퍼터링 프로세스 챔버(40)를 크게 분류하면 프로세스 챔버(40), 전원부(61, 63), 타겟(44) 및 기판(42)으로 구성된다. 상기 프로세스 챔버(process chamber:40)는 스퍼터링 공정이 진행되는 챔버이고 원활한 공정 진행을 위하여 진공 상태로 유지되는 밀폐된 공간이다.
상기 전원부는 고주파 발생기(radio frequence generator: RF: 63)와 직류 전원(direct current power supply: DC power supply:61)으로 구성되며 각 단자는 기판(42)과 타겟(44)에 연결되어 그 사이에 전기장을 형성하여 플라즈마가 발생하도록 조성한다.
상기 타겟(44)은 증착할 금속 물질을 지지하는 부분으로 상기 타겟(44) 외에 백 플레이트(46), 마그네트(47)등으로 구성되어 있다. 상기 백 플레이트(46)는 상기 타겟(44)을 고정하고 지지하는 판이며, 상기 마그네트(47)는 발생하는 전자 이온의 낭비를 방지하기 위하여 스퍼터링 효율을 향상시키기 위해 상기 타겟(44) 전방에 자기장을 발생시키는 구성 요소이다.
상기 기판(42)은 금속막을 증착할 때, 안정적으로 고정시키는 서셉터(41) 상에 위치시키고, 상기 프로세스 챔버(40) 내의 압력을 조절하기 위하여 펌프부(57)에 의하여 펌핑(pumping)을 실시한다.
상기와 같은 구조를 갖는 스퍼터링 프로세스 챔버(40)는 상기 제 2 캐소드 전극부(200)에 부착되어 있는 상기 타겟(44)과 상기 기판(42)이 위치한 서셉터(41)를 각각 전원의 음극단과 양극단에 연결하고, 고주파를 발생시키면서 DC 전원을 인가하면 전기장의 작용으로 타겟에서 전자가 발생하고 이 전자들은 양극단으로 가속된다.
이때 가속 전자들이 상기 프로세스 챔버(40)에 공급된 가스(Ar가스)와 충돌하여 가스가 이온화된다. 아르곤 양이온(Ar)은 전기장의 작용으로 상기 제 2 캐소드 전극부(200)에 연결된 상기 타겟(44)을 가격하여 타겟 표면에서 타겟 원자들이 이탈되는 스퍼터링 형상이 발생된다.
한편 상기 타겟(44)에서 방출되어 양극단으로 가속되는 전자는 중성 원자와 충돌하여 여기되고 이때 플라즈마가 발생한다. 플라즈마는 외부의 전위가 유지되고 전자가 계속 발생할 경우 유지된다.
도면에서는 도시하였지만, 설명하지 않은 58은 방전을 위한 가스 공급부를 나타낸다.
도 5는 본 발명에 따른 캐소드 전극부가 프로세스 챔버로부터 오픈 된 상태를 도시한 도면이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 기판(42) 상에 증착할 Al 금속, Mo 금속 또는 MoW 금속들을 제 2 캐소드 전극부(200)의 타겟(44)에 부착하기 위하여 프로세스 챔버(40)로부터 오픈 시키거나, 상기 제 2 캐소드 전극부(200)에 부착되어 있는 타겟(44), 백 플레이트(46), 마그네트(47), 그라운드 쉴드(ground shield:45) 교체하거나 수리할 때 오픈시킨다.
이때, 상기 프로세스 챔버(40)의 높은 진공도의 파괴를 방지하기 위하여 제 2 프로세스 챔버 도어(41b)를 닫아 상기 프로세스 챔버(40) 내부는 계속해서 높은 진공도(10-4torr)를 유지할 수 있도록 할 뿐 만 아니라 외부 환경에 서 유입될지 모르는 파티클(particle)의 침투를 방지하도록 한다.
상기 제 2 프로세스 챔버 도어(41b)가 배치되는 영역은 부품 교체 및 수리가 자주 발생하는 영역의 안쪽이 가장 좋은데, 상기 프로세스 챔버(40) 내에 배치되는 상기 마스크 쉴드(43)는 상기 제 2 캐소드 전극부(200)에 배치되어 있는 상기 그라운드 쉴드(45)와 함께 교체되므로 상기 마스크 쉴드(43)가 배치된 영역의 안쪽에 상기 제 2 프로세스 챔버 도어(41b)를 배치하는 것이 이상적이다.
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명은 스퍼터링 장치에서 캐소드 전극부의 부품 교체 및 수리를 위하여 프로세스 챔버로부터 오픈을 시켜도 챔버내의진공도를 유지할 수 있어 금속막 증착 공정시 펌핑 공정을 생략할 수 있는 효과가 있다.
이로 인하여, 스퍼터링 장치의 가동 상태를 만들기위하여 소요되는 시간을 줄일 수있어 생산 효율이 증대되는 이점이 있다.
또한, 캐소드 전극의 오픈에 의하여 외부로부터 침투될 수 있는 파티클을 차단하여 제품 수율 향상을 기대할 수 있다.
본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않고, 이하 청구 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.

Claims (6)

  1. 기판 상에 금속막이 형성될 수 있도록 하는 프로세스 챔버;
    상기 프로세스 챔버의 측면 상에 하나 이상 배치되는 캐소드 전극부들;
    상기 캐소드 전극부와 상기 프로세스 챔버 사이에 배치되어 있는 프로세스 챔버 도어들; 및
    상기 프로세스 챔버로 금속막을 증착하고자 하는 기판을 이송하는 트랜스 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 프로세스 챔버구조.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버 도어는 상기 프로세스 챔버내의 마스크 쉴드 안쪽에 각각 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 프로세스 챔버구조.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버 도어의 두께는 상기 캐소드 전극부에 부착되어 있는 타겟과 기판 간의 오차 거리 이내인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 프로세스 챔버구조.
  4. 프로세스 챔버와 캐소드 전극부 사이에 배치되어 있는 프로세스 챔버 도어를 오픈하는 단계;
    금속막을 증착하기 위하여 기판을 상기 프로세스 챔버 내로 이동시키는 단계;
    상기 캐소드 전극부들에 전압을 인가하고, 상기 기판 상에 금속막을 형성하는 단계; 및
    상기 금속막이 증착된 기판을 상기 프로세스 챔버로 부터 트랜스퍼 챔버로 언로딩 시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 캐소드 전극부를 다시 상기 프로세스 챔버에 닫은 후, 진공 상태를 유지하기 위한 펌핑 단계를 생략 할 수 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 프로세서 챔버 도어는 대응되는 상기 캐소드 전극부가 오픈 될 때 닫히도록 하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101513277B1 (ko) * 2013-11-26 2015-04-17 주식회사 아바코 스퍼터링 시스템
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