JPS59100487A - 液晶表示体 - Google Patents
液晶表示体Info
- Publication number
- JPS59100487A JPS59100487A JP57209542A JP20954282A JPS59100487A JP S59100487 A JPS59100487 A JP S59100487A JP 57209542 A JP57209542 A JP 57209542A JP 20954282 A JP20954282 A JP 20954282A JP S59100487 A JPS59100487 A JP S59100487A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- spacer
- display body
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は複数本の行醒極゛及び列電憾と會マ) IJラ
ックス状構成し、谷交点を画素とし、各画素ごとに非線
型素子を肩する液晶表示体の製造技術に関するものであ
り、該表示体の韓a )fllの厚みの2様1生を匍」
御し、製造歩留りの同上を目的とする。
ックス状構成し、谷交点を画素とし、各画素ごとに非線
型素子を肩する液晶表示体の製造技術に関するものであ
り、該表示体の韓a )fllの厚みの2様1生を匍」
御し、製造歩留りの同上を目的とする。
液晶表示体は低消費電力、低コストを武器に電子時計や
電卓に使用されて来た。更に、近年では小型コンピュー
タや携帯TVのディスプレイとしての応用が図られてい
る。こnらへの応用の際に問題となるのは、液晶の電気
光学効果のしきい値特性の急しゅん性が悪い点である。
電卓に使用されて来た。更に、近年では小型コンピュー
タや携帯TVのディスプレイとしての応用が図られてい
る。こnらへの応用の際に問題となるのは、液晶の電気
光学効果のしきい値特性の急しゅん性が悪い点である。
従って、デユーティの低いマルチブレジス1駆動ができ
ない。即ち、画素叙の多い、情報量の多い表示が難しい
という欠点があった。このため、考案さ′rl−たのが
ドツトマトリ、ツクスの谷画素の、1.つ1つに非線!
素子全形成した液晶表示素子である。非線型素子にも大
別して、各画素にトランジスタを形成した、いわゆる、
アクティブマトリックス表示体とバリスタ脣注を有する
素子全形成し、た春示体に分けられる。1丸、前者の例
としては、単結晶7リコン基板を用いたもの、ガラス基
板上に薄膜トランジては、非岬型素−f牛、してバリー
′夕を用いたもの、やバリスタと同様の′4注に有する
金属−絶縁吻一金属(す、下M工Mど略+′)素子を用
いたもの′が−げられる。g、晶ティ子イ“し、イは上
下の基板間の液晶0、応答性の不”l−〃:’、””;
’!:’、’、著しく外観全そこない、結果的には歩留
りの低□下□によるコストの上昇金招いていノζ。従来
は、このような場合に液晶層のノ孝みと同等の太七の円
柱状□のグラスファイバーを用いていたが、グラスファ
イバーの’*E が硬いために、上下基板の圧潰に±9
一点に大きな荷重が集中して非線型巣−+メ鍼□、羞や
動作不良′を引き起こ−3−可能性、があつ71本癲@
:、6の点を鑑みてなされたものであり、液晶層の厚声
の不均一性を制御するための製造技術を提供するも、の
であシュ。粕果的に歩留シの同上及びコストの低減全図
ること全目的とする。
ない。即ち、画素叙の多い、情報量の多い表示が難しい
という欠点があった。このため、考案さ′rl−たのが
ドツトマトリ、ツクスの谷画素の、1.つ1つに非線!
素子全形成した液晶表示素子である。非線型素子にも大
別して、各画素にトランジスタを形成した、いわゆる、
アクティブマトリックス表示体とバリスタ脣注を有する
素子全形成し、た春示体に分けられる。1丸、前者の例
としては、単結晶7リコン基板を用いたもの、ガラス基
板上に薄膜トランジては、非岬型素−f牛、してバリー
′夕を用いたもの、やバリスタと同様の′4注に有する
金属−絶縁吻一金属(す、下M工Mど略+′)素子を用
いたもの′が−げられる。g、晶ティ子イ“し、イは上
下の基板間の液晶0、応答性の不”l−〃:’、””;
’!:’、’、著しく外観全そこない、結果的には歩留
りの低□下□によるコストの上昇金招いていノζ。従来
は、このような場合に液晶層のノ孝みと同等の太七の円
柱状□のグラスファイバーを用いていたが、グラスファ
イバーの’*E が硬いために、上下基板の圧潰に±9
一点に大きな荷重が集中して非線型巣−+メ鍼□、羞や
動作不良′を引き起こ−3−可能性、があつ71本癲@
:、6の点を鑑みてなされたものであり、液晶層の厚声
の不均一性を制御するための製造技術を提供するも、の
であシュ。粕果的に歩留シの同上及びコストの低減全図
ること全目的とする。
本、幀の笑側例の説明には、前記の非線型素子ケ用い7
C液晶デイスプレイの(ハ)でtつとも、スペーテイブ
マトリツクスを例にあげて説明する。当社では、、既に
、単結晶シリコンによるアクティブマド:) シ’り哀
とゲヘトホスト液晶を組み合わせた液晶ビテオディスプ
レイ(以下LVDと呼ぶ)を開発している。(1紬エレ
クトロニクス、A25’ 8 。
C液晶デイスプレイの(ハ)でtつとも、スペーテイブ
マトリツクスを例にあげて説明する。当社では、、既に
、単結晶シリコンによるアクティブマド:) シ’り哀
とゲヘトホスト液晶を組み合わせた液晶ビテオディスプ
レイ(以下LVDと呼ぶ)を開発している。(1紬エレ
クトロニクス、A25’ 8 。
PP、164〜183.2月16日号、19131)第
1区は該表示体の構造を示す図であシ、ガラス基板1、
シリコン基板2、透明電極3、偏光板4、シール部スペ
ーサ5、画素′区極62.χドライバー7、アドゥイバ
ー8、。fi、 & 97)、C構成さiている。ガラ
ス基板1.とシリコ、ン基板2はエポキシ系の樹脂に8
.μの太さ9円柱状のでラスファイバー4−混入したス
ペーサ5を介して接着される。、、が、ガラス基板1と
シリ・コン基板2.の平坦度が悪いため、液晶ノ1にの
厚さが一様にならないという欠点がめる。特に、単結晶
Si基板は高温の工Cプロセスによって作られる1ζめ
に基板のそりが大きく、1.2インチのパネルエC1チ
ップ当たり少ないものでt数μ、多いものでは10〜2
0μのそシを有している。従って、ただ単にガラス基板
1とシ□ リコン基板2をシール“部メペ
□−サ5に*して貼り合わせためでは50係以下の良品
率し刀S得らnない。′そこで、考えられるのが、□ス
ペー□ザを画素部に分散させることにより液晶1−の厚
さ金保つことである。従来、このような用途にはスペー
サ5と同様の円柱状のグラスファイバーが鼠わ汎罠。と
ころが、不表示体の場合は第2図に示す・ようなシリコ
ン基板め断面構造をしている。即ち、Si基1
板2.n+拡散層9.P+拡散層1′0.フィール
ド酸□ □ 化膜11.多結雁シリコン膜12’ +
’ A’!”Si合金配置 線131画素電
極となるAn配線1嶋絶縁層15゜GH液晶16からな
っている。この主うにAA−’Si、 E″0
’ M (7))ml>”em J* *’dr I、
’t 、2’1m K fzol”611
めに、グラスファイバー等の硬いづペーサ−を使□ 1、 うとAl!−3iとA1がショート
して正常な画像が映らj なくなってし貰
う。′ □上記の欠点全1督決するためにスペー
サ材として弾力性のあ/8′篩分子プラスチックスの球
を用いる1 お7.。73−1アあ;4’、 p
3−”a、””b mn一部に硬いスペーサと柔いス
ペーサを用いた時のノくネルの断面図であシ、ガラス基
板1,7リコン基板2.スペーサ17刀)ら構成される
。グラスファイバー等の硬いスペーサの場合には下シリ
コン基板上に形成し1cA!、層が柔(,13−a図の
ようにダメージ全党け、第2図のM−Si合金配蔵1′
3とM配味・1Aの間でショートして、ダメージを受け
る。こ□れに対して、高分子プラスチック球のスペーサ
の□場合は、第3−b図のようにスペーサ自身が圧力を
吸収する丸めに、下のシリコン基板2はダメージを受け
ずに済む。
1区は該表示体の構造を示す図であシ、ガラス基板1、
シリコン基板2、透明電極3、偏光板4、シール部スペ
ーサ5、画素′区極62.χドライバー7、アドゥイバ
ー8、。fi、 & 97)、C構成さiている。ガラ
ス基板1.とシリコ、ン基板2はエポキシ系の樹脂に8
.μの太さ9円柱状のでラスファイバー4−混入したス
ペーサ5を介して接着される。、、が、ガラス基板1と
シリ・コン基板2.の平坦度が悪いため、液晶ノ1にの
厚さが一様にならないという欠点がめる。特に、単結晶
Si基板は高温の工Cプロセスによって作られる1ζめ
に基板のそりが大きく、1.2インチのパネルエC1チ
ップ当たり少ないものでt数μ、多いものでは10〜2
0μのそシを有している。従って、ただ単にガラス基板
1とシ□ リコン基板2をシール“部メペ
□−サ5に*して貼り合わせためでは50係以下の良品
率し刀S得らnない。′そこで、考えられるのが、□ス
ペー□ザを画素部に分散させることにより液晶1−の厚
さ金保つことである。従来、このような用途にはスペー
サ5と同様の円柱状のグラスファイバーが鼠わ汎罠。と
ころが、不表示体の場合は第2図に示す・ようなシリコ
ン基板め断面構造をしている。即ち、Si基1
板2.n+拡散層9.P+拡散層1′0.フィール
ド酸□ □ 化膜11.多結雁シリコン膜12’ +
’ A’!”Si合金配置 線131画素電
極となるAn配線1嶋絶縁層15゜GH液晶16からな
っている。この主うにAA−’Si、 E″0
’ M (7))ml>”em J* *’dr I、
’t 、2’1m K fzol”611
めに、グラスファイバー等の硬いづペーサ−を使□ 1、 うとAl!−3iとA1がショート
して正常な画像が映らj なくなってし貰
う。′ □上記の欠点全1督決するためにスペー
サ材として弾力性のあ/8′篩分子プラスチックスの球
を用いる1 お7.。73−1アあ;4’、 p
3−”a、””b mn一部に硬いスペーサと柔いス
ペーサを用いた時のノくネルの断面図であシ、ガラス基
板1,7リコン基板2.スペーサ17刀)ら構成される
。グラスファイバー等の硬いスペーサの場合には下シリ
コン基板上に形成し1cA!、層が柔(,13−a図の
ようにダメージ全党け、第2図のM−Si合金配蔵1′
3とM配味・1Aの間でショートして、ダメージを受け
る。こ□れに対して、高分子プラスチック球のスペーサ
の□場合は、第3−b図のようにスペーサ自身が圧力を
吸収する丸めに、下のシリコン基板2はダメージを受け
ずに済む。
我々は高分子プラスチック球として、ポリスチレンの8
μの球を用いた。散布量は少な丁ぎる場合は液晶j曽の
厚みの制御が不完全になシ、)<ネルの中ノし・部が薄
くなる。−万、散布量が多い場合には、ポリスチレン球
同志が凝集してし1い、/<ネル完成仮に、画面の各所
に白い点として見えてしまい、外債不良の原因となる。
μの球を用いた。散布量は少な丁ぎる場合は液晶j曽の
厚みの制御が不完全になシ、)<ネルの中ノし・部が薄
くなる。−万、散布量が多い場合には、ポリスチレン球
同志が凝集してし1い、/<ネル完成仮に、画面の各所
に白い点として見えてしまい、外債不良の原因となる。
芙1ミの粘呆では、1−当7乙り51固〜ΔD1固の敢
蒲重が艮く、特に、101固〜20個程度が埴適である
。この結果、スペーサ材を便用しない場合は歩留ジが2
5%程度だったものが、はぼ100係の歩留pが確保で
きた。また、ポリスチレンボールを使用したために点欠
陥が新らたに発生することが考えられるが、実験の結果
はパネルのプロセス中にパネルK )JO、tられる圧
力状態での点欠陥の発生は見ら′nな〃・つた。
蒲重が艮く、特に、101固〜20個程度が埴適である
。この結果、スペーサ材を便用しない場合は歩留ジが2
5%程度だったものが、はぼ100係の歩留pが確保で
きた。また、ポリスチレンボールを使用したために点欠
陥が新らたに発生することが考えられるが、実験の結果
はパネルのプロセス中にパネルK )JO、tられる圧
力状態での点欠陥の発生は見ら′nな〃・つた。
以上のように、不発明によrLば、能動素子を各画素に
配置した液晶表示体の製造歩留り全大幅に同上させるこ
とが可能となり、その効果は非常に太きい。また、実施
例では、高分子プラスチック球として、ポリスチレンを
挙げたが、ナイロンの、 球についても同様の結果を
我々は得ている。更に、ポリエチレン球、メラミン球に
ついても同様と思われる。
配置した液晶表示体の製造歩留り全大幅に同上させるこ
とが可能となり、その効果は非常に太きい。また、実施
例では、高分子プラスチック球として、ポリスチレンを
挙げたが、ナイロンの、 球についても同様の結果を
我々は得ている。更に、ポリエチレン球、メラミン球に
ついても同様と思われる。
第1図・・・単結晶シリコン勿用い1ζアクティブマト
リックス表示体の構這図。 1・・・ガラス基板、2・・・シリコン基板、6゛・°
透明電極94・・・偏光板、5・・・シール部スペーサ
6・・・画素電極、7・・・Xドライバー、8・・・Y
ドライノ(− 第2図・・・単結晶シリコンを用いたアクティブマトリ
ックス表示体の断面図 9・・・n+拡散層、10・・P+拡散盾、11・・・
フィールド酸化膜、12・・・多結晶シリコン膜、13
・・・・就−81合金配線、14・・・fiJl配線、
15・・・絶縁層16・・・G6液晶 第3−a ’、’、、’、 b 図・・・硬いスペーサ
、軟いスペーサを用いたバネ、ルの断面図
□17・・・スペーサ 以 上 (a) 第 3図
リックス表示体の構這図。 1・・・ガラス基板、2・・・シリコン基板、6゛・°
透明電極94・・・偏光板、5・・・シール部スペーサ
6・・・画素電極、7・・・Xドライバー、8・・・Y
ドライノ(− 第2図・・・単結晶シリコンを用いたアクティブマトリ
ックス表示体の断面図 9・・・n+拡散層、10・・P+拡散盾、11・・・
フィールド酸化膜、12・・・多結晶シリコン膜、13
・・・・就−81合金配線、14・・・fiJl配線、
15・・・絶縁層16・・・G6液晶 第3−a ’、’、、’、 b 図・・・硬いスペーサ
、軟いスペーサを用いたバネ、ルの断面図
□17・・・スペーサ 以 上 (a) 第 3図
Claims (3)
- (1) 複数本のソースラインとゲートラインをマト
リックス状に形成し、谷父点の画素の各々(1泪動素子
全形成しブζ基板を用いた液晶表示体において、液晶層
の厚みを決めるスペーサ亡して高分子プラスチックのz
J\球を用いることを特徴とする液晶表示体。 - (2)液晶表示体を構成する基板として、単結晶シリコ
ン基板を、用いたこと全特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の液a表示体。 - (3) 高分子プラスチックの球としてギリスチレン
、ナイロン、ポリエチノンを使用したことに%徴とする
特許請求の範囲第1項記載の液晶表示体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57209542A JPS59100487A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 液晶表示体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57209542A JPS59100487A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 液晶表示体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59100487A true JPS59100487A (ja) | 1984-06-09 |
Family
ID=16574526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57209542A Pending JPS59100487A (ja) | 1982-11-30 | 1982-11-30 | 液晶表示体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59100487A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62218987A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | 富士通株式会社 | マトリツクスパネル |
JPS62251721A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-02 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
JPS63223728A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-19 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
-
1982
- 1982-11-30 JP JP57209542A patent/JPS59100487A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62218987A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | 富士通株式会社 | マトリツクスパネル |
JPS62251721A (ja) * | 1986-04-25 | 1987-11-02 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
JP2709317B2 (ja) * | 1986-04-25 | 1998-02-04 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 液晶表示素子の製造方法 |
JPS63223728A (ja) * | 1987-03-13 | 1988-09-19 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
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