SU732788A1 - Раствор дл удалени защитного сло фоторезиста - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к раствврам дл  удалени  защитного сло  фоторезиста, используемым в фотолито графических процессах при произволстве интегральных схем, выводных рамок дл  них, фотошаблонов, печатны плат и других аналогичных изделий. Известен раствор дл  удалени  защитного сло  фоторезиста, включающий азотную кислоту, органическую добавку - соединение в виде сульфоновой ароматической кислоты или аро матического углеводорода, или его смеси с хлорированным углеводородом и воду 1 . Недостатком известного раствора  вл етс  то, что он не Обеспечивает полноты удалени  негативного фоторезиста на основе водорастворимых полимеров, очувствление диазосоединени ми ,  вл етс  агрессивным и разр шает метсшлические подложки, а также то, что в процессе удалени  фоторезиста требуетс  нагревание. Цель изобретени  - создание раст вора дл  удалени  защитного сло  фоторезиста, обеспечивающего полно ту удалени  и улуч1г1ение технологии .процесса сн ти  негативного фоторезиста . . Сущность изобретени  заключаетс  в том, что известный раствор дл  удалени  защитного сло  фоторезиста содержит в качестве органической добавки тиомочевину и феноксол при следующем соотнс шении компонентов, вес.%: Азотна  кислота ( ( ,34)30-40 Тиомочевина1-5 Феноксол0,1-0,5 ВодаОстальное Особенностью предлагаемого решени   вл етс  совокупность воздействи  вышеприведенных компонентов раствора на слой фоторезиста, нанесённый на металл, диэлектрик или полупроводник . Основной компонент раствора - разбавленна  азотна  кислота - вызывает отслаивание пленки фоторезиста от подложки. Но при этом происходит разрушение подложки, а фоторезист удал етс  не полностью. При добавлении в разбавленную кислоту тиомочевины разрушени  подложки не наб.шодаетс , но на поверхности ее все же остаютс  островки иеудаленной пленки фоторезиста. И только при добавлении к смеси азотной кислоты с мочевиной феноксола- дости гаетс  желаемый результат: фоторезист удал етс  полностью, при этом позерхнооть подложки остаетс  чисто и неразрушенной. При добавлении феноксола к азотной кислоте без тиомочевины поверхность подложки разрушаетс , а фоторезист удал етс  неполностью. Феноксол представл ет собой смес полиоксиэтиленгликолевых эфиров лзооксифенола. Условна  структурна  формула )(сн,--снДн п 10 (в среднем). Условна  молекул рна  масса (по международным атомным массам 1969г) 646, Удаление фоторезиста в указанном растворе происходит за 3-5 мин. Цель изобретени  - быстрое и пол ное, без разрушени подложки, удале ние фоторезиста на основе поливинил вого спирта, требующего высокой тем пературы задубливани  (ЗОО-ЗОО С) достигаетс  добавлением к раствору азотной кислоты органической добавк состо щей из смеси тиомочевины и феноксола. Как показали исследовани , использование данной сложной добавки позвол ет также снизить концентрацию азотной кислоты и умен шить агрессивность раствора, что об легчает работу с ним и создает возможность механизации процесса. Пpвдлaгae vlый раствор дл  удалени  фоторезиста готовитс  путем растворени  тиомочевины в воде, доТаблица бавлени  феноксола и затем азотной кислоты при перемешивании. После приготовлени  раствор необходимо вьщержать не менее 0,5 ч при комнатной температуре. Рабоча  температура раствора 18-20°С. Ниже приведены примеры использовани  предлагаемого раствора дл  удалени  фоторезиста, на основе ПВС, задубленного при высоких температурах , с различных подложек, вес.%: Пример 1. Азотна  кислота (d - 1,34 г/см)30 Тиомочевина1 в Феноксол0,1 ВодаОстсшьное. Подложка - никелева  заготовка, температура задубливани  - , врем  полного удалени  фоторезиста 5 мин . Пример 2. Азотна  кислота (d - 1,34 г/см)35 Тиомочевина3 Феноксол. 0,3 ВодаОстальное Подложка из сплава 47 НД, температура задубливани  250 С. Пример 3. Азотна  кислота (d - 1,34 г/см)40 Тиомочевина5 Феноксол0,3. ВодаОстальное Подложка - ковар, температура эадубливани  - , врем  полного удалени  фоторезиста - 2 мин. Результаты сравнительных испытаний приведены в таблице.

Известный ра

Предлагаемые

г:

1,Азотна  к-та

(d - 1,167)

Тиомочевина Феноксол

2,Азотна 

. (d- 1,167)

Тиомочевина

30 прим. разр. остатки фоторезиста

5 -- не разр. удалены

полностью

не прим. не разр.

удален полностью

0,3

100

5

0,5

20

Как видно из таблицы растворы по описанному в за вке решению быстро и полно снимают защитный рельеф из негативного фоторезиста, на основе поливинилового спирта, очувствленного диазосмолой, задублного при 200 С и выше. При этом не требуетс  механического воздействи  и не происходит разрушени  подложки. Рекомендуемые растворы не опасны при работе могут быть использованы не только при ручной, но и при машинной обработке изделий , изготавливаемых с помощью фотолитографии.

Практическое использование предгаемого раствора позвол ет изготовить выводные рамки дл  интегральных схем из ковара, никел , меди, печатные платы с фоторезистом на основе поливинилового спирта, задубленньр при высоких температур

( и выше). При этом обеспечивс  быстрое и полное удаление фоторезиста с.подложки без ее разрушени  и высока  чистота обрабатываемой поверхности. Применение данног раствора в производстве позвол ет

(при использовании соответствующих фоторезистов) повысить производиПродолжение табл.

тельность процесса фотолитографической; обработки на операции сн тие фоторезиста в 10 раз и увеличить выход годных изделий на 5-10%.

25

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Раствор дл  удалени  защитного сло  фоторезиста, включающий азотную кислоту, органическую добавку и воду, отличающийс  тем, что, с целью обеспечени  полноты удалени  и улучшени  технологии процесса сн ти  негативного фоторезиста на основе водорастворимых полимеров, очувствленных диизосоединени ми, он содержит в качестве органической добавки тиомочевину и Феноксол при следующем соотнсаиении компонентов, вес.%: Азотна  кислота (d - 1,34)30-40

   Тиомочевина1-5

   Феноксол0,1-0,5

   ВодаОстальное

   Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе

   1, Патент . Франции №2021696, кл. G 03 F 7/00, опублик. 1970 (прототип).