JPS5911100B2 - フオトラツカ−ジヨキヨザイ - Google Patents

フオトラツカ−ジヨキヨザイ

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JPS5911100B2
JPS5911100B2 JP50137686A JP13768675A JPS5911100B2 JP S5911100 B2 JPS5911100 B2 JP S5911100B2 JP 50137686 A JP50137686 A JP 50137686A JP 13768675 A JP13768675 A JP 13768675A JP S5911100 B2 JPS5911100 B2 JP S5911100B2
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remover
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weight percent
acid
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ボイマー ヴイルヘルム
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Merck Patent GmbH
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、フオトラツカー除去剤、その使用方法及び
硬化したフオトラツカーの蝕刻マスクを除去する方法に
関するものである。
半導体又は集積回路を制御エッチングにて製造する際に
、蝕刻させない基体の部分は原則として５ 硬化フオト
ラツカーの層にて保護される。
エッチング工程終了後、この蝕刻マスクはその基体から
除去しなければならない。このために使用される除去剤
は、ストリッパーとも呼称され、そのラツカー層をでき
るだけ迅速にそしてその基体の機械１０的な歪みを生ず
ることなしに除去しうるものである。更に、かかるスト
リッパーは、基体上の望ましくないドーピング効果を避
けるために、不純物を実質上含んでいないものでなけれ
ばならない。実際には、界面活性化合物一種又はそれ以
上、フ１５エノール物質の少くとも一種及び塩素化炭化
水素一種又はそれ以上の混合物が除去剤として使用され
ている。例えば、米国特許第３５８２４０１号から、一
般式 □Ｈ３）ｍ （式中、ｍは０、１又は２である）で示されるア２５リ
ールスルホン酸及びフェノール性成分、例えばフェノー
ル、クレゾール、キシレノール又はハロフエノール等の
少くとも一種と、そして沸点が７７５℃以上の非水性、
ハロゲン化希釈剤、例えば四塩化炭素、トリクロルエチ
レン、テトラクロロ３０エチレン又は０−ジクロロベン
ゼン等の少くとも１種からなる除去剤が知られている。
同様な組成を有しそして長い鎖状のアルキルベンゼンス
ルホン酸を界面活性剤として含有している製剤もまた市
販されている。３５しかしながら、これらのフオトラツ
カー除去剤は一連の不利点があり、それで作業を非常に
困難にしている。
その不利点としては、特に必須成分であるフエノールお
よび塩素化炭化水素の毒性が挙げられ、これらの物質に
よる健康への害を避けるために、それらを使用するに当
つては困難で費用のかかる安全手段を必要とする。前述
の既知除去剤組成物の更に別の不利点は、特に、加熱下
で比較的長時間かけて後硬化させたフオトラツカ一層を
除去するために使用する場合に認められる。
かかる触刻マスクを満足に除去するために、除去剤は７
５℃以上、好ましくは約１００℃の温度に加熱して使用
される。これらの温度の場合には、既知の除去剤中に含
まれている溶媒はすでに非常に揮発性であり、それで比
較的に短時間のうちにその除去剤浴の重量が明らかに減
少し、それによつて効率が失なわれることになる。これ
ら損失を補填するためには、３０乃至６０分という僅か
な間隔をおいて、しばしば新たな除去剤をその浴に補充
しなければならない。従つて、この発明の目的は、これ
らの不利点を有しないか又は相当に減少できるフオトラ
ツカ一除去剤を提供することである。本発明者は、炭素
原子数１２乃至２０個のアルキルベンゼンスルホン酸２
０乃至５０重量バーセントを実質的に、炭素原子数９〜
１８個のアルキルベンゼンよりなる塩素原子を有しない
高沸点の芳香族炭化水素溶媒８０乃至５０重量パーセン
トに溶解すると、実用的には無毒で、実質的に揮発性が
減少した効果的なフオトラツカ一除去剤が得られること
を見出した。
従つて、この発明の対象は、炭素原子数１２乃至２０個
のアルキルベンゼンスルホン酸２０乃至５０重量パーセ
ント及び実質的に、炭素原子数９〜１８個のアルキルベ
ンゼンよりなる炭素原子を有しない高沸点の芳香族炭化
水素溶媒８０乃至５０重量バーセントからなるフオトラ
ツカ一除去剤である。
この発明に係る除去剤の成分として顧慮されるアルキル
ベンゼンスルホン酸は既知であり、市販されている。
炭素原子数１４乃至１８個のもの、特にオクチルベンゼ
ンスルホン酸、ノニルベンゼンスルホン酸及びドデシル
ベンゼンスルホン酸等が好ましい。この発明に係る除去
剤はこれら化合物を３０乃至４０重量パーセント含有す
るのが好ましい。数種のアルキルベンゼンスルホン酸の
混合物ももちろん使用できる。この発明に係る除去剤の
第二の成分を構成する高沸点芳香族炭化水素溶媒は少く
とも１５０℃以上、好ましくは１８０℃以上の沸点を有
するものである。
２００乃至２６０℃の範囲の沸点を有するものが好まし
い。
適当な溶媒として、殊に炭素原子数９乃至１８個のアル
キルベンゼン類が挙げられる。容易に入手し得るために
、市販されている芳香族含量が少くとも８０乃至９０重
量パーセントある高沸点芳香族炭化水素溶媒が好ましく
使用される。これらの物質は、原則として、炭素原子数
９乃至１８個、特に１０〜１６個のアルキルベンゼン類
の異性体及び同族体から実質的になる混合物である。こ
れらはこの使用目的のために必要な程度の純度で通常得
ることができるが、そうでない場合でも、単純な方法、
例えば蒸留又はクロマトグラフイ一によつて、それらに
よつて製造される除去剤中にそれらによつて望ましくな
いドーピング物質が導入されない程度に精製することが
できる。この発明に係る除去剤は毒性物質を何ら含んで
いない。
更に、これらを使用することは、前記の従来の除去剤に
比べ環境衛生上はるかに好ましい。このことは以下の実
験より明らかである。ドデシルベンゼンスルホン酸２０
重量パーセント、フエノール２０重量パーセント、テト
ラクロロエチレン３０重量パーセント及びｏ−ジクロロ
ベンゼン３０重量パーセントからなる市販されている除
去剤とこの発明に係る除去剤（ドデシルベンゼンスルホ
ン酸３５重量パーセント及び沸点が２０５乃至２５０℃
の範囲にある芳香族の実質的に、炭素原子数９〜１８個
のアルキルベンゼンよりなる塩素原子を有しない炭化水
素の混合物６５重量パーセントを含む）とをそれぞれ攪
拌しながら１００℃に加熱した。
両者の同一時間後の重量損失を測定した。その結果を以
下の表に示す。既知の除去剤の場合には、通常の使用条
件下では、２時間でほぼ３分の２が蒸発してしまつてい
るのに対し、この発明に係る除去剤の場合には、この割
合は４分の１以下である。この発明に係る除去剤を用い
ると、市販されている全てのフオトラツカ一の触刻マス
クを満足に除去することができる。
このことは、極性物質、例えば、ポリビニルアルコール
桂皮酸エステル類等に基づくフオトラツカ一の場合に殊
に驚ろくべきことである。何故ならば、この発明に係る
除去剤は、従前の除去剤よりも実質的に極性の小さい溶
媒を含有しているからである。以下、この発明を実施例
にて説明する。
以下の実施例中、％は重量パーセントである。実施例
１ ３５％ドデシルベンゼンスルホン酸 ６５％芳香族溶媒混合物（炭素原子数９乃至１５個であ
つて沸点が２０５〜２５０℃の範囲のアルキルベンゼン
類一商品名（シエルゾルＲ （ＳｈｅｌｌｓＯｌＲ） 実施例 ２ ４０％オクチルベンゼンスルホン酸 ６０％クモール 実施例 ３ ３０％ノニルベンゼンスルホン酸 ７０％芳香族溶媒混合物（１８０〜２３０℃の沸点領域
）使用例 ポリビニルアルコール一桂皮酸エステルに基づく市販フ
オトラツカ一（市販名「ＫＰＲ］、イーストマン・コダ
ツク社製）のシリコーン・デイスクに触刻マスクを施し
、１時間１５０℃で後硬化させた。
このデイスクを５分間動かしながら９０〜１００℃に加
熱した実施例の一つに示した除去剤の浴中に浸漬させる
と、そのフオトラツカ一層は残渣を生じず満足に除去さ
れた。市販されている合成ゴムに基づくフオトラツカ一
（市販品「ＫＴＦＲ」、イーストマン・コダツク社製）
を除去する場合にも同じ効果が達成された。
以下、この発明の要旨並びに態様例を列記するが、これ
らは各れも特許法第６５条の３にいう発明の実施に包含
されるものである。
１．炭素原子数１２乃至２０個のアルキルベンゼンスル
ホン酸の少くとも１種２０乃至５０重量バーセント、好
ましくは３０乃至４０重量パーセントと沸点１５０℃以
上の実質的に、炭素原子数９〜１８個のアルキルベンゼ
ンよりなる塩素原子を有しない芳香族炭化水素溶媒８０
乃至５０重量バーセントからなるフオトラツカ一除去剤
。
２．アルキルベンゼンスルホン酸がオクチルベンゼンス
ルホン酸、ノニルベンゼンスルホン酸又はドデシルベン
ゼンスルホン酸からなる前記第１項の除去剤。
３．芳香族炭化水素溶媒が炭素原子数９乃至１８個のア
ルキルベンゼン又はその混合物である前記第１及び第２
項の除去剤。
４．芳香族炭化水素溶媒が２００乃至２６０℃の沸点領
域のアルキルベンゼン混合物である前記第１〜３項の除
去剤。
５．炭素原子数１２乃至２０個のアルキルベンゼンスル
ホン酸の少くとも１種２０乃至５０重量パーセント、好
ましくは３０乃至４０重量パーセントと沸点１５０℃以
上の実質的に、炭素原子数９〜１８個のアルキルベンゼ
ンよりなる塩素原子を有しない芳香族炭化水素溶媒８０
乃至５０重量パーセントからなる組成物をフオトラツカ
一除去剤として使用する方法。
６．炭素原子数１２乃至２０個のアルキルベンゼンスル
ホン酸の少くとも１種２０乃至５０重量パーセント、好
ましくは３０乃至４０重量パーセントと沸点１５０℃以
上の実質的に、炭素原子数９〜１８個のアルキルベンゼ
ンよりなる塩素原子を有しない芳香族炭化水素溶媒８０
乃至５０重量パーセントからなる溶液にて、硬化型フオ
トラツカ一にて被覆した基体を、場合により加温下で処
理することを特徴とする硬化したフオトラツカ一の触刻
マスクを除去する方法。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 炭素原子数１２乃至２０個のアルキルベンゼンスル
    ホン酸の少くとも１種２０乃至５０重量パーセント、好
    ましくは３０乃至４０重量パーセントと実質的に、炭素
    原子数９〜１８個のアルキルベンゼンよりなる沸点１５
    ０℃以上の塩素原子を有しない芳香族炭化水素溶媒８０
    乃至５０重量パーセントからなるフオトラツカー除去剤
    。
JP50137686A 1974-11-16 1975-11-15 フオトラツカ−ジヨキヨザイ Expired JPS5911100B2 (ja)

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JPS5172503A JPS5172503A (en) 1976-06-23
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JP (1) JPS5911100B2 (ja)
BE (1) BE835591A (ja)
CH (1) CH601916A5 (ja)
DE (1) DE2454399C2 (ja)
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GB (1) GB1491577A (ja)
IT (1) IT1052264B (ja)

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