DE3245611A1 - Halbleitervorrichtung aus amorphem silizium - Google Patents

Halbleitervorrichtung aus amorphem silizium

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Description

  • Halbleitervorrichtung aus amorphem Silizium
  • Halbleitervorrichtung aus amorphem Silizium Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung aus amorphem Silizium.
  • In neuerer Zeit konnte amorphes Silizium (im folgenden auch als "a-Siliziumt' bezeichnet) nach einem Abscheidungs- oder Niederschlagsverfahren und demzufolge wesentlich einfacher als kristallines Silizium, für dessen Herstellung ein Kristallwachstumsschritt erforderlich ist, hergestellt und außerdem in Form einer dünnen Schicht großer Oberfläche zur Verfügung gestellt werden. Im Hinblick hierauf eignet sich a-Silizium äußerst vorteilhaft als Ausgangsmaterial für Solarzellen oder elektrophotographische (Aufzeichnungs-)Materialien; diesbezüglich sind bereits verschiedene Untersuchungen angestellt worden.
  • Aufgabe der Erfindung ist damit insbesondere die Schaffung einer a-Silizium-Halbleitervorrichtung, d.h. einer Halbleitervorrichtung aus amorphem Silizium, die hervorragende Eigenschaften besitzt und bei welcher in der a-Silizium-Halbleiterschicht eine potentiell geringere (mechanische) Spannung auftritt.
  • Die Lösung dieser Aufgabe ergibt sich aus den in den Patentansprüchen gekennzeichneten Merkmalen.
  • Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung im Vergleich zum Stand der Technik anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert. Es zeigen: Fig. 1 und 2 schematische Darstellungen der bei bisherigen Halbleitervorrichtungen aus amorphem Silizium in einer Halbleiterschicht aus amorphem Silizium auftretenden, im folgenden noch näher zu erläuternden (mechanischen) Spannungen, Fig. 3 und 4 schematische Darstellungen des Grundaufbaus von Halbleitervorrichtungen aus amorphem Silizium mit Merkmalen nach der Erfindung, Fig. 5 eine schematische Schnittdarstellung einer Vorrichtung zur Herstellung von erfindungsgemäßen Halbleitervorrichtungen aus amorphem Silizium und Fig. 6 und 7 schematische Darstellungen spezieller Ausführungsformen der Erfindung.
  • Bei einer a-Silizium-Halbleitervorrichtung wird eine Halbleiterschicht aus amorphem Silizium durch Befestigen und Aufbauen dieser Schicht auf einem Trägerelement (Substrat) aus z.B. Quarzglas, rostfreiem Stahl o.dgl. durch Glimmentladung, Aufsprühen oder -spritzen, Vakuumbedampfen o.dgl. ausgebildet, wobei das Trägerelement für gewöhnlich auf eine Temperatur von 150 - 450°C erwärmt werden muß. Aufgrund der unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten der a-Silizium-Halbleiterschicht und des Trågerelements sind dabei die Schrumpfungsgrade des Trägerelements und der auf diesem ausgebildeten Halbleiterschicht beim Abkühlen auf Normaltemperatur nach der Sohichtherstel- -lung voneinander verschieden, so daß in der a-Silizium-Halbleiterschicht eine große (mechanische) Spannung auftritt. Beispielsweise betragen die thermischen Ausdehnungskoeffizienten der a-Silizium-Halbleiterschicht, von Quarzglas und rostfreiem Stahl im allgemeinen etwa 19 x 10#7/0c, 5 x 10 7/oc bzw. 164 - 10 7/ob. Wenn somit das Trägerelement aus einem Werkstoff mit kleinem thermischem Ausdehnungskoeffizienten, wie Quarzglas u.dgl., hergestellt wird, ist der Schrumpfungsgrad der a-Silizium-Halbleiterschicht 3 nach dem Abkühlen gemäß Fig. 1 größer als derjenige des Trägerelements 1, so daß sich diese Halbleiterschicht einwärts zum Trägerelement 1 hin wölbt und mithin in der Halbleiterschicht 3 eine große Zugspannung auftritt. Wenn dagegen das Trägerelement 1 aus einem Werkstoff eines großen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, wie rostfreiem Stahl o.dgl., hergestellt wird, ist der Schrumpfungsgrad der a-Silizium-Halbleiterschicht 3 nach dem Abkühlen gemäß Fig. 2 kleiner als derjenige des Trägerelements 1, so daß sich diese Halbleiterschicht 3 nach außen vom Trägerelement 1 hinweg wölbt und mithin eine große Druckspannung in der Halbleiterschicht 3 auftritt.
  • Eine in der a-Silizium-Halbleiterschicht entstehende (mechanische) Spannung kann nun die Licht(ansprech)-empfindlichkeit und die Dunkelleitfähigkeit derart ungünstig beeinflussen, daß erstere kleiner und letztere größer wird. Eine solche a-Silizium-Halbleiterschicht eignet sich mithin nicht zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen, wie Solarzellen, elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterialien dgl., mit vorteilhaften Eigenschaften.
  • Gegenstand der Erfindung ist damit eine Halbleitervorrichtung aus amorphem Silizium, die dadurch gekennzeichnet ist, daß sie ein Substrat bzw. Trägerelement und ein auf diesem angeordnetes Laminat aus einer Entspan nungsschicht und einer Halbleiterschicht aus amorphem Silizium aufweist und daß dann, wenn die thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Trägerelement, Entspannungsschicht und Halbleiterschicht aus amorphem Silizium als «1 a2 bzw. a3 ausgedrückt werden, a2 einer der beiden folgenden Beziehungen (1) und (2) genügt: (1): α3 < α1 < α2, wenn α3 < α1, und (2): α2 < α1 < α3, wenn a2 < α3.
  • Wie in Fig. 3 schematisch dargestellt, wird eine Entspannungsschicht (stress relaxation layer) 2 auf einem Trägerelement bzw. Substrat 1 vorgesehen, worauf eine a-Silizium-Halbleiterschicht 3 auf die Entspannungsschicht 2 aufgebracht wird. Wenn die thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Trägerelement 1, Entspannungsschicht 2 und a-Silizium-Halbleiterschicht 3 mit «1 Q2 bzw. a3 bezeichnet werden, wird die Entspannungsschicht 2 aus einem Werkstoff hergestellt, dessen thermischer Ausdehnungskoeffizient a2 im Fall von a3< a1 beispielsweise der folgenden Beziehung (1) genügt: α3 < α1 <α1 Bei der vorstehend beschriebenen Konstruktion ist das Trägerelement 1 während des Abkühlvorgangs, wenn die Anordnung nach der Ausbildung der a-Silizium-Halbleiterschicht 3 auf Normaltemperatur abgekühlt wird, aufgrund seines kleineren thermischen Ausdehnungskoeffizienten als dem der Entspannungsschicht 2 durch letztere einer Druckspannung unterworfen, wobei die Richtung der in der Entspannungsschicht 2 und im Trägerelement 1 eingeführten Wölbung der Richtung der im Trägerelement 1 und in der a-Silizium-Halbleiterschicht 3 eingeführten Wölbung entgegengesetzt ist, weil die a-Silizium- Halbleiterschicht 3 einen kleineren thermischen Ausdehnungskoeffizienten besitzt als das Trägerelement 1.
  • Infolgedessen kann insgesamt ein kleinerer Wölbungszustand (camber state), nämlich eine kleinere, auf die a-Silizium-Halbleiterschicht 3 einwirkende Biegespannung, erzielt werden. Bei dem bei Vorhandensein der Entspannungsschicht 2 insgesamt durch Trägerelement 1 und a-Silizium-Halbleiterschicht 3 hervorgerufenen Wölbungszustand wirkt zudem eine Biegezugspannung auf die a-Silizium-Halbleiterschicht 3 ein, während beim Abkühlen eine thermische Druckspannung in der a-Silizium-Halbleiterschicht 3 entsteht, weil Trägerelement 1 und Entspannungsschicht 2 einen größeren thermischen Ausdehnungskoeffizienten besitzen als die a-Silizium-Halbleiterschicht 3. Die thermische Druckspannung und die Biegespannung wirken mithin einander entgegen, so daß insgesamt eine wesentlich geringere (mechanische) Spannung auf die a-Silizium-Halbleiterschicht 3 einwirkt. Demzufolge kann eine a-Silizium-Halbleitervorrichtung mit ausgezeichneten Eigenschaften, d.h. höherer Licht(ansprech)empfindlichkeit und niedrigerer Dunkelleitfähigkeit, gewährleistet werden.
  • Bei einer ähnlichen Ausführungsform wie derjenigen nach Fig. 3 kann die Entspannungsschicht 2 aus einem Werkstoff bestehen, dessen thermischer Ausdehnungskoeffizient im Fall von a1c a3 der folgenden Beziehung (2) genügt: a2# a1 # a3 wenn die thermischen Ausdehnungskoeffizienten al und a 3 von Trägerelement 1 bzw.
  • a-Silizium-Halbleiterschicht 3 die Beziehung #1< a3 besitzen. In diesem Fall wird das Trägerelement 1 beim Abkühlen' wenn die Anordnung nach der Ausbildung der a-Silizium-Halbleiterschicht 3 auf Normaltemperatur abgekühlt wird, durch die Entspannungsschicht 2 einer Zugspannung unterworfen, wobei die Richtung der in Ent- spannungsschicht 2 und Trägerelement 1 eingeführten Wölbung der in Trägerelement 1 und a-Silizium-Halbleiterschicht 3 entstehenden Wölbung entgegengesetzt ist.
  • Hierbei lassen sich ähnliche Wirkungen wie bei der vorher beschriebenen Ausführungsform erzielen.
  • Ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in Fig. 4 schematisch dargestellt. Diese Anordnung umfaßt ein Trägerelement (1), eine auf letzterem vorgesehene a-Silizium-Halbleiterschicht 3 und eine auf dieser angeordnete Entspannungsschicht 2. Der thermische Ausdehnungskoeffizient «2 der Entspannungsschicht 2 genügt dabei im Fall von a3 cxl # 1der folgenden Beziehung: α3 < α1 < α2.Bei dieser Anordnung sind die a-Silizium-Halbleiterschicht 3 und das Trägerelement 1 beim erwähnten Abkühlvorgang durch die Entspannungsschicht 2 einer Druckspannung unterworfen, weil ihr thermischer Ausdehnungskoeffizient kleiner ist als derjenige der Entspannungsschicht 2, während die in Entspannungsschicht 2 und Trägerelement 1 auftretende Wölbung der in Trägerelement 1 und a-Silizium-Halbleiterschicht 3 entstehenden Wölbung entgegengesetzt ist. Hierbei lassen sich ähnliche Wirkungen wie bei den vorher beschriebenen Ausführungsbeispielen erzielen.
  • In einem anderen Ausführungsbeispiel mit demselben Schichtaufbau wie in Fig. 4 kann der thermische Ausdehnungskoeffizient a2 der Entspannungsschicht 2 im Fall von #1 < a3 der Beziehung a2< < a3 genügen. In diesem Fall ist das Trägerelement 1 beim genannten Abkühlvorgang einer Zugspannung von der Entspannungsschicht 2 her unterworfen, wobei die Richtung der in Entspannungsschicht 2 und Trägerelement 1 eingeführten Wölbung der im Trägerelement 1 mit der a-Silizium-Halbleiterschicht 3 entstehenden Wölbung entgegengesetzt ist. Hierbei wird eine ähnliche Wirkung wie bei den vorher erwähnten Ausführungsbeispielen erzielt.
  • Erfindungsgemäß kann mithin in vorteilhafter Weise ein Metall, wie Aluminium o.dgl., für die Entspannungsschicht 2 verwendet werden.
  • Beispiele für den erfindungsgemäß für die Entspannungsschicht 2 zu verwendenden Werkstoff sind Aluminium, Molybdän, Tantal, Platin, Titan, rostfreier Stahl, Quarzglas, Pyrex-Glas, Aluminiumoxid, Siliziumkarbid und dgl..
  • Bevorzugte Werkstoffe für das Substrat bzw. Trägerelement sind Glas mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von nicht weniger als 31 x 10#7/0c, Keramikmaterial mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von nicht weniger als 31 x 10#7/0c, rostfreier Stahl mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von nicht weniger als 60 x 10-7/°C, Metall(legierung) mit Aluminium als Hauptbestandteil und einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von nicht weniger als 200 x 10-7/°C oder Metallwerkstoffe aus rostfreiem Stahl und Aluminium mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von nicht weniger als 30 x 10-t/oC Insbesondere bei Verwendung von z.B. Aluminium, Molybdän, Tantal, Platin, Titan, rostfreiem Stahl, Pyrex-Glas, Aluminiumoxid, Siliziumkarbid o.dgl. als Werkstoff für das Trägerelement 1 ist α3 kleiner als a1 (d.h. a3 < a1). In diesem Fall können gemäß Beziehung (1) einen größeren thermischen Ausdehnungskoeffizienten als der oben angegebene Werkstoff des Trägerelements 1 besitzende Werkstoffe für die Entspannungsschicht 2 ver- wendet werden. Für die Entspannungsschicht 2 eignet sich jedoch offensichtlich jeder Werkstoff, welcher der Beziehung (1) genügt.
  • Für die Ausbildung eines Films bzw. einer Schicht aus dem oben angegebenen Werkstoff (Molybdän, Tantal, Platin, Titan, usw.) kommen folgende Verfahren in Frage: a) Vakuumbedampfungsverfahren (durch Erwärmen mittels eines Elektronenrohrs) für Molybdän, Tantal, Platin und Siliziumkarbid (vgl. JP-OS 152455/'1979).
  • b) Auf sprüh- oder -spritzverfahren für Molybdän, Tantal, Platin, Titan, rostfreien Stahl, Quarzglas, Pyrex-Glas, Aluminiumoxid und Siliziumkarbid (vgl.
  • Moustakas, D.A. Anderson und W. Paul, Solid State Commun., 23 (1977), S.155).
  • Bei beiden Verfahren (a) und (b) kann entweder derselbe Vakuumbehälter wie für die Ausbildung einer amorphen Siliziumschicht oder ein anderer Vakuumbehälter verwendet werden.
  • Erfindungsgemäß können die Entspannungsschicht 2 und die a-Silizium-Halbleiterschicht 3 auch nach anderen bekannten Verfahren ausgebildet werden, z.B. nach dem Glimmentladungsverfahren (vgl. W.E. Spear und P.G.Comber, Solid State Commun.,17 (1975), 5.1193), dem Ionenplattierverfahren (vgl. JP-OS 69765/1979 und 89440/1979) usw.. Vorzugsweise wird die betreffende Schicht auf die nachstehend angegebene Weise hergestellt. Die Herstellung der a-Silizium-Halbleiterschicht auf der Entspannungsschicht aus Aluminium kann mit Hilfe der in Fig. 5 dargestellten Vorrichtung erfolgen. Dabei ist eine ein Vakuumgefäß bildende Glasglocke 11 über eine Absauglei- tung 13 mit (eingeschaltetem) Flügelventil 12 mit einer Vakuumpumpe verbunden und durch letztere auf ein hohes Vakuum von z.B. 133 x 10 3 bis 133 x 10 7 Pa evakuierbar. Eine als Trägerelement in die Glasglocke 11 eingesetzte Grundplatte 14 wird durch ein Heizelement 15 auf eine Temperatur von 150 - 5000C, vorzugsweise von 250 - 45000 erwärmt, während gleichzeitig an sie von einer Gleichstromquelle 16 her eine negative Gleichspannung von nicht mehr als -10 kV, vorzugsweise -1 bis -6 kV angelegt wird. Durch Erhitzung einer der Grundplatte 14 gegenüberliegend angeordneten Aluminluinverdampfungsquelle 18 wird Aluminium verdampft und an der Grundplatte 14 zum Anhaften und auf ihr zum Aufwachsen gebracht, wobei die Entspannungsschicht 2 aus Aluminium entsteht. Durch Schließen eines Verschlusses S1 wird dann die Vakuumverdampfung von Aluminium beendet. In die Glasglocke 11 werden mittels eines Wasserstoff-Zufuhrrohrs 17, dessen Auslaß der Grundplatte 14 gegenüberliegend in der Glasglocke 11 befestigt ist, aktiver Wasserstoff und Wasserstoffionen eingeführt. Gleichzeitig wird durch Öffnen eines Verschlusses S2 und durch Erhitzen einer der Grundplatte 14 gegenüberliegend angeordneten Silizium-Verdampfungsquelle 18 Silizium verdampft und dabei auf der an der Grundplatte 14 haftenden Entspannungsschicht 2 zum Anhaften und auf ihr zum Aufwachsen gebracht.
  • Im folgenden ist die Erfindung in Beispielen näher erläutert.
  • Beispiel 1 Eine in Fig. 1 veranschaulichte Solarzelle wird in der Weise hergestellt, daß eine aus Aluminium bestehende Entspannungsschicht 2 mit z.B. einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 290 X 10 7/oC und einer Dicke von 500 nm auf einem aus Pyrex-Glas bestehenden und einen thermischen Äusdehnungskoeffizi enten von 34 x 10#7/oo sowie eine Dicke von 500 ,um besitzenden Trägerelement 1, ggf. unter Zwischenfügung einer Fremdatomdiffusions-Sperrschicht 4 aus z.B. Siliziumdioxid, ausgebildet, auf der Ecltspannungsschicht 2 eine a-Silizium-Halbleiterschicht 3 des NIP-Typs mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 19 x 10 7/ob und einer Dicke von 1 inn hergestellt und sodann eine transparente Elektrodenschicht (ITO-Schicht) aus In203 und Sn02 mit einer Dicke von 30 nm auf der a-Silizium-Halbleiterschicht 3 ausgebildet wird.
  • Die genannte Fremdatomdiffusions-Sperrschicht wird nach dem Aufsprüh- oder -spritzverfahren mittels einer Magnetron-Sprühvorrichtung hergestellt. Während der Ausbildung der Si02-Schicht wird das Trägerelement auf einer Temperatur von 2000C gehalten. Die Dicke der so hergestellten SiO2-Schicht beträgt 3Q nm.
  • Die erwähnte NIP-a-Silizium-Halbleiterschicht wird nach dem Bedampfungsverfahren unter Verwendung der Vorrichtung nach Fig. 5 hergestellt, wobei diese Vorrichtung jedoch zusätzlich zu den Verdampfungsquellen 18 und 19 für Al und Si noch eine Verdampfungsquelle für Antimon (Sb) enthält. Der I-Schichtanteil wird unter folgenden Bedingungen hergestellt: Trägerelementtemperatur 3500c Schichtbildungsgeschwindigkeit 0,3 nm/s Eingesetztes Gas H2 = 150 cm3 /min (Druck: 5 x 133x10 5 Pa) Der so ausgebildete I-Schichtanteil besitzt eine Dicke von 802 nmo Der P-Schichtanteil wird in derselben Weise wie der I-Schichtanteil ausgebildet, nur mit dem Unterschied, daß Aluminium und Silizium gleichzeitig verdampft werden. Der so ausgebildete P-Schichtanteil besitzt eine Dicke von 18 nm und enthält 1 Atom-,96 Al als Dotierungsmittel. Der N-Schichtanteil wird unter denselben Bedingungen wie der I-Schichtanteil ausgebildet, nur daß dabei Antimon gleichzeitig mit Silizium aufgedampft wird. Das Erhitzen von Silizium erfolgt mittels eines Elektronenrohrs, während Aluminium und Antimon mittels eines Widerstandsheizelements erhitzt werden.
  • In der NIP-Typ-Halbleiterschicht sind die Schichten in der Reihenfolge N-, I- und P-Schichtanteil laminiert.
  • Die erwähnte Elektrodenschicht wird nach dem Bedampfungsverfahren unter den folgenden Bedingungen hergestellt: Erhitzung von In203 und SnO2 Eine Tablette aus In20# und SnO2 (Gewichtsverhalt# nis 97:3) wird mittels eines Elektronenrohrs erhitzt Trägerelernenttemperatur 28000 Schichtbildungsgeschwindigkeit 0,1 nm/s Eingesetztes Gas Druck 1 Z 133x10 4 Pa.
  • Die hergestellte Elektrodenschicht besitzt eine Dicke von 30 nm.
  • Eine Prüfung der Solarzelle mit dem vorstehend beschriebenen Aufbau auf ihren Umwandlungswirkungsgrad ergibt einen zufriedenstellenden Wert von etwa 3 %.
  • Beispiel 2 Beispiel 1 wird mit der Abwandlung wiederholt, daß eine Entspannungsschicht 2 aus Aluminium mit einer Dicke von 6 ,um bei der herzustellenden Solarzelle verwendet wird.
  • Die so hergestellte Solarzelle besitzt einen zufriedenstellenden Umwandlungswirkungsgrad von etwa 4 %.
  • Beispiel 3 Big. 7 zeigt eine andere Ausführungsform einer Solarzelle, die in der Weise hergestellt wird, daß eine transparente Elektrodenschicht (ITO-Schicht) 5 aus In2O3 und SnO2 mit einer Dicke von 30 nm auf einem Substrat bzw. Trägerelement 1 mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 34 x 10-7/OC und einer Dicke von 100 llm, ggf. unter Zwischenfügung einer Fremdatomdiffusions-Sperrschicht 4 aus z.B. Siliziumdioxid, angeordnet, auf der Elektrodenschicht 5 die PIN-Typ-a-Silizium-Halbleiterschicht 3 mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 19 x 10-7/OC und einer Dicke von 1 µm ausgebildet und sodann auf der Halbleiterschicht 3 die Entspannungsschicht 2 aus Aluminium und mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von 290 x 10-7/°C sowie einer Dicke von 0,2 µm vorgesehen wird.
  • Die Ausbildung der Elektrodenschicht 5 erfolgt auf dieselbe Weise wie in Beispiel 1. Die a-Silizium-Halbleiterschicht 3 des PIN-Typs wird in derselben Weise wie in Beispiel 1, jedoch in der Schichtreihenfolge p, I und N ausgebildet.
  • Die Solarzelle mit diesem Aufbau zeigt einen zufriedenstellenden Umwandlungswirkungsgrad von etwa 3,2 %.
  • Beispiel 4 Auf dieselbe Weise wie in Beispiel 3, nur mit dem Unterschied, daß die Dicke der Entspannungsschicht 2 aus Aluminium von 0,2 ,um auf 2,5 Cim geändert wird, wird eine Solarzelle hergestellt.
  • Die so hergestellte Solarzelle besitzt einen zufriedenstellenden Umwandlungswirkungsgrad von etwa 4 %.
  • Wie vorstehend im einzelnen erläutert, können erfindungsgemäß in einer a-Silizium-Halbleiterschicht auftretende (mechanische) Spannungen erfolgreich verringert und damit eine Halbleitervorrichtung aus amorphem Silizium mit zufriedenstellenden Eigenschaften zur Verfügung gestellt werden.
  • Leerseite

Claims (8)

  1. PATENTÄNS#3UCHE Raibleitervorrichtung aus amorphem Silizium, dadurch gekennzeichnet, daß sie ein Substrat bzw.
    Trägerelement (1) und ein auf diesem angeordnetes Laminat aus einer Entspannungsschicht (2) und einer Halbleiterschicht (3) aus amorphem Silizium aufweist und daß dann, wenn die thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Trägerelement (1), Sntspannungsschicht (2) und Halbleiterschicht (3) aus amorphem Silizium als a19 a2 bzw. a3 ausgedrückt werden, a2 einer der beiden folgenden Beziehungen (1) und (2) genügt: (1): α3 < α1 < α2, wenn α3 < α1, und (2): α2 < α1 < α3, wenn α1 < α3.
  2. 2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Entspannungsschicht (2) zwischen dem Trägerelement (1) und der Halbleiterschicht (3) aus amorphem Silizium bzw. der a-Silizium-Halbleiterschicht ausgebildet ist.
  3. 3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Entspannungsschicht (2) auf der auf dem Trägerelement (1) vorgesehenen a-Silizium-Halbleiterschicht (3) ausgebildet ist.
  4. 4. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägerele- ment (1) aus einem Glas mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von nicht weniger als 31 x 10 7/ob hergestellt ist.
  5. 5. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägerele ment (1) aus einem Keramikmaterial mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von nicht weniger als 31 X 10 7/oC hergestellt ist.
  6. 6. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägerelement (1) aus rostfreiem Stahl mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von nicht weniger als 60 x 10 7/ob hergestellt ist.
  7. 7. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägerelement (1) aus einem Aluminium als Hauptbestandteil enthaltenden Metall (werkstoff) mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von nicht weniger als 200 x 1017/ob hergestellt ist.
  8. 8. Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägerelement (1) aus einem rostfreien Stahl und Aluminium enthaltenden Metall (werkstoff) mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von nicht weniger als 30 x 10 7/°C hergestellt ist.
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