JPS5895866A - 光トリガ・スイツチング素子 - Google Patents
光トリガ・スイツチング素子Info
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- JPS5895866A JPS5895866A JP56192848A JP19284881A JPS5895866A JP S5895866 A JPS5895866 A JP S5895866A JP 56192848 A JP56192848 A JP 56192848A JP 19284881 A JP19284881 A JP 19284881A JP S5895866 A JPS5895866 A JP S5895866A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
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- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/111—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors
- H01L31/1113—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by at least three potential barriers, e.g. photothyristors the device being a photothyristor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はｐｎｐｎの４層からなる光トリガ・スイッチン
グ素子の光点弧感度の改良に関する。
グ素子の光点弧感度の改良に関する。
光トリガ信号でスイッチングする素子は、第１図に示す
ようにｐＫ ＋ ｎＢ ＋ ｐＢ １ ”Ｅの連続した
４層領域を具える半導体基体１と、一方の主表面１１に
おいてｎｙ、層及びＩ）８層の露出面に接触したカソー
ド電極２と、他方の主表面１２においてｐＫ層の露出面
に接触したアノード電極３と、一方の主表面１１のｎｙ
、層のカソード電極２が形成されていない面に光トリガ
信号を照射する手段４とから成っている。
ようにｐＫ ＋ ｎＢ ＋ ｐＢ １ ”Ｅの連続した
４層領域を具える半導体基体１と、一方の主表面１１に
おいてｎｙ、層及びＩ）８層の露出面に接触したカソー
ド電極２と、他方の主表面１２においてｐＫ層の露出面
に接触したアノード電極３と、一方の主表面１１のｎｙ
、層のカソード電極２が形成されていない面に光トリガ
信号を照射する手段４とから成っている。
第１図、の構成ではＩ）８層の厚みがｎＥ層の下側で一
様となっている。この９１１層の厚みはスイッチング素
子の順方向阻止電圧の大きさに略比例して決まる。一方
点弧に必要な光トリガ信号の大きさはｐＢ層の厚みに比
例して決まる。したがって、第１図の構成では、耐圧が
高くなると、それと比例して光トリガ信号が大きくなる
という欠点がある。
様となっている。この９１１層の厚みはスイッチング素
子の順方向阻止電圧の大きさに略比例して決まる。一方
点弧に必要な光トリガ信号の大きさはｐＢ層の厚みに比
例して決まる。したがって、第１図の構成では、耐圧が
高くなると、それと比例して光トリガ信号が大きくなる
という欠点がある。
本発明の目的は、上記の欠点を除去し、耐圧の影４１を
受けず常に略一定大きさの光トリガ信号でかつ高点低感
度でスイッチングし得る改良され光トリガ・スイッチン
グ素子を提供することにある。
受けず常に略一定大きさの光トリガ信号でかつ高点低感
度でスイッチングし得る改良され光トリガ・スイッチン
グ素子を提供することにある。
かかる目的を奏する本発明光トリガ・スイッチング素子
の特徴とするところは、光トリガ信号を照射する側に近
い中間層の光トリガ信号照射個所に対応する部分の厚さ
を他の部分より薄くした点にある。
の特徴とするところは、光トリガ信号を照射する側に近
い中間層の光トリガ信号照射個所に対応する部分の厚さ
を他の部分より薄くした点にある。
以下、本発明を実施例として示した図面に基づいて、説
明する。
明する。
第２図及び第３図において、１は互いに反対ｆ１１１に
位置する一対の主表面１１．１２間にｎｌ。
位置する一対の主表面１１．１２間にｎｌ。
ｐＢ、ｎ、、 ｐｇの連続した４層を肩する半導体基体
、２は一方の主表面１１においてｎｉ層露出面の中央部
を除く個所及びＩ）８層の露出面に低抵抗接触したカソ
ード電極、３は他方の主表面１２においてＩ）Ｅ層の露
出面に低抵抗接触したアノード電極、４は光トリガ信号
を照射する手段である。
、２は一方の主表面１１においてｎｉ層露出面の中央部
を除く個所及びＩ）８層の露出面に低抵抗接触したカソ
ード電極、３は他方の主表面１２においてＩ）Ｅ層の露
出面に低抵抗接触したアノード電極、４は光トリガ信号
を照射する手段である。
５は一方の主表面１１の光トリガ信号の照射個所に対応
する個所において、ｎＢ層の一部ｆ：ｐＢ層を貫通して
１ｇ層に達するまで突出させたチャネル領域である。こ
のチャネル領域５は第４図に示すように、アノード電極
・カソード電極間の定格の順方向印加電圧でｎ１層とＩ
）ａ層間に形成されるｐｎ接合が逆バイアスされる時に
、全領域が空乏層化されてピンチオフ状態になるような
幅Ｗに形成されている。空乏層は６で示す。このように
形成すれば、ｎ１層とｎ１層が接しても空乏層により電
気的に隔離されるので、負荷電流ｉＬが流れる心配はな
い。次にスイッチング動作を説明する。手段４により、
光トリガ信号をｎＥ層の露出表面に照射すると光はｎｙ
Ｈ層を通りチャネル領域５に入射する。この結果光の量
子数に比例した電子−正孔対がチャネル領域５に発生し
、チャネル領域を含むｐｖ、ｎｕ １ｇダイオード領域
が低インピーダンス状態となって、ダイオード電流が流
れるようになる。さらに引続いて、このダイオード電流
により、チャネル領域５周辺部のｐＥｎＢ ｐｓ ｎｚ
４層領域がターンオンし、負荷電流の流れる導通領域が
広くなる。第２図及び第３図に示す構造の素子では、０
１１層に形成されている空乏層がチャネル領域５ではｎ
１層に接しているため、光入射面からこの空乏層までの
距離をｎＥ層の厚みまで、すなわち最小約２〜３μｍ程
度まで小さくできる。
する個所において、ｎＢ層の一部ｆ：ｐＢ層を貫通して
１ｇ層に達するまで突出させたチャネル領域である。こ
のチャネル領域５は第４図に示すように、アノード電極
・カソード電極間の定格の順方向印加電圧でｎ１層とＩ
）ａ層間に形成されるｐｎ接合が逆バイアスされる時に
、全領域が空乏層化されてピンチオフ状態になるような
幅Ｗに形成されている。空乏層は６で示す。このように
形成すれば、ｎ１層とｎ１層が接しても空乏層により電
気的に隔離されるので、負荷電流ｉＬが流れる心配はな
い。次にスイッチング動作を説明する。手段４により、
光トリガ信号をｎＥ層の露出表面に照射すると光はｎｙ
Ｈ層を通りチャネル領域５に入射する。この結果光の量
子数に比例した電子−正孔対がチャネル領域５に発生し
、チャネル領域を含むｐｖ、ｎｕ １ｇダイオード領域
が低インピーダンス状態となって、ダイオード電流が流
れるようになる。さらに引続いて、このダイオード電流
により、チャネル領域５周辺部のｐＥｎＢ ｐｓ ｎｚ
４層領域がターンオンし、負荷電流の流れる導通領域が
広くなる。第２図及び第３図に示す構造の素子では、０
１１層に形成されている空乏層がチャネル領域５ではｎ
１層に接しているため、光入射面からこの空乏層までの
距離をｎＥ層の厚みまで、すなわち最小約２〜３μｍ程
度まで小さくできる。
したがって、光源からの減衰を少なくして、チャネル領
域５に入射できるので、素子を導通状態にするに必要な
光エネルギを少なくできる特徴がある。またチャネル領
域５を含むｐｇｆｌ’ｉｎｇダイオード領域を４層構造
であるＩ）Ｅ ｎｎ ｐＢ ｎｗ領領域場合に比較して
約１７２以上速くターンオンできる特徴がある。何故な
らば、ｎＢ層が高電界であるチャネル領域５によりｎ１
層に接触しているので、光により空乏層内に発生した電
子、正孔の１）を層及びｎ１層方向への走行時間が、ｐ
ｚ ｎｕ ｐｉ＋ ｎｒ；サイリスタの場合に比較して
Ｉ）ａ層内での走行時間だけ速くなるからである。、上
述した効果は、厚いＩ）８層を必要とする従来の高耐圧
素子の場合に比較して、著しく大きくなる。
域５に入射できるので、素子を導通状態にするに必要な
光エネルギを少なくできる特徴がある。またチャネル領
域５を含むｐｇｆｌ’ｉｎｇダイオード領域を４層構造
であるＩ）Ｅ ｎｎ ｐＢ ｎｗ領領域場合に比較して
約１７２以上速くターンオンできる特徴がある。何故な
らば、ｎＢ層が高電界であるチャネル領域５によりｎ１
層に接触しているので、光により空乏層内に発生した電
子、正孔の１）を層及びｎ１層方向への走行時間が、ｐ
ｚ ｎｕ ｐｉ＋ ｎｒ；サイリスタの場合に比較して
Ｉ）ａ層内での走行時間だけ速くなるからである。、上
述した効果は、厚いＩ）８層を必要とする従来の高耐圧
素子の場合に比較して、著しく大きくなる。
第５図は、ｎＢ層の不純物濃度がｌ Ｘ Ｉ Ｑ１４ｃ
Ｗ１−”、厚みが５μｍ１チヤネル領域５の幅が２μｍ
でチャネル領域５の長さが７．５μｍと１０μｍの場合
、アノード電極・カソード電極間に６５Ｖの電圧を印加
した状態でのチャネル領域５の中心部を通る電位分布を
、半導体の基本方程式（ボアノン方程式、キャリヤの流
れの連続式］を数値計算して解き、求めた結果である。
Ｗ１−”、厚みが５μｍ１チヤネル領域５の幅が２μｍ
でチャネル領域５の長さが７．５μｍと１０μｍの場合
、アノード電極・カソード電極間に６５Ｖの電圧を印加
した状態でのチャネル領域５の中心部を通る電位分布を
、半導体の基本方程式（ボアノン方程式、キャリヤの流
れの連続式］を数値計算して解き、求めた結果である。
チャネル領域５内に負の電位の山すなわちｎＥ層からｎ
、層へ流れる電子に対する障壁が形成されており、阻止
状態になっている。この障壁はチャネル領域の幅を狭く
することにより、またチャネル領域を長くすることによ
り、高くなる。
、層へ流れる電子に対する障壁が形成されており、阻止
状態になっている。この障壁はチャネル領域の幅を狭く
することにより、またチャネル領域を長くすることによ
り、高くなる。
第６図は、第５図の場合に対応する順方向阻止特性であ
る。チャネル領域の長さが１０μｍの場合、アノード電
極・カソード屯極間印加電圧ＶＡＫ＝１５０Ｖでのリー
ク電流は１．２Ｘ１０−７Ａ／ｃ−であり非常に小さい
。チャネル領域の長さが７．５μｍでｕ３Ｘ１０−’Ａ
／ｃｒｒ？であり小さい。このように第２図及び第３図
の構造より目標の耐圧が得られかつ光点弧感度の高い高
速光トリガスイッチング素子を実現できる。
る。チャネル領域の長さが１０μｍの場合、アノード電
極・カソード屯極間印加電圧ＶＡＫ＝１５０Ｖでのリー
ク電流は１．２Ｘ１０−７Ａ／ｃ−であり非常に小さい
。チャネル領域の長さが７．５μｍでｕ３Ｘ１０−’Ａ
／ｃｒｒ？であり小さい。このように第２図及び第３図
の構造より目標の耐圧が得られかつ光点弧感度の高い高
速光トリガスイッチング素子を実現できる。
第７図は、本発明の他の実施例である。この実施例では
、第２図及び第３図に示す実施例において、チャネル領
域５とｎｙ層との間にｐＢ層よりも薄いｐ型半導体層７
を形成したことを特徴としている。この９層７ｆ：設け
ることにより、チャネル領域５０幅を広くしても、また
ｐＢ層の厚みを博くしても、目標の耐圧が得られる。し
たがって、この実施例は、チャネル領域の幅を広くして
、有効な光入射面積を広くする場合、或はｐＢ層を薄く
する場合に適している。
、第２図及び第３図に示す実施例において、チャネル領
域５とｎｙ層との間にｐＢ層よりも薄いｐ型半導体層７
を形成したことを特徴としている。この９層７ｆ：設け
ることにより、チャネル領域５０幅を広くしても、また
ｐＢ層の厚みを博くしても、目標の耐圧が得られる。し
たがって、この実施例は、チャネル領域の幅を広くして
、有効な光入射面積を広くする場合、或はｐＢ層を薄く
する場合に適している。
第８図は、第７図の実施例において、Ｉ）１１層の厚み
を５μｍ１表面不純物濃度をＩ Ｘ １０’ ａｃｍ−
’、ｎＢ層の厚みを５μｍ、不純物濃度をＩ×１０１４
ｃｒｎ−３，９層７の厚みを２μｍ、表面不純物＃に度
を５ｙＸ１０１５ｃｒＩＴ″′３ とした場合の順方向
阻止特性の一例である。チャネル領域５の長さを５μｍ
と短かくしても、チャネル領域５の幅が２μｍでは１５
０ｖを阻止できる。またチャネル領域５の幅を１１μｍ
と広くしても１ ’００ Ｖを阻止できる。この場合９
層７の厚みが２μｍと薄いので光源４からの光は途中で
減衰することなくチャネル領域５に入射する。またｐ層
が２μｍと薄いので、ｐｖ、 ｎｎ ｐＢ ｎＥの４層
領域を点弧するに必要な光の強度を小さくできる。この
効果は、ｐＢ層を厚くする必要のある高耐圧スイッチン
グ素子の場合に、非常に大きい。例えば、ｐＢ層のライ
フタイムが０．５μｓの場合％Ｉ）８層の厚みが１００
μｍから３０μｍＫ薄くなると、最小点弧光入力は１／
６に減少する。
を５μｍ１表面不純物濃度をＩ Ｘ １０’ ａｃｍ−
’、ｎＢ層の厚みを５μｍ、不純物濃度をＩ×１０１４
ｃｒｎ−３，９層７の厚みを２μｍ、表面不純物＃に度
を５ｙＸ１０１５ｃｒＩＴ″′３ とした場合の順方向
阻止特性の一例である。チャネル領域５の長さを５μｍ
と短かくしても、チャネル領域５の幅が２μｍでは１５
０ｖを阻止できる。またチャネル領域５の幅を１１μｍ
と広くしても１ ’００ Ｖを阻止できる。この場合９
層７の厚みが２μｍと薄いので光源４からの光は途中で
減衰することなくチャネル領域５に入射する。またｐ層
が２μｍと薄いので、ｐｖ、 ｎｎ ｐＢ ｎＥの４層
領域を点弧するに必要な光の強度を小さくできる。この
効果は、ｐＢ層を厚くする必要のある高耐圧スイッチン
グ素子の場合に、非常に大きい。例えば、ｐＢ層のライ
フタイムが０．５μｓの場合％Ｉ）８層の厚みが１００
μｍから３０μｍＫ薄くなると、最小点弧光入力は１／
６に減少する。
このように本発明では、薄いｐ層゛７をチャネル領域５
上に設け、チャネル領域５をアノード電極・カソード電
極間電圧でピンチオフ状態とすることにより、光点弧感
度の大きい高耐圧スイッチング素子を実現できる。
上に設け、チャネル領域５をアノード電極・カソード電
極間電圧でピンチオフ状態とすることにより、光点弧感
度の大きい高耐圧スイッチング素子を実現できる。
第９図及び第１０は、第２図及び第３図に示すスイッチ
ング素子を同一の半導体基板内に多数並列配置した場合
の一例である。チャネル領域５を広くして、光点弧によ
るターンオン領域が広くなるようにしである。この目的
′のためには−カソード電極側から見たチャネル領域５
のパターンは円状、放射状、或はその他任意の形状にで
きる。
ング素子を同一の半導体基板内に多数並列配置した場合
の一例である。チャネル領域５を広くして、光点弧によ
るターンオン領域が広くなるようにしである。この目的
′のためには−カソード電極側から見たチャネル領域５
のパターンは円状、放射状、或はその他任意の形状にで
きる。
第１１図及び第１２図は本発明の他の実施例である。第
９図及び第１０図の実施例と比べて、カソード電極２の
構造が異なるのみである。この実施例では、ｎ１層の中
央部の全表面にカソード電極２が接続されていない。光
がチャネル領域５を囲んでいるｐｚ ｎａ ｐｌｌ 、
ｎｚ ４層領域にも入射するので、この４層領域が速く
ターンオンする。したがって、立ち上りの速い電流をス
イッチング素子に流すことができる。
９図及び第１０図の実施例と比べて、カソード電極２の
構造が異なるのみである。この実施例では、ｎ１層の中
央部の全表面にカソード電極２が接続されていない。光
がチャネル領域５を囲んでいるｐｚ ｎａ ｐｌｌ 、
ｎｚ ４層領域にも入射するので、この４層領域が速く
ターンオンする。したがって、立ち上りの速い電流をス
イッチング素子に流すことができる。
第１３図は、本発明の他の実施例である。第２自及び第
３図に示す実施例を増幅形ゲート方式を採用したスイッ
チング素子の補助スイッチング素子部分子ｈムに応用し
た一例である。ＴｈＭは主スイツチング素子である。光
点弧感度の大きい、しかもターンオン時の順電流上昇率
耐量の大きい光トリガ・スイッチング装置を実現できる
。
３図に示す実施例を増幅形ゲート方式を採用したスイッ
チング素子の補助スイッチング素子部分子ｈムに応用し
た一例である。ＴｈＭは主スイツチング素子である。光
点弧感度の大きい、しかもターンオン時の順電流上昇率
耐量の大きい光トリガ・スイッチング装置を実現できる
。
第１４図は、第７図に示す実施例を、増幅形ゲート方式
を一採用・したスイッチング素子の補助スイッチング素
子部分子ｈＡとして使用した場合である。第１３図の場
合と同様な効果が得られる。さらに、第９図及び第１０
図並びに第１１図及び第１２図の実施例を増幅形ゲート
方式を採用した素子の補助素子部分として利用すること
により、ターンオン時の順電流上昇率耐量の大きい光ト
リガ・スイッチング装置を実現でキル。
を一採用・したスイッチング素子の補助スイッチング素
子部分子ｈＡとして使用した場合である。第１３図の場
合と同様な効果が得られる。さらに、第９図及び第１０
図並びに第１１図及び第１２図の実施例を増幅形ゲート
方式を採用した素子の補助素子部分として利用すること
により、ターンオン時の順電流上昇率耐量の大きい光ト
リガ・スイッチング装置を実現でキル。
なお、光源４の代りに、γ線、α線等の電子−正孔対発
生源を用いた場合も同様な効果が得られることは云うま
でもない。
生源を用いた場合も同様な効果が得られることは云うま
でもない。
第１図は従来の光トリガ・スイッチング素子の概略断面
図、第２図は本発明光トリガ・スイッチング素子の一実
施例を示す概略平面図、第３図は第２図の■−■線に沿
う断面図、第４図は第３図の素子の阻止状態での断面図
、第５図は第４図のチャネル領域の中心部を通る電位分
布図、第６図は第２図及び第３図の素子の順方向阻止特
性図、第７図は本発明の他の実施例を示す断面図、第８
図は第７図の素子の順方向阻止特性図、第９図は本発明
の別な実施例を示す平面図、第１０図は第９図のｘ−Ｘ
線に沿う断面図、第１１図は本発明の更に他の実施例を
示す平面図、第１２図は第１１図の刈−ＸＪｉａに沿う
断面図、第１３図は本発明の更に別の実施例を示す断面
図、第１４図は本発明の異なる実施例を示す断面図であ
る。 １・・・半導体基体、２・・・カソード電極、３・・・
アノード電極、４・・・光トリガ信号の照射手段、５・
・・チャ第 １ 区 第 ２′ 図 第 ６ 閉 →アノード電圧ＶＡに（Ｖ） 第 ７ 図 第 ８ ロ 第 ９ ｍ ￥！； １０ Ｉｎ ＄ｌｌ 図 第１２図
図、第２図は本発明光トリガ・スイッチング素子の一実
施例を示す概略平面図、第３図は第２図の■−■線に沿
う断面図、第４図は第３図の素子の阻止状態での断面図
、第５図は第４図のチャネル領域の中心部を通る電位分
布図、第６図は第２図及び第３図の素子の順方向阻止特
性図、第７図は本発明の他の実施例を示す断面図、第８
図は第７図の素子の順方向阻止特性図、第９図は本発明
の別な実施例を示す平面図、第１０図は第９図のｘ−Ｘ
線に沿う断面図、第１１図は本発明の更に他の実施例を
示す平面図、第１２図は第１１図の刈−ＸＪｉａに沿う
断面図、第１３図は本発明の更に別の実施例を示す断面
図、第１４図は本発明の異なる実施例を示す断面図であ
る。 １・・・半導体基体、２・・・カソード電極、３・・・
アノード電極、４・・・光トリガ信号の照射手段、５・
・・チャ第 １ 区 第 ２′ 図 第 ６ 閉 →アノード電圧ＶＡに（Ｖ） 第 ７ 図 第 ８ ロ 第 ９ ｍ ￥！； １０ Ｉｎ ＄ｌｌ 図 第１２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、隣接する層が異なる導電型を有するように形成され
たｐｎｐｎの連続した４層を備える半導体基体と、半導
体基体表面において、それぞれ少なくとも外側層に低抵
抗接触した一対の電極と、一対の電極間をスイッチング
させるための光トリガ信号を半導体基体表面に照射する
手段とを有するものにおいて、一方の中間層内に他方の
中間層と同じ導電型を有し、一端が他方の中間層に連ら
なり他端が一方の中間層を通り一方の外側層に延びる所
定幅を有するチャネル領域を形成し、一方の外側層表面
のチャネル領域に対応する個所に光トリガ信号を照射す
ることを特徴とする光トリガ・スイッチング素子。 ２、特許請求の範囲第１項において、チャネル領域の他
端が一方の外側層に接していることを特徴とする光トリ
ガ・スイッチング素子。 ３、特許請求の範囲第１項或いは第２項において、チャ
ネル領域の幅を、一方の中間層と他方の中間層との間の
ｐｎｎ金合金定格電圧逆バイアスした時に形成される空
乏層でピンチオフするような寸法としたことを特徴とす
る光トリガ・スイッチング素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192848A JPS5895866A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 光トリガ・スイツチング素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192848A JPS5895866A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 光トリガ・スイツチング素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5895866A true JPS5895866A (ja) | 1983-06-07 |
| JPH026232B2 JPH026232B2 (ja) | 1990-02-08 |
Family
ID=16297974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56192848A Granted JPS5895866A (ja) | 1981-12-02 | 1981-12-02 | 光トリガ・スイツチング素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5895866A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0230278A2 (de) * | 1986-01-24 | 1987-07-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Thyristor mit integrierter Stromversorgung für eine zugeordnete Schaltungseinheit und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US5804841A (en) * | 1995-05-17 | 1998-09-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical trigger thyristor and fabrication method |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5320885A (en) * | 1976-08-11 | 1978-02-25 | Semiconductor Res Found | Electrostatic induction type semiconductor device |
| JPS543481A (en) * | 1977-06-10 | 1979-01-11 | Hitachi Ltd | Field effect type semiconductor switching element |
| JPS5460881A (en) * | 1977-10-24 | 1979-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | Optical action type semiconductor device |
| JPS54106176A (en) * | 1978-02-08 | 1979-08-20 | Hitachi Ltd | Field effect switching element |
| JPS55123165A (en) * | 1979-03-15 | 1980-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS55128870A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-06 | Semiconductor Res Found | Electrostatic induction thyristor and semiconductor device |
-
1981
- 1981-12-02 JP JP56192848A patent/JPS5895866A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5320885A (en) * | 1976-08-11 | 1978-02-25 | Semiconductor Res Found | Electrostatic induction type semiconductor device |
| JPS543481A (en) * | 1977-06-10 | 1979-01-11 | Hitachi Ltd | Field effect type semiconductor switching element |
| JPS5460881A (en) * | 1977-10-24 | 1979-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | Optical action type semiconductor device |
| JPS54106176A (en) * | 1978-02-08 | 1979-08-20 | Hitachi Ltd | Field effect switching element |
| JPS55123165A (en) * | 1979-03-15 | 1980-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS55128870A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-06 | Semiconductor Res Found | Electrostatic induction thyristor and semiconductor device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0230278A2 (de) * | 1986-01-24 | 1987-07-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Thyristor mit integrierter Stromversorgung für eine zugeordnete Schaltungseinheit und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US5804841A (en) * | 1995-05-17 | 1998-09-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical trigger thyristor and fabrication method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH026232B2 (ja) | 1990-02-08 |
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