JP2937100B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はアバランシェ機構のブレ
−クダウンを利用するＰＮ接合を含む半導体装置。

【０００２】

【従来の技術】図１は従来の２方向性２端子サイリスタ
を示す。これはＰ形の第１の半導体領域１、Ｎ形の第２
の半導体領域２、Ｐ形の第３の半導体領域３、Ｎ形の第
４の半導体領域４、Ｐ形の第５の半導体領域５を備え、
第１、第２、第３及び第４の半導体領域１、２、３、４
から構成される第１のサイリスタと、第１、第２、第４
及び第５の半導体領域１、２、４、５から構成される第
２のサイリスタとが並列接続された複合素子である。

【０００３】図１の２方向性２端子サイリスタに、第１
の電極６の電位を第２の電極７の電位よりも高くする電
圧を印加した場合、第１の半導体領域１と第２の半導体
領域２との界面に形成されるＰＮ接合８が逆方向にバイ
アスされる。ここで、この印加電圧がＰＮ接合８のブレ
ークダウン電圧を越えるとブレ−クオ−バ電流がサイリ
スタをトリガ−し第１のサイリスタが導通する。

【０００４】また、第２の電極７の電位を第１の電極６
の電位よりも高くする電圧を印加した場合、第１の半導
体領域１と第４の半導体領域４との界面に形成されるＰ
Ｎ接合９が逆方向にバイアスされる。ここで、この印加
電圧がＰＮ接合９のブレークダウン電圧を越えるとブレ
−クオ−バ電流がサイリスタをトリガ−し第２のサイリ
スタが導通する。結果として双方向にサイリスタ動作す
る。

【０００５】この種の２方向性２端子サイリスタをファ
ンヒータの点火装置等に使用する場合がある。このよう
な場合、第１のサイリスタと第２のサイリスタの内のど
ちらか一方又は両方のブレークオーバー電圧が長期に亘
って経時変化しないことが要望される。図１に示す２方
向性２端子サイリスタでは保護膜１０、１１に安定性の
高いリンガラス等を使用した場合においても半導体基板
表面の安定性を長期に亘って良好に保持することは困難
である。このため、上記要望を十分に満足することがで
きなかった。また、エネルギ−ロスを小さくするためオ
ン電圧の小さいサイリスタが要求されている。

【０００６】上述のような欠点を解決するために本件出
願人は特願平５−８５４８９号（特開平６−２７５８１
９号）によって図２に示す２方向性２端子サイリスタを
提案した。この２端子サイリスタは、Ｐ形の第１の半導
体領域２１、Ｎ形の第２の半導体領域２２、Ｐ形の第３
の半導体領域２３、Ｐ形の第４の半導体領域２４、Ｎ形
の第５の半導体領域２５、Ｐ形の第６の半導体領域２６
及びＰ形の等電位リング用半導体領域２７を有する。第
３、第４、第６及び第７の半導体領域２３、２４、２
６、２７は第１の半導体領域２１よりも高い不純物濃度
を有している。

【０００７】第２の半導体領域２２は半導体基板の一方
の主面に露出しており、平面環状に形成されている。第
３の半導体領域２３は半導体基板の一方の主面に露出し
ており、第２の半導体領域２２の内側に環状に形成され
ている。第２及び第３の半導体領域２２、２３は、半導
体基板の一方の主面に形成された絶縁性保護膜２８に設
けられた開口２９を通じて第１の電極３０に接続され基
板表面で電気的に短絡されている。

【０００８】第４の半導体領域２４は、半導体基板の中
央に配され、第２の半導体領域２２に隣接して包囲され
ている。第４の半導体領域２４は基板表面に露出する
が、その上面には保護用絶縁膜２８が形成されており、
第１の電極３０には接続されていない。第１の電極３０
は絶縁膜２８を介して第４の半導体領域２４の上面全体
を覆っている。

【０００９】第５の半導体領域２５は、第１の半導体領
域２１に対して第２の半導体領域２２とは反対側におい
て隣接している。第５の半導体領域２５は基板の他方の
主面に露出しており、第２の電極３１に電気的に接続さ
れている。

【００１０】第６の半導体領域２６は基板の他方の主面
の外縁に沿って平面環状に形成されている。第６の半導
体領域２６は、基板の他方の主面に露出して第２の電極
３１に電気的に接続され、基板表面で第５の半導体領域
２５と電気的に短絡されている。平面的に見たとき、第
６の半導体領域２６は第２の半導体領域２２の外縁に沿
ってこれと重なる部分を環状に有している。この環状部
分は開口２９の内側まで延びている。

【００１１】等電位リング用の第７の半導体領域２７は
基板の一方の主面の外縁に沿って平面環状に形成されて
おり、第１の半導体領域２１を介して第２の半導体領域
２２を包囲する。この等電位用の第７の半導体領域２７
は第１の半導体領域２１と同一のＰ形であるが、第１の
半導体領域２１よりも高い不純物濃度を有し、この上面
は基板の一方の主面に露出して絶縁膜２８に被覆されて
いる。

【００１２】次に、この２方向性２端子サイリスタの動
作について説明する。図２の２端子サイリスタは、第
１、第２、第３、第４及び第５の半導体領域２１、２
２、２３、２４、２５から構成される第１のサイリスタ
と、第１、第２、第５及び第６の半導体領域２１、２
２、２５、２６から構成される第２のサイリスタとが逆
並列接続された複合素子である。

【００１３】第１の電極３０と第２の電極３１との間に
第１の電極３０の電位を第２の電極３１のそれよりも大
きくする電圧を印加すると、第１のサイリスタの第１の
半導体領域２１及び第４の半導体領域２４と第２の半導
体領域２２との界面に形成されるＰＮ接合３３及び３４
が逆方向にバイアスされる。この結果、図示のようにＰ
Ｎ接合３３及び３４からそれぞれ第１及び第２の空乏層
３５、３６が広がる。また、第４の半導体領域２４の表
面側には、第１の電極３０の電界効果によって第３の空
乏層３７が広がる。第１の空乏層３５と第２の空乏層３
６と第３の空乏層３７は互いに連続して広がるので、厳
密に区別されるものではない。

【００１４】ここで、第４の半導体領域２４は第１の半
導体領域２１よりも不純物濃度が高く且つ横方向への濃
度勾配がほとんどないから、ＰＮ接合３４から広がる第
２の空乏層３６は図示のように第１の空乏層３５に比べ
て幅の狭い空乏層である。また、第４の半導体領域２４
は拡散によって形成されるから、不純物濃度はその表面
側に向かうにつれ高くなる。しかし、第４の半導体領域
２４の表面には第３の空乏層３７が形成されるから、第
２の空乏層３６のその幅が最も狭くなる部分は第４の半
導体領域２４の表面よりもやや内側に形成される。

【００１５】逆方向電圧がブレークダウン電圧に達する
と、第２の空乏層３６の幅狭部分に臨界電界強度Ｅcrit
を越える部分（電界集中点）が生じて、この部分を引き
金としてブレークダウンが起きる。

【００１６】ブレークダウンが起きると、第２の半導体
領域２２を横方向に流れる電流による電圧降下によって
第２の半導体領域２２と第３の半導体領域２３の界面に
形成されるＰＮ接合が順方向にバイアスされ、第１、第
２、第３及び第４の半導体領域２１、２２、２３、２４
から構成されるトランジスタが導通する。また、第１、
第２、第４及び第５の半導体領域２１、２２、２４、２
５から構成されるトランジスタも導通し、結果として第
１のサイリスタが導通する。

【００１７】第１の電極３０と第２電極３１との間に第
２の電極３１の電位を第１の電極３０の電位よりも高く
する電圧を印加したときは、ｄｖ／ｄｔによって第２の
サイリスタが導通する。

【００１８】この２端子サイリスタによれば、ブレーク
ダウン電圧を決定する第２の空乏層３６が形成される第
４の半導体領域２４の上面全体に第１の電極３０が形成
されている。このため、サイリスタ素子を覆う樹脂封止
体や絶縁膜２８に含まれるイオンによるブレークダウン
電圧の変動が有効に防止されている。また、第１の電極
３０も保護膜として機能する。このため、ブレ−クオ−
バ電圧を長期に亘って一定に保持でき、高い信頼性が得
られる。また、第２のサイリスタが第１のサイリスタを
環状に包囲するように配されており、第２のサイリスタ
を構成する第６の半導体領域２６が平面的にみて第２の
半導体領域２２及び開口２９と重なっている。このた
め、第２の電極３１から第１の電極３０への電流経路が
短くオン電圧を比較的小さくできる。

【００１９】しかしながら、図２のサイリスタはブレ−
クオ−バ電流Ｉ_BOが比較的大きい（３５０μＡ程度）と
いう欠点を有する。これは、第２の半導体領域２２と第
１の半導体領域２１と第５の半導体領域２５によって構
成されるＮＰＮトランジスタの電流増幅率αが小さいた
めである。

【００２０】上述のような欠点を解決するために本件出
願人は更に特願平５−３５０１４７号（特開平７−２０
２１７０号）によって図３に示す２方向性２端子サイリ
スタを提案した。次に、図３の２方向性２端子サイリス
タを説明する。但し、図３において図２と共通する部分
には同一の符号を付してその説明を省略する。図３の２
方向性２端子サイリスタは、第１の半導体領域２１と第
５の半導体領域２５との間のＰＮ接合３９が第４の半導
体領域２４の方向に突出する部分３９ｂを有すること、
及び安定性を向上させるための等電位リングを構成する
導電層４０が等電位リング用半導体領域２７の上に環状
に設けられていることにおいて図２と異なるが、その他
は図２と同一に構成されている。更に詳細には、第５の
半導体領域２５が基板の主面に対して平行なＰＮ接合３
９ａを形成する部分２５ａと基板の中央において第４の
半導体領域２４の方向に椀状に突出するＰＮ接合３９ｂ
を形成する突出部分２５ｂとを有する。なお、椀状のＰ
Ｎ接合３９ｂは第４の半導体領域２４の中心に一致する
ように配置され、且つ第４の半導体領域２４の全部に対
向する大きさを有するが、第２のサイリスタの特性を低
下させないために第６の半導体領域２６よりも内側に配
置されている。また、等電位リング用導電層４０は第７
の半導体領域２７に接続されている。

【００２１】この図３の２方向性２端子サイリスタでは
椀状ＰＮ接合３９ｂを有する第５の半導体領域２５を形
成する際に、まず、基板の底面の中央からＮ形不純物を
深く拡散して椀状領域２５ｂを形成し、次に基板の底面
の全体からＮ形不純物を浅く形成する。この結果、突出
部分２５ｂの基板の底面からのＮ形不純物濃度の分布は
緩やかに傾斜した状態になり、ＰＮ接合３９ｂの近傍に
おける第１の半導体領域２１のＰ形不純物濃度に対して
第５の半導体領域２５の突出部分２５ｂのＮ形不純物濃
度が急峻に変化しない。一方、平行なＰＮ接合３９ａを
形成する部分２５ａのＮ形不純物濃度はＰＮ接合３９ａ
の近くで急峻に変化する。

【００２２】この椀状部分２５ｂを設けたことによっ
て、第１のサイリスタを構成する素子中心側に形成され
た第２の半導体領域２２と第１の半導体領域２１と椀状
部分２５ｂを含む第５の半導体領域２５とから成るＮＰ
Ｎトランジスタのベース幅（第２の半導体領域２２と第
５の半導体領域２５との間隔又は空乏層３５と第５の半
導体領域２５との間隔）が減少する。この結果、このＮ
ＰＮトランジスタの電流増幅率αを増大させることがで
きる。また、図４に示すように椀状部分（中央部分）２
５ｂは周辺部分２５ａに比べてその不純物濃度が第１の
半導体領域２１との界面から離間するにつれて緩やかに
増加する不純物分布を有し、第１の半導体領域２１との
間にいわゆる傾斜接合を形成する。このため、同一の順
バイアスにおいて椀状部分２５ｂと第１の半導体領域２
１の界面に形成されるＰＮ接合３９ｂにおける電流密度
は図５に示すように周辺部分２５ａと第１の半導体領域
２１の界面に形成されるいわゆる階段接合と呼ばれるＰ
Ｎ接合３９ａにおける電流密度よりも大きくなる。この
電流密度の増大効果と上述の電流増幅率の増大効果とが
相俟って、上述のブレークオーバ電流Ｉ_BOを著しく減少
させることができる。

【００２３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図２及び図
３の２方向性２端子サイリスタのいずれにおいても、ブ
レ−クダウン電圧（降伏電圧）が一定し、実働状態にあ
っても長期に恒って変動しないことが要求される。図２
及び図３のサイリスタでは、ブレ−クダウン電圧を決定
する第２の空乏層３６が形成される第４の半導体領域２
４の上面全体に第１の電極３０が形成されているので、
これによってサイリスタ素子を覆う樹脂材や絶縁膜２８
に含まれるイオンによるブレ−クダウン電圧の変動が有
効に防止されるものと期待された。しかしながら、図２
及び図３のサイリスタによって降伏電圧の変動（第２の
半導体領域２２と第４の半導体領域２４によって構成さ
れるＰＮ接合ダイオ−ドの降伏電圧の降伏点の揺れ）は
発生した。この降伏電圧の変動が生じる理由は必ずしも
明確とは言えないが、降伏（アバランシェブレ−クダウ
ン）を引き起こすＰＮ接合ダイオ−ドのＰＮ接合の面積
が小さいことに起因すると思われる。即ち、図２及び図
３のサイリスタにおいては、降伏開始に関係するＰＮ接
合３４が第４の半導体領域２４を環状に包囲する第２の
半導体領域２２の内面側にのみ形成されており、その面
積は極小さい。アバランシェブレ−クダウンを引き起こ
すＰＮ接合の面積が小さいと、ある一定の逆電圧をこの
ＰＮ接合に印加した際にＰＮ接合界面を横切る少数キャ
リアが少なく、それだけアバランシェ降伏を引き起こす
きっかけ（引き金）も減少する。つまり、所望する降伏
電圧でアバランシェ降伏を引き起こす確率が小さくな
る。そこで、本願の目的は高信頼性、低オン電圧を高水
準に維持しつつ降伏電圧を一定化することができる２方
向性２端子サイリスタ機能を有する半導体装置を提供す
ることにある。

【００２４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の発明は、実施例を示す図面の符号を参照して説明する
と、第１の導電形の第１の半導体領域２１と、半導体基
板の一方の主面に露出した上面を除いて前記第１の半導
体領域２１に隣接し、環状の平面形状を有している第２
の導電形の第２の半導体領域２２と、前記半導体基板の
一方の主面に露出した上面を除いて前記第２の半導体領
域２２に隣接し、環状の平面形状を有している第１の導
電形の第３の半導体領域２３と、上面が前記半導体基板
の一方の主面に露出し、下面及び側面がそれぞれ前記第
１の半導体領域２１と前記第２の半導体領域２２に隣接
して包囲されている第１の導電形の第４の半導体領域２
４と、前記第１の半導体領域２１に対して前記第２の半
導体領域２２とは反対側で隣接し、前記半導体基板の他
方の主面から露出している第２の導電形の第５の半導体
領域２５と、前記半導体基板の他方の主面に露出し、環
状の平面形状を有している第１の導電形の第６の半導体
領域２６とを備え、前記第４の半導体領域２４は前記第
１の半導体領域２１よりも不純物濃度が高く、前記第３
の半導体領域２３の前記第４の半導体領域２４側、前記
第２の半導体領域２２の前記第３の半導体領域２３と前
記第４の半導体領域２４の間の部分、及び前記第４の半
導体領域２４の上面には絶縁膜２８が形成されており、
前記第２の半導体領域２２と前記第３の半導体領域２３
は前記絶縁膜２８の上面を覆う第１の電極３０に電気的
に接続されており、前記第５の半導体領域２５及び前記
第６の半導体領域２６は第２の電極３１に電気的に接続
されており、前記第６の半導体領域２６は平面的に見て
前記第２の半導体領域２２の外縁領域と重なる環状領域
を有しており、少なくとも前記第２の半導体領域２２と
前記第４の半導体領域２４との間のＰＮ接合３４に基づ
くアバランシェ降伏発生領域に金又は白金が導入されて
いることを特徴とする２方向性２端子サイリスタに係わ
るものである。なお、請求項２に示すように、前記第５
の半導体領域２５を、前記第１の半導体領域２１と前記
第５の半導体領域２５との間のＰＮ接合３９の前記第４
の半導体領域２４に対向する領域３９ｂが前記第４の半
導体領域２４の方向に突出するように形成することが望
ましい。また、請求項３に示すように、第７の半導体領
域２７と等電位リング用導電層４０を設け、この導電層
４０を第１の半導体領域２１の絶縁膜２８の上に延在さ
せることが望ましい。

【００２５】

【発明の作用効果】各請求項の発明によれば、ＰＮ接合
の近傍のアバランシェ降伏発生領域への金又は白金の導
入によって、アバランシェ降伏電圧の変動を大幅に改善
することができる。この理由は金又は白金がキャリアを
励起させ、このキャリアをアバランシェ降伏を引き起こ
すきっかけとなるキャリア即ち種キャリアとして有効に
機能させるためと考えられる。これを図６の半導体装置
を参照して説明する。金又は白金は空乏層中、Ｐ形半導
体中及びＮ形半導体中にキャリアの励起を助ける準位を
形成し、キャリアを伝導帯に励起するように作用する。
このため、第２の半導体領域２２内のキャリア（電子）
及び第４の半導体領域２４内のキャリア（正孔）の濃度
と、第２の半導体領域２２と第４の半導体領域２４の間
に形成されるＰＮ接合の面積が従来例と同一であり、両
領域２２、２４に存在するキャリアの総数が同一であっ
ても、これらが金又は白金によって励起され易い状態に
あるので、種キャリアの数は従来例に比して増大する。
このため、アバランシェ降伏を起こすＰＮ接合の面積が
図２及び図３のサイリスタと同じであっても、所望する
降伏電圧でアバランシェ降伏を引き起こす確率が増加
し、結果として降伏電圧の変動が抑制される。なお、請
求項２の発明は図２及び図３のサイリスタと同様な作用
効果も有する。即ち、この発明ではブレークダウンを決
定する領域として働く第４の半導体領域２４の上に絶縁
膜２８を介して第１の電極３０が形成されている。この
第１の電極３０は絶縁膜２８や樹脂封止体のイオンによ
るブレークダウン電圧の変動を防止し、ブレ−クオ−バ
電圧の経時変化を小さくする。また、第６の半導体領域
２６を環状に配置し、第２のサリスタが第１のサイリス
タを環状に囲んでいるので、第２のサイリスタのオン電
圧が小さくなる。更に、第１の半導体領域２１と第５の
半導体領域２５とのＰＮ接合３９に突出する部分を設け
ることによってブレ−クオ−バ電流Ｉ_BOを小さくするこ
とができる。半導体領域に対する金又は白金の導入は請
求項３の構成のサイリスタに対して特に有効である。ま
た、請求項３の発明によれば、等電位リング用導電層４
０が絶縁膜２８を介して第１の半導体領域２１の半導体
基板表面を被覆するため、この導電層４０は第１の半導
体領域２１の露出部分を被覆する絶縁膜２８やさらにそ
の上方に形成されるであろう樹脂材等に含まれるイオン
が空乏層３５に与える影響ひいてはこの空乏層３５に繋
がる空乏層３６に与える影響を防止でき、ブレ−クダウ
ン電圧の変動防止に貢献する。

【００２６】

【実施例】次に、図６を参照して本発明の実施例に係わ
る２方向性２端子サイリスタとして機能する半導体装置
を説明する。但し、図６において図２及び図３と実質的
に同一の部分には同一の符号を付してその説明を省略す
る。図６の２端子サイリスタは、少なくとも第２の半導
体領域２２の内周側領域２２ａと第４の半導体領域２４
とのＰＮ接合３４の近傍に金（Ａｕ）が拡散されている
こと、及び安定性を向上させるための等電位リングを構
成する導電層４０が絶縁膜２８を介して第１の半導体領
域２１の半導体基板の上面の露出部分の全部を被覆して
いることにおいて、図３の２端子サイリスタと異なる
が、その他は図３と同一に構成されている。

【００２７】第２の半導体領域２２は、平面的に見て第
４の半導体領域２４を隣接して包囲するように環状に形
成されており、第３の半導体領域２３の内側に配置され
た第１の領域２２ａと第３の半導体領域２３の外側に配
置された第２の領域２２ｂと第３の半導体領域２３の下
方に配置された第３の領域２２ｃとを有する。第１の領
域２２ａは第４の半導体領域２４に隣接しているので、
両者の間のアバランシェブレ−クダウンに関して重要な
領域である。

【００２８】本発明に従う金（Ａｕ）の導入は第２の半
導体領域２２と第４の半導体領域２４のＰＮ接合３４の
近傍領域のみでも差支えないが製造上の関係でこの実施
例では半導体基板のほぼ全部に導入されている。ＰＮ接
合３４の近傍に確実に金を導入するために本実施例では
第４の半導体領域２４が露出している半導体基板の上面
側から金を拡散している。金の拡散係数は十分大きいた
め、これを上面から導入しても半導体基板の全体に拡散
される。なお、金を半導体基板の下面側から導入するこ
とも可能であるし、イオン注入法等で導入することも可
能である。なお、アバランシェ降伏を引き起こすＰＮ接
合近傍での金の濃度は、降伏電圧の変動を防止するうえ
で重要であり、少なすぎても多すぎても本発明の効果を
良好に達成することが困難となる。従って、ＰＮ接合３
４近傍の金濃度５×１０⁹ｃｍ^-3〜１×１０¹⁴ｃｍ^-3の
範囲に設定することが望ましい、即ち、５×１０⁹ｃｍ
^-3未満であると本発明の効果である降伏電圧の変動防止
が十分に達成できなくなる。一方、１×１０¹⁴ｃｍ^-3を
越えるとオン電圧の増大が生じる。このような理由か
ら、本実施例ではＰＮ接合３４の近傍の金の濃度を約１
×１０¹²ｃｍ^-3に設定した。

【００２９】金を上述のように少なくとも第２及び第４
の半導体領域２２、２４のＰＮ接合３４の近傍に導入す
ると、発明の作用効果の説明の欄で述べた作用効果を得
ることができる。

【００３０】

【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 実施例では、キャリア励起のために金を使用し
たが、この代りに白金（Ｐｔ）を使用しても同様な作用
効果を得ることができる。（２） 半導体基板の下面中央に凹部を形成し、この状
態でＮ形不純物を拡散することによって椀状ＰＮ接合３
９ｂを得ることができる。しかし、この場合には第５の
半導体領域２５の中央の椀状部分２５ｂの不純物濃度分
布が平行部分２５ａと同一になり、実施例のような傾斜
接合が得られない。従って、電流密度増大効果の点で実
施例より不利になる。（３） 椀状部分２５ｂの大きさを種々変えることがで
きる。しかし、電流増幅率の増大効果を十分に得るため
に第４の半導体領域２４の中心に一致するように配置
し、且つ平面的に見て第４の半導体領域２４の少なくと
も１／４の面積に重複するような大きさに形成すること
が望ましい。また、第２のサイリスタの特性を低下させ
ないために椀状部分２５ｂを第６の半導体領域２６より
も内側に配置することが望ましい。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の２方向性２端子サイリスタを示す中央縦
断面図である。

【図２】本件出願人が先に提案した従来の２方向性２端
子サイリスタの基本構造を示す中央縦断面図である。

【図３】本件出願人が提案した別の従来の２方向性２端
子サイリスタを示す中央縦断面図である。

【図４】図３の第５の半導体領域２５の椀状部分２５ｂ
と第１の半導体領域２１と接合部分の不純物濃度分布図
である。

【図５】 図３の第５の半導体領域２５の周辺部分２５
ａと第１の半導体領域２１との接合部分の不純物濃度分
布図である。

【図６】本発明の実施例の２方向性２端子サイリスタを
示す中央縦断面図である。

【符号の説明】

２１〜２７ 第１〜第７の半導体領域 ２８ 絶縁膜

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の導電形の第１の半導体領域（２
   １）と、 半導体基板の一方の主面に露出した上面を除いて前記第
   １の半導体領域（２１）に隣接し、環状の平面形状を有
   している第２の導電形の第２の半導体領域（２２）と、 前記半導体基板の一方の主面に露出した上面を除いて前
   記第２の半導体領域（２２）に隣接し、環状の平面形状
   を有している第１の導電形の第３の半導体領域（２３）
   と、 上面が前記半導体基板の一方の主面に露出し、下面及び
   側面がそれぞれ前記第１の半導体領域（２１）と前記第
   ２の半導体領域（２２）に隣接して包囲されている第１
   の導電形の第４の半導体領域（２４）と、 前記第１の半導体領域（２１）に対して前記第２の半導
   体領域（２２）とは反対側で隣接し、前記半導体基板の
   他方の主面から露出している第２の導電形の第５の半導
   体領域（２５）と、 前記半導体基板の他方の主面に露出し、環状の平面形状
   を有している第１の導電形の第６の半導体領域（２６）
   とを備え、前記第４の半導体領域（２４）は前記第１の
   半導体領域（２１）よりも不純物濃度が高く、 前記第３の半導体領域（２３）の前記第４の半導体領域
   （２４）側、前記第２の半導体領域（２２）の前記第３
   の半導体領域（２３）と前記第４の半導体領域（２４）
   の間の部分、及び前記第４の半導体領域（２４）の上面
   には絶縁膜（２８）が形成されており、 前記第２の半導体領域（２２）と前記第３の半導体領域
   （２３）は前記絶縁膜（２８）の上面を覆う第１の電極
   （３０）に電気的に接続されており、 前記第５の半導体領域（２５）及び前記第６の半導体領
   域（２６）は第２の電極（３１）に電気的に接続されて
   おり、 前記第６の半導体領域（２６）は平面的に見て前記第２
   の半導体領域（２２）の外縁領域と重なる環状領域を有
   しており、 少なくとも前記第２の半導体領域（２２）と前記第４の
   半導体領域（２４）との間のＰＮ接合（３４）に基づく
   アバランシェ降伏発生領域に金又は白金が導入されてい
   ることを特徴とする２方向性２端子サイリスタとして機
   能する半導体装置。
2. 【請求項２】 前記第１の半導体領域（２１）と前記第
   ５の半導体領域（２５）との間のＰＮ接合（３９）の前
   記第４の半導体領域（２４）に対向する領域（３９ｂ）
   が前記第４の半導体領域（２４）の方向に突出するよう
   に前記第５の半導体領域（２５）が形成されていること
   を特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 前記第１の半導体領域（２１）の上面を
   環状に囲むように第１の導電形の第７の半導体領域（２
   ７）が設けられ、この第７の半導体領域（２７）の不純
   物濃度は前記第１の半導体領域（２１）の不純物濃度よ
   りも高く設定され、前記第２の半導体領域（２２）と前
   記第７の半導体領域（２７）との間に配置されている前
   記第１の半導体領域（２１）の上面を覆うように絶縁膜
   （２８）が設けられ、この絶縁膜（２８）の上に等電位
   リング用導電層（４０）が設けられ、この導電層（４
   ０）は前記第７の半導体領域（２７）に接続されている
   ことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。