JPH0471361B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、無線周波回路に関し、更に詳細に
は、加えられた信号を異なつたポート間で結合又
は分割する無線周波（r.f）ハイブリツド結合器
に関する。

（背景技術） 当該技術分野において周知の如く、２つのデバ
イスから発する一対のr.f.信号を第３のデバイス
に送り、あるいは１つのデバイスからの入力r.f.
信号を分割しそのr.f.信号の分割された成分を２
つの出力デバイスに送ることは、しばしば望まし
いことである。結合器のあるものは基板上に形成
された無線周波伝送ラインを有する結合器を含ん
でいる。一般に、r.f.信号の１成分は一対のポー
トの１つと出力ポートとの間で直接的に結合さ
れ、その他の成分は一対のポートのもう１つと出
力ポートとの間で電磁的に結合される。従来にお
いてr.f.信号の１世分を電磁的に結合するのに使
用された方法は、共通基板上に近接して形成され
た一対の平らな絶縁されて離間されたストリツプ
導体のエツジ間に電磁界を結合させ、各ストリツ
プ導体の端部が結合器に対するポート接続を提供
するものであつた。この従来技術の方法では、結
合強度はエツジの面積とストリツプ導体のエツジ
間の分離度に関係する。これもまた当該技術分野
において知られているように、結合器は一般に特
性インピーダンスを与え、このインピーダンスは
結合器の回路応用にも適合できる。結合強度は、
ある程度、全エツジ面積に関係するので、一般に
全エツジ面積が増加すると結合強度も上昇する。
従来において、全エツジ面積を増加させるために
使用された方法には、複数の細いストリツプ導体
を指のように組合せる（インターデイジタル）技
術があり、これによつて全エツジ面積そして結合
強度を増加させた。そのような結合を設計すると
き、特に注意を払うことは結合器の特性インピー
ダンスであり、その理由は、結合器が接続される
デバイスにも適合する特性インピーダンスを結合
器が与えなければならないからである。また、周
知の如く、伝送ライン、例えば、マイクロストリ
ツプ伝送ラインの特性インピーダンスは、基板の
厚さ、誘電率、及び導体の幅に関係する。そし
て、指のように結合されたストリツプ導体の幅、
間隔及び数量は、結合器に所望の結合係数及び所
定の特性インピーダンスを与えるように選択され
る。即ち、狭いストリツプ導体の幅及び数量、そ
してその間隔は、結合器に所望の結合係数を与え
るように間隔が充分狭く選択され、その細いスト
リツプ導体の幅及び数は結合器に所定の特性イン
ピーダンスを与えるように選択される。そのよう
な構造に関連する１つの問題は、結合強度の増加
が要求されるに従つて、導体幅及びその間隔は減
少することで、許容可能な歩留りで所望の結合強
度を達成し所望の特性インピーダンスを維持する
回路を組立てるのは困難である。また、導体幅が
減少するに従つて、導体の抵抗は上昇し、それに
よつて導体損失及び結合器の挿入損が増加する。

（発明の概要） 本発明によれば、接地面導体から絶縁されて離
間された一対のストリツプ導体を含み、入力ポー
トと１対の出力ポートとの間でr.f.信号を結合し、
反射されたパワーが分離されたポートに結合され
る無線周波回路が提供される。各ストリツプ導体
は２つの異なつた平面に配置される部分を有す
る。絶縁されて離間されたストリツプ導体の各々
の端部は前記ポートに夫々対応する。この配置構
成によつて、入力ポートから一対の出力ポートの
第１ポートに第１の信号成分を直接的に与え、そ
して入力ポートと一対の出力ポートの第２ポート
との間に結合される伝送ラインの近接する上面及
び底面との間に第２信号成分を電磁的に結合する
ことによつて、入力ポートと一対の出力ポートと
の間で信号を結合する結合器が与えられる。伝送
ラインの近接する上面及び底面との間で信号を電
磁的に結合することによつて、結合表面積が増加
し、従来技術の構造の挿入損の増加なしに結合強
度を増加させることができる。更に、本発明の構
造は指のように組合せた結合器に関連した近接し
て分離した薄い導体よりも組立が容易である。

本発明の１実施例によれば、結合器は、接地面
導体から第１の所定距離に配置された第１の複数
の連続して離間されたストリツプ導体部と、第１
の複数のストリツプ導体部から絶縁して離間され
た接地面導体から第２の所定距離に配置された第
２の複数のストリツプ導体部と、を含む。第１の
ストリツプ導体部の各々の１表面は、第２ストリ
ツプ導体部の対応するものの表面に電磁的に結合
される。第１及び第２のストリツプ導体部の中間
のものは、そこに電磁的に結合されるストリツプ
導体部の側面にある一対のストリツプ導体部に接
続され、一対の絶縁分離されたからみ合つた（イ
ンターレース：交錯）ストリツプ導体を供給す
る。そのような構成によつて、各ストリツプ導体
の第１部を第１の距離で、各ストリツプ導体の第
２部を第２の距離で配置して、接地面導体から同
一の平均距離で各ストリツプ導体が配置されるの
で、対称結合器が与えられる。こうして、絶縁体
及び接地面と連結された各ストリツプ導体はほぼ
同じ電磁特性を有する一対の伝送ラインを提供す
る。更に、各ストリツプ導体部の表面は第２のス
トリツプ導体部の表面に電磁的に結合されるの
で、それらの結合は従来のものよりも強くなる。

本発明の別の実施例によれば、結合回路は、第
１対の絶縁して離間された平面ストリツプ導体と
第２対の絶縁して離間された平面ストリツプ導体
とを含み、第２対の導体は第１対のものと異なつ
た平面で絶縁分離され、第２対の各ストリツプ導
体は第１対の対応するストリツプ導体の上に位置
が合せられ、それに電磁的に結合される。第１対
の各ストリツプ導体は、それと電磁的に結合され
ない第２対の絶縁分離された１つのストリツプ導
体に伝送ラインの長さ方向に沿つた複数の位置で
交互に接続される。その構成によつて、高い結合
強度を有する結合器が提供される。更に、各スト
リツプ導体ラインと組合されて伝送ラインを介し
て与えられる信号の伝播は比較的均一である。そ
の理由は、信号の第１の部分が入力ポートと一対
の出力ポートの各々との間の基板上に形成された
ストリツプ導体を有する第１伝送ラインに沿つて
伝播し、信号の第２の部分が絶縁層上に形成され
たストリツプ導体を有する第２の伝送ラインに沿
つて伝播するからである。更に、伝送ラインのス
トリツプ導体の対角的に離間された非電磁結合の
接続は、伝送ラインに沿つて伝播するエネルギの
等電位励起を与える。

（実施例の説明） 入力ポートと一対の出力ポートとの間で無線周
波（r.f.）信号を結合するハイブリツド直角位相
結合器１０（第３図）は、これらのポートから反
射されたr.f.信号に対する分離されたポートが設
けられる。この結合器を第１図乃至第４図に関連
して説明する。先ず、第１図を参照すると、二重
平衡増幅器７０が示され、該増幅器は、信号分割
器として配置される第１ハイブリツド結合器１
０′と、一対の周知の整合増幅器７２，７４と、
信号結合器として配置される第２ハイブリツド結
合器１０とを含む。

第２図において、複数のセグメント化されたス
トリツプ導体部１４ａ〜１４ｇは、初期の厚さが
15ミル（0.38mm）の、ここでは半絶縁ガリウム砒
素（GaAs）からなる絶縁基板１２の第１表面上
に形成される。このストリツプ導体部１４ａ〜１
４ｇ（ここでは周知の金属化体で、チタンの第１
層と金の第２層とを含む）は、周知のホトリソグ
ラフ（写真食刻）・マスク及び金属蒸着技術を使
用して形成される。ストリツプ導体部１４ａ〜１
４ｇはここでは約1μｍの厚さに蒸着され、50μｍ
の幅Ｗを有する。絶縁基板１２は第１表面と反対
側の第２表面に形成される接地面導体１６を有す
る。接地面導体１６は、基板１２が所定の厚さ
（ここでは４ミル（0.1mm））に薄くされた後基板
１２上に形成される。ストリツプ導体部１４ａ〜
１４ｇの各々、ここでは奇数のセグメントは距離
ｄ（ここでは約15μｍ）だけ夫々離れている。各
ストリツプ導体部１４ａ〜１４ｇは、例えばセグ
メント１４ｂの傾斜した辺１４b′と水平の辺１４
b″との間の鋭角の頂角θを有するほぼ平行四辺形
に形づくられ、その頂角は0°〜90°の範囲で選択
される。ここでは、頂角θは約15°に選定される。
一対のストリツプ導体部１５ｂ及び１５ｄは、
夫々ストリツプ導体部１４ａ及び１４ｇに近接し
て基板１２上に形成される。このストリツプ導体
部１５ｂ，１５ｄは、ストリツプ導体（第４図）
に対して前述の２つのポート（ここではポートＢ
及びＤ）への導電接触部を提供する。ストリツプ
導体部１４ａ〜１４ｇの各水平辺の長さ、導体部
１４ａ〜１４ｇの数、及び間隔ｄは、全体で、回
路の動作周波数の中心帯を波長λの４分の１成長
λ／４にほぼ等しくなるように選定される。

ここで第３，３Ａ及び３Ｂ図を参照すると、第
１マスク層２０（ここではホトレジスト層）がス
トリツプ導体部１４ａ〜１４ｂ及び基板１２の上
に図示の如く設けられる。周知のマスク及びエツ
チング技術を使用して、複数の三角形の開口２２
ａ〜２２ｈ及び２２a′〜２２h′がマスク層２０の
中に形成され、これらの開口はその下のストリツ
プ導体部１４ａ〜１４ｇとストリツプ導体１５
ｂ，１５ｄの選択した部分と位置合せがされそこ
を露出する。開口２２ａ〜２２ｈ及び２２a′〜２
２h′はマスク層２０を通るメツキ孔を形成して後
述の態様でストリツプ導体部１４ａ〜１４ｂを選
択的に接続する。マスク層２０には第２の複数の
開口２５ａ〜２５ｄが設けられ、基板１２及びス
トリツプ導体１５ｂ，１５ｄの選択部分を露出す
る。第３Ｂ図に示すように、層２０の一部はスト
リツプ導体１５ｂの上に配置され、それによつ
て、ストリツプ導体が開口２５ａの内に形成され
たとき、そのストリツプ導体がブリツジ・ストリ
ツプ導体１５ｂとなる。開口２５ａ〜２５ｄはマ
スク層２０内に形成され、結合器のポートＡ〜Ｄ
に対するストリツプ導体が第４図に関連して説明
される態様で設けられる領域を決定する。例え
ば、基板１２及びストリツプ導体部１５ｃ，１５
ｄの一部を選択的に露出する開口２５ｃ及び２５
ｄは、ポートＣ及びポートＤがストリツプ導体
（第４図）をセグメント１４ａ，１４ｇに結合す
るために形成される領域を与える。マスク層２０
の上には600Aの厚さの蒸着されたチタンから成
る層２６ａと2000Aの厚さの蒸着された金から成
る層２６ｂが設けられ、これらは組合さつて複合
層２６を形成する。第２のホトレジスト層２０′
は複合層２６の上に被着され、ホトレジスト層２
０と同じ領域でパターン化され、後述するように
ストリツプ導体部をメツキするためにマスク層２
０′内に第３の複数の開口２７ａ〜２７ｉを供給
する。

ここで第４，４Ａ及び４Ｂ図を参照すると、連
続して離間された第２の複数の類似のストリツプ
導体部３０ａ〜３０ｇが開口２７ａ〜２７ｇ（第
３図）を介してマスク層２０内に形成され、複合
層２６（図示せず）の上に3μｍの厚さでメツキ
される。ストリツプ導体部３０ａ〜３０ｇは、ス
トリツプ導体部１４ａ〜１４ｇから絶縁、離間し
てそれと位置を合せて形成され、その第１ストリ
ツプ導体部１４ａ〜１４ｇは第２の複数のストリ
ツプ導体部３０ａ〜３０ｇの対応するものとに電
磁的に結合される。更に、ストリツプ導体部３０
ａ〜３０ｇは、ストリツプ導体部１４ａ〜１４ｇ
（第２図）と十字形の関係で形成される。ストリ
ツプ導体部３０ａ〜３０ｇは、前述の如く、鋭角
の頂各θが約15°の平行四辺形に形づくられる。
セグメント３０ａ〜３０ｇは、同様に、開口２２
ａ〜２２ｈ、２２a′〜２２h′と位置を合せたマス
ク層２０に形成され、ストリツプ導体部３０ａ〜
３０ｇは、マスク層２０の下に形成される選択さ
れたストリツプ導体部１４ａ〜１４ｇと選択的に
接続される。そして、セグメント１４ａ〜１４ｇ
の対応するものとの導体部３０ａ〜３０ｇの選択
的相互接続は、一対のからみ合つて、ねじれた又
は織り合せたストリツプ導体３８，３９の組合せ
を供給する。そのような伝送ライン３８，３９
は、ストリツプ導体部１４ａ〜１４ｇ及び３０ａ
〜３０ｇを相互接続することによつて形成され、
ストリツプ導体部３０ａ〜３０ｇはストリツプ導
体部１４ａ〜１４ｇの選択したものの上に空気ブ
リツジを与える。その空気ブリツジ又はオーバー
レイは、開口２２ａ〜２２ｈ、２２a′〜２２
h′（第３図）内の上部ストリツプ導体部３０ａ〜
３０ｇをメツキすることによつて設けられる。第
１及び第２の複数のストリツプ導体部３０ａ〜３
０ｇの夫々の中間部は、そこから形成された空気
ブリツジによつて一対のストリツプ導体部１４ａ
〜１４ｇに接続され、その導体部１４ａ〜１４ｇ
はそこに電磁的に結合されるストリツプ導体部１
４ａ〜１４ｇの１つの側面に接する。

従つて、第４Ａ図に断面が示される伝送ライン
３８は、接地面１６、基板１２及び矢印３８′で
示す複合ストリツプ導体３８′を含む。複合スト
リツプ導体３８′は、更に、ストリツプ導体部１
４ａを電気的にブリツジするストリツプ導体部３
０ａに接続されるストリツプ導体部１５ｂを含
む。複合ストリツプ導体３８′は、ストリツプ導
体１４ｃを絶縁してブリツジするストリツプ導体
部３０ｃと接続されるストリツプ導体部１４ｂを
有する。複合ストリツプ導体３８′は、ストリツ
プ導体部３０ｃと３０ｅの間でストリツプ導体部
１４ｅを絶縁してブリツジする導体部３０ｅと接
続される導体部１４ｄと、ストリツプ導体部３０
ｅと３０ｇとの間で導体部１４ｇを絶縁してブリ
ツジする導体部１４ｆと、一緒に接続されるスト
リツプ導体部１５ｄ及び３１ｄと、を有する。

更に、第４Ｂ図に断面を示す伝送ライン３９
は、接地面１６、基板１２及び矢印３９′で示す
複合ストリツプ導体３９′を含む。複合ストリツ
プ導体３９′は、一緒に接続されるストリツプ導
体部３１ａ及び１４ａを有する。複合ストリツプ
導体３９′は、更に、ストリツプ導体部１４ｂを
電気的にブリツジするストリツプ導体部３０ｂに
接続されるストリツプ導体部１４ａを含む。複合
ストリツプ導体３９′は、更に、ストリツプ導体
部３０ｂと３０ｄとの間でストリツプ導体部１４
ｄを絶縁してブリツジする導体部３０ｄに接続さ
れる導体部１４ｃを有する。複合ストリツプ導体
部３９′は、更に、導体部３０ｄと３０ｆの間で
ストリツプ導体部１４ｆを絶縁してブリツジする
導体部３０ｆに接続される導体部１４ｅと、導体
部３０ｆと３１ｃの間でストリツプ導体部１５ｄ
を絶縁してブリツジするストリツプ導体部３１ｃ
に接続される導体部１４ｇと、を有する。

従来の構造とは違つて、ストリツプ導体の比較
的小さいエツジ面積が無線周波エネルギを第２ス
トリツプにその近接するエツジに沿つて結合する
のに使用される場合、ストリツプ導体部１４ａ〜
１４ｇ、３０ａ〜３０ｇの比較的広い上部及び底
部表面Ｗが複合ストリツプ導体３８′，３９′間に
エネルギを結合するのに使用される。上部と底部
の表面間の結合度は従来のエツジ結合技術よりも
強いので、指のように組合さつた結合器に使用さ
れるストリツプ導体よりも比較的広いストリツプ
導体を有する結合器を組立ることができ、挿入損
が減少される。

伝送ラインは、ここでは伝送ラインにほぼ等し
い特性インピーダンスを与える対称結合器を供給
するため、ねじられ、らせん状あるいはからみ合
された構造を有する。こうして、各複合ストリツ
プ導体３８′，３９′は二平面の１つに形成された
部分を有する。第４Ａ，４Ｂに示すように、各底
部のストリツプ導体部１４ａ〜１４ｇは接地面１
６から距離Ｓだけ離間され、各上部のストリツプ
導体部は接地面１６から距離S′だけ離間され、各
複合ストリツプ導体３８′，３９′は接地面１６か
ら平均距離Saだけ離間する。こうして、各複合
ストリツプ導体３８′，３９′は、基板１２と接地
面１６と組合さつて、ほぼ同じ電磁特性を有する
一対の伝送ラインを供給する。このように、ライ
ンの各々はほぼ同じ電気的特性を有するので、結
合器は対称な結合器となる。

ここで第１，５，５Ａ，５Ｂ図を参照すると、
結合回路１０は、一対の増幅器５０，５２から結
合器１０（第１図）の一対のポートＢ，Ｃに送ら
れる一対の無線周波（r.f.）信号を結合し、その
r.f.信号を結合器（第１図）の出力ポートＡ及び
第３の増幅器５４に伝送するのに使用することが
でき、結合されたr.f.信号成分は相互に90°位相が
ずれている。結合装置として使用しされるとき、
一対のr.f.信号は入力ポートＢ及びＣに送られ、
それらのポートからの結合されたr.f.信号は出力
ポート（ここではポートＡ）に送られ、ポートＤ
にはr.f.信号は送られない。結合装置として使用
されるとき、ポートＢ及びＣに加えられるr.f.信
号は次の様にポートＡに結合される。ポートＣに
送られるr.f.信号はより合せた伝送ライン３９を
経由してポートＡに直接的に結合され（それらは
一緒に直接的に接続されているので）、そのより
合せた伝送ラインの長さは1/4波長λ／４（λは結
合されるr.f.信号の中心帯周波数に対応する波長）
にほぼ等しい長さに選ばれるので、その信号は位
相が−90°だけシフトされる。ポートＢに送られ
るr.f.信号は、第５Ｂ図に図解するように、スト
リツプ導体部３０ａ〜３０ｇの空気ブリツジ部
（より合された伝送ライン３８，３９が相互に交
差する領域）でポートＡに電磁的に結合される。
その空気ブリツジ、即ちストリツプ導体部３０ａ
〜３０ｇの交差部において、ポートＢから分離さ
れたポートＤに向つてねじれた伝送ライン３８を
伝播する電磁波は、ねじれた伝送ライン３９に結
合され、伝送ライン３８の伝播方向と反対方向に
伝送ライン３９を伝播し、そのエネルギは位相が
−180°シフトされる。従つて、ポートＢから結合
されるエネルギは−180°の位相シフトが行なわれ
てポートＡに向つて伝播する。こうして、ポート
Ａに送られる信号はポートＢ及びＣから伝送られ
る信号のベクトル合成で、信号はポートＡで結合
され、入力信号間には90°の位相シフトが行なわ
れる。ポートＢ及びＣへの等しい入力信号に対し
ては、ポートＡから反射されるすべての部分はポ
ートＤに結合されポートＢとＣには反射信号は伝
播しない。第１図に示すように、ポートＤは伝送
ライン３８，３９の特性インピーダンス（ここで
は50オーム）に等しいインピーダンスで終端され
る。また、信号がポートＡに送られるときには、
マイクロ波回路は信号分割器１０′（第１図）と
して使用することができ、その信号は前述の如き
態様でポートＢ及びＣに分割される。その場合、
ポートＡに加えられる信号はポートＢ及びＣに直
角位相で分割される。即ち、ポートＢ及びＣの信
号成分は位相が90°シフトされる。

本発明によれば、ねじれた伝送ライン３８，３
９の１つを伝播し、その伝送ラインの他方に結合
される電磁エネルギの結合強度は、各セグメント
１４ａ〜１４ｇ、及び３０ａ〜３０ｇの表面積を
選択的に変えて有効な結合表面積あるいは導体の
対応するものと交差する導体の各々の表面積の部
分を制御することによつて、そして、各セグメン
トの頂角を0°と90°との間で変えてセグメント１
４ａ〜１４ｇ、３０ａ〜３０ｇが相互に交差する
角φ（第５図）を変化させることによつて、選択
することができ、φが0°に近づくと最大の結合が
生じ、φが90°に近づくと最小の結合が生じる。
更に、奇数のセグメントを設けることによつて、
マイクロ波回路４０は、出力ポートＡが分離され
たポートＤと結合器の同じ側に位置するように構
成することができる。

また、ストリツプ導体部１４ａ〜１４ｇは、窒
化シリコン、ポリイミド又は他の適当な材料の層
によつて、ブリツジ・ストリツプ導体部３０ａ〜
３０ｇから離間することも可能である。更に、空
気と絶縁材料の組合せが、ストリツプ導体部１４
ａ〜１４ｇ、３０ａ〜３０ｇを絶縁して分離し所
定の電磁特性を供給するために使用することがで
きる。

また、結合器の出力ポートＡを入力ポートの１
つ（ここではポートＣ）と同じ側に設けることも
可能である。この場合、偶数のセグメントを設け
ることによつて、出力ポートＡは入力ポートＣと
結合器１０の同じ側になる。その理由は、それら
のポートは伝送ライン３９によつて一緒に直接的
に結合され、また、付加セグメントを各ラインに
付加し、複合又はねじつたストリツプ導体３８′，
３９′が相互に付加した回数だけ交差して、基板
上のラインの終端部分の位置、即ち、ポートＤ及
びＢの位置を変えるからである。

ここで第６乃至８図を参照すると、本発明の別
の実施例が示される。最初に第６図を参照する
と、基板４２は、その第１面に形成された一対の
離間した並列ストリツプ導体４０ａ，４０ｂ及び
第１面と反対の基板４２の第２面に形成される接
地面４４を有する。各ストリツプ導体４０ａ，４
０ｂと一体的に複数のボンデイング・パツド４６
ａ〜４６ｇが夫々形成される。ストリツプ導体４
０ａ，４０ｂ及びボンデイング・パツド４６ａ〜
４６ｇはマスク及び蒸着技術を使用して基板４２
上にパターン化される。ストリツプ導体４０ａ，
４０ｂ及びボンデイング・パツド４６ａ〜４６ｇ
は、ここでは、チタンと金の複合層で金が厚さ
1mに蒸着されたものである。

第７図を参照すると、絶縁層（ここではポリイ
ミド）４８は基板４２のストリツプ導体表面上に
被着される。周知のマスク及びエツチング技術を
使用して、絶縁層はパターン化され、ボンデイン
グ・パツド４６ａ〜４６ｇの対応するものと位置
を合せて複数の開口４７ａ〜４７ｇを供給する。
開口４７ａ〜４７ｇは絶縁層４８を通してボンデ
イング・パツド４６ａ〜４６ｇの選択した端部を
露出する。第２の複数の開口４９ａ〜４９ｄは絶
縁層４８を通いて設けられる。チタン層５１ａ及
び金の層５１ｂは、複合層２６（第３図）につい
て前述した如く複合層５１を形成するように被着
される。開口４９ａ〜４９ｄは、そこにストリツ
プ導体５２ａ〜５２ｄ（第８図）を形成するため
に使用され、そのストリツプ導体５２ａ〜５２ｄ
は結合器（第８図）を外部の装置に接続するため
に設けられる。ここでは、開口４７ａ〜４７ｇ、
４９ａ〜４９ｄは第２対のストリツプ導体のスト
リツプ導体４０ａ，４０ｂへの相互接続のための
メツキ孔を供給することを述べれば充分である。

ここで第８図を参照すると、絶縁層４８上に形
成されその前に基板の上に形成されたストリツプ
導体４０ａ，４０ｂの対応するものと位置を合せ
た第２の対の離間された並列ストリツプ導体４０
ｃ，４０ｄを含む結合器５０が示される。各スト
リツプ導体４０ｃ，４０ｄと一体的に複数のボン
デイング・パツド５２ａ〜５２ｇが形成される。
各ボンデイング・パツド５２ａ〜５２ｇは、スト
リツプ導体４０ａ，４０ｂと一体的に形成された
ボンデイング・パツド４６ａ〜４６ｇの対応する
ものと位置を合せて予め形成されてあつた開口４
７ａ〜４７ｇの対応するものと位置を合せて形成
される。第８Ａ，８Ｂ図に示されるように、各ス
トリツプ導体４０ａ〜４０ｄ及び関連のボンデイ
ング・パツドは整列させられて、ストリツプ導体
４０ａ〜４０ｄの対角的に離間された対４０ａ，
４０ｄ及び４０ｂ，４０ｃが対応する開口４７ａ
〜４７ｇを通して上部のボンデイング・パツド５
２ａ〜５２ｇをメツキすることによつて交互に一
緒に接続され、開口４７ａ〜４７ｇによつて露出
する底部のストリツプ導体４０ａ，４０ｂの対応
するボンデイング・パツド４６ａ〜４６ｇの一部
に接続される。こうして、第８図に示すように、
ストリツプ導体４０ｂは、メツキ孔４７ｂ及びボ
ンデイング・パツド４６ａ，５２ａを経由してス
トリツプ導体４０ｃに結合させる。同様に、第８
Ｂ図に示すストリツプ導体の次の相互接続はメツ
キ孔４７ｃ及びボンデイング・パツド４６ｂ，５
２ｂを経由してストリツプ導体４０ｄに結合され
るストリツプ導体４０ａを有する。対角的に離間
された導体４０ａ，４０ｄ，４０ｂ，４０ｃの連
続するものは同様に接続される。

ポート・ストリツプ導体５４ａ〜５４ｄは開口
４９ａ〜４９ｂに夫々形成される。ポート・スト
リツプ導体５４ａは、ストリツプ導体４０ａ及び
基板４２の端部を選択的に露出する開口４９ａ
（第７図）に形成される。こうして、ポート・ス
トリツプ導体５４ａは開口４９ａを介してメツキ
されストリツプ導体４０ａへの直接接続を提供す
る。同様に、ポート・ストリツプ導体５４ａは、
ボンデイング・パツド５２ａを開口４７ａを介し
てメツキすることによりボンデイング・パツド４
６ａに接続して、ストリツプ導体４０ｄ（第８Ｃ
図）に結合する。ポート・ストリツプ導体５４ｃ
は、ストリツプ導体４０ａの端部及び基板４２を
選択的に露出する開口４９ｃ（第７図）に形成さ
れる。ポート・ストリツプ導体５４ｂは開口４９
ｃを介してメツキされ、ストリツプ導体４０ａに
直接接続される。同様に、ポート・ストリツプ導
体５４ｂはストリツプ導体４０ｄと一体的に形成
される。こうして、ポート・ストリツプ導体５４
ａ及び５４ｃ、従つてポートＡ及びＣは、ストリ
ツプ導体４０ａ及び４０ｄを経由して、一緒に直
接接続される。

同様に、ポート・ストリツプ導体５４ｂは、ス
トリツプ導体４０ｂの端部と基板４２を選択的に
露出する開口４９ｂ（第７図）に形成される。こ
うして、ポート・ストリツプ導体５４ｂは開口４
９ｂを通してメツキされストリツプ導体４０ｂに
直接接続される。同様に、ポート・ストリツプ導
体５４ｂはストリツプ導体４０ｃと一体的に形成
され、ストリツプ導体４０ｃは下層のストリツプ
導体４０ａの上にブリツジをかける。ポート・ス
トリツプ導体５４ｄは基板の一部を選択的に露出
する開口４９ｄ（第７図）に形成される。ストリ
ツプ導体部５４ｄは、下層のストリツプ導体４０
ａの上にブリツジをかけ、そしてボンデイング・
パツド５２ｇ（第８Ｄ図）を開口４７ｇ（第７図）
を通してメツキしボンデイング・パツド４６ｇ
（第６図）に接続することによつて、ストリツプ
導体４０ｂに直接的に接続される。同様に、ポー
ト・ストリツプ導体５４ｄはストリツプ導体４０
ｃと一体的に形成される。こうして、ポート・ス
トリツプ導体５４ｂ及び５４ｄ、そしてポートＢ
及びＤがストリツプ導体４０ｂ及び４０ｃを経由
して一緒に直接接続される。

動作において、信号はポートＡとポートＢ及び
Ｃとの間で前述の態様で結合される。更に、信号
の第１部分を上部導体（ここではストリツプ導体
４０ｃ，４０ｄの１つ）に沿つて伝播させ、第２
の部分を底部導体（ここではストリツプ導体４０
ａ，４０ｂの１つ）に沿つて伝播させることによ
つて、対称構造が設けられる。そのストリツプ導
体の対角的に離間した対の相互接続が行なわれ
て、印加された信号に応答して前記導体に沿つて
伝播する電磁波の等電位励起が保証される。更
に、交互に結合された対は寄生伝達モードを抑圧
する。その理由は、基板４２、絶縁層４８及び空
気の異なつた誘電率の影響が、対角的に離間した
線路を周期的に接続することによつて少なくさ
れ、線路（ライン）４０ａ〜４０ｄに沿つて平衡
した構造を提供するからである。

本発明を実施例に従つて説明したが、他の実施
例が本発明の範囲内で可能であることは当業者に
は明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明によるハイブリツト結合器を
使用した二重平衡増幅器のブロツク図である。第
２，３，４図は、本発明による無線周波回路の製
造ステツプを示す一連の平面図である。第３Ａ図
は第３図の線３Ａ〜３Ａからの断面図である。第
３Ｂ図は第３図の線３Ｂ−３Ｂからの断面図で、
空気ブリツジを供給するために使用されるマス
ク・ステツプを示す。第４Ａ図は第４図の線４Ａ
−４Ａからの断面図で、一対のねじつたストリツ
プ導体の一方の断面を示す。第４Ｂ図は、第４図
の線４Ａ−４Ａからの断面図で、一対のねじつた
ストリツプ導体の他方の断面を示す。第５図は第
３図に示す回路の線５−５に沿つた平面図であ
る。第５Ａ図は第３図に示す回路の線５Ａ−５Ａ
からの一部破断した等角図である。第５Ｂ図は第
５Ａ図の図解的等角図である。第６，６Ａ，６
Ｂ，７，７Ａ，７Ｂ，８図は本発明の別の実施例
の製造ステツプを示す一連の平面図である。第８
Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄ図は第８図の線８Ａ−８
Ａ、線８Ｂ−８Ｂ、線８Ｃ−８Ｃ、線８Ｄ−８Ｄ
からの断面図で詳細構造を示す。 符号説明、１０，１０′……ハイブリツド結合
器、１２……基板、１４ａ〜１４ｇ、３０ａ〜３
０ｇ……ストリツプ導体部、１６……接地面導
体、２０……マスク層、２２ａ〜２２ｈ、２２
a′〜２２h′……開口、３８，３９……伝送ライ
ン、３８′，３９′……複合ストリツプ導体、７０
……二重平衡増幅器。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 基板と、 前記基板の第１表面に配置される接地面導体
   と、 前記基板の第２表面上の実質上第１面に配置さ
   れる第１の複数の連続して離間されたストリツプ
   導体セグメントと、 前記基板の第２表面上の第１面と異なる実質上
   第２面に配置される第２の複数の連続して離間さ
   れた類似のストリツプ導体セグメントであつて、
   第２の複数セグメントの各々が第１の複数セグメ
   ントの対応するものに電磁的に結合される第２セ
   グメントと、 前記第２の複数のセグメントと前記第１の複数
   のセグメントと交互に相互接続し、１対の交錯し
   たストリツプ導体を提供する相互接続手段と、 から構成される無線周波ハイブリツド結合回路。 ２ 前記第１の複数の連続的に離間されたストリ
   ツプ導体セグメントの各々の中央表面部が前記第
   ２の複数の離間されたストリツプ導体セグメント
   の対応するものの中央表面部に電磁的に結合され
   る。特許請求の範囲第１項記載のハイブリツド結
   合回路。 ３ 前記複数のストリツプ導体セグメントの各々
   の電磁的に結合される表面が、絶縁層を介して電
   磁的に結合される。特許請求の範囲第２項記載の
   ハイブリツド結合回路。 ４ 前記複数のストリツプ導体セグメントの各々
   の電磁的に結合される表面が、空気を介して電磁
   的に結合される。特許請求の範囲第２項記載のハ
   イブリツド結合回路。