JPS5893230A - 超高真空処理装置 - Google Patents
超高真空処理装置Info
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- JPS5893230A JPS5893230A JP19219781A JP19219781A JPS5893230A JP S5893230 A JPS5893230 A JP S5893230A JP 19219781 A JP19219781 A JP 19219781A JP 19219781 A JP19219781 A JP 19219781A JP S5893230 A JPS5893230 A JP S5893230A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、超高真空処理装置ｆＫ樺り、特に加熱機構と
試料搬送機構とを備えることにより尚温超高真窒処理を
可能にし、良好な半導体装置用基板或いは半導体装置を
実現するようにした超高真空処理装置に関する。
試料搬送機構とを備えることにより尚温超高真窒処理を
可能にし、良好な半導体装置用基板或いは半導体装置を
実現するようにした超高真空処理装置に関する。
発明の妖術的背景とその問題点
近年、シリコンをはじめとする半導体基板上に設けられ
た集積回路デバイスの開発においては、密紅全増大さぞ
、動作速度を速めさぞ、さらには多くの異なる機能、例
えば記憶、演算、感知および表示等の機能を同時に兼ね
備えさせることによって、デバイス性能の同上化がほか
らｎている。そして、このデバイス性能同上化のために
は、杷縁腺上のシリコン単結晶膜（ｓｏｒ ）形成技術
、分子線エピタキシー技術および各種蒸層技術等の新し
い技術が必要とされ、超高輿望下で加熱および冷却しな
がら処理する技術が厘要となっている。
た集積回路デバイスの開発においては、密紅全増大さぞ
、動作速度を速めさぞ、さらには多くの異なる機能、例
えば記憶、演算、感知および表示等の機能を同時に兼ね
備えさせることによって、デバイス性能の同上化がほか
らｎている。そして、このデバイス性能同上化のために
は、杷縁腺上のシリコン単結晶膜（ｓｏｒ ）形成技術
、分子線エピタキシー技術および各種蒸層技術等の新し
い技術が必要とされ、超高輿望下で加熱および冷却しな
がら処理する技術が厘要となっている。
従来、この糧の技術では真空度はせいぜい１０−’ ［
Ｔｏｒｒ ］でめり、そのため酸素、−・イドロカーボ
ンおよび水分等によルエビタキシャル族や蒸着膜は多量
の不純物を含み、膜の特性は悪く再現性に欠けていた。
Ｔｏｒｒ ］でめり、そのため酸素、−・イドロカーボ
ンおよび水分等によルエビタキシャル族や蒸着膜は多量
の不純物を含み、膜の特性は悪く再現性に欠けていた。
このため、半導体デバイス、時に毘集積で高速なデバイ
ス製造技術に利用するには難点がめった◎ 一方、加熱機構を備えた真空処理装置においては、試料
の加熱および冷却の方法が問題となる。装置内に試料を
入れてから加熱する方式では、試料の加熱に要する時間
が無視できず、このため予め予備加熱することが望まし
い。また、冷却においても、真空中で加熱全中断して自
然冷却を灯なうと６００ （℃）前後から室温まで冷却
するのに１０時間以上を袂することがわかった。
ス製造技術に利用するには難点がめった◎ 一方、加熱機構を備えた真空処理装置においては、試料
の加熱および冷却の方法が問題となる。装置内に試料を
入れてから加熱する方式では、試料の加熱に要する時間
が無視できず、このため予め予備加熱することが望まし
い。また、冷却においても、真空中で加熱全中断して自
然冷却を灯なうと６００ （℃）前後から室温まで冷却
するのに１０時間以上を袂することがわかった。
化１図は従来の主チェ／バーのみの加熱シス嗜
テム付き超高真空装置を示す概略構成図でおる。
この装置は主チェンバー１内に試料ステージ２゜加熱ヒ
ーター３．ヒータ３に通電する動力＠４゜ヒータ一部水
冷用・母イノ５、Ｘ−Ｙ移動システム６からなり、主テ
エン・４１の上部には電子銃７、下部には真空ポンプ８
が設けられている。
ーター３．ヒータ３に通電する動力＠４゜ヒータ一部水
冷用・母イノ５、Ｘ−Ｙ移動システム６からなり、主テ
エン・４１の上部には電子銃７、下部には真空ポンプ８
が設けられている。
そして、試料出し入れ目９よジ半導体基板（試料）ＪＯ
を試料ステージ２に米せた後チェノ・９ノ内を真空に引
き、７ＪＯ熱ヒータ３に通電して試料１０を加熱し、試
料１０が適温になったところでア亘−ルを行なうものと
なっている。第２図は試料１０表面の温度の時間変化Ｐ
と真空度の時間変化Ｑとを示す実験データでｂる。この
図から試料１００表面温度が室温から６００〔℃〕にな
るまでには約１時間を要し、アニール開始能な真空度１
０ （Ｔｏｒｒ ）に達するまでに２時間を要する。
を試料ステージ２に米せた後チェノ・９ノ内を真空に引
き、７ＪＯ熱ヒータ３に通電して試料１０を加熱し、試
料１０が適温になったところでア亘−ルを行なうものと
なっている。第２図は試料１０表面の温度の時間変化Ｐ
と真空度の時間変化Ｑとを示す実験データでｂる。この
図から試料１００表面温度が室温から６００〔℃〕にな
るまでには約１時間を要し、アニール開始能な真空度１
０ （Ｔｏｒｒ ）に達するまでに２時間を要する。
すなわち、アニール開始までに２時間が必要でオフ、半
導体装置の生産コスト上大きなロスがあると考えら詐る
。第３図はアニール後の試料表面温度変化を示す図であ
るが、通電をストップしても、試料ステージ等の熱容量
が大きく、しかも真空中での熱伝導が余り期待できない
ために、１０時間以上を必要とする。
導体装置の生産コスト上大きなロスがあると考えら詐る
。第３図はアニール後の試料表面温度変化を示す図であ
るが、通電をストップしても、試料ステージ等の熱容量
が大きく、しかも真空中での熱伝導が余り期待できない
ために、１０時間以上を必要とする。
このため、本装置金半導体装置生産ラインに使うことは
ほとんど不可能でるる。
ほとんど不可能でるる。
発明の目的
本発明の目的は、超高真空中で試料を加熱しながら処理
するに除し、この処理に係わる所要時間の短縮化ｔ−は
か９′４＠て、半導体装置の生産コストの低減化に寄与
し併る超高真空処理装置を提供することにめる。
するに除し、この処理に係わる所要時間の短縮化ｔ−は
か９′４＠て、半導体装置の生産コストの低減化に寄与
し併る超高真空処理装置を提供することにめる。
発明の概要
本発明は、超高真空状態に保持さｎる主チェンバと、こ
の主チェンバ内に設けられ該チェンバ内に置かれる試料
を加熱する主加熱機構と、上記主チェンバに第１のｆ−
１パルプを介して連設された第１の副チェンバと、この
第１の副チェンバ内に設けられ該チェンバ内に置かれる
試料を加熱する予備加熱機構と、前記王チェンバに第２
のダートパルプを介して連設された第２の副チェンバと
、この第２の副チェンバ内に設けられ該チェンバ内に置
かれる試料を冷却する冷却機構と、前記試料を前記第１
の劃テエンパ、上チェンバ、第２の副テエンノ９の１幀
に搬送する搬送機構とを具備してなることを特徴とする
ものでるる。
の主チェンバ内に設けられ該チェンバ内に置かれる試料
を加熱する主加熱機構と、上記主チェンバに第１のｆ−
１パルプを介して連設された第１の副チェンバと、この
第１の副チェンバ内に設けられ該チェンバ内に置かれる
試料を加熱する予備加熱機構と、前記王チェンバに第２
のダートパルプを介して連設された第２の副チェンバと
、この第２の副チェンバ内に設けられ該チェンバ内に置
かれる試料を冷却する冷却機構と、前記試料を前記第１
の劃テエンパ、上チェンバ、第２の副テエンノ９の１幀
に搬送する搬送機構とを具備してなることを特徴とする
ものでるる。
発明の効果
本発明によれば、主チェンバと分離して第１および第２
の副テエン・ぐ全設けたことにより、試料の加熱および
冷却？本来の目的である超高真空中でのアニール処理と
並行して行うことができるので、１枚の試料当りの処理
時間を大幅に短縮することができる。
の副テエン・ぐ全設けたことにより、試料の加熱および
冷却？本来の目的である超高真空中でのアニール処理と
並行して行うことができるので、１枚の試料当りの処理
時間を大幅に短縮することができる。
発明の実施例
第４図は本発明の一芙施例に係わる超高真空処理装置を
示す概略構成図である。図中１１は主チェンバ、１２は
試料ステージ、１３は加熱ヒータ、１４は動力線、１５
はヒータ部水冷用パイプ、１６はＸ−Ｙ移動システムで
あり、主チェンバ１１の上部に電子銃ノアを備え下部に
真空ポンプ１８を備えている魚までは前記第１図に示し
た従来装置と同様である。主チェンバ１１の左方部には
第１０ケ９−トパルゾ１９を介して予備加熱チェ／・々
（第１の副テエン・々）２０が＝収されている。この予
備加熱ナエンノ々ｚｏ内ＶｃｌｉＫ料ステージ２１およ
び予備加熱用ヒータ２２が設けられている。そして、予
備加熱チェンバ２０内試料ステーソ２１上に載ｉ！キれ
た試料１０は、搬送機構２３により前記主チェン・９１
１内の試料ステージ１２上へと搬送されるものとなって
いる。なお、図中２４は予備加熱用ヒータ２２の動力縁
、２５は水冷用・ぐイブ、２６は試料挿入口、２７は真
空ポンプ、２８は真空引き用パルプをそれぞれ示してい
る。
示す概略構成図である。図中１１は主チェンバ、１２は
試料ステージ、１３は加熱ヒータ、１４は動力線、１５
はヒータ部水冷用パイプ、１６はＸ−Ｙ移動システムで
あり、主チェンバ１１の上部に電子銃ノアを備え下部に
真空ポンプ１８を備えている魚までは前記第１図に示し
た従来装置と同様である。主チェンバ１１の左方部には
第１０ケ９−トパルゾ１９を介して予備加熱チェ／・々
（第１の副テエン・々）２０が＝収されている。この予
備加熱ナエンノ々ｚｏ内ＶｃｌｉＫ料ステージ２１およ
び予備加熱用ヒータ２２が設けられている。そして、予
備加熱チェンバ２０内試料ステーソ２１上に載ｉ！キれ
た試料１０は、搬送機構２３により前記主チェン・９１
１内の試料ステージ１２上へと搬送されるものとなって
いる。なお、図中２４は予備加熱用ヒータ２２の動力縁
、２５は水冷用・ぐイブ、２６は試料挿入口、２７は真
空ポンプ、２８は真空引き用パルプをそれぞれ示してい
る。
−万、前記主チェンバ１１の右万鄭には第２のケ゛−ト
パルプ２９を介して予備冷却チェンバ（第２の副チェン
バ）３０が連設されている。
パルプ２９を介して予備冷却チェンバ（第２の副チェン
バ）３０が連設されている。
予備冷却チェンバ３０内には試料ステージ３ノおよび冷
却機＃１３２が設けられている。そして、予備冷却チェ
ンバ３０内の試料ステージ３１上、す・。
却機＃１３２が設けられている。そして、予備冷却チェ
ンバ３０内の試料ステージ３１上、す・。
には、前記搬送機構２３によυ主チェンバ１１内の試料
ステージ１２上ＫＭｆされた試料１０が搬送さｎるもの
となっている。なお、図中３３は水冷用ノ母イノ、３４
は試料枢９出し口、３５は真空ｌング、３６は真空引き
用パルプをそれぞれ示してぃゐ〇 このように構成された不装置では、半導体基板等の試料
１０は試料挿入口２６より予備加熱ナエン・ぐ２０内に
挿入され、同チェン・９内の試料ステージ２１上に載置
され、予備加熱と−タ２２により加熱される。そして、
この加熱と共に予備加熱チェンバ２０内は真空ポンプ２
７にて真空引きされる。なお、この状態で主チェンバ１
１内の試料ステージ１２上には他の試料が載置されアニ
ール処理されている。また、予備冷却チェンバ３０内の
試料ステージ３１上には、さらに他の試料が載置され冷
却されている。予備加熱チェンバ２０内の真空度および
偏置の上昇は前記第２図に示した通シであるが、この場
合主チェンバ１１内のアニール処理と並行して行えるの
で、ロス時間を半分以下にすることができる。
ステージ１２上ＫＭｆされた試料１０が搬送さｎるもの
となっている。なお、図中３３は水冷用ノ母イノ、３４
は試料枢９出し口、３５は真空ｌング、３６は真空引き
用パルプをそれぞれ示してぃゐ〇 このように構成された不装置では、半導体基板等の試料
１０は試料挿入口２６より予備加熱ナエン・ぐ２０内に
挿入され、同チェン・９内の試料ステージ２１上に載置
され、予備加熱と−タ２２により加熱される。そして、
この加熱と共に予備加熱チェンバ２０内は真空ポンプ２
７にて真空引きされる。なお、この状態で主チェンバ１
１内の試料ステージ１２上には他の試料が載置されアニ
ール処理されている。また、予備冷却チェンバ３０内の
試料ステージ３１上には、さらに他の試料が載置され冷
却されている。予備加熱チェンバ２０内の真空度および
偏置の上昇は前記第２図に示した通シであるが、この場
合主チェンバ１１内のアニール処理と並行して行えるの
で、ロス時間を半分以下にすることができる。
試料偏置が６００ （Ｃ）、真空度が１０ ［Ｔｏｒ
ｒ］ＶＣなった時、第１０ケ９−トバルゾ１９が開たれ
搬送機構ＺＳ＋Ｃて前記試料１０は主チェンバ１１内の
試料ステージ１２上に搬送され該ステージ１２上に載置
される。そして、第１のゲートバルブ１９が閉じられ試
料１０はアニール処理される。なお、このとき前工程で
アニール処理場れた試料は予備冷却チェ／パ３０内の試
料ステージ３ノ上へと搬送されておシ、゛まだ前工程で
冷却さ扛た試料は予備冷却チェンバ３０から大気中に取
り出されている０さらに、予備加熱チェンバ２０内には
次の試料が挿入さｎ、再び前と同様の処理、つまｖ７Ｉ
Ｉｌｌ熱および真空引きの処理が何われる。
ｒ］ＶＣなった時、第１０ケ９−トバルゾ１９が開たれ
搬送機構ＺＳ＋Ｃて前記試料１０は主チェンバ１１内の
試料ステージ１２上に搬送され該ステージ１２上に載置
される。そして、第１のゲートバルブ１９が閉じられ試
料１０はアニール処理される。なお、このとき前工程で
アニール処理場れた試料は予備冷却チェ／パ３０内の試
料ステージ３ノ上へと搬送されておシ、゛まだ前工程で
冷却さ扛た試料は予備冷却チェンバ３０から大気中に取
り出されている０さらに、予備加熱チェンバ２０内には
次の試料が挿入さｎ、再び前と同様の処理、つまｖ７Ｉ
Ｉｌｌ熱および真空引きの処理が何われる。
試料１０のアニールが終了すると、北２のゲートバルブ
２９が開かれ、試料１０は予備冷却チェンバ３０内の試
料ステージ３ノ葦で搬送され、同ステージ３ノ上に載置
される。そして、第２０ケ９−トパルプ２９が閉じられ
、試料１０は冷却機構３２にて室温にまで冷却される。
２９が開かれ、試料１０は予備冷却チェンバ３０内の試
料ステージ３ノ葦で搬送され、同ステージ３ノ上に載置
される。そして、第２０ケ９−トパルプ２９が閉じられ
、試料１０は冷却機構３２にて室温にまで冷却される。
な縁、このとき前工程で冷却された試料は予備冷却チェ
ンバ３０から大気中に取り出されている。
ンバ３０から大気中に取り出されている。
また、前記ダートバルブ２９が閉じられたのちは、ｇｌ
ｌｌ／）ｒ−トパルプ１９が開かれ予備加熱チェンバ２
０内で加熱された次の試料が主テエンＡｌｌ内に搬送さ
れる。そして、第１のダート・ぐルブ１１が閉じられた
のち再び第１の副チェンバ２０内にその次の試料が挿入
さｆＬ前述した工程が繰り返される。
ｌｌ／）ｒ−トパルプ１９が開かれ予備加熱チェンバ２
０内で加熱された次の試料が主テエンＡｌｌ内に搬送さ
れる。そして、第１のダート・ぐルブ１１が閉じられた
のち再び第１の副チェンバ２０内にその次の試料が挿入
さｆＬ前述した工程が繰り返される。
予備冷却チェ／パ３０内で試料１０が￥温まで冷却され
ると、真空引き用パルｆ３６が閉じらｎ、予備冷却チェ
ンバ３０内は大気圧まで上げられる。その後、試料取９
出し口３４より試料１０が取り出される。なお、この後
予備冷却チェンバ３０内は再び真空引きされ、次いで第
２のゲートパルプ２９が開かれ、続いて主チェンバ１１
内でアニール処理された次の試料が予備冷却チェンバ３
０内へと搬送される。そして、上述した工程が繰り返さ
れ１１［数の試料が順次アニール処理されることになる
。
ると、真空引き用パルｆ３６が閉じらｎ、予備冷却チェ
ンバ３０内は大気圧まで上げられる。その後、試料取９
出し口３４より試料１０が取り出される。なお、この後
予備冷却チェンバ３０内は再び真空引きされ、次いで第
２のゲートパルプ２９が開かれ、続いて主チェンバ１１
内でアニール処理された次の試料が予備冷却チェンバ３
０内へと搬送される。そして、上述した工程が繰り返さ
れ１１［数の試料が順次アニール処理されることになる
。
かくして本装置によれば、主チェンバ１１と分離して予
備加熱チェンバ〔第１の副チェンバ〕２０および予鋪冷
却チェンバ（第２の副チェンバ）３０を設け、試料１０
の力ロ熱および冷却を本来の目的である超高真空中での
電子ビームアニールと並行して行っているので、１枚の
試料当りに要する処理時間を大幅に短ＭＹることができ
る。特に、冷却においては、第２の副チェンバ３０内で
強制的に竹えるようにしたので、従来の１７１０の時間
で試料１０１に冷却できるようになった。なお、その際
の試料１０の劣化がないことは言うまでもない。また、
各チェンバ１１．２０．３０間のパルプ１９．２９と搬
送機構２３を設けたことに↓り、従来よシ主チェンバ１
１内の真空度を高めることができる。すなわち、大気中
との試料１０の出し入れは、それぞれ第１および第２の
副チェンバ２０．３０で行わｎｌこの間ダートパルプ１
９．２９が閉、′、１ しられているので、主チェンバ１１はアニール前後に大
気にさらされることなく、これにより超尚真空状態を持
続できる。第１および第２の＋ａテ ７バ２０，３０で
は大気圧と１０ （’ｆ’ｏｒｒＪの其免が繰り返で
れるが、王テエン・シフ１内μｍ ０−’ ［Ｔｏｒｒ
）以丁になることばなく、アニール時に１０−８（Ｔ
ｏｒｒ：Ｉより低い圧力をも期待できる。
備加熱チェンバ〔第１の副チェンバ〕２０および予鋪冷
却チェンバ（第２の副チェンバ）３０を設け、試料１０
の力ロ熱および冷却を本来の目的である超高真空中での
電子ビームアニールと並行して行っているので、１枚の
試料当りに要する処理時間を大幅に短ＭＹることができ
る。特に、冷却においては、第２の副チェンバ３０内で
強制的に竹えるようにしたので、従来の１７１０の時間
で試料１０１に冷却できるようになった。なお、その際
の試料１０の劣化がないことは言うまでもない。また、
各チェンバ１１．２０．３０間のパルプ１９．２９と搬
送機構２３を設けたことに↓り、従来よシ主チェンバ１
１内の真空度を高めることができる。すなわち、大気中
との試料１０の出し入れは、それぞれ第１および第２の
副チェンバ２０．３０で行わｎｌこの間ダートパルプ１
９．２９が閉、′、１ しられているので、主チェンバ１１はアニール前後に大
気にさらされることなく、これにより超尚真空状態を持
続できる。第１および第２の＋ａテ ７バ２０，３０で
は大気圧と１０ （’ｆ’ｏｒｒＪの其免が繰り返で
れるが、王テエン・シフ１内μｍ ０−’ ［Ｔｏｒｒ
）以丁になることばなく、アニール時に１０−８（Ｔ
ｏｒｒ：Ｉより低い圧力をも期待できる。
第５図は他の実施例を示す概略構成図である。
なお、第４図と同一部分には同−符号全村して、その詳
しい説明は省略する。この実施例が先に説明した実施例
と異なる点は前記第１および第２の副チエン・々として
の予備加熱チェンバ２０および予備冷却チェンバ３０に
、それぞれ予備チェンバを付加したことである。すなわ
ち、前記予備加熱テ≦ンパ２０の左方には第３のダート
バルブ４１を介して第１の予備室４２が連設されている
。第１の予備室４２内には試料ステージ４３が設けられ
、第１の予備室４２内は前記真空ボンｆ２７１Ｃより真
空ｉｊ１きされるものとなっている。な２、図中４４は
真空引き用バルブでめる。−万、前記予備冷却チェンバ
３０の右方ｖＣは第２の予備室４６が連設されてお９、
１３− この予備室４６内には試料ステージ４７が設けられてい
る。そして、第２のト備室４６内は前記真壁ポ／ゾ３５
により真空引きされるものとなっている。なお、図中４
８は真空引き用ｉＲバルブめる。また、前記搬？Ｓ域楕
２３は試料１０を第１の予備室４２、予備加熱チェノ・
ぐ２０、主チェンバ１１、予備冷却チェンバ３０、第２
の予ｉ１ｉ’４４６の順に搬送するものとなっている。
しい説明は省略する。この実施例が先に説明した実施例
と異なる点は前記第１および第２の副チエン・々として
の予備加熱チェンバ２０および予備冷却チェンバ３０に
、それぞれ予備チェンバを付加したことである。すなわ
ち、前記予備加熱テ≦ンパ２０の左方には第３のダート
バルブ４１を介して第１の予備室４２が連設されている
。第１の予備室４２内には試料ステージ４３が設けられ
、第１の予備室４２内は前記真空ボンｆ２７１Ｃより真
空ｉｊ１きされるものとなっている。な２、図中４４は
真空引き用バルブでめる。−万、前記予備冷却チェンバ
３０の右方ｖＣは第２の予備室４６が連設されてお９、
１３− この予備室４６内には試料ステージ４７が設けられてい
る。そして、第２のト備室４６内は前記真壁ポ／ゾ３５
により真空引きされるものとなっている。なお、図中４
８は真空引き用ｉＲバルブめる。また、前記搬？Ｓ域楕
２３は試料１０を第１の予備室４２、予備加熱チェノ・
ぐ２０、主チェンバ１１、予備冷却チェンバ３０、第２
の予ｉ１ｉ’４４６の順に搬送するものとなっている。
このような構成でめれば、試料１０はｌず第１の予備室
４２内に挿入さｎｌこの状態で第１の予備室４２内が真
空引きされる。そして、第１の予備室４２内が所足のＸ
空Ｋ （１０Ｔｏｒｒ）に達したのち第３のゲートバル
ブ４１が開かれ、試料１０は予備加熱チェンバ２０内に
搬送される。その後は、先の実施例と同様である。この
ため、予備加熱チェンバ２０内の予備加熱ヒータ２２が
大気にさらされることを未然に防止することができ、こ
れｖｃエクヒータ２２の劣化および試料１０の酸化全防
止し得る。また、試料１０を取９出す際には、アニール
後予備冷却テ一ンパ３０ビ］で冷却さｎた試料１０が第
４のケ゛−トパルグ４５を介して第２の予備室４６内に
搬送される。その後、ダートパルプ４５が閉じられ真空
引き用パルプ４８が閉じられ第２の予備室４６内が大気
圧まで上げらｎる。しかるのち。
４２内に挿入さｎｌこの状態で第１の予備室４２内が真
空引きされる。そして、第１の予備室４２内が所足のＸ
空Ｋ （１０Ｔｏｒｒ）に達したのち第３のゲートバル
ブ４１が開かれ、試料１０は予備加熱チェンバ２０内に
搬送される。その後は、先の実施例と同様である。この
ため、予備加熱チェンバ２０内の予備加熱ヒータ２２が
大気にさらされることを未然に防止することができ、こ
れｖｃエクヒータ２２の劣化および試料１０の酸化全防
止し得る。また、試料１０を取９出す際には、アニール
後予備冷却テ一ンパ３０ビ］で冷却さｎた試料１０が第
４のケ゛−トパルグ４５を介して第２の予備室４６内に
搬送される。その後、ダートパルプ４５が閉じられ真空
引き用パルプ４８が閉じられ第２の予備室４６内が大気
圧まで上げらｎる。しかるのち。
試料１０は第２の予備室４６内から１４ｙ、り出される
。このため、予備冷却チェンバ３０内の冷却機構３２が
大気にさらされることはなく、冷却機４１１３２が結露
することを防止できる。また、各々のチェンバ１１，２
０．３０．４２．４６を独立して真壁引きできるので主
テエン・々１１内の圧力ｋｌｏ ［Ｔｏｒｒ）の真
空度にも高めることが可能となる。さらに、５つのチェ
ンバ１１ 、２０ 、３０ 、４２ 、４６で並行して
試料１０の挿入、予備加熱、電子ビームアニール、試料
冷却および試料の取り出しを行うことができるので１枚
当りの処理時間を先の実施例以上に短縮することができ
る。
。このため、予備冷却チェンバ３０内の冷却機構３２が
大気にさらされることはなく、冷却機４１１３２が結露
することを防止できる。また、各々のチェンバ１１，２
０．３０．４２．４６を独立して真壁引きできるので主
テエン・々１１内の圧力ｋｌｏ ［Ｔｏｒｒ）の真
空度にも高めることが可能となる。さらに、５つのチェ
ンバ１１ 、２０ 、３０ 、４２ 、４６で並行して
試料１０の挿入、予備加熱、電子ビームアニール、試料
冷却および試料の取り出しを行うことができるので１枚
当りの処理時間を先の実施例以上に短縮することができ
る。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施
することができる。例えば、電子ビームアニールの他に
超閤真空中での加熱を必擬とする各棟の装置に適用する
ことができる０
なく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施
することができる。例えば、電子ビームアニールの他に
超閤真空中での加熱を必擬とする各棟の装置に適用する
ことができる０
第１図は従来の超高真空処理装置を示す概略構成図、第
２図および第３図は上記装置の作用を説明するためのも
ので第２図は加熱時の試料表面温度および真空度と経過
時間との関係を示す図、第３図は冷却時の試料表面温度
と経過時間との関係を示す図、第４図は本発明の一実施
例金示す概略構成図、第５図は他の実施例を示す概略構
成図である。 １０・・・試料、１１・・・王チェンバ、１２，２１゜
３１．４３．４’ｉ・・試料スデージ、１３・・・加熱
ヒータ（加熱機４ＩＩＬ １６・・・Ｘ−Ｙ移動シス
テム、１Ｂ、２７．３５・・・真空ポンプ、１９・・・
第１１１１゜ １のり゛−トパルブ、２０・・・予備加熱チェンバ（第
１の副チェンバ）、２２・・・予備加熱ヒータ（予備加
熱機構）、２３・・・搬送機構、２９・・・第２のゲー
トパルプ、３０・・・予備冷却チェンバ（第２の副チェ
ンバ）、４１・・第３のゲートパル！、４２・・・第ｌ
の予備室、４５・・・第４のダートパルプ、４６・・・
第２の予備室。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 麟才１図
２図および第３図は上記装置の作用を説明するためのも
ので第２図は加熱時の試料表面温度および真空度と経過
時間との関係を示す図、第３図は冷却時の試料表面温度
と経過時間との関係を示す図、第４図は本発明の一実施
例金示す概略構成図、第５図は他の実施例を示す概略構
成図である。 １０・・・試料、１１・・・王チェンバ、１２，２１゜
３１．４３．４’ｉ・・試料スデージ、１３・・・加熱
ヒータ（加熱機４ＩＩＬ １６・・・Ｘ−Ｙ移動シス
テム、１Ｂ、２７．３５・・・真空ポンプ、１９・・・
第１１１１゜ １のり゛−トパルブ、２０・・・予備加熱チェンバ（第
１の副チェンバ）、２２・・・予備加熱ヒータ（予備加
熱機構）、２３・・・搬送機構、２９・・・第２のゲー
トパルプ、３０・・・予備冷却チェンバ（第２の副チェ
ンバ）、４１・・第３のゲートパル！、４２・・・第ｌ
の予備室、４５・・・第４のダートパルプ、４６・・・
第２の予備室。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 麟才１図
Claims (3)
- （１）超高真空状態に保持感れる王テエン・９と、この
主テエン・々内に設けられ該チェンバ内に置かれる試料
を加熱する王加熱機構と、上記主チェンバに第１のケ゛
−トハルブ金介して埋設された第１の副チェンバと、こ
の第１の副チェンバ内に設けられ該チェンバ内に置か扛
る試料を加熱する予備力ロ熱機構と、前記主チェンバに
第２のダートバルブを介して連設゛さｔｔた第２の副チ
ェンバと、この第２の副チェンバ内に設けられ該チェン
バ内に置かれる試料を冷却する冷却機構と、前記試料を
前記第１の副チェンバ、王チェンバ、第２の副チェンバ
の順に搬送する搬送機構とを具備してなることを特徴と
する超高真空処理装置。 - （２）前記第１の副チェンバは前記第１のゲートパルプ
を介して前記主チェンバに遵設延れ、かつ内部に削記予
ｆｉｒ１加熱機病が設けらｔ′した予備７ＪＯ熱チェン
バ２よびこの予備加熱チェンバに第３のり゛−トパルプ
を介して埋設されｆＣ，第１の予備チェンバからなり、
前記第２の−ｊナエンノ々は前記第２のダートパルプ？
介して前把主チェンバに連設さｇ、かつ内部ＶＣＦｌ’
ｌ前記冷却機構が設けら扛た予備冷却チェ７・々および
この予備Ｑ却チェンバに第４のケ９−トパルプを介して
連設された第２の予備チェンバからなり、前記搬送機構
はＦｆｒＩ記試料全試料第１の予備チェンバ、予備加熱
チェンバ、王テエン・ぐ、予備冷却チェンバ、８ｇ２の
予備チェンバの朧に搬送するものであることを特徴とす
る特Ｉｔ！Ｆ請求の範囲第１項記載の超高真空処理装置
。 - （３） 前記谷加熱機構は、それぞれ前記試料を２′
ＯＯ〜６００ 〔Ｃ）に加熱するものであり、前記冷却
機構は前記試料を室温に冷却するものであることを特徴
とする特許話求の範囲第１項記載の超高真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19219781A JPS5893230A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 超高真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19219781A JPS5893230A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 超高真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893230A true JPS5893230A (ja) | 1983-06-02 |
Family
ID=16287287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19219781A Pending JPS5893230A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 超高真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893230A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5052923A (en) * | 1989-10-12 | 1991-10-01 | Ipsen Industries International Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Oven for partial heat treatment of tools |
| KR20190120420A (ko) | 2017-12-28 | 2019-10-23 | 닛데쓰마이크로메탈가부시키가이샤 | 반도체 장치용 본딩 와이어 |
| CN113493904A (zh) * | 2020-03-19 | 2021-10-12 | 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司 | 一种高温高真空退火炉 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5691418A (en) * | 1979-12-25 | 1981-07-24 | Nec Corp | Heat treatment device |
| JPS56142629A (en) * | 1980-04-09 | 1981-11-07 | Nec Corp | Vacuum device |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP19219781A patent/JPS5893230A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5691418A (en) * | 1979-12-25 | 1981-07-24 | Nec Corp | Heat treatment device |
| JPS56142629A (en) * | 1980-04-09 | 1981-11-07 | Nec Corp | Vacuum device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5052923A (en) * | 1989-10-12 | 1991-10-01 | Ipsen Industries International Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Oven for partial heat treatment of tools |
| KR20190120420A (ko) | 2017-12-28 | 2019-10-23 | 닛데쓰마이크로메탈가부시키가이샤 | 반도체 장치용 본딩 와이어 |
| CN113493904A (zh) * | 2020-03-19 | 2021-10-12 | 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司 | 一种高温高真空退火炉 |
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