JPS63223728A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS63223728A JPS63223728A JP62056580A JP5658087A JPS63223728A JP S63223728 A JPS63223728 A JP S63223728A JP 62056580 A JP62056580 A JP 62056580A JP 5658087 A JP5658087 A JP 5658087A JP S63223728 A JPS63223728 A JP S63223728A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal display
- display device
- spacer material
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 40
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 12
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 11
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 11
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 5
- MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 1,2-Divinylbenzene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1C=C MYRTYDVEIRVNKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 abstract description 12
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- MSYLJRIXVZCQHW-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound O=C.NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 MSYLJRIXVZCQHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 101150010139 inip gene Proteins 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示装置の製造方法に係り、特に、TPT
基板とカラーフィルタを配した共通電極基板とを一定の
ギャップ間隔で貼り合わせる際にTPT素子に損傷を防
止することに好適な液晶表示装置の製造方法に関する。
基板とカラーフィルタを配した共通電極基板とを一定の
ギャップ間隔で貼り合わせる際にTPT素子に損傷を防
止することに好適な液晶表示装置の製造方法に関する。
従来、液晶表示装置の1つであるアクティブマトリクス
液晶表示パネルのスペーサ材としては所定の径を持つグ
ラスファイバーを所定の長さに切断して使用するのが一
般的であった。この時のスペーサ材の選択基準としては
、前記上板と下板とを熱硬化性の封着剤を用いて一定の
加重で加熱接着する際に、熱変形によりギャップ間隔が
画面内で不均一にならないことが最も重要なポイントで
あった。従ってスペーサ材としては、加熱加重を行って
も、熱変形を起こし難いグラスフィバ−が主として使用
されてきた。最近になって、プラスチック製の硬い超微
球体が開発され、一部の液晶パネルに使用され始めてい
るが、大面積、高集積度のa−SiTFT アクティブ
マトリクス液晶バルルにこれを適用した場合の性能およ
び信頼性その他の問題点は全く不明である。また、特公
昭61−33166号公報に示されているような画素に
対応するマスクを用いて電極部以外の場所にスペーサを
配置させる方法も、一画素の構造が簡単で面積当りの画
素数が少い単純マトリックスパネルの場合には適用可能
であるが、上記のアクティブマトリックスパネルでは適
用が困難である。
液晶表示パネルのスペーサ材としては所定の径を持つグ
ラスファイバーを所定の長さに切断して使用するのが一
般的であった。この時のスペーサ材の選択基準としては
、前記上板と下板とを熱硬化性の封着剤を用いて一定の
加重で加熱接着する際に、熱変形によりギャップ間隔が
画面内で不均一にならないことが最も重要なポイントで
あった。従ってスペーサ材としては、加熱加重を行って
も、熱変形を起こし難いグラスフィバ−が主として使用
されてきた。最近になって、プラスチック製の硬い超微
球体が開発され、一部の液晶パネルに使用され始めてい
るが、大面積、高集積度のa−SiTFT アクティブ
マトリクス液晶バルルにこれを適用した場合の性能およ
び信頼性その他の問題点は全く不明である。また、特公
昭61−33166号公報に示されているような画素に
対応するマスクを用いて電極部以外の場所にスペーサを
配置させる方法も、一画素の構造が簡単で面積当りの画
素数が少い単純マトリックスパネルの場合には適用可能
であるが、上記のアクティブマトリックスパネルでは適
用が困難である。
そこで、画素mM、)、σが8万から100万個にも及
ぶ上記のアクティブマトリックス液晶パネル全体に一様
な密度でスペーサを分散させた場合に、各画素毎に設置
された画素選択用のa−SiTFTパターンとスペーサ
が重なり合ってもB 5iTFTが損傷を受けてゲー
ト・ドレイン短縮などの不良を引き起こさないスペーシ
ング法の開発が液晶表示装置の装造方法のために必要と
なった。
ぶ上記のアクティブマトリックス液晶パネル全体に一様
な密度でスペーサを分散させた場合に、各画素毎に設置
された画素選択用のa−SiTFTパターンとスペーサ
が重なり合ってもB 5iTFTが損傷を受けてゲー
ト・ドレイン短縮などの不良を引き起こさないスペーシ
ング法の開発が液晶表示装置の装造方法のために必要と
なった。
第1図は従来技術の透過型a−SiTFT アクティブ
マトリックス液晶表示パネルの一画素部分の断面図の一
例を示したものである。上記パネルは各画素毎にa−3
iTF’T およびIT○画素電極を配置した透光性ガ
ラス基板1−(下板)と各画素に対応する色フィルタお
よびITOの共通電極を配置した透光性ガラス基板16
(上板)をグラスファイバなどのスペーサ材12を挟持
させて、所望のギャップ間隔を保つように貼り合わせ、
液晶1】−を封入した断面構造になっている。下板1上
のa−SiTFT は通常、Crゲート電極(走査線)
2、SiNゲート絶縁膜3、a −S i:丁((j)
半導体4、Cr / A Q二層膜からなるドレイン電
極(信号線)5およびソース電極6からなっている。I
TO画素電極7はソース電極6と電気的に接続されてい
る。これらのパターンLにSiN保r!I膜8および遮
光膜9が順次形成され、最後に、配向膜10が塗布され
て下板基板となる。
マトリックス液晶表示パネルの一画素部分の断面図の一
例を示したものである。上記パネルは各画素毎にa−3
iTF’T およびIT○画素電極を配置した透光性ガ
ラス基板1−(下板)と各画素に対応する色フィルタお
よびITOの共通電極を配置した透光性ガラス基板16
(上板)をグラスファイバなどのスペーサ材12を挟持
させて、所望のギャップ間隔を保つように貼り合わせ、
液晶1】−を封入した断面構造になっている。下板1上
のa−SiTFT は通常、Crゲート電極(走査線)
2、SiNゲート絶縁膜3、a −S i:丁((j)
半導体4、Cr / A Q二層膜からなるドレイン電
極(信号線)5およびソース電極6からなっている。I
TO画素電極7はソース電極6と電気的に接続されてい
る。これらのパターンLにSiN保r!I膜8および遮
光膜9が順次形成され、最後に、配向膜10が塗布され
て下板基板となる。
一方、立板16上には各画素に1対1に対応するカラー
フィルタmm15.フィルタ保護膜14、ITO共通電
極13.配向膜10が順次形成された構造になっている
。前述した如く、これら上下の板を貼り合わせる時、上
下の板の間隔を一定に保つために、通常、グラスファイ
バ製のスペーサ材を用いると、第1図に示したように、
a−SiTFT 」二にグラスファイバーが乗り越えた
箇所がある確率で発生する0例えば、グラスファイバー
を10個/mm”の密度で画面内に分布させた時、一画
素のサイズを200μm×200μmとすると1+m2
−中に25画素が存在することになり、一画素中のa−
8iTPT の面積は高々一画素の10%程度であると
考えると、25画素中に一個の確率で乗り越えが発生す
ることになる。
フィルタmm15.フィルタ保護膜14、ITO共通電
極13.配向膜10が順次形成された構造になっている
。前述した如く、これら上下の板を貼り合わせる時、上
下の板の間隔を一定に保つために、通常、グラスファイ
バ製のスペーサ材を用いると、第1図に示したように、
a−SiTFT 」二にグラスファイバーが乗り越えた
箇所がある確率で発生する0例えば、グラスファイバー
を10個/mm”の密度で画面内に分布させた時、一画
素のサイズを200μm×200μmとすると1+m2
−中に25画素が存在することになり、一画素中のa−
8iTPT の面積は高々一画素の10%程度であると
考えると、25画素中に一個の確率で乗り越えが発生す
ることになる。
上■の板をシール材を用いて貼り合わせる時、150℃
、1kg/cd程度の熱加重をかけて、ギャップ出しを
行うが、この時、上記の乗り越えが発生しているとその
部分に特異的に大きな加重がかかる。グラスファイバー
は干−ス硬度55程度でTPT素子と比較して硬い上に
、1 kg/、−d当りの圧縮率も通常2〜3X10−
’%と小さく変形が起こりにくいため、TPT素子の圧
砕の発生率が高くなってしまうぃ 例えば、TPTの圧砕によって、ゲー+−′fft極(
走査線)とドレイン電極(信号線)が短絡すると、液晶
ディスプレーでは短絡したT FTの画素部分から線状
にのびた欠陥(線欠陥)となる。特に、a−8i T
F’l” を使ったアクティブマトリックス液晶パネ
ルではA−3i膜およびグーl−絶縁膜として用いるS
iN膜とも硬くて脆い材質であり、TPT素子部の出っ
張りも0.5〜1.5μm程度の高さがあるために、特
に上記の圧砕が発生しやすい、また、圧砕によって電気
的な短絡が一度発生すると破壊が進行しやすいことも問
題点である。このような欠陥の発生した液晶パネルはデ
ィスプレー用のパネルとして使用することはできない。
、1kg/cd程度の熱加重をかけて、ギャップ出しを
行うが、この時、上記の乗り越えが発生しているとその
部分に特異的に大きな加重がかかる。グラスファイバー
は干−ス硬度55程度でTPT素子と比較して硬い上に
、1 kg/、−d当りの圧縮率も通常2〜3X10−
’%と小さく変形が起こりにくいため、TPT素子の圧
砕の発生率が高くなってしまうぃ 例えば、TPTの圧砕によって、ゲー+−′fft極(
走査線)とドレイン電極(信号線)が短絡すると、液晶
ディスプレーでは短絡したT FTの画素部分から線状
にのびた欠陥(線欠陥)となる。特に、a−8i T
F’l” を使ったアクティブマトリックス液晶パネ
ルではA−3i膜およびグーl−絶縁膜として用いるS
iN膜とも硬くて脆い材質であり、TPT素子部の出っ
張りも0.5〜1.5μm程度の高さがあるために、特
に上記の圧砕が発生しやすい、また、圧砕によって電気
的な短絡が一度発生すると破壊が進行しやすいことも問
題点である。このような欠陥の発生した液晶パネルはデ
ィスプレー用のパネルとして使用することはできない。
そこで、上下の板を貼り合わせ工程で発生する。
グラスファイバによるT F ”1”の破壊を防止した
新らしい貼り合わせ方法が必要となった。
新らしい貼り合わせ方法が必要となった。
上記の問題点を解決するために、本発明の液晶表示装置
の製造方法では、第2図に示すようにTPT素子および
走査線および信号線のクロスオーバの配線の存在する画
面領域23上には圧縮率および熱変形性の大きいプラス
チック製の球形ビーズ26を使用し、引き出し配線の存
在する領域22上の上板21と下板28を貼り合わせる
シール材24中にはグラスファイバ25を分散させて、
熱加重をかけて貼り合わせる。
の製造方法では、第2図に示すようにTPT素子および
走査線および信号線のクロスオーバの配線の存在する画
面領域23上には圧縮率および熱変形性の大きいプラス
チック製の球形ビーズ26を使用し、引き出し配線の存
在する領域22上の上板21と下板28を貼り合わせる
シール材24中にはグラスファイバ25を分散させて、
熱加重をかけて貼り合わせる。
上記の方法によれば、上板28および下板21の全体的
なギャップ出しは、圧縮率が小さくかつ熱変形および加
圧変形の少ないシール社内のグラスファイバー25を主
として受は持ち1画面部分のギャップ出しは圧縮率が大
きくかつ多少の熱変形性を持つプラスチック製ビーズ2
6が担当することになる。端子引き出し領域22ではグ
ラスファイバを用いても、走査線および信号線のクロス
オーバ部やTPTが存在しないので前述の問題点は発生
しない、また、グラスファイバのギャップ出し性能がプ
ラスチックビーズより優れている利点を活用することが
できる。即ち、第3図は直径7μmのグラスファイバお
よびプラスチック製ビーズのスペーサを用いた時のスペ
ーサ分散密度に対するギャップ間隔特性を調べた一例を
示したものであるが、プラスチックビーズはキャップ間
隔の分散密度依存性が大きくギャップ出しの再現性に難
点があるの(第3図1曲線a)に比し、グラスファイバ
のスペーサではプラスチック製より一桁少ない分散密度
で再現性の良いギャップ間隔(第3図、曲線b)が得ら
れることがわかる。
なギャップ出しは、圧縮率が小さくかつ熱変形および加
圧変形の少ないシール社内のグラスファイバー25を主
として受は持ち1画面部分のギャップ出しは圧縮率が大
きくかつ多少の熱変形性を持つプラスチック製ビーズ2
6が担当することになる。端子引き出し領域22ではグ
ラスファイバを用いても、走査線および信号線のクロス
オーバ部やTPTが存在しないので前述の問題点は発生
しない、また、グラスファイバのギャップ出し性能がプ
ラスチックビーズより優れている利点を活用することが
できる。即ち、第3図は直径7μmのグラスファイバお
よびプラスチック製ビーズのスペーサを用いた時のスペ
ーサ分散密度に対するギャップ間隔特性を調べた一例を
示したものであるが、プラスチックビーズはキャップ間
隔の分散密度依存性が大きくギャップ出しの再現性に難
点があるの(第3図1曲線a)に比し、グラスファイバ
のスペーサではプラスチック製より一桁少ない分散密度
で再現性の良いギャップ間隔(第3図、曲線b)が得ら
れることがわかる。
第4図は画面部に分散させたプラスチック製の球形スペ
ーサがたまたまa、−SiTFT素子部に乗った場合の
断面図を示したものである。この場合、プラスチックス
ペーサは圧縮率が大きく。
ーサがたまたまa、−SiTFT素子部に乗った場合の
断面図を示したものである。この場合、プラスチックス
ペーサは圧縮率が大きく。
多少の熱変形性も有するため、熱加重前に第4図の17
に示す如く球形であったものが、熱加重後には18に示
す如く変形して、TPT素子を圧砕することを防ぐこと
ができる。また、球形のプラスチックビーズを用いるこ
とはT F ’I’素子上にプラスチックスペーサが乗
る確率を低減させることに効果がある。
に示す如く球形であったものが、熱加重後には18に示
す如く変形して、TPT素子を圧砕することを防ぐこと
ができる。また、球形のプラスチックビーズを用いるこ
とはT F ’I’素子上にプラスチックスペーサが乗
る確率を低減させることに効果がある。
第5図は上記のプラスチックスペーサ材を用い。
−30℃から200℃の温度範囲で1個ずつ加重をかけ
た時の圧縮率の変化の一例を示した図である6曲線aは
比較的低温時に実現する圧縮特性であり、曲線すは比較
的低温時に実現する圧縮特性である。−30’Cから2
00℃の温度範囲では圧縮特性の下限aと上限すではさ
まれた斜線領域内で変化する圧縮特性を示す、即ち、第
5図から例えば20kg加重時の圧縮率が一30℃から
200℃の範囲内で10〜20%の範囲内に含まれるよ
うな圧縮特性を示すプラスチックスペーサ材を用いれば
、a−SiTFT素子を圧砕することなく、ギャップ出
しができることが判明した。
た時の圧縮率の変化の一例を示した図である6曲線aは
比較的低温時に実現する圧縮特性であり、曲線すは比較
的低温時に実現する圧縮特性である。−30’Cから2
00℃の温度範囲では圧縮特性の下限aと上限すではさ
まれた斜線領域内で変化する圧縮特性を示す、即ち、第
5図から例えば20kg加重時の圧縮率が一30℃から
200℃の範囲内で10〜20%の範囲内に含まれるよ
うな圧縮特性を示すプラスチックスペーサ材を用いれば
、a−SiTFT素子を圧砕することなく、ギャップ出
しができることが判明した。
このような圧縮特性を示すプラスチックスペーサ材とし
ては、ジビニルベンゼンを主成分とする架橋共重合物、
ポリスチレン、或いは、ベンゾグアナミン・ホルムアル
デヒド縮合物などからなるプラスチックスペーサ材が適
当であることがわかった。
ては、ジビニルベンゼンを主成分とする架橋共重合物、
ポリスチレン、或いは、ベンゾグアナミン・ホルムアル
デヒド縮合物などからなるプラスチックスペーサ材が適
当であることがわかった。
また1画面領域内でのプラスチックスペーサ材の分散密
度は第3図に示したように30〜100個/mm2の範
囲内で使用すれば良く、シール社内のグラスフィバスペ
ーサは5〜50個/1m”の範囲内で使用すれば良いこ
とが判明した。
度は第3図に示したように30〜100個/mm2の範
囲内で使用すれば良く、シール社内のグラスフィバスペ
ーサは5〜50個/1m”の範囲内で使用すれば良いこ
とが判明した。
本発明の方法はa−8i TFT の代りにa −3
iniPダイオードをリング状に組み合わせて、非線形
特性を持たせた形のアクティブマトリックス形の液晶デ
ィスプレーパネルにも適用できることは言うまでもない
ことである。
iniPダイオードをリング状に組み合わせて、非線形
特性を持たせた形のアクティブマトリックス形の液晶デ
ィスプレーパネルにも適用できることは言うまでもない
ことである。
以下1本発明を実施例にて説明する。
実施例
第4図に示すように、下板ガラス基板1上に、膜厚Q、
1 μrnのCrゲートfi極(走査線)2、パターン
、5iHa−NHs N2系ガスを用いたプラズマC
VD法により0.3μmの膜厚に堆積したSiNゲート
絶縁膜3,5iHi系ガスを用いたプラズマCVD法に
より堆積した膜厚0.3μ醜のa−3i:H(i)膜パ
ターン膜厚0.1層mのCr、0.3μmのAQの2層
よりなるドレインff1Ifj (信号線)5およびソ
ース電極パターン6を順次形成して、a−3iT、F・
Tマトリックスアレーとする。この時、ドレイン電線お
よびソースff1tiとa−8i : H(i)とのコ
ンタクト部分には通常a−8i : H(n)層41が
介在するように作製する0次に、ITO画素電極パター
ン7を各画素に対応するソース電極6と電気的に接続す
るように形成する。この上に、SiNパッシベーション
膜8、Afl遮光膜9.配向膜10を順次形成して下板
ガラス基板とする。
1 μrnのCrゲートfi極(走査線)2、パターン
、5iHa−NHs N2系ガスを用いたプラズマC
VD法により0.3μmの膜厚に堆積したSiNゲート
絶縁膜3,5iHi系ガスを用いたプラズマCVD法に
より堆積した膜厚0.3μ醜のa−3i:H(i)膜パ
ターン膜厚0.1層mのCr、0.3μmのAQの2層
よりなるドレインff1Ifj (信号線)5およびソ
ース電極パターン6を順次形成して、a−3iT、F・
Tマトリックスアレーとする。この時、ドレイン電線お
よびソースff1tiとa−8i : H(i)とのコ
ンタクト部分には通常a−8i : H(n)層41が
介在するように作製する0次に、ITO画素電極パター
ン7を各画素に対応するソース電極6と電気的に接続す
るように形成する。この上に、SiNパッシベーション
膜8、Afl遮光膜9.配向膜10を順次形成して下板
ガラス基板とする。
上板ガラス基板16上には第4図に示すように、各画素
電極に対応するように配置された赤、緑。
電極に対応するように配置された赤、緑。
青の色フィルタ一層15、有機樹脂よりなる保護膜14
、画面領域全面をカバーするようにパターン化されたI
TO対向電極13、配向膜10が形成されている。
、画面領域全面をカバーするようにパターン化されたI
TO対向電極13、配向膜10が形成されている。
上記の上板および下板ガラス基板を位置決めして貼り合
わせる際に、第2図に示すように、熱硬化性のポリイミ
ド樹脂からなるシール材24中には直径8μmのグラス
ファイバ25を8〜20個/ w ”の面密度で分散さ
せ、画面部23上にはビニルベンゼンを主成分とする架
橋共重合物からなる直径8μmのプラスチック製球形ビ
ーズ26を40〜50個/■2の面密度で分散させた状
態で貼り合わせる0次に、150℃、1kg/aiの熱
加重をかけて、上下の板のスペースが一定になるように
ギャップ出しの仮硬化を行う。この時1例えば1.2a
aX15mの基板を用いた場合には180欣の加重が均
一にかかる必要がある。しかし、第4図に示したように
、たまたま、TPT素子上にプラスチックビーズ17が
乗った場合には、ビーズおよび’l’ F・’ T素子
部に過剰の圧力がかかることになる。しかし、本発明の
方法においては、プラスチックビーズ17は第5図の斜
線部に含まれる圧縮特性を有するため、18に示したよ
うな形に変形するので、TPT素子を圧砕することがな
い。
わせる際に、第2図に示すように、熱硬化性のポリイミ
ド樹脂からなるシール材24中には直径8μmのグラス
ファイバ25を8〜20個/ w ”の面密度で分散さ
せ、画面部23上にはビニルベンゼンを主成分とする架
橋共重合物からなる直径8μmのプラスチック製球形ビ
ーズ26を40〜50個/■2の面密度で分散させた状
態で貼り合わせる0次に、150℃、1kg/aiの熱
加重をかけて、上下の板のスペースが一定になるように
ギャップ出しの仮硬化を行う。この時1例えば1.2a
aX15mの基板を用いた場合には180欣の加重が均
一にかかる必要がある。しかし、第4図に示したように
、たまたま、TPT素子上にプラスチックビーズ17が
乗った場合には、ビーズおよび’l’ F・’ T素子
部に過剰の圧力がかかることになる。しかし、本発明の
方法においては、プラスチックビーズ17は第5図の斜
線部に含まれる圧縮特性を有するため、18に示したよ
うな形に変形するので、TPT素子を圧砕することがな
い。
例えば、画面部の画素数が640X600=384.0
00画素からなる液晶パネルの場合でも1画面部にグラ
スファイバを用いた場合には10個/38万画素の確率
でT P T素子の破壊が発生したが、プラスチックビ
ーズでは1個738万画素以下の確率にまで低減できる
ことが確認された。また、第2図に示すように、端子配
線部22上のシール材24中にはギャップ出し特性の良
好な(第23図)グラスファイバ25を用いているので
、上板と下板とのギャップ間隔の均一性も再現性良く得
られた6 次に、130℃、4時間の本硬化を行なった後、液晶(
第2陶の27.第4図の11−)を封入し、パネルの周
辺に駆動回路をつけて、アクティブマトリックス方式の
液晶パネルモジュールを完成させる。この液晶パネルを
液晶カラーテレビ用として用いると、線欠陥や面内のコ
ントラス1−比のムラのない良好な特性の製品が得られ
た。
00画素からなる液晶パネルの場合でも1画面部にグラ
スファイバを用いた場合には10個/38万画素の確率
でT P T素子の破壊が発生したが、プラスチックビ
ーズでは1個738万画素以下の確率にまで低減できる
ことが確認された。また、第2図に示すように、端子配
線部22上のシール材24中にはギャップ出し特性の良
好な(第23図)グラスファイバ25を用いているので
、上板と下板とのギャップ間隔の均一性も再現性良く得
られた6 次に、130℃、4時間の本硬化を行なった後、液晶(
第2陶の27.第4図の11−)を封入し、パネルの周
辺に駆動回路をつけて、アクティブマトリックス方式の
液晶パネルモジュールを完成させる。この液晶パネルを
液晶カラーテレビ用として用いると、線欠陥や面内のコ
ントラス1−比のムラのない良好な特性の製品が得られ
た。
実施例で詳細に述べたごとく、本発明の液晶表示装置の
製造方法によれば、a−8iTPT が高密度で多数集
積された画面領域内では圧縮率の比較的大きいプラスチ
ック製のスペーサ材を用いているので、上下の板を熱加
重をかけて貼り合わせる際に、スペーサ材によるTFT
の破壊を防止することができ、また、端子配線部で上下
の板を貼り合わせるシール材中にはギャップ出し特性の
良い硬いグラスファイバを用いているので、ギャップ間
隔の面内均一性および再現性も優れている。
製造方法によれば、a−8iTPT が高密度で多数集
積された画面領域内では圧縮率の比較的大きいプラスチ
ック製のスペーサ材を用いているので、上下の板を熱加
重をかけて貼り合わせる際に、スペーサ材によるTFT
の破壊を防止することができ、また、端子配線部で上下
の板を貼り合わせるシール材中にはギャップ出し特性の
良い硬いグラスファイバを用いているので、ギャップ間
隔の面内均一性および再現性も優れている。
従って、本方法を用いた液晶表示装置では、線欠陥およ
び1画面内での明るさのムラが発生することを抑制する
効果がある。
び1画面内での明るさのムラが発生することを抑制する
効果がある。
第1図は従来のアクティブマトリクス液晶ディスプレイ
パネルの一画素部の断面図、第2図は本発明の液晶表示
装置において、スペーサ材の配置を示した断面図、第3
図はスペーサ材のギャップ出し特性を示した図、第4図
は本発明の液晶表示装置−画素部の断面図、第5図は本
発明で使用するプラスチックスペ−サの圧縮特性の範囲
を示した図。 1・・・下板ガラス基板、2・・・ゲート電極、3・・
・ゲート絶縁膜、4−a−8i : H(i) 、41
−a −8i :H(n+ )、5・・・ドレイン電極
、6・・・ソース電極、7・・・ITO画素電極、8・
・・パッシベーション膜、9・・・遮光膜、10・・・
配向膜、11・・・液晶。 12・・・グラスファイバ、13・・・ITO対向電極
。 14・・・保護膜、15・・・カラーフィルタ、16・
・・上板ガラス基板、17・・・元の形のプラスチック
スペーサ、18・・・変形後のプラスチックスペーサ、
21・・・下板ガラス基板、22・・・端子配線部、2
3・・・画面配線部、24・・・シール材、25・・・
グラスファイバ、26・・・プラスチックスペーサ、2
7・・・液晶、28・・・上板ガラス基板。
パネルの一画素部の断面図、第2図は本発明の液晶表示
装置において、スペーサ材の配置を示した断面図、第3
図はスペーサ材のギャップ出し特性を示した図、第4図
は本発明の液晶表示装置−画素部の断面図、第5図は本
発明で使用するプラスチックスペ−サの圧縮特性の範囲
を示した図。 1・・・下板ガラス基板、2・・・ゲート電極、3・・
・ゲート絶縁膜、4−a−8i : H(i) 、41
−a −8i :H(n+ )、5・・・ドレイン電極
、6・・・ソース電極、7・・・ITO画素電極、8・
・・パッシベーション膜、9・・・遮光膜、10・・・
配向膜、11・・・液晶。 12・・・グラスファイバ、13・・・ITO対向電極
。 14・・・保護膜、15・・・カラーフィルタ、16・
・・上板ガラス基板、17・・・元の形のプラスチック
スペーサ、18・・・変形後のプラスチックスペーサ、
21・・・下板ガラス基板、22・・・端子配線部、2
3・・・画面配線部、24・・・シール材、25・・・
グラスファイバ、26・・・プラスチックスペーサ、2
7・・・液晶、28・・・上板ガラス基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、a−SiTFTを用いた液晶表示装置の製造工程に
おいて、a−SiTFTおよび ITO画素電極を配置したガラス基板と色フィルタおよ
びITO対向電極を配置したガラス基板とを一定のギャ
ップ間隔を保つて貼り合わせる際に、端子取り出し用の
配線領域上のシール材中にはグラスファイバをスペーサ
材として用い、液晶を充填する画面領域上には弾力性の
あるプラスチックスペーサ材を用いることを特徴とする
液晶表示装置の製造方法。 2、上記のプラスチックスペーサ材が球形であり、かつ
、−30℃から200℃の温度範囲内で20kg加重時
の圧縮率が10%〜20%の範囲内に含まれるプラスチ
ックスペーサ材であることを特徴とする特許請求の範囲
第一項記載の液晶表示装置の製造方法。 3、上記のプラスチツクスペーサ材がジビニルベンゼン
を主成分とする架橋共重合物、ポリスチレン、或いは、
ベンゾグアナミン・ホルムアルデヒド縮合物を主成分と
する架橋共重合物であることを特徴とする特許請求の範
囲第一項記載の液晶表示装置の製造方法。 4、上記のプラスチックスペーサ材の画面領域内の分散
密度が30個/mm^2から150個/mm^2の範囲
内にあり、上記グラスファイバスペーサ材のシール材中
の分散密度が5から50個/mm^2の範囲内にあるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第一項記載の液晶表示装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62056580A JPS63223728A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62056580A JPS63223728A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63223728A true JPS63223728A (ja) | 1988-09-19 |
Family
ID=13031101
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62056580A Pending JPS63223728A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63223728A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7133108B2 (en) | 2000-12-08 | 2006-11-07 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59100487A (ja) * | 1982-11-30 | 1984-06-09 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示体 |
JPS6026021B2 (ja) * | 1977-06-30 | 1985-06-21 | 帝人株式会社 | 積層シ−ト |
JPS62129820A (ja) * | 1985-11-30 | 1987-06-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 液晶セル |
JPS62129819A (ja) * | 1985-11-30 | 1987-06-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 液晶セル |
-
1987
- 1987-03-13 JP JP62056580A patent/JPS63223728A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6026021B2 (ja) * | 1977-06-30 | 1985-06-21 | 帝人株式会社 | 積層シ−ト |
JPS59100487A (ja) * | 1982-11-30 | 1984-06-09 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示体 |
JPS62129820A (ja) * | 1985-11-30 | 1987-06-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 液晶セル |
JPS62129819A (ja) * | 1985-11-30 | 1987-06-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 液晶セル |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7133108B2 (en) | 2000-12-08 | 2006-11-07 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
US7456926B2 (en) | 2000-12-08 | 2008-11-25 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
US7826028B2 (en) | 2000-12-08 | 2010-11-02 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI454809B (zh) | 液晶顯示面板 | |
CN202372734U (zh) | 一种液晶显示器 | |
KR100477567B1 (ko) | 평면표시소자의 제조방법 | |
JP2004163951A (ja) | 液晶表示装置用基板 | |
US20020191141A1 (en) | Panel with a blocker for separating sealant and liquid crystal layer | |
JPH075479A (ja) | 強誘電性液晶素子の製造方法 | |
JP3950987B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
KR100761477B1 (ko) | 액정패널 스크라이빙방법 및 장치와 액정패널 제조방법 | |
JP2007148449A (ja) | 液晶表示装置 | |
US20060103803A1 (en) | Panel for liquid crystal display, liquid crystal display including the panel, and methods for manufacturing the same | |
KR101146457B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
JPH0441810B2 (ja) | ||
US7884915B2 (en) | Method of manufacturing liquid crystal display device | |
WO2014187142A1 (zh) | 显示面板及显示装置 | |
JPS63223728A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
KR100687343B1 (ko) | 액정표시장치 및 그의 제조방법 | |
KR20040011671A (ko) | 액정표시소자 | |
JPH0611703A (ja) | 液晶表示装置 | |
JPH1164864A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
KR101128175B1 (ko) | 평판표시소자의 실 경화장치 | |
JP2002333635A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法ならびに液晶表示装置の製造装置 | |
JPH055893A (ja) | 液晶表示パネルおよびその製造方法 | |
WO2020124798A1 (zh) | 彩膜基板及显示面板 | |
JPS60130719A (ja) | 液晶表示体装置 | |
JPH07301815A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 |