JPS602681A - 銅または銅合金の防錆処理方法 - Google Patents
銅または銅合金の防錆処理方法Info
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- JPS602681A JPS602681A JP58110313A JP11031383A JPS602681A JP S602681 A JPS602681 A JP S602681A JP 58110313 A JP58110313 A JP 58110313A JP 11031383 A JP11031383 A JP 11031383A JP S602681 A JPS602681 A JP S602681A
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- Japan
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- copper
- rust preventive
- soln
- copper alloy
- mixed
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F11/00—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent
- C23F11/08—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids
- C23F11/10—Inhibiting corrosion of metallic material by applying inhibitors to the surface in danger of corrosion or adding them to the corrosive agent in other liquids using organic inhibitors
- C23F11/14—Nitrogen-containing compounds
- C23F11/149—Heterocyclic compounds containing nitrogen as hetero atom
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/282—Applying non-metallic protective coatings for inhibiting the corrosion of the circuit, e.g. for preserving the solderability
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は銅または銅合金の防錆処理方法に関するもの
である。
である。
たとえば、セラミックスなどの絶縁体の表面に無電解メ
ッキ法により銅′P&膜を形成し、この銅被膜を導電部
分とすることは知られている。このような例としては、
セラミックコンデンサの銅電極、回路基板の導電パター
ンなどへの応用がある。そして銅被膜はそのままでは酸
化されやすい性質を有しているため、通常防錆処理が施
される。
ッキ法により銅′P&膜を形成し、この銅被膜を導電部
分とすることは知られている。このような例としては、
セラミックコンデンサの銅電極、回路基板の導電パター
ンなどへの応用がある。そして銅被膜はそのままでは酸
化されやすい性質を有しているため、通常防錆処理が施
される。
従来の′防錆処理は次のようにして実施されていた。つ
まり、防錆剤であるベンゾトリアゾールまたはベンゾト
リアゾール誘導体を溶媒である水またはアルコールに溶
解し、この溶液に銅製品または銅合金製品を浸漬するか
、または前記溶液を銅製品または銅合金製品に吹き付け
、塗布などの手段で接触させることによって防錆処理を
行い、次いで水またはアルコール類を除去し、さらに室
温乾燥や沸点以上の高温で乾燥していた。
まり、防錆剤であるベンゾトリアゾールまたはベンゾト
リアゾール誘導体を溶媒である水またはアルコールに溶
解し、この溶液に銅製品または銅合金製品を浸漬するか
、または前記溶液を銅製品または銅合金製品に吹き付け
、塗布などの手段で接触させることによって防錆処理を
行い、次いで水またはアルコール類を除去し、さらに室
温乾燥や沸点以上の高温で乾燥していた。
しかしながら、このような方法によれば、溶媒として高
沸点のものを使用しているため、乾燥工程において結露
状態が実現されることになり、銅製品または銅合金製品
の表面に染みが発生したり、アルコール濃度管理の不備
によって染みが発生したりして外観不良を起こしていた
。
沸点のものを使用しているため、乾燥工程において結露
状態が実現されることになり、銅製品または銅合金製品
の表面に染みが発生したり、アルコール濃度管理の不備
によって染みが発生したりして外観不良を起こしていた
。
また、この従来方法によれば、防錆処理後、いわゆる水
切り工程や熱風乾燥工程が必要となり、これらの工程が
入ることにより、一連の防錆処理の自動化が行えなかっ
た。
切り工程や熱風乾燥工程が必要となり、これらの工程が
入ることにより、一連の防錆処理の自動化が行えなかっ
た。
したがって、この発明は水切り工程や高温熱風乾燥工程
などが不要な銅または銅合金の防錆処理方法を提供する
ことを目的とする。
などが不要な銅または銅合金の防錆処理方法を提供する
ことを目的とする。
すなわち、この発明の要旨とするところは、溶媒である
トリクロルトリフロロエタンとアルコールの混合溶液に
、防錆剤であるベンゾトリアゾールまたはベンゾトリア
ゾール誘導体を飽和濃度以下に溶解させて防錆溶液を作
り、この防錆溶液と銅または銅合金と接触させ、次いで
防錆剤を含まない前記溶媒の混合溶液で)?tぎ、さら
に低沸点の前記溶媒の混合溶液にて蒸気洗浄することを
特徴とする銅または銅合金の防錆処理方法である。
トリクロルトリフロロエタンとアルコールの混合溶液に
、防錆剤であるベンゾトリアゾールまたはベンゾトリア
ゾール誘導体を飽和濃度以下に溶解させて防錆溶液を作
り、この防錆溶液と銅または銅合金と接触させ、次いで
防錆剤を含まない前記溶媒の混合溶液で)?tぎ、さら
に低沸点の前記溶媒の混合溶液にて蒸気洗浄することを
特徴とする銅または銅合金の防錆処理方法である。
ここで、防錆処理の対象である銅または銅合金としては
、 ■セラミックス、プラスデックなどの非処理物に電解メ
ッキまたは無電解メッキにより形成された銅または銅合
金被膜 ■銅または銅合金そのものからなるものなどがある。
、 ■セラミックス、プラスデックなどの非処理物に電解メ
ッキまたは無電解メッキにより形成された銅または銅合
金被膜 ■銅または銅合金そのものからなるものなどがある。
そして、■の銅または銅合金は通常湿式で処理されるた
め水分と含んでおり、水置換乾燥とともに、防錆処理が
必要とされる。
め水分と含んでおり、水置換乾燥とともに、防錆処理が
必要とされる。
また■の銅または銅合金は水を含んでいないが高温の熱
処理を経るため、表面が非常に化学的活性を有しており
、放置すると大気中の湿気により酸化が急激に進行する
ことになり、やはり防錆処理が必要とされる。
処理を経るため、表面が非常に化学的活性を有しており
、放置すると大気中の湿気により酸化が急激に進行する
ことになり、やはり防錆処理が必要とされる。
溶媒であるトリクロルトリフロロエタンとアルコールの
混合溶液は、アルコール含有量を共沸点温度以下で混合
したものが使用される。
混合溶液は、アルコール含有量を共沸点温度以下で混合
したものが使用される。
また、防錆剤としはベンゾトリアゾールまたはその誘導
体が使用される。ベンゾトリアゾールの誘導体としては
、たとえばポリアミン誘導体がある。
体が使用される。ベンゾトリアゾールの誘導体としては
、たとえばポリアミン誘導体がある。
この発明方法によれば、溶媒としてトリクロルトリフロ
ロエタンとアルコールの混合溶液を用いるため、従来の
ように水または水を含むアルコールからなる溶媒で処理
したものにくらべ酸化を促進する要素を含んでおらず、
したがって酸化や表3− 面の染みの発生が認められない。
ロエタンとアルコールの混合溶液を用いるため、従来の
ように水または水を含むアルコールからなる溶媒で処理
したものにくらべ酸化を促進する要素を含んでおらず、
したがって酸化や表3− 面の染みの発生が認められない。
また、この発明方法によれば、従来のように水や水を含
むアルコールを溶媒として用いた場合、水切り工程や高
温熱風乾燥処理が必要であったが、このような工程が省
略でき、連続して防錆処理が実現でき、防錆処理の自動
化が容易に実現することができる。
むアルコールを溶媒として用いた場合、水切り工程や高
温熱風乾燥処理が必要であったが、このような工程が省
略でき、連続して防錆処理が実現でき、防錆処理の自動
化が容易に実現することができる。
さらに、従来方法によれば、水または水を含むアルコー
ルが汚染されたとき、廃液処理が必要であったが、この
発明方法のようにトリクロルトリフロロエタンとアルコ
ールの混合溶液を用いることによって、蒸気再生が可能
となり、大幅な節水ができることになる。
ルが汚染されたとき、廃液処理が必要であったが、この
発明方法のようにトリクロルトリフロロエタンとアルコ
ールの混合溶液を用いることによって、蒸気再生が可能
となり、大幅な節水ができることになる。
さらに、また、この発明方法においては、防錆溶液と銅
または銅合金を接触させたのち、防錆剤Σ を含まない混合溶媒でリンス処理#施し、さらに低沸点
の混合溶媒にて蒸気洗浄するが、この低沸点の混合溶媒
は沸点が50°C以下に設定される。し7・ たがって、蒸気洗浄を低温が実施でき、防錆処理対象で
ある銅または銅合金の酸化も防止すること4− ができる。
または銅合金を接触させたのち、防錆剤Σ を含まない混合溶媒でリンス処理#施し、さらに低沸点
の混合溶媒にて蒸気洗浄するが、この低沸点の混合溶媒
は沸点が50°C以下に設定される。し7・ たがって、蒸気洗浄を低温が実施でき、防錆処理対象で
ある銅または銅合金の酸化も防止すること4− ができる。
以下、この発明を実施例に従って詳細に説明する。
実施例1゜
にメッキ処理後水洗した。
一方、ベンゾトリアゾールのポリアミン誘導体をトリク
ロルトリフロロエタンとアルコールの共沸点混合溶液に
20%加えて防錆溶液を作った。この防錆溶液に上記セ
ラミックスを浸漬した。ここで、浸漬の他、吹き付け、
筆法なとで接触させてもよい。そののち防錆溶液からセ
ラミックスを引き上げ、さらに防錆剤を含まない前記溶
媒の混合溶液で濯いだ。次いで低沸点(45℃)の前記
溶媒の混合溶液にて蒸気洗浄した。
ロルトリフロロエタンとアルコールの共沸点混合溶液に
20%加えて防錆溶液を作った。この防錆溶液に上記セ
ラミックスを浸漬した。ここで、浸漬の他、吹き付け、
筆法なとで接触させてもよい。そののち防錆溶液からセ
ラミックスを引き上げ、さらに防錆剤を含まない前記溶
媒の混合溶液で濯いだ。次いで低沸点(45℃)の前記
溶媒の混合溶液にて蒸気洗浄した。
このようにして処理したセラミックス表面の銅の無電解
メッキ被膜を観察したところ、染みの発生は見られなか
った。また処理後1000時間空気中に放置したところ
、酸化現象の発生は見られなかった。
メッキ被膜を観察したところ、染みの発生は見られなか
った。また処理後1000時間空気中に放置したところ
、酸化現象の発生は見られなかった。
実施例2゜
この実施例では処理対象品として銅線を選んだ。
この銅線は特性改善のために100℃以上の温度で熱処
理工程に付されるが、この実施例では200°Cで熱処
理したものを用いた。
理工程に付されるが、この実施例では200°Cで熱処
理したものを用いた。
この銅線をすでに上記した実施例1.と同様にして処理
した。得られた銅線の表面を1[!2察したところ、染
みの発生は見られなかった。また処理後1000時空気
中に放置したところ、酸化睨象の発生は認められなかっ
た。
した。得られた銅線の表面を1[!2察したところ、染
みの発生は見られなかった。また処理後1000時空気
中に放置したところ、酸化睨象の発生は認められなかっ
た。
特 許 出 願 人
株式会社村田製作所
7−
Claims (1)
- 溶媒であるトリクロルトリフロロエタンとアルコールの
混合溶液に、防錆剤であるベンゾトリアゾールまたはベ
ンゾトリアゾール誘導体を飽和濃度以下に溶解させて防
錆溶液を作り、この防錆溶液と銅または銅合金と接触さ
せ、次いで防錆剤を含まない前記溶媒の混合溶液で濯ぎ
、さらに低沸点の前記溶媒の混合溶液にて蒸気洗浄する
ことを特徴とする銅または銅合金の防錆処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58110313A JPS602681A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 銅または銅合金の防錆処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58110313A JPS602681A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 銅または銅合金の防錆処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS602681A true JPS602681A (ja) | 1985-01-08 |
JPH031386B2 JPH031386B2 (ja) | 1991-01-10 |
Family
ID=14532540
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58110313A Granted JPS602681A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 銅または銅合金の防錆処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS602681A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4821148A (en) * | 1985-06-14 | 1989-04-11 | Hitachi, Ltd. | Resin packaged semiconductor device having a protective layer made of a metal-organic matter compound |
JPH0878281A (ja) * | 1994-09-05 | 1996-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
US7264740B2 (en) * | 2003-03-28 | 2007-09-04 | David Hughes Horne | Process for increasing strength, flexibility and fatigue life of metals |
CN102064020A (zh) * | 2010-10-28 | 2011-05-18 | 吴浩 | 微波高频电容器端电极的制作方法 |
JP2018016827A (ja) * | 2016-07-25 | 2018-02-01 | 住友金属鉱山株式会社 | 有機被膜の製造方法、導電性基板の製造方法、有機被膜製造装置 |
-
1983
- 1983-06-16 JP JP58110313A patent/JPS602681A/ja active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4821148A (en) * | 1985-06-14 | 1989-04-11 | Hitachi, Ltd. | Resin packaged semiconductor device having a protective layer made of a metal-organic matter compound |
JPH0878281A (ja) * | 1994-09-05 | 1996-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の製造方法 |
US7264740B2 (en) * | 2003-03-28 | 2007-09-04 | David Hughes Horne | Process for increasing strength, flexibility and fatigue life of metals |
CN102064020A (zh) * | 2010-10-28 | 2011-05-18 | 吴浩 | 微波高频电容器端电极的制作方法 |
JP2018016827A (ja) * | 2016-07-25 | 2018-02-01 | 住友金属鉱山株式会社 | 有機被膜の製造方法、導電性基板の製造方法、有機被膜製造装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH031386B2 (ja) | 1991-01-10 |
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