JPS5898994A - 半導体レ−ザ - Google Patents

半導体レ−ザ

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Publication number
JPS5898994A
JPS5898994A JP56196799A JP19679981A JPS5898994A JP S5898994 A JPS5898994 A JP S5898994A JP 56196799 A JP56196799 A JP 56196799A JP 19679981 A JP19679981 A JP 19679981A JP S5898994 A JPS5898994 A JP S5898994A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
chip
bonding
light emitting
active layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56196799A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobu Satou
佐藤　「あ」
Takashi Kajimura
梶村　俊
Katsuaki Chiba
千葉　勝昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP56196799A priority Critical patent/JPS5898994A/ja
Publication of JPS5898994A publication Critical patent/JPS5898994A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H01S5/02345—Wire-bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はチップ収率の高い、ストライプ偏心型半導体レ
ーザに関する。
従来、レーザのキャビティ長が２００μｍ程度に短かく
なると、レーザのチップサイズも小型となり、レーザの
活性層の位置とワイヤポ／デング位蓋の関係を、活性層
に与える歪を考慮してどう設計するかが重要な観点であ
った。
本発明は上記欠点の無い良好なポンディノグを有した半
導体レーザを提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の構成は、ポンディン
部材は半導体レーザ素子の発光領域から反対の面への拡
がり角θに対応する領域の外側に位置せしめ、かつ、上
記素子の非発光性端面から３０μｍ以上の面に設けるこ
とにある。
本発明は、上記構成になるので、ボンディング部材を所
定の面上に形成しても、上記ポンディノグによる歪を発
光領域に及ぼして悪影響を与えることから回避される。
また、非発光性端面、すなわち、光放射が行なわれない
ストライプに平行な端面から３０μｍ以上も離れた領域
に上記発光領域が形成されているので、上記レーザ素子
のスクライプによる機械的歪をも上記発ｊｔ、領域に及
ぼして悪影響を与えることから回避さｎる。
畝上のように、ポンディノグおよびスクライプの２種の
機械的歪が及はさｎない仙域に発光領域が形成さｎるの
で、極めて良品質のレーザ光を有し、かつ、寿命の長い
レーザ素子が得らｎるものである−０以下実施例を示し
て詳述する。
第１図は本発明の一実施例としての半導体レーザの概略
断面図である。
第１図に示すように、半導体レーザチップ１において、
活性層２の近い方の表面３にワイヤボンデング４を行な
いＪｕｎｃｔｔｏｎ　　ｕｐ型で実装する場合、活性層
近傍での発熱量の放散、ボンデ／ゲストレスの活性層へ
の影響、チップ端面スクライブ面の活性層への影響、ワ
イヤボンデング時のチップのクラックなどを考慮して下
記の如く設計する。
即ち、ｄｔ＞ｔｃｏｔθ ｄ、＝２Ｗ ｄｔ　”’３０〜５９　ｐｍ ｄ、＞ｔｔａｎ４５°＝ｔ ここに　ｔ＝チップの厚さ、Ｗ＝ワイヤ歪（１００）結
晶の（１１１）面 θ＝５４”　（すべり角） ちなみに　２２８０μｍの（１００）面を用いたレーザ
ではｄ”　”　”　’　ｍ＊　’　＊　＝”５０　Ｊ’
　ｍ＊ｄ、＝８０μｍ、ｃＬ　＝５０μｍでｄ＝ｄ１＋
ｄ、＋ｄ、＋ｄｖ　＝’２４０μｍ、ｘト５イブ位置は
中心より片方に約−−ｄ、＝４０μｍ偏心している。
第２図は本発明の他の実ｍ１ＭＪとしての半導体レーザ
の概略断面図である。
第２図は、活性層２と反対側の表面５にワイヤボンデン
グを行なうＪｕｎｃｔ　ｉｏｎ　ｄｏｗｎ型で実装する
場合の例で、ボンデ／ゲストレスの活性層への影響を考
慮して、下記の如く設計する。
即ち、ｄ、）ｚｃｏｔθ ｄ、＝２Ｗ ｄｔ＞ｚｃｏｔθ ｄｓ＝ａｏμｍ（スクライブ面よりの歪で欠陥層の回避
） ちなみに、ｔ＝ＳＯμｍのレーザでは、チップの幅（ス
トライプ方向と直交する方向）Ｆｉｃｌｌ　＝６０μｍ
、ｄ、、＝５９μｍ、ｃｉ、　：６０μｍ。
ｄ、”；３０μｍでｄ＝ｄ、＋ｄ＝＋ｄ、＋ｄ、＝２０
０μｍとなり、ストライプは中心より、７０μｍ程偏心
して設けられている。
以上のごとく、レーザのキャビティ長２００μｍ程度の
短かいものに対して、高収率でしかも、スクライプ歪、
ボンデング歪のない熱放散のよいものを得るには、活性
層ストライプ部分を偏心させたものが有利である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例としての半導体レーザの概略
断面図、第２図は本発明の落め実施例としての半導体レ
ーザの概略断面図である。 １・・・レーザチップ、２・・・活性層（発光領域）、
３・・・表面、４・・・ワイヤボンディング、５・・・
活性層と￥Ｊ　　１　　凹 ￥Ｊ　　２　　日

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、発光領域を有する半導体層と、上記発光領域に近い
    主面と、骸主面と反対側の副面とを有する発光素子と、
    上記素子の主面および副面のいずれか一方の面上に設け
    られたボンディング部材とを有する半導体レーザにおい
    て、上記ボンディング部材は上記発光領域からの拡がり
    角θに対応する位置の外側に位置せしめ、かつ、上記素
    子の非発光性端面から３０μｍ以上の位置に設けたこと
    を特徴とする半導体レーザ。
JP56196799A 1981-12-09 1981-12-09 半導体レ−ザ Pending JPS5898994A (ja)

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JP56196799A JPS5898994A (ja) 1981-12-09 1981-12-09 半導体レ−ザ

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JP56196799A JPS5898994A (ja) 1981-12-09 1981-12-09 半導体レ−ザ

Publications (1)

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JPS5898994A true JPS5898994A (ja) 1983-06-13

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ID=16363836

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JP56196799A Pending JPS5898994A (ja) 1981-12-09 1981-12-09 半導体レ−ザ

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JP (1) JPS5898994A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06310814A (ja) * 1993-04-27 1994-11-04 Nec Kansai Ltd 半導体レーザダイオード装置
WO2008016019A1 (fr) * 2006-07-31 2008-02-07 Sanyo Electric Co., Ltd. Composant laser à semiconducteur et son procédé de fabrication

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06310814A (ja) * 1993-04-27 1994-11-04 Nec Kansai Ltd 半導体レーザダイオード装置
WO2008016019A1 (fr) * 2006-07-31 2008-02-07 Sanyo Electric Co., Ltd. Composant laser à semiconducteur et son procédé de fabrication
JP2008060555A (ja) * 2006-07-31 2008-03-13 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ素子およびその製造方法

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