JPS59108028A - 磁気記録媒体用ポリエステルフイルムの製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、雑音レベルが低く、かつハンドリング性、走
行性、繰返使用耐久性に優れた磁気記録媒体用ポリエス
テルフィルムの製造法に関する。

近年高密度磁気記録用媒体として、バインダーを用いず
、磁気記録層として金属薄膜を真空蒸着やスパツタリン
グの如き真空沈着法又はメッキ法によって非磁性支持体
上に形成して、この強磁性金属を薄膜磁気記録材とした
ものが提案されている。例えばＣｏの蒸着テープ（特開
昭５４−１４７０１０号公報）、Ｃｏ　−Ｏｒ金合金ら
なる垂直磁化膜（特開昭５２−１３４７０６号公報）等
が開示されている。このような蒸着、スパッタ又はイオ
ンブレーティング等の薄膜形成手段によって形成される
金属薄膜は、厚みが１．５μｍ以下で、磁性層の厚みが
３μｍ以上である従来の塗布型記録媒体と同等の性能が
得られる。ところで静的特性である保磁力Ｈθ、または
ヒステリシスループの角形比のような磁気特性は、用い
られる非磁性支持体の表面状態にあまり依存しないと考
えられる。このような考えＫよったものの例として米国
特許３，７８７，３２７号明細書に開示されたような真
空蒸着によるＣｏ−０ｒの多層構造の例が挙げられる。

しかしながら形成される金属薄膜厚さが薄く、非磁性支
持体の表面状態（表面凹凸）がそのまま磁性膜の凹凸と
して発現し、それが雑音の原因となることが欠点とされ
ていた。このように、雑音の観点からは、非磁性支持体
の表面状態が出来るだけ平滑であることが好ましいわけ
であるが、一方フイルム巻取１巻出しといったハンドリ
ングの観点からは、フィルム表面が平滑であると、フィ
ルム−フィルム相互の滑り性が悪くブロッキング現象が
発生し、製品にはカシ得ず、また金属薄膜テープとした
時、磁気記録ヘッドとテープ相互の滑５すが悪く、再生
出力電圧の変動が大きくまたテープが摩耗し易くなるた
めベースフィルム表面が粗であることが要求される。

電磁変換特性という観点からは非磁性支持体の表面が平
滑であることが要求され、ハンドリング性、走行性、繰
返使用耐久性の観点からは粗糖あることが要求される。

これら両者の二律相反する性質を同時に満足する非磁性
支持体、例えば熱可塑性フィルムとしては、表面に大き
な凹凸がなく、実質的に平滑であるが、雑音の原因とな
らない程度の微小な凹凸が存在している熱可塑性フィル
ムが要望される。

本発明者らは、かかる微小な凹凸を表面に有するポリエ
ステルフィルムを製造すべく鋭意検討を重ねた結果、ポ
リエステル製造の特定の段階で、特殊な処理を施した酸
化ケイ素を添加すればよいことを見出し、本発明に到達
した。

即ち、本発明は、平均粒径１０〜１００ｍμの酸化ケイ
素水分散ゾルの水をエチレングリコールで置換して、酸
化ケイ素含有量が１５重量％以下のエチレングリコール
分散液とし、該酸化ケイ素のエチレングリコール分散液
を、ポリエステル製造工程のうちの任意の段階で添カロ
し、得られたポリエステル組成物をシート状に成型１−
１延伸、熱固定することを特徴とする磁気記録媒体用ポ
リエステルフィルムの製造法である。

本発明でいうポリエステルは、テレフタル酸を主たる酸
成分とし、少なくとも１種のグリコール、好ましくはエ
チレングリコール、トリメチレングリコール、テトラメ
チレングリコールから選ばれた少なくとも１種のアルキ
レングリコールを主たるグリコール成分とするポリエス
テルを主たる対象とする。

また、テレフタル酸成分の一部を他の二官能性カルボン
酸成分で置換えたポリエステルであってもよく、及び／
又はグリコール成分の一部を主成分以外の上記グリコー
ル、若しくハ他ノジオール成分で置換えたポリエステル
であってもよい。

ここで使用されるテレフタル酸以外の二官能性カルボン
酸としては、例えばイソフタル酸。

ナフタリンジカルボン酸、ジフェニルジカルボン酸、ジ
フェノキシエタンジカルボン酸、β−ヒドロキシエトキ
シ安息香酸、ｐ−オキシ安息香酸、５−ナトリウムスル
ホイノフ、タル酸、アジピン酸、セバシン酸、’１．４
−シクロヘキサンジカルボン酸の如き芳ｌ族、脂肪族、
脂環族の二官能性カルボン酸をあげることができる。

また上記グリコール以外のジオール化合物としては例え
ばシクロヘキサン−１，４−ジメタツール、ネオヘンチ
ルクリコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳの
如き脂肪族、脂環族、芳香族のジオール化合物およびポ
リオキシアルキレングリコール等をあげることができる
。

かかるポリエステルは任意の方法によって合成したもの
でよい。例えばポリエチレンテレフタレートについて説
明すれば、通常、テレフタル酸トエチレングリコールと
を直接エステル化反応させるか、テレフタル酸ジメチル
の如きテンフタル酸の低級アルキルエステルとエチレン
グリコールとをエステル交換反応させるか又はテレフタ
ル酸とエチレンオキサイドとを反応させるかしてテレフ
タル酸のグリコールエステル及び／又はその低重合体を
生成させる第１段階の反応と、第１段階の反応生成物を
減圧下動熱して所望の重合度になるまで重縮合反応させ
る第２段階の反応によって製造される。

上記ポリエステルの製造忙あたって、その反応を円滑Ｖ
ｃａ行せしめるために触媒が一必要であり、かかる触媒
として種々の金属化合物が提案されている。エステル交
換触媒としては、酢酸マンガン、酢酸亜鉛、酢酸カルシ
ウム、酢酸マグネシウムをはじめ、プロピオン酸、サル
チル酸、安息香酸とＭｎ、　Ｚｎ、　Ｃａ、　Ｍｇ　　
の化合物などはその触媒能が優れ、比較的良好な品質の
ポリエステルを与えることができ、広く使用される。

また重縮合触媒としては、三酸化アンチモン。

酸化ゲルマニウムやチタン化合物が優れた触媒活性を持
つため使用される。

しかしながら、Ｍｎ、　Ｚｎ、　Ｏａ、　Ｍｇ　　など
の化合物をエステル交換触媒として使用し、また三酸化
アンチモン、酸化ゲルマニウムを重合触媒として用いた
場合、フィルムとして成形したとき、二軸延伸ポリエチ
レンテレフタレートのフィルム表面に巾が数十μｍ１高
さが数ｉｏ、ｏ〜３０００Ａ程度の突起物を形成する。

これら突起物の存在するフィルムを、金属薄膜磁気記録
媒体用ベースフィルム（非磁性支持体）としてみた時、
金属薄膜磁気記録媒体の最短記録波長が０．２５μｍ前
後であり、ドロップアウトの原因となシ、又電磁変換特
性を悪化させることにもなるので、可能な限り平滑であ
ることが要求される。

従来のポリエチレンテレフタレートのフィルム表面に存
在する突起物は、Ｍｎあるいは’Ｚｎ、Ｏａ。

Ｍｇ　　等を含む化合物および三酸化アンチモン。

酸化ゲルマニウムが、重縮合の際、熱安定剤として一般
に用いられる種々の燐化合物（例えば燐酸、亜燐酸、こ
れらの低級アルキルエステル。

アリールエステル等）と何らかの反応を行なって、生成
したポリエチレンテレフタレートに不溶な化合物である
と推定される。

このように、フィルム表面に大きな凹凸を形成する原因
となる触媒、安定剤の組み合せは、極力避けなければな
らない。

一方、エステル交換触媒として少量のマンガン化合物、
亜鉛化合物、マグネシウム化合物を使用し、その際少量
のす）　ＩＪウム化合物を併存サセること、および重縮
合触媒として、チタン化合物を用いた場合、フィルムと
した時表面の突起物はほとんど存在せず、生成してもそ
の突起物は極めて微細であって実質的に平滑な表面を得
ることができる。さらに、エステル交換触媒１型縮合触
媒としてチタン化合物のみヲ使用する場合でも同様の表
面突起物のない実質的に平滑なフィルムを得ることがで
きる。従って、かかる触媒をイ吏用することは、本発明
を実施するうえで極めて好ましい。そして、それぞれ触
媒として使用する量は、エステル交換反応１型縮合反応
が進行する範囲で、できる限シ少ないことが望ましい。

例えば、それぞれ触媒として、ジカルボン酸成分に対し
、０．０２モルパーセント以下であることが好適である
。冑、上述の実質的に表面平滑なフィルムが得られる限
シ、ジカルボン酸とグリコール成分の直接、エステル化
によシ得られるポリエステルであっても何ら支障はなく
、むしろエステル交換触媒が不要であることから有利で
ある。また、通常熱安定剤として用いられる任意の燐化
合物を任意の量用いることができる。

本発明において、ポリエステルの製造工程テ添加される
酸化ケイ素は、一旦、水分散ゾルとした後、水をエチレ
ングリコールで置換シ、エチレングリコール分散液とし
だものであることが必要である。酸化ケイ素を直接、エ
チレングリコールに分散させたのでは、添加時に凝集が
生じフィルム表面に粗大な突起が形成されるため不適当
である。酸化ケイ素のエチレングリコール分゛散液を作
成するには、まず酸化ケイ素゛を水中に分散させて、酸
化ケイ素の含有量が２０〜３０重量％の水分散ゾルを作
成する。次いで水と当量のエチレングリコールヲ加えテ
、ロータリーエバポレーター中で１ｏ工Ｈｇ以下の真空
下にて約８０Ｃに加熱し、水を蒸発させ、エチレングリ
コールに置換する。次いで必要に応じてエチレングリコ
ールで稀釈して所望の濃度に調整する。また、酸化ケイ
素の水分散ゾルとして市販のものを使ってもよい。

また、使用される酸化ケイ素は、その平均粒径が１０〜
１００ｍμであることが必要である。

平均粒径が１０ｍμ未満では、フィルム表面が完全に平
滑となってしまい、ハンドリング性、走行性、繰返使用
耐久性が悪くなシ、１００．ｍμを更に、酸化ケイ素の
エチレングリコール分散液濃度は１５重量％以下である
ことが必要である。濃度が１５５重量％越えると、添加
時に、凝集が発生し、フィルムとした時、粗大な突起が
表面に形成され、磁気記録媒体として、使用に耐え得な
いものとなる。

ポリエステル中に含有せしめる酸化ケイ素の量は、０．
００１〜ｉ、ｏ重量％が望ましく、特に０．００５〜０
．５重量％が好ましい。酸化ケイ素の量が少なすぎると
フィルム表面が平滑になシすぎるきらいがあシ、また酸
化ケイ素の量が多すぎると、フィルム表面の凹凸が過大
になりすぎる傾向がある。

また゛、酸化ケイ素のエチレングリコール分散液を添加
する時期は、ポリエステル製造工程のうちの均一に混合
できる時期である。好ましく５は、ポリエステルの固有
粘度が０．２を越えない段階であシ、さらに好ましくは
エステル交換反応又は、エステル化反応中の系の温度が
２００℃以下の段階である。

かくして得られた酸化ケイ素含有ポリエステルを常法に
よりシート状に成型し、２軸延伸。

熱処理してフィルムとする。この場合、酸化ケイ素含有
ポリエステルを高濃度のマスターポリマーとし、成型時
に酸化ケイ素を含まないポリマーと混合して、溶融稀釈
することもできる。

本発明の方法で得られた２軸延伸ポリエステルフイルム
を用いた金属薄膜磁気記録媒体作製の手段は、従来公知
のすべての方法が用いられるが殊に真空蒸着法９イオン
ブレーテイング法。

スパッタ法が好ましく使用できる。

真空蒸着法の場合には、ｉ　０−’〜１０−６ＴＯｒｒ
の真空下でタングステンボートやアルミナノ・−ス中の
蒸着金属を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム加熱等に
より蒸発させ、上記支持体上に沈着せしめる。蒸着金属
としてはＦｅ、　Ｎｉ、　Ｃ。

及びそれらの合金が通常用いられる。また、本発明には
、０２雰囲気中でＦｅを蒸着させ酸化鉄薄膜を得る反応
蒸着法も適用できる。イオンブレーティングｉでは、１
０−’　〜１０−３Ｔｏｒｒの不活性ガスを主成分とす
る雰囲気中でＤＣグロー放電。

ＲＦグロー放電を起し、該放電中で金属を蒸発さす。不
活性ガスとしては通常Ａｒが用いられる。

スパッタ法では１０〜１０　’ＴＯｒｒのＡｒを主成分
とする雰囲気中でグロー放電を起し、生じたＡｒイオン
でターゲット表面の原子をたたき出す。

グロー放電を起す方法として直流２極、３極スパツタ法
及び高周波スノ（ツタ法がある。又、マグネトロン放電
を利用したマグネトロン放電くツタ法もある。

本発明の方法によって得られた２軸延伸ポリ０エステル
フイルムを用いた磁気薄膜の厚さは高密度磁気記録媒体
として充分な信号出力を提供するものでなければならな
い。従って磁気薄膜の厚さは薄膜形成法、用途によって
異なるが、一般に０．０２〜１．５μｍ（２００〜１５
０００Ａ）の間にあることが好ましい。

蒸着、スパンター等の手段で形成される金属薄膜厚さは
最大１．５μｍと薄く、非磁性配向ポリエチレンテレフ
タレート支持体の表面状態がそのまま磁性膜の凹凸とし
て発現し、雑音の原因となる。雑音の観点から非磁性プ
ラスチック支持体の表面が平滑であることが好ま已い。

一方、ハンドリング性、走行性、繰返使用耐久性の点で
は微小な凹凸が存在する必要がある。

本発明の方法で得られた２軸延伸ポリエステルフイルム
のＣＬＡは０．００４以上０．００７以下であシ、０．
２７　＜　ｈ≦０．５４μｍの範囲の突起数は非常に少
々いものが得られ、上記２つの要求を共に満足するもの
である。

曲、本発明の方法によって得られたポリエスチルフィル
ムは、表面平滑性の要求が厳しい金属薄膜磁気記録媒体
のみならず、表面平滑性への要求が比較的緩い、塗付型
の磁気記録媒体にも使用できる。

以下にフィルム表面物性の測定法を示す。

ｘ、ｃＬＡ［センター・ライン・アペレノジ（（！ｅｎ
ｔｅｒ　Ｌｉｎｅ　Ａｖｅｒａｇｅ−中心線平均粗さ）
］ＪＩＳ　Ｂ　０６０１　Ｋ準じ、東京精密社（株）製
の触針式表面粗さ計（ＳＵＲＦＯＯＭ　３Ｂ　）を使用
して、針の半径２μｍ、荷重０．０７　Ｆの条件下にチ
ャートをかかせ、フィルム表面粗さ曲線からその中心線
の方向に測定長さしの部分を抜き取シ、この抜き取り部
分の中心線をＸ軸、縦倍率の方向をＹ軸として、粗さ曲
線をｙ　＝　ｆ　（ｘ）で表わした時、次の式で与えら
れた値をμｍ単位で表わす。

この測定は基準長を０．２５いとして８個測定し、値の
大きい方から３個除いた５個の平均値で表わす。

２、表面突起数 表面を観察せんとするフィルム表面に４００〜５００Ａ
乃至それ以下の厚みにアルミニウムを均一に真空蒸着し
、反対の非蒸着面（フィルム面）にコロジオン貼付けし
、乾燥して後、可視単色光多重干渉反射式顕微鏡（例え
ば、ｅａｒｌ　Ｚｅｉｓｓ、ＪＫＮＡ社製）を用い１０
０倍で任意の１００カ所を撮り、各写真中の突起物の突
起高さに対応する突起数を求め１　ｃａ当シに換算する
。この時写真１００枚の視野は１５．５−である。

３、電磁変換特性及び繰シ返し走行耐久性下記方法で作
成した金属薄膜磁気記録媒体を、１／２″巾にスリツト
し９０１′ｒＬのテープとして、０．３μｍのギャフプ
長のリングヘッドを用いて９．５層ｍ／θｅＱのスピー
ドで記録再生する。

この時の電磁変換特性（デジタルの記録密度特性）を評
価する。

評価基準としては、１０　ＫＢＰＩ記録再生時のＳ／Ｎ
（ｄＢ）比及び１０　ＫＢＰ工記録再生時の出力に対す
る５　０　ＫＢＰ工記録再生時の出力の低下率により、
高密度記録特性、特にノイズレベルの大きさを評価する
。

さらに、テープの走行を１００回繰シ返し、１回目に対
する１００回目の電磁変換出力（１０ＫＤＰＩ記録再生
時のＳ／Ｎ比）の低下量で繰り返し走行耐久性を評価す
る。

（磁気記録媒体作成法） フィルム表面上に■ＭＯ−低保磁低保磁カレーマロ４い
て、当該パーマロイ層に、■Ｃ０−０ｒ　　垂直磁化膜
を以下の方法で形成する。

■　ＭＯ−バーマロ４層：　１ヨ厚（ＩＤＭＯ−パーマ
ロイターゲント（Ｎ１７　ｓ％、　Ｆｅ　１８チ１Ｍ０
４チ）を使用し、Ｄｏマグネトロンスパッタ法で１−　
Ｘ　１０　　Ｔｏｒｒのｈｒ　（９９，９”９　％）　
中ｆ　ｓ　ｏ　ｏ　Ｘ／分。

堆積速度で０．３μｍ厚の膜を形成する。

■　Ｃｏ−Ｏｒ層＝４つ厚のＣｏ−Ｏｒ合金ターゲンｈ
　（Ｏｒ　１７　ｗｔ％）を使用し、ＤＣ−ｆグネトロ
ンスバツタ法でＩ　Ｘ　１０−、”　Ｔｏ　ｒ　ｒ　　
のＡｒ（９９，９９％）中で、５００Ａ／分の堆積速度
で１．０μｍ厚のＣｏ−Ｏｒ合金膜を得る。

以下に本発明を実施例で説明する。

実施例１，２および比較例１．２ ジメチルテレフタレート１００部およびエチレングリコ
ール７０部にジメチルテレフタレートに対し酢酸マンガ
ン０．０１５モル％、Ｒび酢酸ナトリウム０．０１０モ
ル％を加え、１５０〜２５０°Ｃでメタノールを留去し
つつエステル交換反応を行なった。その際、前原って、
エチレングリコールで置換しておいた水分散シリカゾル
（平均粒径４５＋ｉμ）の１０重量％エチレングリコー
ル分散液を、反応温度２００　’Ｏでポリエステル中の
酸化ケイ素の量が第１表の値になるよう添加した。

エステル交換反応終了後、トリメチルホスフェート２５
部、エチレングリコール７５部を密閉系で５時間、　１
５０　’Ｏで加熱還流させ調製したリン化合物のグリコ
ール溶液をトリメチルホスフェート換算でジメチルテレ
フタレートに対し０．（Ｈ５モル％添加した。

さらに、テトラブチルチタネートをジメチルテレフタレ
ートに対し０．００５モル％添加し、ＩＴｏｒｒ以下の
高真空下で重縮合反応を行なった。

水冷後、切断して得られたポリエチレンテレフの未延伸
フィルムを得た。このフィルムを縦方向に９０°Ｃで３
．５倍延伸し、続いて横方向に１００　’Ｏで４．０倍
延伸後、２１０’Ｏで１０秒間熱固定し、厚さ１０μ繁
　の二軸延伸ポリエチレこのようにして得られるフィル
ムの滑り性Ｇ！極めて悪く、フィルム−フィルム間のプ
ロツキンダも発生しやすいので１作業性（〕飄ンドリン
グ性）を良くするために、磁性層形成面と反対側の面に
、製膜時下記組成の水溶液を塗付した。

このようにして得られたフィルム未塗布面に、前述の方
法で金属薄膜層を形成せしめ、テープ化し、電磁変換特
性及び、繰り返し走行耐久性を評価した。その結果を第
１表に示す。

本発明の二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム
が、金属薄膜磁気記録媒体として優れていることが理解
される。また、酸化ケイ素のポリニスデルに対する添加
量が１．０１量％を越えると（実施例３）、８／Ｎが低
下し、　ｓ　（ｉ。

ＫＢＰＩ）　／　８　（ｓ　ＯＫＢＰＩ）が上昇して、
ノイズレベルが大きくなる傾向が認められる。

第１表 一後 ３） 実施例−４，５ 酸化ケイ素として、実施例−１の水分散シリカゾルに代
えて、平均粒径２０ｎμ（実施例４）。

平均粒径８０ｎμ（実施例５）の水分散シリカゾルをエ
チレングリコールで置換して得られた１０重量％エチレ
ングリコール分散液を、ポリエステル中の酸化ケイ素が
０．０１　　重量％となるよう添加した。これ以外は実
施例−１と全く同様にして二軸延伸ポリエチレンテレフ
タレートフィルムを得た。評価の結果を第２表に示す。

いずれも、金属薄膜磁気記録媒体として優れた、　フィ
ルムを得ることができる。

実施例−６ 粉末酸化ケイ素平均粒径３０ｍμを水に分散させ２．Ｏ
ＴＬ量％の水分散シリカゾルとした。これをエチレング
リコールで置換した後、１０重量％のエチレングリコー
ル分散液とし、実施例−１の水分散シリカゾルに代えて
、ポリエステル中に酸化ケイ素含有量がｏ、ｏｉ　　Ｘ
量％となるように添加した。とれ以外は実施例−１と全
く同様にして得られた二軸延伸ポリエチレンテレフタレ
ートの評価結果を第２表に併記する。この場合でも、金
属薄膜磁気記録媒体として優れたフィルムを得ることが
できる。

第　　２　　表 比較例−２ 実施例１において、酸化ケイ素として水分散シリカゾル
をエチレングリコール分散液として添加するかわりに、
濃度１０重量％の水分散ゾルのままで、ポリエステル中
に酸化ケイ素が０．０１　　重量％となるよう添加した
。七Ｇ４は実施例−１と全く同様にして二軸延伸ポリエ
チレ　　　超ンテレフタレートフイルムを得た。この場
合、ＯＬＡは０．００４’と良好であるが、表面突起数
は４４ケ／、ｉと、明らかに凝集を生じており、ノイズ
レベルが極めて高く、金属薄膜磁気記録媒体としての使
用にまったく耐えないものであつた。

咬例−３ 実施例６において、酸化ケイ素として、粉末酸化ケイ素
を水分散ゾルからエチレングリフールで置換することな
く、直接エチレングリコールへ分散させ、濃度１０重量
％のエチレングリコール分散液とし、ポリエステル中に
０．０１　　Ｘ量％添加した。これ以外は実施例−１と
全く同様にして得られる二軸延伸ポリエチレンテレフタ
レートフィルムは、表面突起数５′５ケ／ｃｄであり、
ノイズレベルが極めて高く、金属薄膜磁気記録媒体への
適用は不可能であった。

雄側７，８　比較例４ 実施例１において、水分散シリカシポルのエチレングリ
コール置換分散液の濃度を第３表に示す如く種々変更し
゛、その他の条件は実施例−１と同様にして得られた二
軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムの評価結果
を第３表に示す。

第３表からも明らかなように、エチレングリコール分散
液中の酸化ケイ素含有量が１５重量％以下であれば表面
突起数が非常に少なく、ノイズレベルの低いものが得ら
れるが、酸化ケイ素含有量が１５重量％を越えると表面
突起数が増大し、雑音が多く、金属薄膜磁気記録媒体と
して、使用に耐え得ない。

実施例−９ テレフタル酸ＸＯＯ部にエチレングリコール５０部を加
え、窒素ガスで１．５気圧まで加圧した後昇温し、２４
０　’Ｏに保ってエステル化反応を行ない、理論量の水
の５０％が留去したところで放圧した。この時点でエス
テル化反応は実質的に終了し、反応率は９２．５％に達
した。次いで前原ってエチレングリコールで置換してお
いた水分散シリカゾルの１０重量％エチＴ；’ｉグリコ
ール分散液をポリエステル中に０．０１　　重量％とな
るよう添加し、１０分間攪拌混合した。さらに、テトラ
ブチルチタネートをテレフタル酸対し０．００５モル％
添加し、Ｉ　Ｔｏｒｒ　　以下の高ニ空下で重縮合反応
を行なった。得られたポリエチレンテレフタレートを用
い、実施例−１と、　０ＬＡ＝　０．００３’μｍ、表
面突起数；１ケ／ｃＩｌ。

Ａ比＝　４５　ｄＢ、８　（１０ＫＢＰＩ）／５（５０
ＫＢＰＩ）−４，繰り返し走行後の８／Ｎ比低下−一０
．５（ｄＢ）であり、金属薄膜磁気記録媒体用フィルム
として優れたものであった。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、平均粒径１０〜１００ｍμの酸化ケイ素水分散ゾル
   の水をエチレングリコールで置換して、酸化ケイ素含有
   量が１５重量％以下のエチレングリコール分散液とし、
   該酸化ケイ素のエチレングリコール分散液を、ポリエス
   テル製造工程のうちの任意の段階で添加し、得られたポ
   リエステル組成物をシート状に成型し、延伸、熱固定す
   ることを特徴とする磁気記録媒体用ポリエステルフィル
   ムの製造法。 ２、　酸化ケイ素のポリエステルに対する添加量が０．
   ００１〜１．０重量％である特許請求の範囲第１項記載
   の磁気記録媒体用ポリエステルフィルムの製造法。