JPS5911355B2 - ポリイミドをベ−スとした重合体のフイルムの腐食法 - Google Patents
ポリイミドをベ−スとした重合体のフイルムの腐食法Info
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- C08J2379/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はポリアミド−イミドを含めて、ポリイミドをベ
ースとした重合体から作られたフイルムの腐食法に関す
る。
ースとした重合体から作られたフイルムの腐食法に関す
る。
゛カプトン（ＫａｐｔＯｎ）″（商品名）としてデユポ
ン社から販売されるようなポリイミドフィルムは広い温
度範囲にわたつてその物理的、化学的、及び電気的性質
を保つ非常に丈夫なフイルムである。
ン社から販売されるようなポリイミドフィルムは広い温
度範囲にわたつてその物理的、化学的、及び電気的性質
を保つ非常に丈夫なフイルムである。
このフイルムは多くの工業的適用に卦いてフィルムを有
用にする多くの性質を有する。他の性質と組合された、
非常に小さな厚さでさえその優れた絶縁性はフレキシブ
ルプリント配線板としての使用に対してこれを望ましい
ものにする。フイルムの腐食は使用の多くの前後関係で
望ましく、かっポリイミドフイルムの腐食は当業者に困
難な問題を提示している。このフイルムを腐食するため
現在出願人が知る唯一の成功した方法は極めて塩基性の
水溶液中で行なわれねばならない。しかし、この塩基性
水溶液の使用は幾つかの理由で望ましくない。例えば、
０Ｈ−イオンの水和により、水溶液中の塩基濃度は約
１６以上の，Ｈを達成することはできない。
用にする多くの性質を有する。他の性質と組合された、
非常に小さな厚さでさえその優れた絶縁性はフレキシブ
ルプリント配線板としての使用に対してこれを望ましい
ものにする。フイルムの腐食は使用の多くの前後関係で
望ましく、かっポリイミドフイルムの腐食は当業者に困
難な問題を提示している。このフイルムを腐食するため
現在出願人が知る唯一の成功した方法は極めて塩基性の
水溶液中で行なわれねばならない。しかし、この塩基性
水溶液の使用は幾つかの理由で望ましくない。例えば、
０Ｈ−イオンの水和により、水溶液中の塩基濃度は約
１６以上の，Ｈを達成することはできない。
更に、フイルムが水溶液で腐食されるにつれて、反応生
成物はフイルムの表面上にゴム状懸濁液で保持され、こ
のゴム状懸濁液は腐食剤がフイルムと良好な表面接触を
得ることを妨げ、それ故腐食工程を著しく遅延し反は停
止することさえある。
成物はフイルムの表面上にゴム状懸濁液で保持され、こ
のゴム状懸濁液は腐食剤がフイルムと良好な表面接触を
得ることを妨げ、それ故腐食工程を著しく遅延し反は停
止することさえある。
この従来法に関しなお別の問題はこの技術に使用される
強塩基性の溶液は水酸化ナトリウム又はヒドラジンのよ
うな塩基の水溶液を含むことである。有効濃度でヒドラ
ジンは特にこれを用いて作業するには有害でありかつ特
に皮膚と目に危険である。従つて、ヒドラジンより有害
でない化学試剤を使用し、かつ腐食を容易にするため副
生物に対して適当な溶解度を供するポリイミドフイルム
を腐食する方法が供されるならばそれば望ましいことで
ある。
強塩基性の溶液は水酸化ナトリウム又はヒドラジンのよ
うな塩基の水溶液を含むことである。有効濃度でヒドラ
ジンは特にこれを用いて作業するには有害でありかつ特
に皮膚と目に危険である。従つて、ヒドラジンより有害
でない化学試剤を使用し、かつ腐食を容易にするため副
生物に対して適当な溶解度を供するポリイミドフイルム
を腐食する方法が供されるならばそれば望ましいことで
ある。
本発明はこの方法を提供する。
本発明は非水溶液でポリイミドをベースとしたノイルム
を腐食する方法を供する。
を腐食する方法を供する。
その非水溶液よ、例えば水酸化テトラエチルアンモニウ
ムをジメチルスルホキシドのような適当な非水溶媒に溶
イさせた溶液である。更に詳細には、本発明は、ｆ》
ポリイミドをベースとした重合体に、ジメチルスルホキ
シド、スルホラン、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチ
ルボスホールアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド
；Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド及びビリジンからなる
群から選択された非水溶媒中の、（式中Ｒ１とＲ２は１
ないし４炭素の同一又は異なるアルキル基であり：Ｒ３
は１ないし１８炭素のアルキル又は１ないし１８炭素の
アルケニルであり；そしてＲ４は１ないし１８炭素のア
ルキル、１ないし１８炭素のアルケニル、フエニル、ア
ルキル部分が１ないし１８炭素を有するアルキルフエニ
ル、ベンジル又はアルキル部分が１ないし１８炭素を有
するアルキルベンジルである）を有する第四級水酸化ア
ンモニウム又はその混合物の溶液を接触することを特徴
とするポリイミドベース重合体のフイルムを腐食する方
法、卦よび１》 （ａ）ポリイミドをベースとした重合
体のフイルムをホトレジストで被覆し、（ｂ） 前記ホ
トレジストを露光しかつ現像して所望のパターンを形成
し、（ｃ）上記ポリイミドフイルムに、ジメチルスルホ
キシド、スルホラン、ジメチルホルムアミド、ヘキサメ
チルボスホールアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミ
ド；Ｎ，Ｎ−ジエメチアセトアミド及びピリジンからな
る群から選択された非水溶媒中の、（式中Ｒ１とＲ２は
１ないし４炭素の同一又は異なるアルキル基であり；
Ｒ３は１ないし１８炭素のアルキル又は１ないし１８炭
素のアルケニルであり：そしてＲ４は１ないし１８炭素
のアルキル、１ないし１８炭素のアルケニル、フエニル
、アルキル部分が１ないし１８炭素を有するアルキルフ
エニル、ベンジル又はアルキル部分が１ないし１８炭素
を有するアルキルベンジルである）を有する第四級水酸
化アンモニウム又はその混合物の溶液を接触させ、（ｄ
）前記工程（ｃ》で生じた腐食反応生成物を除去する、
ことからなるポリイミドベース重合体のフイムを腐食す
る方法、を提供することである。
ムをジメチルスルホキシドのような適当な非水溶媒に溶
イさせた溶液である。更に詳細には、本発明は、ｆ》
ポリイミドをベースとした重合体に、ジメチルスルホキ
シド、スルホラン、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチ
ルボスホールアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド
；Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド及びビリジンからなる
群から選択された非水溶媒中の、（式中Ｒ１とＲ２は１
ないし４炭素の同一又は異なるアルキル基であり：Ｒ３
は１ないし１８炭素のアルキル又は１ないし１８炭素の
アルケニルであり；そしてＲ４は１ないし１８炭素のア
ルキル、１ないし１８炭素のアルケニル、フエニル、ア
ルキル部分が１ないし１８炭素を有するアルキルフエニ
ル、ベンジル又はアルキル部分が１ないし１８炭素を有
するアルキルベンジルである）を有する第四級水酸化ア
ンモニウム又はその混合物の溶液を接触することを特徴
とするポリイミドベース重合体のフイルムを腐食する方
法、卦よび１》 （ａ）ポリイミドをベースとした重合
体のフイルムをホトレジストで被覆し、（ｂ） 前記ホ
トレジストを露光しかつ現像して所望のパターンを形成
し、（ｃ）上記ポリイミドフイルムに、ジメチルスルホ
キシド、スルホラン、ジメチルホルムアミド、ヘキサメ
チルボスホールアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミ
ド；Ｎ，Ｎ−ジエメチアセトアミド及びピリジンからな
る群から選択された非水溶媒中の、（式中Ｒ１とＲ２は
１ないし４炭素の同一又は異なるアルキル基であり；
Ｒ３は１ないし１８炭素のアルキル又は１ないし１８炭
素のアルケニルであり：そしてＲ４は１ないし１８炭素
のアルキル、１ないし１８炭素のアルケニル、フエニル
、アルキル部分が１ないし１８炭素を有するアルキルフ
エニル、ベンジル又はアルキル部分が１ないし１８炭素
を有するアルキルベンジルである）を有する第四級水酸
化アンモニウム又はその混合物の溶液を接触させ、（ｄ
）前記工程（ｃ》で生じた腐食反応生成物を除去する、
ことからなるポリイミドベース重合体のフイムを腐食す
る方法、を提供することである。
前述の如〈本発明の方法に従つて、適当なポリイミドベ
ースフイルムを適当なホトレジストで被覆し、次いでこ
のホトレジストを所望のパターンに従つて露光し、現像
し、次いでポリイミドフイルムの所望部分は前述の如き
溶媒中で前述のイオン化可能塩基の非水溶液で腐食する
。
ースフイルムを適当なホトレジストで被覆し、次いでこ
のホトレジストを所望のパターンに従つて露光し、現像
し、次いでポリイミドフイルムの所望部分は前述の如き
溶媒中で前述のイオン化可能塩基の非水溶液で腐食する
。
この腐食反応生成物は容易に表面から除去され、かつ腐
食表面は滑らかできれいである。次いでこのホトレジス
トは所望の方法で除去することができる。前述のように
、ポリイミドフイルムは高温で優れた絶縁を供する軽く
かつ丈夫なフイルムである。このフイルムに関する技術
情報は商品名゛カプトン″″としてこのフイルムを市販
するデユボン社から人手することができる。本発明は、
例えば、プリント配線板、フレキシブルプリント配線板
、多層プリント配線板等の製造のときにそれらに所望の
パターンの腐食を得るために利用することができる。
食表面は滑らかできれいである。次いでこのホトレジス
トは所望の方法で除去することができる。前述のように
、ポリイミドフイルムは高温で優れた絶縁を供する軽く
かつ丈夫なフイルムである。このフイルムに関する技術
情報は商品名゛カプトン″″としてこのフイルムを市販
するデユボン社から人手することができる。本発明は、
例えば、プリント配線板、フレキシブルプリント配線板
、多層プリント配線板等の製造のときにそれらに所望の
パターンの腐食を得るために利用することができる。
すなわち、これら配線板を構成するポリイミドベースフ
イルムをホトレジストで被覆し、露光し、現像しそして
本発明方法で腐食することにより、ベースフイルム上の
所望の位置に所望のパターン卦よび開孔部、貫通孔等を
極めて容易に設けることができる。な卦ホトレジストと
しては、例えばＫＭＥＲ（コダツク・メタル・エツチ・
レジスト）等を用いることができる。このホトレジスト
は当業者に周知の技術に従つて露Ｙｆ．されかつ現像さ
れて、生成物の所望の最終用途に従ってパターンを供す
る。本発明による有用な代表的第四級水酸化アンモニウ
ムは下記のものである；水酸化テトラメチルアンモニウ
ム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブ
チルアンモニウム、水酸化ベンジルトリメチルアンモニ
ウム、水酸化フエニルトリメチルアンモニウム、水酸化
ドデシルトリメチルアンモニウム、水酸化ヘキサデシル
トリメチルアンモニウム、水酸化オクタデシルトリメチ
ルアンモニウム、水酸化ドジシルトリエチルアンモニウ
ム、水酸化ヘキサデシルトリエチルアンモニウム、水酸
化オクタデシルトリエチルアンモニウム、水酸化ドデシ
ルトリ−ｎ−プロピルアンモニウム、水酸化ドデシルト
リ−イソプロビルアンモニウム、水酸化ベンジルジメチ
ルアンモニウム、水酸化ジメチルエチルヘキサデシルア
ンモニウム、水酸化ｐ−ドデシルベンジルトリメチルア
ンモニウム、及び水酸化ベンジルジメチルオクタデシル
アンモニウム。本発明に従つて使用のため選択される非
水溶媒は非常に高い双極モーメントを有するものでなけ
ればならないが、水素結合能力を有しなくともよい。
イルムをホトレジストで被覆し、露光し、現像しそして
本発明方法で腐食することにより、ベースフイルム上の
所望の位置に所望のパターン卦よび開孔部、貫通孔等を
極めて容易に設けることができる。な卦ホトレジストと
しては、例えばＫＭＥＲ（コダツク・メタル・エツチ・
レジスト）等を用いることができる。このホトレジスト
は当業者に周知の技術に従つて露Ｙｆ．されかつ現像さ
れて、生成物の所望の最終用途に従ってパターンを供す
る。本発明による有用な代表的第四級水酸化アンモニウ
ムは下記のものである；水酸化テトラメチルアンモニウ
ム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブ
チルアンモニウム、水酸化ベンジルトリメチルアンモニ
ウム、水酸化フエニルトリメチルアンモニウム、水酸化
ドデシルトリメチルアンモニウム、水酸化ヘキサデシル
トリメチルアンモニウム、水酸化オクタデシルトリメチ
ルアンモニウム、水酸化ドジシルトリエチルアンモニウ
ム、水酸化ヘキサデシルトリエチルアンモニウム、水酸
化オクタデシルトリエチルアンモニウム、水酸化ドデシ
ルトリ−ｎ−プロピルアンモニウム、水酸化ドデシルト
リ−イソプロビルアンモニウム、水酸化ベンジルジメチ
ルアンモニウム、水酸化ジメチルエチルヘキサデシルア
ンモニウム、水酸化ｐ−ドデシルベンジルトリメチルア
ンモニウム、及び水酸化ベンジルジメチルオクタデシル
アンモニウム。本発明に従つて使用のため選択される非
水溶媒は非常に高い双極モーメントを有するものでなけ
ればならないが、水素結合能力を有しなくともよい。
この溶媒は約３０−４５の範囲内の誘電率を有すべきで
ある。これらの溶媒は水酸化テトラエチルアンモニウム
のような塩基性化合物をイオン化して，Ｈ約２６の範囲
内の塩基活性度を与えることが可能である。
ある。これらの溶媒は水酸化テトラエチルアンモニウム
のような塩基性化合物をイオン化して，Ｈ約２６の範囲
内の塩基活性度を与えることが可能である。
この目的のために出願人にエリ適当であることが判明し
た特定の溶媒は、本出願の時に好適な溶媒としてジメチ
ルスルホキシド及びスルホラン及びジメチルホルムアミ
ドのような類似の非水溶媒を含包する。
た特定の溶媒は、本出願の時に好適な溶媒としてジメチ
ルスルホキシド及びスルホラン及びジメチルホルムアミ
ドのような類似の非水溶媒を含包する。
使用の前後関係で満足すべきことが判明した他のこの溶
媒はヘキサメチルボスホールアミド：Ｎ−メチルピロリ
ドン；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド：Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルホルムアミド；Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、及び
ピリジンを含包する。実施例 １ １０％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液１００ｍ
ｅを沸騰させて２０ｍ１！に減少させた。
媒はヘキサメチルボスホールアミド：Ｎ−メチルピロリ
ドン；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド：Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルホルムアミド；Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、及び
ピリジンを含包する。実施例 １ １０％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液１００ｍ
ｅを沸騰させて２０ｍ１！に減少させた。
な卦、この方法でこの塩基溶液の濃度は必ずしも必要で
はないが、工り強い塩基が最良の結果を得る際に更に効
果的であるので、本実施例に関してはこれが望ましい。
次いでジメチルスルホキシド２０ｄ、）を削記の濃い水
酸化テトラエチルアンモニウムに添加した。）， 次
にこの溶液をフイルムを腐食するため沸点近′４くまで
加熱しム次いで加熱された溶液（１００−１５０℃）を
ポリイミドフイルムの上方表面に適用すると、短時間で
（５ミリ厚さのポリイミドフイルムを腐食する時に約２
分）、このフイルムが満足に腐食した。
はないが、工り強い塩基が最良の結果を得る際に更に効
果的であるので、本実施例に関してはこれが望ましい。
次いでジメチルスルホキシド２０ｄ、）を削記の濃い水
酸化テトラエチルアンモニウムに添加した。）， 次
にこの溶液をフイルムを腐食するため沸点近′４くまで
加熱しム次いで加熱された溶液（１００−１５０℃）を
ポリイミドフイルムの上方表面に適用すると、短時間で
（５ミリ厚さのポリイミドフイルムを腐食する時に約２
分）、このフイルムが満足に腐食した。
実施例 ２
１０％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液１００ｍ
ｅを沸騰させて２０ｍ１に減少させた。
ｅを沸騰させて２０ｍ１に減少させた。
次にこの濃い水酸化テトラエチルアンモニウム溶液をピ
リジン４０ｄとジメチルスルホキシド１０ｍ１に添加し
た。この腐食溶液に露出されたフイルムの両側に関して
５ミリ１カプトン２フイルムを通しての腐食速度は２４
℃で０．１５ミル／分、 卦よび８０℃で１ミル／分で
あつた。実施例 ３ １０９ｂ水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液１００
ｒ！１ｔを沸騰させて２０ｄに減少させた。
リジン４０ｄとジメチルスルホキシド１０ｍ１に添加し
た。この腐食溶液に露出されたフイルムの両側に関して
５ミリ１カプトン２フイルムを通しての腐食速度は２４
℃で０．１５ミル／分、 卦よび８０℃で１ミル／分で
あつた。実施例 ３ １０９ｂ水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液１００
ｒ！１ｔを沸騰させて２０ｄに減少させた。
次にこの濃い水酸化テトラエチルアンモニウムをスルホ
ラン４０ｆｆ１ｔｖｃ．鋤０し九この腐食溶液に露出し
たフイルムの両側に関して５ミル１カプトン０フイルム
を通しての腐食速度は８５℃で０．１３ミル／分であつ
た。溶解したフイルムを除去するため腐食工程中溶液を
かきまぜることが望ましい。
ラン４０ｆｆ１ｔｖｃ．鋤０し九この腐食溶液に露出し
たフイルムの両側に関して５ミル１カプトン０フイルム
を通しての腐食速度は８５℃で０．１３ミル／分であつ
た。溶解したフイルムを除去するため腐食工程中溶液を
かきまぜることが望ましい。
卦そら〈このかきまぜは必要であろう。腐食面はきれい
でかつ滑らかであり、そして腐食生成物は可溶性であシ
叉は容易に表面から分散させることができる。腐食マス
クは溶液Ｋより影響されるべきではない。ジメチルスル
ホキシド中の水酸化テトラエチルアンモニウムの弱い溶
．液は所望の腐食を行なうのに有効でないことを実験室
の研究が示した。
でかつ滑らかであり、そして腐食生成物は可溶性であシ
叉は容易に表面から分散させることができる。腐食マス
クは溶液Ｋより影響されるべきではない。ジメチルスル
ホキシド中の水酸化テトラエチルアンモニウムの弱い溶
．液は所望の腐食を行なうのに有効でないことを実験室
の研究が示した。
前述の如く供される腐食溶液は比較的安全であり、カリ
強い化学試剤に対して通常予期されるものと同一の注意
を必要とする。通常の鋼又はガラスの容器が本質的に非
腐食性であるここに記載した化学材料の貯蔵に対して適
している。本発明は好適具体例に関して記載されたが、
種種の変型が前記の特許請求の範囲により定義される本
発明の範囲から逸脱することなく記載の方法でなされ得
ることは明らかであろう。
強い化学試剤に対して通常予期されるものと同一の注意
を必要とする。通常の鋼又はガラスの容器が本質的に非
腐食性であるここに記載した化学材料の貯蔵に対して適
している。本発明は好適具体例に関して記載されたが、
種種の変型が前記の特許請求の範囲により定義される本
発明の範囲から逸脱することなく記載の方法でなされ得
ることは明らかであろう。
な卦、本発明は次の態様を包含する。
（１》 第四級水酸化アンモニウムが水酸化テトラエチ
ルアンモニウムでありかつ非水溶媒がジメチルスルホキ
シドである特許請求の範囲１又は２による方法。
ルアンモニウムでありかつ非水溶媒がジメチルスルホキ
シドである特許請求の範囲１又は２による方法。
セ》 第四級水酸化アンモニウムが水酸化テトラエチル
アンモニウムであり、かつ非水溶媒がピリジンである特
許請求の範囲１又は２Ｋよる方法。
アンモニウムであり、かつ非水溶媒がピリジンである特
許請求の範囲１又は２Ｋよる方法。
（３）第四級水酸化アンモニウムの少くとも約３０容量
％非水溶媒腐食溶液を用いる前記特許請求の範囲１又は
２ＶＣよる方法。（４》 前記の腐食溶液が前記のベー
スフイルムと接触中である間、かきまぜられる特許請求
の範囲２による方法。
％非水溶媒腐食溶液を用いる前記特許請求の範囲１又は
２ＶＣよる方法。（４》 前記の腐食溶液が前記のベー
スフイルムと接触中である間、かきまぜられる特許請求
の範囲２による方法。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ポリイミドをベースとした重合体に、ジメチルスル
ホキシド、スルホラン、ジメチルホルムアミド、ヘキサ
メチルホスホールアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド；Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド及びピリジンから
なる群から選択された非水溶媒中の、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒ＾１とＲ＾２は１ないし４炭素の同一又は異な
るアルキル基であり；Ｒ＾３は１ないし１８炭素のアル
キル又は１ないし１８炭素のアルケニルであり；そして
Ｒ＾４は１ないし１８炭素のアルキル、１ないし１８炭
素のアルケニル、フェニル、アルキル部分が１ないし１
８炭素を有するアルキルフェニル、ベンジル又はアルキ
ル部分が１ないし１８炭素を有するアルキルベンジルで
ある）を有する第四級水酸化アンモニウム又はその混合
物の溶液を接触することを特徴とするポリイミドベース
重合体のフィルムを腐食する方法。 ２ （ａ）ポリイミドをベースとした重合体のフィルム
をホトレジストで被覆し、（ｂ）前記ホトレジストを露
光しかつ現像して所望のパターンを形成し、（ｃ）上記
ポリイミドフィルムに、ジメチルスルホキシド、スルホ
ラン、ジメチルホルムアミド、ヘキサ−メチルホスホー
ルアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルア
セトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド；Ｎ，Ｎ−
ジエチルアセトアミド及びピリジンからなる群から選択
された非水溶媒中の、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒ＾１とＲ＾２は１ないし４炭素の同一又は異な
るアルキル基であり；Ｒ＾３は１ないし１８炭素のアル
キル又は１ないし１８炭素のアルケニルであり；そして
Ｒ＾４は１ないし１８炭素のアルキル、１ないし１８炭
素のアルケニル、フェニル、アルキル部分が１ないし１
８炭素を有するアルキルフェニル、ベンジル又はアルキ
ル部分が１ないし１８炭素を有するアルキルベンジルで
ある）を有する第四級水酸化アンモニウム又はその混合
物の溶液を接触させ、（ｄ）前記工程（ｃ）で生じた腐
食反応生成物を除去する、ことからなるポリイミドベー
ス重合体のフィルムを腐食する方法。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| US426275A US3871930A (en) | 1973-12-19 | 1973-12-19 | Method of etching films made of polyimide based polymers |
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| JPS5092973A JPS5092973A (ja) | 1975-07-24 |
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| US4306925A (en) * | 1977-01-11 | 1981-12-22 | Pactel Corporation | Method of manufacturing high density printed circuit |
| DE2919841A1 (de) * | 1979-05-16 | 1980-11-20 | Siemens Ag | Verfahren zur phototechnischen herstellung von reliefstrukturen |
| US4276186A (en) * | 1979-06-26 | 1981-06-30 | International Business Machines Corporation | Cleaning composition and use thereof |
| JPS5896632A (ja) * | 1981-12-02 | 1983-06-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポリイミド系樹脂のエツチング方法 |
| DE3215410A1 (de) * | 1982-04-24 | 1983-10-27 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum herstellen von oeffnungen mit hilfe einer maske in einer auf einer unterlage befindlichen schicht |
| DE3215411A1 (de) * | 1982-04-24 | 1983-10-27 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum herstellen von oeffnungen mit hilfe einer maske in einer auf einer unterlage befindlichen schicht |
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| JPH02144987A (ja) * | 1988-11-26 | 1990-06-04 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
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| EP0481811B1 (en) * | 1990-10-19 | 1997-12-17 | Purex Co.Ltd. | Treatment method of cleaning surface of plastic molded item |
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