JPS59226173A - 二硫化チタン薄膜の低温作成法 - Google Patents
二硫化チタン薄膜の低温作成法Info
- Publication number
- JPS59226173A JPS59226173A JP58097836A JP9783683A JPS59226173A JP S59226173 A JPS59226173 A JP S59226173A JP 58097836 A JP58097836 A JP 58097836A JP 9783683 A JP9783683 A JP 9783683A JP S59226173 A JPS59226173 A JP S59226173A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- titanium disulfide
- thin film
- substrate
- disulfide film
- thin titanium
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/305—Sulfides, selenides, or tellurides
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
、〔発明の利用分野〕
本発明は＃暎電池の正極に用いる二硫化チタン薄膜に関
する。
する。
が、本出願者らは、さきに化学気相成長法（以下、ＣＶ
Ｄ法と記す）によりこれを作成する技術を見出し特許出
願した。しかし、上記の方法では基板温度を３５０°Ｃ
以上、より良い膜質を得るには４５０℃以上にする必要
かめるという欠点があったＯ 〔発明の目的〕 本発明の目的はよシ低温で二硫化テタレの薄膜を作成す
る方法を提供することにある。
Ｄ法と記す）によりこれを作成する技術を見出し特許出
願した。しかし、上記の方法では基板温度を３５０°Ｃ
以上、より良い膜質を得るには４５０℃以上にする必要
かめるという欠点があったＯ 〔発明の目的〕 本発明の目的はよシ低温で二硫化テタレの薄膜を作成す
る方法を提供することにある。
二硫化チタンの合成は次式による。
Ｔｉ（Ｊ１４＋ ２ Ｈ２８→ＴｉＳ２＋４ＨＣ１通常
のＣＶＤでは熱で励起されて進行する上記反応を、プラ
ズマによシ励起することに着目し、これにより、基板の
低温化を計つア辷。
のＣＶＤでは熱で励起されて進行する上記反応を、プラ
ズマによシ励起することに着目し、これにより、基板の
低温化を計つア辷。
この方法によって、二硫化チタン薄膜の二硫化テタ／結
晶の一次粒子が、そのＣ軸を基板面に対し、平均して４
５度以下に配向したものを得ることができる。
晶の一次粒子が、そのＣ軸を基板面に対し、平均して４
５度以下に配向したものを得ることができる。
また、低温で作成できるため、高分子材料、とくに耐熱
性高分子材料（ポリイミド系高分子など）又は、半導体
デバイス、半導体メモリー、太陽電池などを基板とする
ことができる。
性高分子材料（ポリイミド系高分子など）又は、半導体
デバイス、半導体メモリー、太陽電池などを基板とする
ことができる。
以下、本発明を実施例をあげて説明する。
実施例１
７ｍｍ角厚さ３μｍの石英、単結晶シリコン、ホウケイ
酸ガラスケそれぞれ基板としてプラグ４ＣＶＤによりＴ
ｉｅ２４暎を作成した。ＣＶＤ条件は、ソＸ カス組成
： Ｔ １ｃ１４０．８ ’１０ 、 Ｈ２Ｓ３．０％
、Ａｒ残部、ソースガス分圧： ６ｍｍＨｇ。
酸ガラスケそれぞれ基板としてプラグ４ＣＶＤによりＴ
ｉｅ２４暎を作成した。ＣＶＤ条件は、ソＸ カス組成
： Ｔ １ｃ１４０．８ ’１０ 、 Ｈ２Ｓ３．０％
、Ａｒ残部、ソースガス分圧： ６ｍｍＨｇ。
高周波用カニ Ｉ Ｗ／ ｃｍ 、基板温度：２８０
’０゜時間＝１ｈである。得られた二硫化チタン、厚膜
の膜厚は４μｍであり、その表面はち密で平坦であった
。また、薄１漠を講成する二硫化チタン結晶の一次粒子
も大部分Ｃ軸が基板面とほぼ平行となるように配向して
いた。
’０゜時間＝１ｈである。得られた二硫化チタン、厚膜
の膜厚は４μｍであり、その表面はち密で平坦であった
。また、薄１漠を講成する二硫化チタン結晶の一次粒子
も大部分Ｃ軸が基板面とほぼ平行となるように配向して
いた。
そして、この二硫化チタン薄膜の上に、鑞解質薄暎とし
てＬｉ３，６ ＳｉＯ，６ＰＯ，４０４なる組成の非晶
質薄膜（厚さ４μｍ）を形成し、さらにその上にＬｉ薄
膜を形成して薄膜電池を作成した。この１匡池の開回路
電圧は約２．５ｖでめり、放電特性もすぐれていた。ま
た、充”電荷性も良かった。このように、本発明より作
成された二硫化チタン薄膜は薄膜電池の正極薄膜として
好適である、具体的には、表面がち密で平坦であシ配向
も望ましいということが実証された。
てＬｉ３，６ ＳｉＯ，６ＰＯ，４０４なる組成の非晶
質薄膜（厚さ４μｍ）を形成し、さらにその上にＬｉ薄
膜を形成して薄膜電池を作成した。この１匡池の開回路
電圧は約２．５ｖでめり、放電特性もすぐれていた。ま
た、充”電荷性も良かった。このように、本発明より作
成された二硫化チタン薄膜は薄膜電池の正極薄膜として
好適である、具体的には、表面がち密で平坦であシ配向
も望ましいということが実証された。
実施例２
ポリイミド高分子フィルムを基板とし、その温度を２５
０°０として実施例１と同条件で３０分間プラズマＣＶ
Ｄを行なった。得られた二硫化チタン薄膜の膜質、構造
は実施例１で得られたものとほぼ同様であった。
０°０として実施例１と同条件で３０分間プラズマＣＶ
Ｄを行なった。得られた二硫化チタン薄膜の膜質、構造
は実施例１で得られたものとほぼ同様であった。
実施例３
単結晶シリコン上にポリイミド系高分子の薄膜を形成し
、これを基板として実施例２に同様にプラズマＣＶＤを
行なった。得られた二硫化チタン薄膜の膜質、構造は実
施例２で得られたものとほぼ同様であった。
、これを基板として実施例２に同様にプラズマＣＶＤを
行なった。得られた二硫化チタン薄膜の膜質、構造は実
施例２で得られたものとほぼ同様であった。
以上、実施例をあげて説明したように本発明により表面
がち密で平坦であり、かつ、結晶の一次粒子のＣ軸が基
板とほぼ平行とがるよう配向しだ二硫化ナタ佼の薄膜を
３５０“０以下で作成でさる０なお、本発明によれば、
キャッジ−カードのような高分子フィルムで作られたも
のの上に二硫化チタン薄膜を形成し、さらには薄膜電池
を作成することも可能であることは上記実施例よシあき
らかである。また、作成後、３５０°０以上の高温にす
ることは許されない半導体デバイスについてもソノチッ
プ上、あるいはモールド上に本発明方法により二硫化チ
タン薄膜、さらには薄膜電池を作成することも可能とな
る０以上のように、とくに基板となる材料についての制
限はない。
がち密で平坦であり、かつ、結晶の一次粒子のＣ軸が基
板とほぼ平行とがるよう配向しだ二硫化ナタ佼の薄膜を
３５０“０以下で作成でさる０なお、本発明によれば、
キャッジ−カードのような高分子フィルムで作られたも
のの上に二硫化チタン薄膜を形成し、さらには薄膜電池
を作成することも可能であることは上記実施例よシあき
らかである。また、作成後、３５０°０以上の高温にす
ることは許されない半導体デバイスについてもソノチッ
プ上、あるいはモールド上に本発明方法により二硫化チ
タン薄膜、さらには薄膜電池を作成することも可能とな
る０以上のように、とくに基板となる材料についての制
限はない。
本発明によれば、二硫化チタン薄膜をより低温で作成で
きるため、高分子材料や高温処理が許されないデバイス
などへの二硫化チタン薄膜の作成が可能となる。これに
よハニ硫化チタンを要素材料とするＮ膜電池などのデバ
イスを各種材料上に作成できるだけでなく、他のデバイ
スとの複合化も可能となる。
きるため、高分子材料や高温処理が許されないデバイス
などへの二硫化チタン薄膜の作成が可能となる。これに
よハニ硫化チタンを要素材料とするＮ膜電池などのデバ
イスを各種材料上に作成できるだけでなく、他のデバイ
スとの複合化も可能となる。
国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番
地株式会社日立製作所中央研究
所内
０発 明 者 工藤徹−
国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番
地株式会社日立製作所中央研究
所内
Claims (1)
- １、二硫化チタン薄膜を四塩化チタンと硫化水素をソー
スガスとするプラズマ化学気相成長法により作成するこ
とを特徴とする二硫化テタ／薄暎の低温作成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58097836A JPS59226173A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 二硫化チタン薄膜の低温作成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58097836A JPS59226173A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 二硫化チタン薄膜の低温作成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59226173A true JPS59226173A (ja) | 1984-12-19 |
Family
ID=14202799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58097836A Pending JPS59226173A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 二硫化チタン薄膜の低温作成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59226173A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2604826A1 (fr) * | 1986-10-06 | 1988-04-08 | France Etat | Procede de formation d'une couche isolante comportant du sulfure, derives sulfures obtenus et appareillage pour la mise en oeuvre du procede |
| EP1170398A1 (de) * | 2000-07-03 | 2002-01-09 | Widia GmbH | Schneideinsatz zum Zerspanen und Verfahren zu seiner Herstellung |
| CN112850661A (zh) * | 2021-02-03 | 2021-05-28 | 吉林大学 | 一种硒化钛纳米线的制备方法 |
-
1983
- 1983-06-03 JP JP58097836A patent/JPS59226173A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2604826A1 (fr) * | 1986-10-06 | 1988-04-08 | France Etat | Procede de formation d'une couche isolante comportant du sulfure, derives sulfures obtenus et appareillage pour la mise en oeuvre du procede |
| EP1170398A1 (de) * | 2000-07-03 | 2002-01-09 | Widia GmbH | Schneideinsatz zum Zerspanen und Verfahren zu seiner Herstellung |
| CN112850661A (zh) * | 2021-02-03 | 2021-05-28 | 吉林大学 | 一种硒化钛纳米线的制备方法 |
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