JPS59100602A - 無線周波ハイブリッド結合回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、無線周波回路に関し、更に詳細には、加えら
れた信号を異なったポート間で結合又は分割する無線周
波（ｒ、　ｆ、　）ハイブリッド結合器に関（５） する。

（背景技術） 当該技術分野において周知の如く、２つのデバイスから
発する一対のｒ、　ｆ、信号を結合し、その結合された
ｒ、　ｆ、信号を第３のデバイスに送り、あるいは１つ
のデバイスからの入力ｒ、　ｆ、信号を分割しそのｒ、
　ｆ、信号の分割された成分を２つの出力デバイスに送
ることは、しばしば望ましいことである。結合器のある
ものは基板上に形成された無線周波伝送ラインを有する
結合器を含んでいる。一般に、ｒ、　ｆ、信号の１成分
は一対のポートの１つと出力ポートとの間で直接的に結
合され、その他の成分は一対のポートのもう１つと出力
ポートとの間で電磁的に結合される。従来において「、
ｆ、信号の１成分を電磁的に結合するのに使用された方
法は、共通基板上に近接して形成された一対の平らな絶
縁されて離間されたストリップ導体のエツジ間に電磁界
を結合させ、各ストリップ導体の端部が結合器に対する
ポート接続を提供するものであった。この従来技術の方
法では、結合（６） 強度はエツジの面積とストリップ導体のエツジ間の分離
度に関係する。これもまた当該技術分野において知られ
ているように、結合器は一般に特性インピーダンスを与
え、このインピーダンスは結合器の回路応用にも適合で
きる。結合強度は、ある程［Ｗ、全エツジ面積に関係す
るので、一般に全エツジ面積が増加すると結合強度も一
ヒ昇する。従来において、全エツジ面積を増加させるた
めに使用された方法には、複数の細いストリップ導体を
指のように組合せる技術があり、これによって全エツジ
面積そ（７て結合強度を増加させた。そのような結合器
を設計するとき、特に注意を払うことは結合器の特性イ
ンピーダンスであり、その理由は、結合器が接続される
デバイスにも適合する特性インピーダンスを結合器が与
えなければならないからである。また、周知の如く、伝
送ライン、？＋１　、ｔ　ハ、マイクロストリップ伝送
ラインの特性インピーダンスは、基板の厚さ、誘電率、
及び導体の幅に関係する。そして、指のように組合され
たストリップ導体の幅、間隔及び数量は、結合器に（７
） 所望の結合係数及び所定の特性インピーダンスを与える
ように選択される。即ち、狭いストリップ導体の幅及び
数量、そしてその間隔は、結合器に所望の結合係数を与
えるように間隔が充分狭く選択され、その細いストリッ
プ導体の幅及び数は結合器に所定の特性インピーダンス
を与えるように選択される。そのような構造に関連する
１つの問題は、結合強度の増加が要求されるに従って、
導体幅及びその間隔は減少することで、許容可能な歩留
りで所望の結合強度を達成し所望の特性インピーダンス
を維持する回路を組立てるのは困難である。また、導体
幅が減少するに従って、導体の抵抗は上昇し、それによ
って導体損失及び結合器の挿入損が増加する。

（発明の概要） 本発明によれば、接地面導体から絶縁されて離間された
一対のストリップ導体を含み、入力ポートと一対の出力
ポートとの間でｒ、　ｆ、信号を結合し、反射されたパ
ワーが分離されたポートに結合される無線周波回路が提
供される。各ストリップ（８） 導体は２つの異なった平面に配置される部分を有する。

絶縁されて離間されたストリップ導体の各々の端部は前
記ポートに夫々対応する。この配置構成によって、入力
ポートから一対の出力ポートの第１ポートに第１の信号
成分を直接的に与え、そして入力ポートと一対の出力ポ
ートの第２ポートとの間に結合される伝送ラインの近接
する上面及び底面との間に第２信号成分を電磁的に結合
することによって、入力ポートと一対の出力ポートとの
間で信号を結合する結合器が与えられる。伝送ラインの
近接する上面及び底面との間で信号を電磁的に結合する
ことによって、結合表面積が増加し、従来技術の構造の
挿入損の増加なしに結合強度を増加させることができる
。更に、本発明の構造は指のように組合せた結合器に関
連した近接して分離した薄い導体よりも組立が容易であ
る。

本発明の１実施例によれば、結合器は、接地面導体から
第１の所定距離に配置された第１の複数の連続して離間
されたストリップ導体部と、第１の複数のストリップ導
体部から絶縁して離間され（９） た接地面導体から第２の所定距離に配置された第２の複
数のストリップ導体部と、を含む。第１のストリップ導
体部の各々の１表面は、第２ストリツプ導体部の対応す
るものの表面に電磁的に結合される。第１及び第２のス
トリップ導体部の中間のものは、そこに電磁的に結合さ
れるストリップ導体部の側面にある一対のス）　ＩＪツ
ブ導体部に接続され、一対の絶縁分離されたからみ合っ
たストリップ導体を供給する。そのような構成によって
、谷ストリップ導体の第１部を第１の距離で、各ストリ
ップ導体の第２部を第２の距離で配置して、接地面導体
から同一の平均距離で各ストリップ導体が配置されるの
で、対称結合器が与えられる。

こうして、絶縁体及び接地面と連結された各ストリップ
導体はほぼ同じ電磁特性を有する一対の伝送ラインを提
供する。更に、各ストリップ導体部の表面は第２のスト
リップ導体部の表面に電磁的に結合されるので、それら
の結合は従来のものよりも強くなる。

本発明の別の実施例によれば、結合回路は、第（１０） １対の絶縁して離間された平面ストリップ導体と第２対
の絶縁して離間された平面ス）　ＩＪツブ導体とを含み
、第２対の導体は第１対のものと異なった平面で絶縁分
離され、第２対の各ストリップ導体は第１対の対応する
ストリップ導体の上に位置が合せられ、それに電磁的に
結合される。第１対の各ストリップ導体は、それと電磁
的に結合されない第２対の絶縁層＋１！Ｉされた１つの
ストリップ導体に伝送ラインの長さ方向に沿った複数の
位置で交互に接続される。その構成によって、高い結合
強度を有する結合器が提供される。史に、各ストリップ
導体ラインと組合されて伝送ラインを介して与えられる
信号の伝播は比較的均一である、その理由は、信号の第
１の部分が入力ポートと一対の出力ポートの各々との間
の基板−ヒに形成されたストリップ導体を有する第１伝
送ラインＫＧつて伝播し、信号の第２の部分が絶縁層上
に形成されたストリップ導体を有する第２の伝送ライン
に沿って伝播するからである。更に、伝送ラインのスト
リップ導体の対角的ＫＭ間された非電磁結合の（１１） 接続は、伝送ラインに治って伝播するエネルギの等電位
励起を与える。

（実施例の説明） 入力ポートと一対の出力ポートとの間で無線周波（ｒ、
　ｆ、　）信号を結合するハイブリッド直角位相結合器
１０（第３図１）は、これらのポートから反射されたｒ
、　ｆ、信号に対する分離されたポートが設けられる。

この結合器を第１図乃至第４図に関連して酸１明する。

先ず、第１図を参照すると、二重子側増幅器７０が示さ
れ、該増幅器は、信号分割器として配置される第１ハイ
ブリツド結合器１０’と、一対の周知の整合増幅器７２
．７４と、信号結合器として配置される第２ハイブリツ
ド結合器１０とを含む。

第２図において、複数のセグメント化されたストリップ
導体部１４３〜１４ｇは、初期の厚さが１５ミル（０，
３８ｍａ）の、ここでは半絶縁ガリウム砒素（ＧａＡｓ
）からなる絶縁基板１２の第１表面上に形成される。こ
のストリップ導体部１４８〜１４ｇ（ここでは周知の金
属化体で、チタンの第（１２） １層と金の第２層とを含む）は、周知のホトリソグラフ
（写真食刻）・マスク及び金属蒸着技術を使用して形成
される。ストリップ導体部１４ａ〜１４ｇはここでは約
１μｍの厚さに蒸着され、５０μｍの幅Ｗを有する。絶
縁基板１２は第１表面と反対側の第２表面に形成される
接地面導体１６を有する。接地面導体１６は、基板１２
が所定の厚さくここでは４ミル（０，１Ｂｍ））Ｋ薄く
された後基板１２上に形成される。ストリップ導体部１
４ａ〜１４ｇの各々、ここでは奇数のセグメントは距離
ｄ（ここでは約１５μｍ）だけ夫々前れている。各スト
リップ導体部１４８〜１４ｇは、例えばセグメント１４
ｂの傾斜した辺１４ｂ′と水平の辺１４ｂ“との間の鋭
角の頂角θを有するほぼ平行四辺形に形づくられ、その
頂角は００〜９０’の範囲で選択される。ここでは、頂
角θは約１５°に選定される。一対のストリップ導体部
１５ｂ及び１５ｄは、夫々ストリップ導体部１４ａ及び
１４ｇに近接して基板１２上に形成される。このストリ
ップ導体部１５ｂ。

１５ｄは、ストリップ導体（第４図）に対して前（１３
） 述の２つのポート（ここではポートＢ及びＤ）への導電
接触部を提供する。ストリップ導体部１４２〜１４ｇの
各水平辺の長さ、導体部１４（１〜１４ｇの数、及び間
隔（ｄ）は、全体で、回路の動作周波数の中心帯の波長
λの４分の１波長λ／４にほぼ等しくなるように選定さ
れる。

ここで第３，３Ａ及び３Ｂ図を参照すると、第１マスク
層２０（ことではホトレジスト層）がストリップ導体部
１４ａ〜１４ｂ及び基板１２の上に図示の如く設けられ
る。周知のマスク及びエツチング技術を使用して、複数
の三角形の開口２２ａ−２２ｈ及び２２ａ〜２２ｈ′が
マスク層２０の中に形成され、これらの開口はその下の
ストリップ導体部１４３〜１４ｇとストリップ導体１５
ｂ。

１５ｄの選択した部分と位置合せがされそこを露出する
。開口２２ａ〜２２ｈ及び２２ａ’　〜２２ｈ’はマス
ク層２０を通るメッキ孔を形成して後述の態様でストリ
ップ導体部１４ａ〜１４ｂを選択的に接続する。マスク
層２０には第２の複数の開口２５ａ〜２５ｄが設けられ
、基板１２及びスｌ、　ＩＪ（１４） ツブ導体１５ｂ、１５ｄの選択部分を露出する。

第３Ｂ図に示すように、層２０の一部はストリップ導体
１５ｂの上に配置され、それによって、ストリップ導体
が開口２５ａの内に形成されたとき、そのストリップ導
体がブリッジ・ストリップ導体１５ｂとなる。開口２５
ａ〜２５ｄはマスク層２０内に形成され、結合器のポー
トＡ−Ｄに対するストリップ導体が第４図に関連して説
明される態様で設けられる領域を決定する。例えば、基
板１２及びストＩＪツブ導体部１５Ｃ，１５ｄの一部を
選択的に露出する開口２５Ｃ及び２５ｄは、ポートＣ及
びポートＤがストリップ導体（第４図）をセグメント１
４ａ、１４ｇに結合するために形成される領域を与える
。マスク層２０の上には６００Ａの厚さの蒸着されたチ
タンから成る層２６ａと２００ＯＡの厚さの蒸着された
金から成る層２６ｂが設けられ、これらは組合さって複
合層２６を形成する。第２のホトレジスト層２０′は複
合層２６の上に被着され、ホトレジスト層２０と同じ領
域でパターン化され、後述するようにスト・リップ導（
１５） 体部をメッキするためにマスク層２０’内に第３の複数
の開口２７８〜２７ｉを供給する。

ここで第４，４Ａ及び４Ｂ図を参照すると、連続して離
間された第２の複数の類似のストリップ導体部３０３〜
３０ｇが開口２７８〜２７ｇ（第３図）を介してマスク
層２０内に形成され、複合層２６（図示せず）の上に３
μｍの厚さでメッキされる。ストリップ導体部３０ａ〜
３０ｇは、ストリップ導体部１４３〜１４ｇから絶縁、
離間してそれと位置を合せて形成され、その第１ストリ
ツプ導体部１４３〜１４ｇは第２の複数のストリップ導
体部３０ａ〜３０ｇの対応するものとに電磁的に結合さ
れる。更に、ストリップ導体部３０３〜３０ｇは、スト
リップ導体部１４３〜１４ｇ（第２図）と十字形の関係
で形成される。ス）　ＩＪツブ導体部３０ａ〜３０ｇは
、前述の如く、鋭角の頂角θが約１５°の平行四辺形に
形づくられる。

セグメント３０ａ〜３０ｇは、同様に、開口２２８〜２
２ｈ、２２８　〜２２ｈ′と位置を合せたマスク層２０
に形成され、ストリップ導体部３０ａ〜（１６） ３０ｇは、マスク層２０の下に形成される選択されたス
トリップ導体部１４８〜１４ｇと選択的に接続される。

そして、セグメント１４３〜１４ｇの対応するものとの
導体部３０２〜３０ｇの選択的相互接続は、一対のから
み合って、ねじれた又は織り合せたストリップ導体３８
．３９の組合せを供給する。そのような伝送ライン３８
．３９は、ストリップ導体部１４ａ〜１４．ｇ及び３０
ａ〜３０ｇを相互接続することによって形成され、スト
リップ導体部３０３〜３０ｇはストリップ導体部１４８
〜１４ｇの選択したものの上に空気ブリッジを与える。

その空気ブリッジ又はオーバーレイは、開口２２ａ　〜
２２ｈ、　２２ａ’〜２２ｈ’　（第３図）内の上部ス
トリップ導体部３０８〜３０ｇをメッキすることによっ
て設けられる。第１及び第２の複数のストリップ導体部
３０３〜３０ｇの夫々の中間部は、そこから形成された
空気ブリッジによって一対のストリップ導体部１４２〜
１４ｇに接続され、その導体部１４３〜１４ｇはそこに
電磁的に結合されるストリップ導体部１４３〜１４ｇの
（１７） １つの側面に接する。

従って、第４Ａ図に断面が示される伝送ライン３８は、
接地面１６．基板１２及び矢Ｉ：１１３８で示す複合ス
トリップ導体３８′を含む。複合ストリップ導体３８′
は、更に、ストリップ導体部１４ａを電気的にブリッジ
するストＩＪツブ導体部３０ａに接続されるストリップ
導体部１５ｂを含む。複合ストリップ導体３８′は、ス
トリップ導体１４Ｃを絶縁シてブリッジするストリップ
導体部３０Ｃと接続されるストリップ導体部１４ｂを有
する。複合ストリップ導体３８′は、ストリップ導体部
３０Ｃと３０８の間でストリップ導体部１４ｅを絶縁し
てブリッジする導体部３０ｅと接続される導体部１４ｄ
と、ストリップ導体部３０ｅと３０ｇとの間で導体部１
４ｇを絶縁してブリッジする導体部１４ｆと、−緒に接
続されるストリップ導体部１５ｄ及び３１ｄと、を有す
る。

更に、第４Ｂ図に断面を示す伝送ライン３９は、接地面
１６．基板１２及び矢印３９′で示す複合ストリップ導
体３９′を含む。複合ストリップ導体３９′（１８） は、−緒に接続されるストリップ導体部３１ａ及び１４
ａを有する。複合ストリップ導体３９′は、更ニ、スト
リップ導体部１４ｂを電気的にブリッジするストリップ
導体部３０ｂに接続されるストリップ導体部１４ａを含
む。複合ストリップ導体３９′は、更に、ストリップ導
体部３０ｂと３０ｄとの間でストリップ導体部１４ｄを
絶縁してブリッジする導体部３０ｄに接続される導体部
１４Ｃを有する。複合ストリップ導体部３９′は、更に
、導体部３０ｄと３Ｏｆの間でストリップ導体部１４ｆ
を絶縁してブリッジする導体部３０ｆに接続される導体
部１４ｅと、導体部３０ｆと３ＩＣの間でストリップ導
体部１５ｄを絶縁してブリッジするストＩＪツブ導体部
３１Ｃに接続される導体部１４ｇと、を有する。

従来の構造とは違って、ストリップ導体の比較的小さい
エツジ面積が無線周波エネルギを第２ストリツプにその
近接するエツジに沿って結合するのに使用される場合、
ストリップ導体部１４２〜１４ｇ、３０ａ〜３０ｇの比
較的広い（１９） 一ヒ部及び底部表面Ｗが複合ストリップ導体３８′。

３９′間にエネルギを結合するのに使用される。上部と
底部の表面間の結合度は従来のエツジ結合技術よりも強
いので、指のように組合さった結合器に使用されるスト
リップ導体よりも比較的広いストリップ導体を有する結
合器を組立ることかでき、挿入損が減少される。

伝送ラインは、ここでは伝送ラインにほぼ等しい特性イ
ンピーダンスを与える対称結合器を供給するため、ねじ
られ、らせん状あるいはからみ合された構造を有する。

こうして、各複合ストリップ導体３８’　、　３９’は
二平向の１つに形成された部分を有する。第４Ａ　、４
Ｂに示すように、各底部のストリップ導体部１４８〜１
４ｇは接地面１６から距離Ｓだけ離間され、各上部のス
トＩＪツブ導体部は接地面１６から距離Ｓ′だけ離間さ
れ、各複合ストリップ導体３８’　、　３９’は接地面
１６から平均距＃Ｓａだけ離間する。こうして、各複合
ストリップ導体３８’　、　３９’は、基板１２と接地
面１６と組合さって、はぼ同じ電磁特性を有する一対の
（２０） 伝送ラインを供給する。このように、ラインの各々はほ
ぼ同じ電気的特性を有するので、結合器は対称な結合器
となる。

ここで第１．５．５Ａ、５Ｂ図を参照すると、結合回路
１０は、一対の増幅器５０．５２から結合器１０（第１
図）の一対のポートＢ　、Ｃに送られる一対の無線周波
（ｒ、　ｆ、　）信号を結合し、そのｒ、　ｆ、信号を
結合器（第１図）の出力ポートＡ及び第３の増幅器５４
に伝送するのに使用することができ、結合されたｒ、　
ｆ、信号成分は相互に９０゜位相がずれている。結合装
置として使用されるとき、一対のｒ、　ｆ、信号は入力
ポートＢ及びＣに送られ、それらのポートからの結合さ
れたｒ、　ｆ、信号は出力ポート（ここではポートＡ）
に送られ、ポートＤにはｒ、　ｆ、信号は送られない。

結合装置として使用されるとき、ボー）Ｂ及びＣに加え
られるｒ、　ｆ、信号は次の様にポートＡに結合される
。

ポートＣに送られるｒ、ｆ、信号はより合せた伝送ライ
ン３９を経由ｊ−てポー）Ａに直接的に結合され（それ
らは−緒に直接的に接続されているので）、（２１） そのより合せた伝送ラインの長さはイ波長奮（λは結合
されるｒ、　ｆ、信号の中心帯周波数に対応する波長）
にほぼ等しい長さに選ばれるので、その信号は位相が一
９０°だけシフトされる。ポートＢに送られるｒ、ｆ、
信号は、第５Ｂ図に図解するように、ストリップ導体部
３０３〜３０ｇの空気ブリッジ部（より合された伝送ラ
イン３８　、３９が相互に交差する領域）でポートＡに
゛電磁的に結合される。その空気ブリッジ、即ちストリ
ップ導体部３０２〜３０ｇの交差部において、ポートＢ
から分離されたポートＤに向ってねじれた伝送ライン３
８を伝播する電磁波は、ねじれた伝送ライン３９に結合
され、伝送ライン３８の伝播方向と反対方向に伝送ライ
ン３９を伝播し、そのエネルギは位相が一１８０°シフ
トされる。従って、ポートＢから結合されるエネルギは
一１８０°の位相シフトが行なわれてポートＡに向って
伝播する。こうして、ポート八に送られる信号はポート
Ｂ及びＣから伝送される信号のベクトル合成で、信号は
ポートＡで結合され、入力信号間には９０°の位相（２
２） シフトが行なわれる。ポー）Ｂ及びＣへの等しい入力信
号に対しては、ポートＡから反射されるすべての部分は
ポートＤに結合されポートＢとＣには反射信号は伝播し
ない。第１図に示すように、ポートＤは伝送ライン３８
．３９の特性インピーダンス（ここでは５０オーム）に
等しいインピーダンスで終端される。また、信号がポー
トＡに送られるときには、マイクロ波回路は信号分割器
１０（第１図）として使用することができ、その信号は
前述の如き態様でポートＢ及びＣに分割される。

その場合、ポートＡに加えられる信号はポートＢ及びＣ
Ｋ直角位相で分割される、即ち、ポートＢ及びＣの信号
成分は位相が９０°シフトサれる。

本発明によれば、ねじれた伝送ライン３８　、３９の１
つを伝播し、その伝送ラインの他方に結合される電磁エ
ネルギの結合強度は、各セグメント１４３〜１４ｇ、及
び３０２〜３０ｇの表面積を選択的に変えて有効な結合
表面積あるいは導体の対応するものと交差する導体の各
々の表面積の部分を制御することによって、そして、各
セグメン（２３） トの頂角を０°と９０°との間で変えてセグメント１４
８〜１４ｇ、３０ａ〜３０ｇが相互に交差する角小（第
５図）を変化させることによって、選択することができ
、占がＯｏに近づくと最大の結合が生じ、小が９０°に
近づくと最小の結合が生じる。更に、奇数のセグメント
を設けることによって、マイクロ波回路４０は、出カポ
−）Ａが分離されたポートＤと結合器の同じ側に位置す
るように構成することができる。

また、ストリップ導体部１４８〜１４ｇは、窒化シリコ
ン、ポリイミド又は他の適当な材料の層によって、ブリ
ッジ・ストリップ導体部３０３〜３０ｇから離間するこ
とも可能である。更に、空気と絶縁材料の組合せが、ス
トリップ導体部１４３〜１４ｇ、３０ａ〜３０ｇを絶縁
して分離し所定の電磁特性を供給するために使用するこ
とができる。

また、結合器の出力ポートＡを入力ポートの１つ（ここ
ではポートＣ）と同じ側に設けることも可能である。こ
の場合、偶数のセグメントを設け（２４） ることによって、出力ポートＡは入力ポートＣと結合器
１０の同じ側になる。その理由は、それらのポートは伝
送ライン３９によって一緒に直接的に結合され、また、
付加セグメントを各ラインに付加し、複合又はねじった
ストリップ導体３８′。

３９が相互に矛付加した回数だけ交差して、基板上のラ
インの終端部分の位置、即ち、ポートＤ及びＢの位置を
変えるからである。

ここで第６乃至８図を参照すると、本発明の別の実施例
が示される。最初に第６図を参照すると、基板４２は、
その第１面に形成された一対の離間した並列ｆｉ　）　
ＩＪツブ導体４０ａ、４０ｂ及び第１面と反対の基板４
２の第２面に形成される接地面４４を有する。各ストリ
ップ導体４０ａ　、４０ｂと一体的に複数のボンデ平ン
グ・パッド４６ａ〜４６３１が夫々形成される。ストリ
ップ導体４０ａ　、４０ｂ、　　及びボンディング・パ
ッド４６３〜４６ｇは々スフ及び蒸着技術を使用して基
板４２上にパターン化される。ストリップ導体４０ａ　
、４０ｂ及びボンディング・パッド４６ａ〜４６ｇは、
ここでは、（２５） チタンと金の複合層で金が厚さ１ｍに蒸着されたもので
ある。

第７図を参照すると、絶縁層（ここではポリイミド）４
８は基板４２のストリップ導体表面上に被着される。周
知のマスク及びエツチング技術を使用して、絶縁層はパ
ターン化され、ボンディング・パッド４６８〜４６ｇの
対応するものと位置を合せて複数の開口４７３〜４７ｇ
を供給する。

開口４７２〜４７ｇは絶縁層４８を通してボンディング
・パッド４６３〜４６ｇの選択した端部を露出する。第
２の複数の開口４９ａ〜４９ｄは絶縁１−４８を通して
設けられる。チタン層５１ａ及び金の層５１ｂは、複合
層２６（第３図）について前述した如く複合層５１を形
成するように被着される。開口４９ａ〜４９ｄは、そこ
にストリップ導体５２８〜５２ｄ（第８図）を形成する
ために使用され、そのストリップ導体５２８〜５２ｄは
結合器（第８図）を外部の装置に接続するために設けら
れる。ここでは、開口４７８〜４７ｇ。

４９３〜４９ｄは第２対のストリップ導体のス（２６） トリップ導体４．Ｑａ、４０ｂへの相互接続のだめのメ
ッキ孔を供給することを述べれば充分である。

ここで第８図を参照すると、絶縁層４８上に形成されそ
の前に基板の上に形成されたストリップ導体４０ａ　、
４０ｂの対応するものと位置を合せた第２の対の離間さ
れた並列ストリップ導体４０Ｃ２４０ｄを含む結合器５
０が示される。各ストリップ導体４０ｃ、４０ｄと一体
的に複数のボンディング・パッド５２ａ〜５２ｇが形成
される。各ボンティング・パッド５２８〜５２ｇは、ス
トリップ導体４０ａ、４０ｂと一体的に形成されたボン
ディング・パッド４６２〜４６ｇの対応するものと位置
を合音て予め形成されてあった開口４７ａ〜４７ｇの対
応するものと位置を合せて形成される。第８Ａ　、８Ｂ
図に示されるように、各ストリップ導体４．０　ａ〜４
０ｄ及び関連のボンディング・パッドは整列させられて
、ストリップ導体４０３〜４０ｄの対角的に離間された
対４Ｑａ　、４０ｄ及び４０ｂ　、４０Ｃが対応する開
口４７ａ〜４７ｇを通して上部のボンディング・パッド
５２８〜５２ｇをメッキすることによって交互に一緒に
接続され、開口４７ａ〜４７ｇによって露出する底部の
ストリップ導体４．０ａ、４０ｂの対応するボンディン
グ・パッド４６ａ〜４６ｇの一部に接続される。こうし
て、第８図に示すように、ストリップ導体４０ｂは、メ
ッキ孔４７ｂ及びボンディング・パッド４６ａ　、５２
ａｅ経由してストリップ導体４０ＣＫ結合させる。同様
に、第８Ｂ図に示すストリップ導体の次の相互接続はメ
ッキ孔４７Ｃ及びボンディング・パッド４６ｂ　、５２
ｂを経由してストリップ導体４０ｄに結合されるストリ
ップ導体４０ａを有する。対角的に離間された導体４０
ａ　、４０ｄ　、４０ｂ　、４０Ｃの連続するものは同
様に接続される。

ポート・ス１１ツブ導体５４ａ〜５４ｄは開口４９ａ〜
４９ｂに夫々形成される。ポート・ストリップ導体５４
ａは、ストリップ導体４０ａ及び基板４２の端部を選択
的に露出する開口４９ａ（第７図）に形成される。こう
して、ポート・ストリップ導体５４ａは開口４９ａを介
してメッキされストリップ導体４０ａへの直接接続を提
供する。同様に、ポー上・ストリップ導体５４ａは、ボ
ンディング・パッド５２ａを開口４７ａを介してメッキ
することによりボンディング・パッド４６ａに接続して
、ストリップ導体４０ｄ（第８Ｃ図）に結合する。ポー
ト・ストリップ導体５４Ｃは、ストリップ導体４０ａの
端部及び基板４２を選択的に露出する開口４９ｃ（第７
図）に形成される。ポート・ストリップ導体５４ｂは開
口４９Ｃを介してメッキされ、ストリップ導体４０３に
直接接続される。同様に、ポート・ストリップ導体５４
ｂはストリップ導体４０ｄと一体的に形成される。こう
して、ポート・ストリップ導体５４ａ及び５４Ｃ１従っ
てポートＡ及びＣは、ストリップ導体４０ａ及び４０ｄ
を経由して、−緒に直接接続される。

同様に、ポート・ストリップ導体５４ｂは、ストリップ
導体４０ｂの端部と基板４２を選択的に露出する開口４
９ｂ（第７図）に形成される。こうして、ポート・スト
リップ導体５４ｂは開口（２９） ４９ｂを通してメッキされストリップ導体４０ｂに直接
接続される。同様に、ポート・ストリップ導体５４ｂは
ストリップ導体４０Ｃと一体的に形成され、ストリップ
導体４０Ｃは下層のストリップ導体４０ａの上にブリッ
ジをかける。ポート・ストリップ導体５４ｄは基板の一
部を選択的に露出する開口４９ｄ（第７図）に形成され
る。ストリップ導体部５４ｄは、下層のストリップ導体
４０ａの上にブリッジをかけ、そしてボンディング・パ
ッド５２ｇ（第８Ｄ図）を開口４７ｇ（第７図）を通し
てメッキしボンディング・パッド４６ｇ（第６図）に接
続することによって、ストリップ導体４０ｂＫ＠接的に
接続される。同様に、ポート・ストリップ導体５４ｄは
ストリップ導体４０Ｃと一体的に形成される。こうして
、ポート・ストリップ導体５４ｂ及び５４ｄ、そしてポ
ートＢ及びＤがストリップ導体４０ｂ及び４０Ｃを経由
して一緒に直接接続される。

動作において、信号はポートＡとポートＢ及びＣとの間
で前述の態様で結合される。更に、信号（３０） の第１部分を上部導体（ここではストリップ導体４０Ｃ
，４０ｄの１つ）に沿って伝播させ、第２の部分を底部
導体（ここではストリップ導体４０ａ。

４０ｂの１つ）に沿って伝播させることによって、対称
構造が設けられる。そのストリップ導体の対角的に離間
した対の交互接続が行なわれて、印加された信号に応答
して前記導体に沿って伝播する電磁波の等電位励起が保
証される。更に、交互に結合された対は寄生伝達モード
を抑圧する。その理由は、基板４２．絶縁層４８及び空
気の異なった誘電率の影響が、対角的に離間１〜だ線路
を周期的に接続することによって少なくされ、線路（ラ
イン）４０ａ〜４０ｄに沿って平衡した構造を提供する
からである。

本発明を実施例に従って説明したが、他の実施例が本発
明の範囲内で可能であることは当業者には明らかである
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明によるハイブリッド結合器を使用した
二重平衡増幅器のブロック図である。 第２．３．４図は、本発明による無線周波回路の製造ス
テップを示す一連の平面図である。 第３Ａ図は第３図の＃３　Ａ−３Ａからの断面図である
。 第３Ｂ図は第３図の線３Ｂ−３Ｂからの断面図で、空気
ブリッジを供給するために使用されるマスク・ステップ
を示す。 第４Ａ図は第４図のｓ＋４Ａ−４Ａからの断面図で、一
対のねじったストリップ導体の一方の断面を示す。 第４Ｂ図は、第４図の＃４　Ａ−４Ａからの断面図で、
一対のねじったス）　ＩＪツブ導体の他方の断面を示す
。 第５図は第３図に示す回路のａ５−５に沿った平面図で
ある。 第５Ａ図は第３図に示す回路の線５Ａ−５Ａがらの一部
破断した等角図である、３ 第５Ｂ図は第５Ａ図の図解的等角図である。 第６．６Ａ、６Ｂ、７，７Ａ、７Ｂ、８図は本発明の別
の実施例の製造ステップを示す一連の子図面である。 第８Ａ、８Ｂ、８Ｃ，８Ｂ図は第８図の線８八−８Ａ、
線８Ｂ−８Ｂ、線８Ｃ−８Ｃ、線８Ｄ−８Ｄからの断面
図で詳細構造を示す。 （符号説明） １０．１０　：ハイブリッド結合器　１２：基板１４８
〜１４ｇ、３０ａ〜３０ｇ　ニストリップ導体部１６：
接地面導体　　　　２ｏ：マスク層２２ａ　〜２２ｈ、
２ｉ’　〜２２ｈ’　　：開口３８．３９：伝送ライン ３８．３９：複合ストリップ導体 ７０：二重平衡増幅器 （３３） ＦＩＧ、６ Ｈθ６Ａ　　　　　　ＦＩＧ、６８ Ｆ／Ｇ７ ＦＩＧ、７Ａ　　　　　　７％７９ ＦＩ０．８４　　　　　　ＦＩＧ、８ＥＩＦＩＧ　ＢＣ
ＦＩＧ、　８０

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）一対のストリップ導体から成り、各ストリップ導
   体が、接地面導体から第１の所定距離だけ絶縁して離間
   された第１表面部と、前記接地面から第２の所定距離だ
   け絶縁して離間された第２表面部と、を有する、無線周
   波回路。 （２）前記一対のストリップ導体の一方の第１表面部が
   前記一対のストリップ導体の他方の第２表面部に絶縁体
   を介して電磁的に結合される特許請求の範囲第１項記載
   の無線周波回路。 （３）前記ストリップ導体の各々の端部がからみ合せら
   れる特許請求の範囲第１項記載の無線゛周波回路。 （４）前記ストリップ導体の各々の中間部がからみ合せ
   られる特許請求の範囲第１項記載の無線周波回路。 （５）前記ストリップ導体の各々の端部がからみ合（１
   ） せられる特許請求の範囲第２項記載の無線周波回路。 （６）前記ストリップ導体の各々の中間部がからみ合せ
   られる特許請求の範囲第２項記載の無線周波回路。 （７）第１の複数の連続して離間されたストリップ導体
   部と、 第２の類似した複数の連続して離間されたストリップ導
   体部と、 から成り、前記第１の複数の連続して離間されたストリ
   ップ導体部の各々の１表面が前記第２の複数の離間され
   たストリップ導体部の対応するものの１表面に電磁的に
   結合される、無線周波回路。 （８）第１の複数の連続して離間されたストリップ導体
   部と、 第２の類似した複数の連続して離間されたストリップ導
   体部と、 前記第２の複数のストリップ導体部の中間部分を、そこ
   に電磁的に結合されたストリップ導体部の側面を接して
   、一対の前記第１ストリツプ導体（２） 部に接続する手段と、 から構成される無線周波回路。 （９）前記第１の複数の連続して離間されたストリップ
   導体部の各々の１表面が前記第２の複数の離間されたス
   トリップ導体部の対応するものの１表面に電磁的に結合
   される、特許請求の範囲第８項記載の無線周波回路。 （１０）前記複数のストリップ導体部の各々の表面が絶
   縁体を介して電磁的に結合される特許請求の範囲第７項
   記載の無線周波回路。 （田前記複数のストリップ導体部の各々の表面が＼ 絶縁体を介して電磁的に結合される特許請求の範囲第９
   項記載の無線周波回路。 （１２）一対のス）　ＩＪツブ導体を有し、その各々が
   、接地面導体から第１の所定距離だけ離間された第１部
   分と、接地面導体から第２の別の所定距離だけ離間され
   た第２の部分と、を有する、無線周波回路。 （１３）前記ストリップ導体の各対の端部がからみ合さ
   れる特許請求の範囲第１２項記載の無線周波間（３） 路。 （１４）前記ス）　ＩＪツブ導体の各対の中間部がから
   み合される特許請求の範囲第１２項記載の無線周波回路
   。 （１！５）前記ストリップ導体が接地面導体からほぼ同
   じ平均所定距離で離間されている特許請求の範囲第１２
   項記載の無線周波Ｎ路。 （１６）第１平面に配置された第１対の絶縁離間された
   平面ストリップ導体と、 前記第１対の絶縁離間されたストリップ導体から絶縁離
   間され、第２平面に配置された第２対の絶縁離間された
   平面ストリップ導体と、から成り、各対のストリップ導
   体の一方の第１表面部が各対のストリップ導体の対応す
   る他方の第２表面部に電磁的に結合される、無線周波回
   路。 （１１）一対の電磁的に結合されたストリップ導体を有
   し、その各々が接地面導体から異なった距離で絶縁離間
   される第１及び第２部分を有する、無線周波回路。 （抑−上面部及び底面部を有する第１ストリツプ導（４
   ） 体と、 上面部及び底面部を有する第２ストリツプ導体と、 前記ス）　ＩＪツブ導体の各々の上面部及び底面部を含
   み、前記第１及び第２ストリツプ導体間に工＋ｒ ネルギを結合す　　　　周波回路。 （１９基板上に配・１された第１の複数の離間したスト
   リップ導体部と、 前記第１のストリップ導体部から絶縁離間された第２の
   複数の離間したストリップ導体部と、前記第１ストリツ
   プ導体部の各々を前記第２ストリツプ導体部の各々に選
   択的に接続して、一対の離間され、からみ合されたスト
   リップ導体を供給する手段と、 から構成される無線周波回路。