JPS5898915A - アモルフアスシリコン半導体装置 - Google Patents

アモルフアスシリコン半導体装置

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JPS5898915A
JPS5898915A JP56196911A JP19691181A JPS5898915A JP S5898915 A JPS5898915 A JP S5898915A JP 56196911 A JP56196911 A JP 56196911A JP 19691181 A JP19691181 A JP 19691181A JP S5898915 A JPS5898915 A JP S5898915A
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substrate
layer
stress relaxation
semiconductor layer
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Munehiko Sawafuji
沢藤　宗彦
Masanari Shindo
新藤　昌成
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Konica Minolta Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はアモルファスシリコン半導体＊ｔｌｌＫＭする
ものである。
Ｈ近において、アモルファスシリコンＣ以下「１−シリ
コン」と記す。　）　ｔ’ｉ　、デポジション法によっ
て作ることができるものであるたｔ１結晶成長工程が必
要な結晶シリコンに比して、その製造が容易であってし
カーも大面軸の薄層状のものを容易に得ることができる
Ａにおいて、太陽亀池或いは電子写真感光体の材餉とし
て非常に有利であシ、この理由から釉々の研究かな窟れ
ている。
然るにａ−シリコン半導体層は、例えば石英ガラス、或
いはステンレス鋼等より成る基板上に、グロー放電法、
スパッタ法、蒸着法等により被着堆積されることによっ
て形成されるか、ａ−シリコンの製膜時においては、基
板を通常１５０〜４５０℃の湿度に加熱することか必要
であり、このため製ＩＩ！！後常瀞にまで冷却される冷
却過程において、ａ−シリコン半導体層の熱ｌ１１１１
１季と基板の熱膨張−率との差に応じて、基板及びその
上に形成きれたａ−シリコン半導体層の各々の収縮長さ
が異なる結果ａ−シリコン半導体ｊｌＫ大きな応力が生
ずることとなる。例えば１−シリコン半導体層の熱膨談
率は通常１９×１０−丁／度程度であシ、石英ガラスｆ
ｊ　５　Ｘ　１０−１７度と小さく、一方ステンレス鋼
Ｆｉ１６４Ｘ１０−？／度と大きい。従って基板を例え
ば石英ガラス等の熱ｔｋ率の小さいものＫよ層構成した
場合には、第１図に示すように冷却過程後における１−
シリコン牛築体Ｎ３の収縮長さが基＆　１　ｃ１ｊｔＹ
縮長さよシ大きいため当該ａ−シリコン半ＮＩ＃４一層
３が基板ｌの内側に位置する彎曲状となり、ａ−シリコ
ン半導体層３に大きな引張シ応力が生ずる。また基板を
例えｄステンレス鋼等の熱１１Ｂｉ率が大きいものによ
り構成した場合ＫＦｉ、第２図に示すように冷却過程後
における１−シリコン半導体層３の収縮長さが基板１の
収縮長さよ）小さいため当該１−シリコン半導体層３が
基板１の何個に位置する彎曲状となシ、ａ−シリコン半
導体層３に大きな圧縮応力が生ずる。
而してａ−シリコン半導体層に応力が生ずると、例えけ
光応答性及び暗璽導度に悪影響を及はし、即ち光応答性
が小さくなル暗電導度が大きくなるため、斯かるａ−シ
リコン半導ｔ４Ｎ／によっては良好な特性例えば大きな
変換効率を有する太−電池１或いは良好な特性を有する
電子写真感光体＠Ｃ：。
−シリコン半導体装Ｓを得ることカニできない。
本発明はこのような事情に基いてなされたものであって
、ａ−シリコン半導ｔ４一層に生ずる応力を小さくする
ことができ従って良好な特性を有するａ−シリコン半導
体装ｌを提供することを目的とする◎ 本発明の特做とするところは、基板と、この基板上に応
力緩和層及びａ−シリコン半導体層の柚層体とを具えて
曖り、前記基板、応力緩和ｊ１１及びａ−シリコン半導
体層の熱に脹率をそれぞれａｌ、α、及びα、とすると
き、ａ、が下１式（１）′ＩＩび（２）の何れか一方を
満足するＡＫある。
式（１）　　ａｌ　（ａ、　Ｃとき　　　ａ　１　（ａ
　１　（ａ　１式（２）　　ａｌ＜”ａ　Ｃとき　　　
ａ　＠　＜　ａｌ　＜　Ｑ　３以下図面によって本発明
の詳細な説明する。
本発明においては、例えＩｆｉ第３図に模式的に示すよ
うに基＆】上に応力緩和１１ｉ＋２を設け、この応力緩
和層２１Ｋｍ−シリコン半導体Ｊｌｌ１３を設け、前Ｉ
［’基板１、応力緩和層２及びａ−シリコン半導錦ｊｌ
１３の熱１１＆率をそれぞれα１、ａ、及びａｌとする
とき、前記応力緩和層２ｆ：、その熱を脹率ａ、が例夕
げ下記式（１）を満足するものによ〕構成する。
式（１）　　　α易＜’ｔのとき　　　ａｍ（６重＜ａ
！以上のような構成によれば、畠−シリコン半導Ｇ４ｌ
ｌｌ１１３が形成された後これが常温にまで冷却嘔れる
冷却過程において、基板１！Ｉｉ応力紗和Ｎ２よシ熱ｌ
ｌ！率が小さいため応力緩和ｊｌ１２より圧縮応力を受
けるようＫなシ、一方ａ−シリコン半導体層３ｔｉ基＆
１よシ熱ＪＩｌ＆率が小さいことから、応力緩和ＷＩ２
と基＆ｌとによって生ずるべきそシの方向がｊｋ桧ｉと
１−シリコン半導体層３とＫよって生ずるべきそりの方
向と反対方向であるため、全体としてそりの小さ一状態
すなわちａ−シリコン半導体層３に作用する曲は応力の
小さい状１を得ることができる。更に、応力緩和１１１
１２を有することによって基板１とａ−シリコン半導体
１３とＫよって生ずるべきそりの方向と反対方向に全体
としてそっている状態では、ａ−シリコン半導体層３Ｋ
ｄ引張りの曲は応力が作用すると共に、一方基板１及び
応力緩和層２ＩＩｉ熱１１＆率がａ−シリコン半導体層
３よりも大きいため、ａ−シリコン半導体層３Ｋｔ′ｉ
圧縮の熱応力が冷却過程で発生し、これら熱応力と曲は
応力の作用する方向が互に反対方向であるためａ−シリ
コン半導体層３に作用する応力が更に小さい吠ｌＩｔ得
ることができる。
この結果光応答性が大きくしかも暗亀導度が小さい良好
な特性を有するａ−シリコン半導体装置を得ることがで
きる。
又本発明においては、第３図に示しｆＣ＠と同様の層構
成において、基板１及びａ−シリコン半導体層３の熱＊
＊率ａ、及びα８がα１くα２であるときは、応力緩和
層２をその熱ｈ＆率ａ、が下記式（２）を満足するもの
により構成することができる０式（２）　　　　α、く
α３のとき　　　α！くαＩ＜’１この場合ｒ（は、１
−シリコン半導体層３妙形成さｉｔたち、これか常温に
１で冷却される冷却過程において、基昏１は応力緩和Ｍ
２よシ引張ｐ応力を受り、応力緩和層２と基鈑１とによ
って斗するべきそりの方向力１０と１−シリコン半導体
層３とによって４するべきそシの方向と反対方向である
ため、結果としてト述Ｃ例と同様の効果を得ることかで
きる〇 又本発明ｒ（ふ・いては、例えば第４図に模式的に示す
ように基板１上Ｋａ−シリコン半導体屡３を設け、この
ａ−シリコン半導体層３上に応力緩和＠２を設け、獣記
応力紗和Ｍ１２の熱に脹率ａ、が例えば下記式（１）　
ｔ−８足するものにより構成することもできる。
式（１）　　　　ａ＠　（ａ、　ｔｌとき　　　α３く
α、＜６！以上のようなＩ＃Ｉ成によれは、応力緩和層
２が形成された後常温に’１で冷却される冷却過程にお
いて、亀−シリコン半導体層３及び基板ｌは応力緩和Ｐ
＃４２より熱ｉ＆率か小宴いため応力緩和層２より圧縮
にカを受けるようにカリ、応力緩和層２と基板ｌとによ
って生ずるべきそシの方向がａｌｌとａ−シリコン半導
体Ｆｆ１３とによって生ずるべきそ〕の方向と反対方向
であるため、結果として既述の例と同様の効果を得るこ
とができる。
又本発明においては、第４図に示した例と同様の層構績
において、Ｍ＆１及びａ−シリコン半導体層３の熱＊＊
率α、及びα、がα、〈σ、であると！！は、応力緩和
層２をその勢Ｗ１．脹率α！が下記式（ｚ）を満足する
ものにより＊ｉすることができる０式（２）　　　ａｔ
＜α、のとき　　　　α、くα鵞＜　ａ　ｓこの場合に
は、ａ−シリコン半導体１３が形成された後、これが常
温Ｋまで冷却される冷却過程において、基板１は応力緩
和層２より引張り応力を受け、応力緩和層２２基板ｌと
によって生ずるべきそ）の方向が基＆１とａ−シリコン
半導体層３とによって生ずるべきそりの方向と反対方向
であるため、結果として既述の例と同様の効果を得るこ
とができる。
本発明においては、後述する実施例からも理解されるよ
うに、応力緩和層２としてアルミニウムのような金属を
用いることができる利点力Ｘ得られる０ 本発明において、応力緩和層２の材質として社、例えば
アルミニウム、モリブデン、タンタル、白金、チタン、
ステンレス、石英ガラス、ノぐイレツクスガラス、アル
ミナ、シリコン力−ノ（イド等を挙げることができるＯ ヌ本発明において、応力緩和層２及び畠−シリコン半導
体層３を形成するためＫＦｉ、従来知られてψるグロー
放電法、スノぐツタ法、イオンブレーティング法、蒸着
法等何れの方法を利用してもよいが、例えば次のように
して好適に形成することができる◎ 例えばアルミニウムの応力緩和層上［ａ−シリコン半導
体層を形成する場合には第５図に示すように、真空槽を
形成するペルジャー１１に）くタフライパルプ１２１に
有する排気路１３管介して真空ポンプを接続し、これに
よシ当該ペルジャーｌｌ内を例えけ１０−　’　”１０
−　’　Ｔｏｒｒ　　の高真空状態となるよう排気を行
なう１方１．当該ペルジャー１１内には蒸着基板１４ｔ
−配置してこれをヒーター１５によ多温度１５０〜５０
０℃、好まし、〈は２５０〜４５０℃に加熱すると共に
、直流Ｉｌ源１６により蒸着基板１４ＫＯ〜−１０ｋＶ
、好ましくｔ’！−１〜−６ｋＶの直流負電圧を印加し
、蒸着基板１４と対向するよう設けたアルミニウム蒸発
＃１８を加熱してアルミニウムを蒸発ゼしぬ、これを前
記蒸着基板１４に被着堆！１１Ｉｌせしめてアルミニウ
ムより威る応力緩和層２を形成し、次いでシャッター８
１　を閉じてアルミニウムの蒸着を停止し、その出口が
蒸着基＃ｉ１４と対向するようペルジャー１１に当該出
口を接続して設けた水素ガス放電管１７まりの活性水素
及び水素イオンを導入しながら、蒸着基板１４と対向す
るよう設けたシリコン蒸発源１９のシャッターＳ２を開
いてこれを加熱してシリコン會蒸発せしめ、これによシ
前１蒸着Ｍ板１４の応力緩和層２上にこれｔ被着堆積せ
しめれはよい。
次に本発明の実施例について説明する。
実施例１ 第６図は太＠電池のｒＩＩＩｔＬの一例を示し、この例
においては、熱膨張率が３４Ｘ１０−７７度、厚さ５０
０μのパイレックスガラスより成る基板１上に、必要に
応じて絞りられる例えば二酸化ケイ素よ構成るイ・純物
拡ト防止層４を介して、例えば熱膨張率が２９６Ｘ１０
−’／度、厚さｂｏｏｏＸのアルミニウムよ構成るにカ
緩和層２を形威し、この応力緩和１１１１２上Ｋ１１１
１４ＩＩｌ！率１９Ｘ１０″′′マ／厚さ１．ＯＮＩＰ
ｇｍ−シリコン半導μＭ１３　　を形成し、このａ−シ
リコン半導体１１１）３上ＫｔｌＩＴＯと称される８ｎ
０１　、Ｉｎ１０３よ＃）Ｃる厚さ３００Ａの透明電極
層５を１けて構成されている。
この構成Ｃ太８１池においてその変換効率を求めたとこ
ろ、ｉｆ；　３　％と良好な値が得られた。
実ｋＶｉｆ４２ アルミニウムより成る応力緩和層２の厚さのみを６μに
代えた他社実施例１と同様にして太＠電池を製造した。
この構成の太陽１池においてその変換効率を求ｔたとこ
ろ、約４％と良好な値が得られた。
実＆例３ 第７図は、太陽電池の構成の他の例を示し、この例にお
いては、熱１１１脹率が３４Ｘ１０−’／度、厚さ１０
０μのパイレックスガラスよ構成る基板ｌ上に１必要に
応じて設けられる例えば二酸化ケイ素よ構成る不純愉拡
散防止層４を介して、例えばＩＴＯと称される５ｎＯ１
、ｌ１ｌｔ　Ｏｓより成る厚さ３００λの透明電極層５
を設け、このＩＴＯ上に熱膨張率１９Ｘ１０″″丁／度
、厚さ１μのＰＩＮ型ａ−シリコン半導体層３を形成し
、このａ−シリコン半導体層３上に熱ｌｌ脹率２９０Ｘ
１０−’／度、厚さ０．２声のアルミニウムよ構成る応
力緩和層２を設けて構成されて−る。
この構成の太陽電池においてその変換効率を求めたとこ
ろ、約３，２％と良好な値が得られた。
実施例４ アルミニウムより成る応力緩和層２の厚さのみを２．５
声に代えた他は実施例３と同様にして太陽電池を製造し
た。
この構成の太ｓ１［池においてその変換効率誓求めたと
ころ、約４％と良好な値か得られた。
以上のように本発明によｔｌｔＪ’、ａ−シリコン半導
体層に生ずる応力を小さくすることができ従って良好な
特性を有するａ−シリコン半導体装置を提供することが
できる０
【図面の簡単な説明】
１１図及び第２図はアモルファスシリコン半導体装置の
製造における間履点についての説明図、第３図及び第４
図は本発明アモルファスシリコン半導体装置の基本的構
醗を示す説明図、第５図は本発明アモルファスシリコン
半導体装置の製造に用いる装置の一例を示す説明図、１
１６図及び第７図は本発明の具体的実施例を示す説明図
である。 １・・・基板　　　　　　　２・・・応力緩和層３・・
・アモルファスシリコン半導体層５・・・透明電極層　
　　　１１・・・ペルジャー１４・・・蒸着基＆１５・
・・ヒーター１６・・・−流電源 １７・・・水素ガス放電管 １８・・・アルミニウム蒸発源 １９・・・シリコン蒸発源 ８１．８２・・・シャッター ”％−：　’　＞ 第１　図 −２３ １ノ 第２　図 第６図 薄４１ 第５図 第６図 第７図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ｌ）基板と、この基板上に応力緩和層及びアモルファス
    シリコン半導体層の積層体とを具えて成り、前記基板、
    応力緩和層及びアモルファスシリコン半導体層の熱Ｂｌ
    ｊ’率をそれぞれａ、　、ａ、及びα、とするとき、（
    ＩｆｉがＴ１式（１）及び式（２）の何れか一方を満足
    することを特徴とするアモルファスシリコン半導体装置
    。 式（１）　　α、＜ａ、のとき　　　６ｍ　（ｄ＞　（
    α。 式（２）　　”＋＜α、のとき　　　６くａｌくα。 ２）Ｉｌｆｌ記応力緩和層を前記基板と前記アモルファ
    スシリフン層との間に形成した特許請求の範囲第１項記
    談のアモルファスシリコン半導体装置０３）前記応力緩
    和層を前記基板上に形成した前＆、′アモルファスシリ
    コン半導体層上に形成した特許請求の範囲第１項記載の
    アモルファスシリコン半導体製雪。
JP56196911A 1981-12-09 1981-12-09 アモルフアスシリコン半導体装置 Pending JPS5898915A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5087239A (en) * 1982-12-23 1992-02-11 Tampax Limited Tampon applicator
CN105489661A (zh) * 2015-07-27 2016-04-13 友达光电股份有限公司 太阳能电池

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4888061A (en) * 1988-09-01 1989-12-19 Minnesota Mining And Manufacturing Company Thin-film solar cells resistant to damage during flexion
EP0421133B1 (en) * 1989-09-06 1995-12-20 Sanyo Electric Co., Ltd. Manufacturing method of a flexible photovoltaic device
WO2006053889A1 (en) * 2004-11-19 2006-05-26 Akzo Nobel N.V. Method for preparing flexible mechanically compensated transparent layered material
US7176543B2 (en) * 2005-01-26 2007-02-13 United Solar Ovonic Corp. Method of eliminating curl for devices on thin flexible substrates, and devices made thereby

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1062510B (it) * 1975-07-28 1984-10-20 Rca Corp Dispositivo semiconduttore presentante una regione attiva di silicio amorfo

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5087239A (en) * 1982-12-23 1992-02-11 Tampax Limited Tampon applicator
CN105489661A (zh) * 2015-07-27 2016-04-13 友达光电股份有限公司 太阳能电池

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