JPS59110053A - 光メモリデイスクの製造方法 - Google Patents
光メモリデイスクの製造方法Info
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- JPS59110053A JPS59110053A JP57218609A JP21860982A JPS59110053A JP S59110053 A JPS59110053 A JP S59110053A JP 57218609 A JP57218609 A JP 57218609A JP 21860982 A JP21860982 A JP 21860982A JP S59110053 A JPS59110053 A JP S59110053A
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光照射により記録膜に情報をビット記録する
光メモリディスクの製造方法に関するものである。
光メモリディスクの製造方法に関するものである。
従来・例の構成とその問題点
近年、実時間での記録再生が可能な光メモリディスクが
大容量高密度メモリとして大いに期待されている。こ扛
は例えば高速回転するディスクに光を照射してその記録
膜にビット記録し、光によって読み取るもので６Ｄ、記
録再生をディスクと非接触で行うため、ピノクアッグお
よびディスクラ傷つけないこと、および情報へのアクセ
スが高速でできる等の利点を有している。
大容量高密度メモリとして大いに期待されている。こ扛
は例えば高速回転するディスクに光を照射してその記録
膜にビット記録し、光によって読み取るもので６Ｄ、記
録再生をディスクと非接触で行うため、ピノクアッグお
よびディスクラ傷つけないこと、および情報へのアクセ
スが高速でできる等の利点を有している。
第１図は光メモリディスクの断面の一部および光の照射
状態の一例を示している。透明体よりなる基板１１には
光のトラッキングを可能にする同心円状あるいは渦巻状
の凹捷たは凸のｒｔｔＦ ｌ・ラック１２が形成されて
おり、この土に記録膜１３が形成される。通常、記録膜
１３は蒸着によって形成し、その膜厚は水晶振動子膜厚
計によって制御している。記録再生時には、この溝トラ
ック１２に沿って光スポット１５が走るようにトラッキ
ング制御およびフォーカシング制御が成される。なお、
記録膜１３上には樹脂（呆護層１４が設けらｒ、記録膜
１３が作護さ汎ている。
状態の一例を示している。透明体よりなる基板１１には
光のトラッキングを可能にする同心円状あるいは渦巻状
の凹捷たは凸のｒｔｔＦ ｌ・ラック１２が形成されて
おり、この土に記録膜１３が形成される。通常、記録膜
１３は蒸着によって形成し、その膜厚は水晶振動子膜厚
計によって制御している。記録再生時には、この溝トラ
ック１２に沿って光スポット１５が走るようにトラッキ
ング制御およびフォーカシング制御が成される。なお、
記録膜１３上には樹脂（呆護層１４が設けらｒ、記録膜
１３が作護さ汎ている。
反射読み取り型のディスクの場合、トラッキング制御お
よびフォーカシング制御は光の反射に基づいて行われて
いる。このため、ディスクごとに反射率がばらついてし
まうと、トラッキング制御およびフォーカシング制御が
入りにくくなり、ディスクごとにデツキを調整し、ドラ
ッギング制御およびフォーカシング制御の最適化を図る
必要がでてくる。したがってデツキとディスクの間で互
換を取るためにはディスクの反射率を一定の値に固定す
ることが不可欠となる。
よびフォーカシング制御は光の反射に基づいて行われて
いる。このため、ディスクごとに反射率がばらついてし
まうと、トラッキング制御およびフォーカシング制御が
入りにくくなり、ディスクごとにデツキを調整し、ドラ
ッギング制御およびフォーカシング制御の最適化を図る
必要がでてくる。したがってデツキとディスクの間で互
換を取るためにはディスクの反射率を一定の値に固定す
ることが不可欠となる。
寸だ、同様に、透過読み取り型のディスクの場合は、透
過率を一定の値に固定することが要求される。
過率を一定の値に固定することが要求される。
ディスク反射率Ｒ（ｌは第（１）式に示すように連句基
鈑の反射率Ｒｓと記録膜の反射率Ｒｆを総合したもので
ある。
鈑の反射率Ｒｓと記録膜の反射率Ｒｆを総合したもので
ある。
Ｒ（１＝ Ｒｓ −ｌ−Ｒｆ ・・・・・・・・・・
・・・・・・・（１）記録膜の反射率Ｒｆは記録膜の膜
厚に依存し、膜の干渉効果で変化するものである。しか
し水晶振動子膜厚計で一定の膜厚に制御することが可能
であり、一定の反射率を作ち得る。これに対し、溝付基
板の反射率Ｒｓは溝トラツクの深さおよび溝形状によっ
て影響を受ける。特に第２図に示す、１：ウニ溝付基板
２１の溝トラツク１２をスタンバ２２の転写によって形
成する場合、スタンパ２２が異なれば当然溝深さや溝形
状に差異が生じ、溝付基板の反射率Ｒｓがばらついてし
捷う。したがって、記録膜厚を一定にして記録膜の反射
率Ｒｆを一定の値に作っても、連句基板の反射率１（Ｓ
のばらつきにより、ディスクとしての反射率Ｒｄ も
ばらついてしまう問題点を有していた。このことは透過
読み取り型のディスクの透過率についても同様にあては
唸ることである。
・・・・・・・（１）記録膜の反射率Ｒｆは記録膜の膜
厚に依存し、膜の干渉効果で変化するものである。しか
し水晶振動子膜厚計で一定の膜厚に制御することが可能
であり、一定の反射率を作ち得る。これに対し、溝付基
板の反射率Ｒｓは溝トラツクの深さおよび溝形状によっ
て影響を受ける。特に第２図に示す、１：ウニ溝付基板
２１の溝トラツク１２をスタンバ２２の転写によって形
成する場合、スタンパ２２が異なれば当然溝深さや溝形
状に差異が生じ、溝付基板の反射率Ｒｓがばらついてし
捷う。したがって、記録膜厚を一定にして記録膜の反射
率Ｒｆを一定の値に作っても、連句基板の反射率１（Ｓ
のばらつきにより、ディスクとしての反射率Ｒｄ も
ばらついてしまう問題点を有していた。このことは透過
読み取り型のディスクの透過率についても同様にあては
唸ることである。
発明の目的
本発明は上記従来の問題点を解消するもので、溝付基板
の反射率あるいは透過率がばらついてもディスクとして
の反射率あるいは透過率を一定の値に保ち、かつ感度の
高い光メモリディスクの製造方法を提供することを目的
とする。
の反射率あるいは透過率がばらついてもディスクとして
の反射率あるいは透過率を一定の値に保ち、かつ感度の
高い光メモリディスクの製造方法を提供することを目的
とする。
発明の構成
本発明は、溝付基板」二に記録膜を蒸着する工程におい
て、一定光量の入射光を溝付基板に照射し、その反射光
あるいは透過光の光量を読み取る検出器を設けることに
よって蒸着の進行に伴ない膜厚の増加する記録膜と溝付
基板を総合した反射光量あるいは透過光量を蒸着のイン
プロセスで測定し、あらかじめ設定した規定の反射光量
あるいは透過光量になることによって記録膜の溝付基板
への蒸着を終了させ、ディスクとしての反射率あるいは
透過率を一定の値に制御するものである。
て、一定光量の入射光を溝付基板に照射し、その反射光
あるいは透過光の光量を読み取る検出器を設けることに
よって蒸着の進行に伴ない膜厚の増加する記録膜と溝付
基板を総合した反射光量あるいは透過光量を蒸着のイン
プロセスで測定し、あらかじめ設定した規定の反射光量
あるいは透過光量になることによって記録膜の溝付基板
への蒸着を終了させ、ディスクとしての反射率あるいは
透過率を一定の値に制御するものである。
実施例の説明
第３図は本発明の一実施例を示すものであり、ディスク
反射率を一定の値にする製造方法を代表して説明する。
反射率を一定の値にする製造方法を代表して説明する。
この図は連句基板へ記録膜を蒸着する方式を示しており
、記録膜の蒸着源３１を抵抗加熱法あるいは電子ビーム
加熱法で加熱し、蒸着物質を蒸発サセル。マスク３２に
よって蒸着箇所を限定して溝付基板２１の溝トラツク１
２を有する部位に記録膜を蒸着し、シャッタ３４の開閉
によって連句基板２１への蒸着の開始および終了を規制
する。
、記録膜の蒸着源３１を抵抗加熱法あるいは電子ビーム
加熱法で加熱し、蒸着物質を蒸発サセル。マスク３２に
よって蒸着箇所を限定して溝付基板２１の溝トラツク１
２を有する部位に記録膜を蒸着し、シャッタ３４の開閉
によって連句基板２１への蒸着の開始および終了を規制
する。
なお、蒸着に際１〜．溝付基板２１を自転させろことに
より、ムラのない高品質な記録膜を得ることができる。
より、ムラのない高品質な記録膜を得ることができる。
記録膜は溝付基板２１のみならず、水晶振動子膜厚計の
ヘッド３５にも堆積させるようにし、この水晶振動子膜
厚計によって記録膜の蒸着速度を制御する。自転してい
る溝付基板２１の溝トラツクを有する部位に溝を持たな
い面側から一定光針の入射光を光源３６から照射し、そ
の反射光量を検出器３７で検出する。
ヘッド３５にも堆積させるようにし、この水晶振動子膜
厚計によって記録膜の蒸着速度を制御する。自転してい
る溝付基板２１の溝トラツクを有する部位に溝を持たな
い面側から一定光針の入射光を光源３６から照射し、そ
の反射光量を検出器３７で検出する。
どこで連句基板材質として例えば透明なアクリル樹脂を
使用し、記録１１にとしてテルルの低酸化物薄膜ＴｅＯ
ｘ （０＜Ｘ ＜ ２ ）を主成分とする材料を用いた
場合について詳しく説明する。この記録膜は光スポット
の照射による加熱により膜を相転移させ、膜の屈折率お
よび吸収係数の増大に、ｒ、り記録状態とするものであ
る。このテルルの低酸化物薄膜Ｔｅ０ｘ（○＜Ｘ＜２
）の記録再生特性は膜厚によって大きく影響を受け、１
１０ｎｍから１３０ｎｍの膜厚範囲で高い記録再生特性
を示す特徴を有している。第４図は溝トラツクの深さが
０．０７μｍの溝付基板にテルルの低酸化物薄膜Ｔｅ０
ｘ（Ｘ−１）を膜厚を変えて蒸着し、その後、記録膜上
に樹脂保護層を設けて完成ディスクの形にレ−たときの
ディスク反射率と膜厚の関係、および記録再生特性の一
つであるＣ／Ｎ比（ＳＭＨｚの単一周波数で記録）と膜
厚の関係を求めたものである。
使用し、記録１１にとしてテルルの低酸化物薄膜ＴｅＯ
ｘ （０＜Ｘ ＜ ２ ）を主成分とする材料を用いた
場合について詳しく説明する。この記録膜は光スポット
の照射による加熱により膜を相転移させ、膜の屈折率お
よび吸収係数の増大に、ｒ、り記録状態とするものであ
る。このテルルの低酸化物薄膜Ｔｅ０ｘ（○＜Ｘ＜２
）の記録再生特性は膜厚によって大きく影響を受け、１
１０ｎｍから１３０ｎｍの膜厚範囲で高い記録再生特性
を示す特徴を有している。第４図は溝トラツクの深さが
０．０７μｍの溝付基板にテルルの低酸化物薄膜Ｔｅ０
ｘ（Ｘ−１）を膜厚を変えて蒸着し、その後、記録膜上
に樹脂保護層を設けて完成ディスクの形にレ−たときの
ディスク反射率と膜厚の関係、および記録再生特性の一
つであるＣ／Ｎ比（ＳＭＨｚの単一周波数で記録）と膜
厚の関係を求めたものである。
記録膜の膜厚が１１０ｎｍの時、膜の干渉効果で反射率
は極小を示し、それ以上の膜厚で再ひ反射率が増加して
いる。Ｃ／Ｎ比はこの極小を示す膜厚１１０ｎｍから１
３０ｎｍまでの範囲で６０ｄＢに近い非常に高い値を示
しており、溝付基板への記録膜の蒸着は１１０ｎｍから
１３０ｎｍ壕での膜厚範囲で行う必要かめろ。なお溝付
基板への記録膜の膜厚は水晶振動子膜厚泪により知り得
るものである。
は極小を示し、それ以上の膜厚で再ひ反射率が増加して
いる。Ｃ／Ｎ比はこの極小を示す膜厚１１０ｎｍから１
３０ｎｍまでの範囲で６０ｄＢに近い非常に高い値を示
しており、溝付基板への記録膜の蒸着は１１０ｎｍから
１３０ｎｍ壕での膜厚範囲で行う必要かめろ。なお溝付
基板への記録膜の膜厚は水晶振動子膜厚泪により知り得
るものである。
このため記録膜としてテルルの低酸化物薄膜Ｔｅ０ｘ（
○＜Ｘ＜２ ）を使用する場合前述の方法で溝付基板と
記録膜を総合したディスク反射率を蒸着のインプロセス
で測定し、あらかじめ設定した反射率になること、並び
に記録膜厚が１１０ｎｍから１３０ｎｆｆｌの範囲にあ
ることの２点を確認した土で記録膜の蒸着を終了さぜる
必要が必る。
○＜Ｘ＜２ ）を使用する場合前述の方法で溝付基板と
記録膜を総合したディスク反射率を蒸着のインプロセス
で測定し、あらかじめ設定した反射率になること、並び
に記録膜厚が１１０ｎｍから１３０ｎｆｆｌの範囲にあ
ることの２点を確認した土で記録膜の蒸着を終了さぜる
必要が必る。
第６図は溝トラツクの溝深さの異なる連句基板に一定光
量の入射光を６賎径のスポットで照射し。
量の入射光を６賎径のスポットで照射し。
その反射光量を測定することによって反射率を蒸着のイ
ンプロセスで把握し、あらかじめ定めた規定の反射率に
なることによって蒸着を終了させた一例である。ｔａ）
は講深さが０．０７μｍ、（ｂ）は溝深さが０．０７５
μｍの連句基板を用いた場合であり、溝付基板は２ｏｏ
ｒｐｍの回転速度で自転させている。蒸着前の溝付基板
の反射率は＋ａｌで８．０％。
ンプロセスで把握し、あらかじめ定めた規定の反射率に
なることによって蒸着を終了させた一例である。ｔａ）
は講深さが０．０７μｍ、（ｂ）は溝深さが０．０７５
μｍの連句基板を用いた場合であり、溝付基板は２ｏｏ
ｒｐｍの回転速度で自転させている。蒸着前の溝付基板
の反射率は＋ａｌで８．０％。
（ｂ）で７． ｏ ９６を示している。この反射率の差
は樹が深いほど溝部と溝部でない部分の光路差がλ／２
（光の波長をλとする）に近づき、干渉しあうためであ
る。記録膜が溝付基板に堆積し始めることにより、反射
率は増大するが、その後、減少し。
は樹が深いほど溝部と溝部でない部分の光路差がλ／２
（光の波長をλとする）に近づき、干渉しあうためであ
る。記録膜が溝付基板に堆積し始めることにより、反射
率は増大するが、その後、減少し。
極小を示す。（八） 、 ｔｂｊとも極小を示すのを確
認したのち、あらかじめ定めた規定の反射率になること
で、記録膜の溝付基板への蒸着を終了させた。この場合
は一例として規定の反射率を１１９６としている。ここ
で反射率が極小となることをイ面認する理由は、極小を
示す記録膜厚が前述のように１１０ｎｍに相当して卦り
、最適膜厚範囲である１１０ｎｕから１３０ｎｍの一つ
の膜厚限界を示しているからである。
認したのち、あらかじめ定めた規定の反射率になること
で、記録膜の溝付基板への蒸着を終了させた。この場合
は一例として規定の反射率を１１９６としている。ここ
で反射率が極小となることをイ面認する理由は、極小を
示す記録膜厚が前述のように１１０ｎｍに相当して卦り
、最適膜厚範囲である１１０ｎｕから１３０ｎｍの一つ
の膜厚限界を示しているからである。
この噂）（ｂ）の両ティスクの記録膜上に樹脂保護層を
設けて光メモリディスクの完成品とした。どち０ らのディスクの反射率を測定しても１１９６の値が得ら
れ、溝付基板の反射率のバラツキに基づいて発生してい
たディスク反射率のバラツキは解消されている。なお、
（ｍｌの場合の記録膜厚は１１５ｎｍ 。
設けて光メモリディスクの完成品とした。どち０ らのディスクの反射率を測定しても１１９６の値が得ら
れ、溝付基板の反射率のバラツキに基づいて発生してい
たディスク反射率のバラツキは解消されている。なお、
（ｍｌの場合の記録膜厚は１１５ｎｍ 。
（ｂｌの場合の記録膜厚は１２０ｎｍであり、どちらの
ディスクも６０ｄＢ に近い高いＣ／Ｎ比が得られて
いる。
ディスクも６０ｄＢ に近い高いＣ／Ｎ比が得られて
いる。
以上のように本発明によれば、反射率の異なる連句基板
を用いても一定の反射率を持ち、がっ、記録再生特性の
優れたディスクに仕上げることが可能となる。また透過
率全一定にする場合は、第３図に示す透過光量検出器３
８を設置することにより、反射率と同様の方法で透過率
を管理すればよい。
を用いても一定の反射率を持ち、がっ、記録再生特性の
優れたディスクに仕上げることが可能となる。また透過
率全一定にする場合は、第３図に示す透過光量検出器３
８を設置することにより、反射率と同様の方法で透過率
を管理すればよい。
なお実施例において溝付基板はアクリル樹脂としたが、
ポリカーホネイトを始めとする他の樹脂。
ポリカーホネイトを始めとする他の樹脂。
さらにはガラスでもよく、また透明な基板上にＵＶ樹脂
等で溝を形成したものでもよい。
等で溝を形成したものでもよい。
発明の効果
本発明の光メモリディスクの製造方法は、蒸着のインプ
ロセスにおいて、溝付基板と記録）１＠を総合したディ
スク反射率あるいは透過率を測定し、あらかじめ設定し
ておいた反射率あるいは透過率になることによって記録
膜の溝付基板への蒸着を終了させるものであり、この発
明により、溝付基板の反射率あるいは透過率のバラツキ
に基づいて生じていたディスク反射率あるいは透過率の
バラツギは解消され、規定のディスク反射率あるいは透
過率を得ることが可能となった。また感度の高いディス
クを提供するものであり、その実用効果は太きい。
ロセスにおいて、溝付基板と記録）１＠を総合したディ
スク反射率あるいは透過率を測定し、あらかじめ設定し
ておいた反射率あるいは透過率になることによって記録
膜の溝付基板への蒸着を終了させるものであり、この発
明により、溝付基板の反射率あるいは透過率のバラツキ
に基づいて生じていたディスク反射率あるいは透過率の
バラツギは解消され、規定のディスク反射率あるいは透
過率を得ることが可能となった。また感度の高いディス
クを提供するものであり、その実用効果は太きい。
第１図は光メモリディスクの一部の断面図、第２図は溝
付基板をスタンバから転写する方法を模式的に示す図、
第３図は不発明の実施例における記録膜を溝付基板へ蒸
着する装置の概要を示す側面図、第４図は本発明の実施
例において、記録膜としてテルルの低酸化物薄膜Ｔｅ０
ｘ（ｏ＜Ｘ＜２）を用いた場合の記録膜厚に対するディ
スク反射率とＣ／Ｎ比の関係を示す図、第６図（ＩＬ）
（ｂ）は本発明の実施例における蒸着時間とディスクの
反射率との関係を示す図である。 １１．２１・・・・・・溝付基板、１２・・・・・・溝
トラツク、１３・・・・・・記録膜、１４・・・・・・
樹脂床設層、３６・・・・・・水晶振動子膜厚計ヘッド
、３６・・・・・・入射光光源、３ア・・・・・・反射
光量検出器、３８・・・・・・透過光量検出器Ｏ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名−〜 罐 城第４図 記録７Ｉｆｆ冴 （７Ｌ恒 第５図 （ａ） 時間 ３３７−
付基板をスタンバから転写する方法を模式的に示す図、
第３図は不発明の実施例における記録膜を溝付基板へ蒸
着する装置の概要を示す側面図、第４図は本発明の実施
例において、記録膜としてテルルの低酸化物薄膜Ｔｅ０
ｘ（ｏ＜Ｘ＜２）を用いた場合の記録膜厚に対するディ
スク反射率とＣ／Ｎ比の関係を示す図、第６図（ＩＬ）
（ｂ）は本発明の実施例における蒸着時間とディスクの
反射率との関係を示す図である。 １１．２１・・・・・・溝付基板、１２・・・・・・溝
トラツク、１３・・・・・・記録膜、１４・・・・・・
樹脂床設層、３６・・・・・・水晶振動子膜厚計ヘッド
、３６・・・・・・入射光光源、３ア・・・・・・反射
光量検出器、３８・・・・・・透過光量検出器Ｏ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名−〜 罐 城第４図 記録７Ｉｆｆ冴 （７Ｌ恒 第５図 （ａ） 時間 ３３７−
Claims (4)
- （１） 溝トラツクを設けた基板（以後溝付基板と呼
ぶ）上に記録膜を蒸着する工程において前記溝付基板に
入射光を照射し、その反射光、透過光の少なくとも一つ
の光量を読みとる検出器を設けることによって、蒸着の
進行に伴ない膜厚の増加する記録膜と前記溝付基板を総
合した反射光量、透過光量の少なくとも一つを測定し、
規定の反射光量、透過光量になることによって記録膜の
前記溝付基板への蒸着を終了させることを特徴とする光
メモリティスフの製造方法。 - （２）トラックの設けられた基板の溝トラツクを有する
部位に、溝トラツクを持たない面側から入射光を照射す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光メモ
リディスクの製造方法。 - （３）溝トラツクを設けた基板上に蒸着する記録膜がテ
ルルの低酸化物薄膜Ｔｅ０ｘ（０＜Ｘ＜２）であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光メモリティ
スフの製造方法。 - （４） 溝トラツクの設けられた基板に蒸着で堆積さ
せる記録膜の膜厚が１１０ｎｍから１３０ｎｍの範囲内
にあることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の光
メモリティスフの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57218609A JPS59110053A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | 光メモリデイスクの製造方法 |
| US06/507,155 US4457794A (en) | 1982-06-25 | 1983-06-23 | Method for manufacturing optical memory disc |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57218609A JPS59110053A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | 光メモリデイスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59110053A true JPS59110053A (ja) | 1984-06-25 |
Family
ID=16722631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57218609A Pending JPS59110053A (ja) | 1982-06-25 | 1982-12-13 | 光メモリデイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59110053A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06259813A (ja) * | 1992-04-30 | 1994-09-16 | Samsung Electron Co Ltd | 再生専用光ディスクの製造方法とその製造装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5118558A (en) * | 1974-08-06 | 1976-02-14 | Canon Kk | Reezaabiimuno kirokubaitaino seizohoho |
| JPS56145535A (en) * | 1980-04-15 | 1981-11-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Disc for optical recording |
-
1982
- 1982-12-13 JP JP57218609A patent/JPS59110053A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5118558A (en) * | 1974-08-06 | 1976-02-14 | Canon Kk | Reezaabiimuno kirokubaitaino seizohoho |
| JPS56145535A (en) * | 1980-04-15 | 1981-11-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Disc for optical recording |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06259813A (ja) * | 1992-04-30 | 1994-09-16 | Samsung Electron Co Ltd | 再生専用光ディスクの製造方法とその製造装置 |
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