JPS5898994A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS5898994A JPS5898994A JP56196799A JP19679981A JPS5898994A JP S5898994 A JPS5898994 A JP S5898994A JP 56196799 A JP56196799 A JP 56196799A JP 19679981 A JP19679981 A JP 19679981A JP S5898994 A JPS5898994 A JP S5898994A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- chip
- bonding
- light emitting
- active layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/02345—Wire-bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はチップ収率の高い、ストライプ偏心型半導体レ
ーザに関する。
ーザに関する。
従来、レーザのキャビティ長が200μm程度に短かく
なると、レーザのチップサイズも小型となり、レーザの
活性層の位置とワイヤポ/デング位蓋の関係を、活性層
に与える歪を考慮してどう設計するかが重要な観点であ
った。
なると、レーザのチップサイズも小型となり、レーザの
活性層の位置とワイヤポ/デング位蓋の関係を、活性層
に与える歪を考慮してどう設計するかが重要な観点であ
った。
本発明は上記欠点の無い良好なポンディノグを有した半
導体レーザを提供することを目的とする。
導体レーザを提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の構成は、ポンディン
部材は半導体レーザ素子の発光領域から反対の面への拡
がり角θに対応する領域の外側に位置せしめ、かつ、上
記素子の非発光性端面から30μm以上の面に設けるこ
とにある。
部材は半導体レーザ素子の発光領域から反対の面への拡
がり角θに対応する領域の外側に位置せしめ、かつ、上
記素子の非発光性端面から30μm以上の面に設けるこ
とにある。
本発明は、上記構成になるので、ボンディング部材を所
定の面上に形成しても、上記ポンディノグによる歪を発
光領域に及ぼして悪影響を与えることから回避される。
定の面上に形成しても、上記ポンディノグによる歪を発
光領域に及ぼして悪影響を与えることから回避される。
また、非発光性端面、すなわち、光放射が行なわれない
ストライプに平行な端面から30μm以上も離れた領域
に上記発光領域が形成されているので、上記レーザ素子
のスクライプによる機械的歪をも上記発jt、領域に及
ぼして悪影響を与えることから回避さnる。
ストライプに平行な端面から30μm以上も離れた領域
に上記発光領域が形成されているので、上記レーザ素子
のスクライプによる機械的歪をも上記発jt、領域に及
ぼして悪影響を与えることから回避さnる。
畝上のように、ポンディノグおよびスクライプの2種の
機械的歪が及はさnない仙域に発光領域が形成さnるの
で、極めて良品質のレーザ光を有し、かつ、寿命の長い
レーザ素子が得らnるものである−0以下実施例を示し
て詳述する。
機械的歪が及はさnない仙域に発光領域が形成さnるの
で、極めて良品質のレーザ光を有し、かつ、寿命の長い
レーザ素子が得らnるものである−0以下実施例を示し
て詳述する。
第1図は本発明の一実施例としての半導体レーザの概略
断面図である。
断面図である。
第1図に示すように、半導体レーザチップ1において、
活性層2の近い方の表面3にワイヤボンデング4を行な
いJunctton up型で実装する場合、活性層
近傍での発熱量の放散、ボンデ/ゲストレスの活性層へ
の影響、チップ端面スクライブ面の活性層への影響、ワ
イヤボンデング時のチップのクラックなどを考慮して下
記の如く設計する。
活性層2の近い方の表面3にワイヤボンデング4を行な
いJunctton up型で実装する場合、活性層
近傍での発熱量の放散、ボンデ/ゲストレスの活性層へ
の影響、チップ端面スクライブ面の活性層への影響、ワ
イヤボンデング時のチップのクラックなどを考慮して下
記の如く設計する。
即ち、dt>tcotθ
d、=2W
dt ”’30〜59 pm
d、>ttan45°=t
ここに t=チップの厚さ、W=ワイヤ歪(100)結
晶の(111)面 θ=54” (すべり角) ちなみに 2280μmの(100)面を用いたレーザ
ではd” ” ” ’ m* ’ * =”50 J’
m*d、=80μm、cL =50μmでd=d1+
d、+d、+dv =’240μm、xト5イブ位置は
中心より片方に約−−d、=40μm偏心している。
晶の(111)面 θ=54” (すべり角) ちなみに 2280μmの(100)面を用いたレーザ
ではd” ” ” ’ m* ’ * =”50 J’
m*d、=80μm、cL =50μmでd=d1+
d、+d、+dv =’240μm、xト5イブ位置は
中心より片方に約−−d、=40μm偏心している。
第2図は本発明の他の実m1MJとしての半導体レーザ
の概略断面図である。
の概略断面図である。
第2図は、活性層2と反対側の表面5にワイヤボンデン
グを行なうJunct ion down型で実装する
場合の例で、ボンデ/ゲストレスの活性層への影響を考
慮して、下記の如く設計する。
グを行なうJunct ion down型で実装する
場合の例で、ボンデ/ゲストレスの活性層への影響を考
慮して、下記の如く設計する。
即ち、d、)zcotθ
d、=2W
dt>zcotθ
ds=aoμm(スクライブ面よりの歪で欠陥層の回避
) ちなみに、t=SOμmのレーザでは、チップの幅(ス
トライプ方向と直交する方向)Ficll =60μm
、d、、=59μm、ci、 :60μm。
) ちなみに、t=SOμmのレーザでは、チップの幅(ス
トライプ方向と直交する方向)Ficll =60μm
、d、、=59μm、ci、 :60μm。
d、”;30μmでd=d、+d=+d、+d、=20
0μmとなり、ストライプは中心より、70μm程偏心
して設けられている。
0μmとなり、ストライプは中心より、70μm程偏心
して設けられている。
以上のごとく、レーザのキャビティ長200μm程度の
短かいものに対して、高収率でしかも、スクライプ歪、
ボンデング歪のない熱放散のよいものを得るには、活性
層ストライプ部分を偏心させたものが有利である。
短かいものに対して、高収率でしかも、スクライプ歪、
ボンデング歪のない熱放散のよいものを得るには、活性
層ストライプ部分を偏心させたものが有利である。
第1図は本発明の一実施例としての半導体レーザの概略
断面図、第2図は本発明の落め実施例としての半導体レ
ーザの概略断面図である。 1・・・レーザチップ、2・・・活性層(発光領域)、
3・・・表面、4・・・ワイヤボンディング、5・・・
活性層と¥J 1 凹 ¥J 2 日
断面図、第2図は本発明の落め実施例としての半導体レ
ーザの概略断面図である。 1・・・レーザチップ、2・・・活性層(発光領域)、
3・・・表面、4・・・ワイヤボンディング、5・・・
活性層と¥J 1 凹 ¥J 2 日
Claims (1)
- 1、発光領域を有する半導体層と、上記発光領域に近い
主面と、骸主面と反対側の副面とを有する発光素子と、
上記素子の主面および副面のいずれか一方の面上に設け
られたボンディング部材とを有する半導体レーザにおい
て、上記ボンディング部材は上記発光領域からの拡がり
角θに対応する位置の外側に位置せしめ、かつ、上記素
子の非発光性端面から30μm以上の位置に設けたこと
を特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56196799A JPS5898994A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56196799A JPS5898994A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5898994A true JPS5898994A (ja) | 1983-06-13 |
Family
ID=16363836
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56196799A Pending JPS5898994A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5898994A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06310814A (ja) * | 1993-04-27 | 1994-11-04 | Nec Kansai Ltd | 半導体レーザダイオード装置 |
WO2008016019A1 (fr) * | 2006-07-31 | 2008-02-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Composant laser à semiconducteur et son procédé de fabrication |
-
1981
- 1981-12-09 JP JP56196799A patent/JPS5898994A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06310814A (ja) * | 1993-04-27 | 1994-11-04 | Nec Kansai Ltd | 半導体レーザダイオード装置 |
WO2008016019A1 (fr) * | 2006-07-31 | 2008-02-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Composant laser à semiconducteur et son procédé de fabrication |
JP2008060555A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-03-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20220052506A1 (en) | Light emitting device | |
US11581458B2 (en) | Base member for light emitting device | |
TWI514631B (zh) | Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof | |
JPH0982587A (ja) | 非方形電子チップの製造方法 | |
JP2002353497A (ja) | 発光素子 | |
JP2023014090A (ja) | 光源装置 | |
US20080291958A1 (en) | Semiconductor laser device | |
US20060292720A1 (en) | Semiconductor laser device | |
JPS5898994A (ja) | 半導体レ−ザ | |
JP2000261088A (ja) | 発光素子 | |
US9746160B2 (en) | Light emitting device and method of manufacturing light emitting device | |
JP6024657B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2004022760A (ja) | レーザダイオード | |
JP2737625B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JPH05183239A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JPS58207689A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
JPH04192483A (ja) | 半導体アレイレーザ装置 | |
US20240250497A1 (en) | Light emitting device | |
JPH02278781A (ja) | 半導体レーザダイオード | |
JPH08139408A (ja) | 半導体発光素子 | |
JPH10107371A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP5668528B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP2014232793A (ja) | 光半導体素子及び光半導体装置 | |
JP2020127056A (ja) | 発光装置 | |
JPH11346029A (ja) | 半導体レーザ装置 |