JPS5910497A - フラックス - Google Patents
フラックスInfo
- Publication number
- JPS5910497A JPS5910497A JP11980882A JP11980882A JPS5910497A JP S5910497 A JPS5910497 A JP S5910497A JP 11980882 A JP11980882 A JP 11980882A JP 11980882 A JP11980882 A JP 11980882A JP S5910497 A JPS5910497 A JP S5910497A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- flux
- soldering
- zinc chloride
- washing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/36—Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
- B23K35/3601—Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest with inorganic compounds as principal constituents
- B23K35/3603—Halide salts
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は各種はんだ付けのために用いるフラックスに関
する。″ 従来、たとえば半導体製品の製造過程においては、リー
ド部の予備を丁んだ付けあるいはプリント基板への組立
てのためのはんだ付は等が要求される。そのため、はん
だ付けを良好に行うべく、リード部を７ラツクスで処理
することが行われている。
する。″ 従来、たとえば半導体製品の製造過程においては、リー
ド部の予備を丁んだ付けあるいはプリント基板への組立
てのためのはんだ付は等が要求される。そのため、はん
だ付けを良好に行うべく、リード部を７ラツクスで処理
することが行われている。
このようなフラックスとしては従来から様々な材料が用
いられているが、フラックスははんだ付は性が良いこと
は勿論、はんだ付は後の洗浄による除去が容易なもので
なければならない。
いられているが、フラックスははんだ付は性が良いこと
は勿論、はんだ付は後の洗浄による除去が容易なもので
なければならない。
従来からフラックスとして用いられているものの中で、
塩化亜鉛（Ｚｎ（Ｊｔ）を含有するフラックスはその活
性が非常に高（、はんだ付は性の悪い素材にはんだ付は
する場合１ｆＣ４ｖＦに有効なフラックスとして知られ
ている。
塩化亜鉛（Ｚｎ（Ｊｔ）を含有するフラックスはその活
性が非常に高（、はんだ付は性の悪い素材にはんだ付は
する場合１ｆＣ４ｖＦに有効なフラックスとして知られ
ている。
ところが、塩化亜鉛を含むフラックスは、はんだ付は後
に水洗によって７ラツクス除去を行う場合、塩化亜鉛中
の亜鉛がＺｎ （ＯＨ） Ｃ−ｅ、 Ｚｎ （ＯＨ）ｆ
等の溶解度の小さい化合物を生成するので、洗浄が困難
である。このような化合物がリード部に残留すると、リ
ード部が腐食したり、あるいは電気的な絶縁抵抗が低下
する等の重大な欠点が生じるので、特に半導体製品のは
んだ付けにおいては大きい問題をひき起こ丁ことになる
。ＩＬ十分な洗浄を行うため圧は、湯洗渉を行ったり、
塩酸等を含む酸性溶液で洗浄する必要があるので、コス
ト的に高価なものとなり、作業時間も長（なる等の開路
もあった。
に水洗によって７ラツクス除去を行う場合、塩化亜鉛中
の亜鉛がＺｎ （ＯＨ） Ｃ−ｅ、 Ｚｎ （ＯＨ）ｆ
等の溶解度の小さい化合物を生成するので、洗浄が困難
である。このような化合物がリード部に残留すると、リ
ード部が腐食したり、あるいは電気的な絶縁抵抗が低下
する等の重大な欠点が生じるので、特に半導体製品のは
んだ付けにおいては大きい問題をひき起こ丁ことになる
。ＩＬ十分な洗浄を行うため圧は、湯洗渉を行ったり、
塩酸等を含む酸性溶液で洗浄する必要があるので、コス
ト的に高価なものとなり、作業時間も長（なる等の開路
もあった。
本発明は前記従来技術の問題点を一挙に解法するために
なされた屯ので、その目的は、塩化亜鉛を含有すること
によるはんだ付は性の良さはそのまま活かしつつ、洗浄
除去も容易なフラックスを提供することにある。
なされた屯ので、その目的は、塩化亜鉛を含有すること
によるはんだ付は性の良さはそのまま活かしつつ、洗浄
除去も容易なフラックスを提供することにある。
この目的を達成するため、本発明によるフラックスは、
塩化亜鉛を含有した上に、オキシカルボン酸を添加する
ものである。
塩化亜鉛を含有した上に、オキシカルボン酸を添加する
ものである。
以下、本発明を実施例にしたがってさらに説明する。
本発明汀塩化亜鉛を含むフラックスにオキシカルボン酸
を添加するものであり、塩化亜鉛系フラックスの組成は
たとえば水（ＨｔＯ）を６０％、塩化亜鉛（Ｚｎ Ｃ，
！３． ）を３０チ、 塩化アンモニウム（ＮＨ４Ｃ−
ｅ）を１０４．その他界面活性剤等を少量含有してなる
ものである。
を添加するものであり、塩化亜鉛系フラックスの組成は
たとえば水（ＨｔＯ）を６０％、塩化亜鉛（Ｚｎ Ｃ，
！３． ）を３０チ、 塩化アンモニウム（ＮＨ４Ｃ−
ｅ）を１０４．その他界面活性剤等を少量含有してなる
ものである。
本発明によれば、このような組成を持つ塩化亜鉛系フラ
ックスに一オキシカルボン酸、たとえばグリコール酸を
添加するが、その添加量は塩化亜鉛中の亜鉛（Ｚｎ）が
キレートを生成するのに十分な量であるのが好ましい。
ックスに一オキシカルボン酸、たとえばグリコール酸を
添加するが、その添加量は塩化亜鉛中の亜鉛（Ｚｎ）が
キレートを生成するのに十分な量であるのが好ましい。
本発明において使用されるオキシカルボン酸としては、
グリコール酸の他に、グリセリン酸、乳酸、リンゴ酸、
酒石酸、クエン酸、マンデル酸。
グリコール酸の他に、グリセリン酸、乳酸、リンゴ酸、
酒石酸、クエン酸、マンデル酸。
サリチル酸等が好適である。
本発明により、塩化亜鉛系のフラックスにオキシカルボ
ン酸を所望量添加すると、はんだ付は後のブラックス洗
浄時に塩化亜鉛がＺｎ （ＯＨ） Ｃ−ｅ。
ン酸を所望量添加すると、はんだ付は後のブラックス洗
浄時に塩化亜鉛がＺｎ （ＯＨ） Ｃ−ｅ。
Ｚｎ（ＯＨ）を生成しにくく、下記の如きキレートを形
成するので、フラックスは洗浄水に溶解し易（、水洗の
みで十分清浄に洗浄でき、腐食や電、気的絶鰍抵抗の低
下を来た丁ことなく、洗浄時間も従来の場合に比べて非
常に短くて済む。
成するので、フラックスは洗浄水に溶解し易（、水洗の
みで十分清浄に洗浄でき、腐食や電、気的絶鰍抵抗の低
下を来た丁ことなく、洗浄時間も従来の場合に比べて非
常に短くて済む。
筐り、本発明忙よりオキシカルボン酸を添加することに
よって、酸性の基剤としてフラックスのＰＨが下がり、
Ｚｎ （ＯＨ） Ｃ１３，Ｚｎ （ＯＨ）ｔが生成しに
くいという利点が得られる。
よって、酸性の基剤としてフラックスのＰＨが下がり、
Ｚｎ （ＯＨ） Ｃ１３，Ｚｎ （ＯＨ）ｔが生成しに
くいという利点が得られる。
なお、本発明のフラックスは半導体製品のみなラス、車
輛用ラジェータ、あるいはステンレス製品のようにを１
んだ付は性の良くないもの等に本人（適用できる。特に
、半導体製品のリードとして一般的に使用されている鉄
−ニッケル系合金（４２７０イ）は熱処理を経て表面が
酸、化されており、はんだ付は性が悪＜ Ｙｒっでいる
が、本発明のフラックスはこのような場合にも極めて容
易にはんだ付けを行うことができる。
輛用ラジェータ、あるいはステンレス製品のようにを１
んだ付は性の良くないもの等に本人（適用できる。特に
、半導体製品のリードとして一般的に使用されている鉄
−ニッケル系合金（４２７０イ）は熱処理を経て表面が
酸、化されており、はんだ付は性が悪＜ Ｙｒっでいる
が、本発明のフラックスはこのような場合にも極めて容
易にはんだ付けを行うことができる。
以上説明したように、本発明によれば、はんだ付は性が
良好である上に、はんだ付は後には水洗により容易に洗
浄除去できるフラックスが得られ、フラックスおよびそ
の化合物の残留による腐食や電気的絶縁抵抗の低下等を
排除でき、また洗浄作業の能率向上やコストの低減も可
能である。
良好である上に、はんだ付は後には水洗により容易に洗
浄除去できるフラックスが得られ、フラックスおよびそ
の化合物の残留による腐食や電気的絶縁抵抗の低下等を
排除でき、また洗浄作業の能率向上やコストの低減も可
能である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、塩化亜鉛、塩化亜鉛アンモンを含有したフラックス
において、オキシカルボン酸を添加することを特徴とす
るフラックス。 ２、オキシカルボン酸の添加量は、塩化亜鉛中の亜鉛が
キレートを形成するの忙十分な量であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のフラックス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11980882A JPS5910497A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | フラックス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11980882A JPS5910497A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | フラックス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5910497A true JPS5910497A (ja) | 1984-01-19 |
| JPH0341274B2 JPH0341274B2 (ja) | 1991-06-21 |
Family
ID=14770736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11980882A Granted JPS5910497A (ja) | 1982-07-12 | 1982-07-12 | フラックス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5910497A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2627680C2 (de) | 1975-06-30 | 1986-02-06 | Sandoz-Patent-GmbH, 7850 Lörrach | Organische Verbindungen, ihre Herstellung und Verwendung |
| JPS626796A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-13 | Taiyo Ink Seizo Kk | はんだ付用水洗性フラツクス組成物 |
| JPH04262890A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-09-18 | Motorola Inc | フラックス剤および金属粒子を有する接着剤 |
| JPH06509080A (ja) * | 1991-07-11 | 1994-10-13 | ファイザー・インコーポレーテッド | セルトラリンを製造する方法 |
-
1982
- 1982-07-12 JP JP11980882A patent/JPS5910497A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2627680C2 (de) | 1975-06-30 | 1986-02-06 | Sandoz-Patent-GmbH, 7850 Lörrach | Organische Verbindungen, ihre Herstellung und Verwendung |
| JPS626796A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-13 | Taiyo Ink Seizo Kk | はんだ付用水洗性フラツクス組成物 |
| JPH04262890A (ja) * | 1990-09-27 | 1992-09-18 | Motorola Inc | フラックス剤および金属粒子を有する接着剤 |
| JPH06509080A (ja) * | 1991-07-11 | 1994-10-13 | ファイザー・インコーポレーテッド | セルトラリンを製造する方法 |
| JP2566374B2 (ja) * | 1991-07-11 | 1996-12-25 | ファイザー・インコーポレーテッド | セルトラリンを製造する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0341274B2 (ja) | 1991-06-21 |
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