JPS5896726A - アモルフアスシリコン半導体装置 - Google Patents

アモルフアスシリコン半導体装置

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JPS5896726A
JPS5896726A JP56195115A JP19511581A JPS5896726A JP S5896726 A JPS5896726 A JP S5896726A JP 56195115 A JP56195115 A JP 56195115A JP 19511581 A JP19511581 A JP 19511581A JP S5896726 A JPS5896726 A JP S5896726A
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amorphous
silicon
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silicon semiconductor
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JP56195115A
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Masanari Shindo
新藤　昌成
Tatsuo Oota
達男 太田
Shigeru Sato
滋 佐藤
Tetsuo Shima
徹男 嶋
Isao Myokan
明官　功
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Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明ｉアモルファスシリコン半導体装置に関するもＣ
・である。
最近において、アモルファスシリコン（重重「ａ−シリ
コン」と記す。）Ｆｉ、デ４２ジション沖によって作る
ことができるものであるため、結晶成長工程が必要な結
晶シリコンに此し、で、その製（２） ｌ・力容Ｐであってしかも大面存のＩＲｋｇのものを各
参に社すること力できる盾において、太陥可池或いは甲
子写１１躯光ｔ４の祠Ｖとして弁筒に有利で凌シ、この
瑚由〃ら種々の研４Ｔがなされている。
然るＨ’　ａ−シリコン半導師層に、石英ガラス、或い
はステンレス鋼等より成る支持体１に、グローが！軍法
、スパッタｕ″、蒸着Ｕ、等により初・矩堆積されるこ
とによって彩暖されるが、ａ−シリコンの製Ｍ時におい
ては、支持体を通常１５０〜４５０℃（７）　’ｆＡ　
ｒｖＫ加熱することが必！１！＝であり、このためπ）
温に１で冷却さねｆＣときにσ、ａ−シリコン半導ｔｈ
層の線膨Ｂｋ率（通常３０Ｘ１０−’／度程度ンと上１
の支持体の線１１脹率との差に応じて、支持体とそのＪ
に形成されたａ−シリコン半導体層との間の収縮率の差
力らａ−シリコン半導１・陰に応力か生ずることとなる
。即ち、支持体とし、て石英ガラス藁のｈ胎１率力・小
芒いものを用い斤Ｗ合ｒ（汀、第１図に示すようにａ−
シリコン半ｙｌｌＰ５か支持μ］の内側に位トする湾曲
Ｕ−とηす、ａ−シリコン午涛ｔ４＃５に引張り応力が
牛する。着た支持（３） 体としてステンレス＃等のｌＩ＃ｍ脹率か大きいものを
用いた場合には、梢２図に示すようＦａ−シリコン半導
体層５が支持停止のＩＡ、　ｌｊに位飢する湾曲吠とな
シ、ａ−シリコン半導ｇ・室５に圧縮応力が生ずる。
而してａ−シリコン牛導体平に応力か４−すると、光応
答性屑ひ暗電導度に府影費を汲ぼ（、光応答性が小さく
なりまた１１１！導川が大きくなシ、このため期ｔ・る
ａ−シリコン半濁ｔ４層によっては良好な特性の太陽電
池、蝮いは電子写頁扉光ｆ４得の牛梼体装置を得ること
かできない。
本発明けこのような力景に基づいてなされたものであシ
、ａ−シリコン半導体層に応力をヰせしめることかなく
て良好な特慴を有するａ−シリコン半導体装置を提供す
ることを目的とする。
その特徴とするところは、ａ−シリコンのＭｊ膨張率に
等しい或いは近似した＃膨張率、を看する支持体と１こ
の支持陸上に形ＩＬしたａ−シリコン半導体層とを具え
て成る点にある。
以下図面によって本発明の実涌・例について「ψ明する
。
第３図Ｖｉ詠陥１１１１池Ｃ・給酸の一例を示し、本発
明において１、例えばＩｌａ膨張牟が３２Ｘ１０−７７
度のホウクイＶ糸カラスによシ支長ｔ４’　１を忙１暖
し、この支持ｆ４］ｆ表面に、必要に応じて形成さねる
二酊化ケイ素より成る不純物拡散防止層２を介して例え
ばクロム等より成る一方の市柿＝　ｆ＄：３　、及び活
性層を構゛威するａ−シリコン半搗陸層５、並びに透明
導電層端よ構成る使方の電極層６をこの順に積重するこ
とにより太陽電池を構成する。
型土において前１半導杯層５す、ｐ−ｎ型の構成、ｐ　
””　１−　ｎ型の構成、ショットギーバリャ型の措゛
成等とすることができる。＊ｌ　ｇ［”半導体層５を形
成するためには、従来知らねているクロー放電法、スパ
ッタ法、イオンブレーティング法、蒸着Ｗ等測ねの力Ｖ
、を利用してもよいが、例えば次のようにして好適に形
成することができる。
即ち、第、４図に示すように、真空槽を形成するペルジ
ャー１１にバタフライバルブ１２を冶スる排気路１３を
介して演空ポンプｆｇ紗Ｌ、Ｃれに（５） より当該ペルジャー１１内を例えば１０’−３〜１（１
−’’ｌ”ｏｒｒｃ高ｐ空状態となるよう排気を行なう
一方、当該ペルジャー１１内には支持体とされる蒸滝遅
板１４をｈ′随してこれをヒーター１５１１′ｉ１″よ
り流度１５０〜５００℃、好１しくけ２５０〜４５０１
″′に加熱すると共に、直Ｉｆ市源１６により蒸着基板
１４に司ＯｋＶ以下好捷しくけ−１〜−６ｋＶの曲流会
電圧を印加し、その出口か蒸着基板１４と対向するよう
ペルジャー１１に当該出口を接続して設けた水素ガス放
電管１７よりの活性水素及び水素イオンを導入しながら
、各々蒸着基板１４と対向するよう設けたシリコン蒸発
源１８を加熱してシリコンを蒸発せしめ、これによシ前
記蒸着基＠１４にこれを被着堆積せしめて水素を含有し
たａ−シリコン半導体層を形成Ｌ１以って太８Ｎ、池を
製造する。
面して第３図Ｉｆ’Ｃ示した太陽電池においてθ、支持
ｆ４．１が３２Ｘ１（＋−７７度の線Ｗ腓率　の材質よ
シ暖るものであり、一方ａ−シリコンの紳り脹率は３０
Ｘ］０−’／度程度であることから、支持体】の線埴脹
率　とａ−シリコンの線腔脹率　２が互（６） に近似しＡもＣであるため、支持針１十Ｋｍ−シリコン
半導ｔ４一層５が形成さねＴ常連１で冷却されたときの
これらｃ”Ｉｖ　＆’率がｎｌヂ同じであるから、半導
ｆ４．Ｆ　５　Ｋ大きなＲ１力が牛することが々く、こ
の結果当該半導ｆ４層５を、暗電導度が小きくて光応答
性の太きいもの吉することができる。
型土に才、・いてａ−シリコン（Ｄ　糾１胎・脹率と近
４Ｊ）したガラスは、一般にアルカリ金「、ホウ素、バ
リウム等を含有せしめて成るもので冷・シ、半導体装ト
としての機自トに与かる部分が面接このガラス上に形成
されるとこねに不純物が拡散するようになってその様＃
を１泪害するおそれがあるか、実施例のように二酬化タ
イ素より敗る不純物拡散防止層２を支持停止０表Ｗ１に
形成しておくことによって、上３１！のカラス中の不純
物の拡散を確実に防止することができる。
次Ｋａ−シリコン牛導杯装トの他の例について説明する
と、第５図は上１のホウケイ冬系ガラス、例えばコーニ
ング７７４０よ構成る支持体１十に電極用薄膜５２を介
してｉ型のａ−シリコン半導体（７） 層、即ち光導１１ｆ層５１を設けて成る電子写真感光体
の例を示し、このようｉ１！子写真鯵、光鉢においては
、光導電Ｐ５］に大きな応力が生ずることがないためこ
れの暗電導度を小さなものとすることができ、従って良
好な特性を俸ることができる。
捷た第６図は上記と同様の支持体１上にｎ型のａ−シリ
コンよ９成るチャネル形成層４１と、これを挾んで位置
する２つのｎ型のａ−シリコンよシ敢るソース層４２及
びドレイン層４３と、醸化シリコンより成る絶縁層４４
を介して前記チャネル形成層４１上に設けたゲート電極
４５と、前記ソース層４２及びドレイン層４３上に＃６
六ソース電極４６及びドレイン電極４７とより放る電界
効果型トランジスタを示し、このような例においても、
ａ−シリコン半導体層、即ちチャネル形成層４１、ソー
ス層４２′ＥＩひドレイン層４３に大きな応力が４：す
ることがないので甫旬特性を良好ηものとすること力・
できる。
尚、これらの実施例において、支持μｍとａ　−シリコ
ン半導体層との間に前１不純物拡散防止層２′ｆｔ介在
せしすることか好′！）しいこと目勿論である０ 以上のように本発明によｔｌは、ａ−シリコン半導体層
Ｖ（応力を生せしめることがなくて迎好な特性を有する
ａ−シリコン半導体装置を提供することができる。
４図面の計中々説明 第１図及び第２菌目、夫々従来のａ−シリコン半導体装
−゛のａ−シリコン半導体層に応力が牛じている状態を
示す説明図、第３図は本発明の一実施例に係る太陽電池
を示す説明図、第４図は本発明ａ−シリコン半導体装叡
の製潴方汗ｅ・−例を示す説明図、第５図及び第６図は
、夫々本発明ミーシリコン半導体装触の他の実施例を示
す説明図である。
１・・−支持体 ２・・・不純物拡散防止層 ３．６・・・亀袷層　　　　　１１・・・ペルジャー１
４・・・蒸着基板　　　　　　１５・・ヒーター１６・
・・伯流Ｎ源 （９） ４１川チャネル形哉層 ４２・・・ソース＊　　　　　　４３・・・ドレイン層
５］・・・介博苗層

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）アモルファスシリコンの線膨張率に冶しい或いは近
    仰し、六線膨張軍を不する支持体と・この支持体上に形
    成しにアモルファスシリコン半導体層とを具えて醗るこ
    とを特級とするアモルファスシリコン半１Ｍ杯装ト。 ２）前原・半導ｔ４−庵とｉｆｉ記支持体との間に二酬
    化ケイ素より成る不純物折ｌ防止層を介在せしめて成る
    特許請求の範囲第１項記載の〕アモルファスシリコン半
    導体装渣０
JP56195115A 1981-12-05 1981-12-05 アモルフアスシリコン半導体装置 Pending JPS5896726A (ja)

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