JPS589314A - 保安装置付き電子部品 - Google Patents
保安装置付き電子部品Info
- Publication number
- JPS589314A JPS589314A JP10641381A JP10641381A JPS589314A JP S589314 A JPS589314 A JP S589314A JP 10641381 A JP10641381 A JP 10641381A JP 10641381 A JP10641381 A JP 10641381A JP S589314 A JPS589314 A JP S589314A
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- JP
- Japan
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- capacitor element
- melting point
- capacitor
- resin
- safety device
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- Details Of Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は保安装置付き電子部品に関し、特に保安装置付
きの樹脂外装型大容量積層セラ之ツクコンデンサに関す
る。
きの樹脂外装型大容量積層セラ之ツクコンデンサに関す
る。
積層セラミックコンデンサは高誘電率を有するのでIP
P〜1jIF程度の容量の大なるコンデンサを得ること
ができる。また積層セラミックコンデンサと同様な用途
に用いられている固体電解コンデンサと比較して誘電体
は無機物であるので。
P〜1jIF程度の容量の大なるコンデンサを得ること
ができる。また積層セラミックコンデンサと同様な用途
に用いられている固体電解コンデンサと比較して誘電体
は無機物であるので。
特性が安定で耐圧が高く、高信頼度であることなど多く
の利点が認められている。
の利点が認められている。
一方、固体電解コンデンサは短絡時のコンデンサの過熱
、あるいは発火、などの事故防止対策の提案が数多くな
されている。しかし積層セラミックコンデンサにおいて
も、近年、薄膜化、大容蓋化等の開発が進み、大容量の
ものについては数百μF程度の静電容量を有するものも
完成している。
、あるいは発火、などの事故防止対策の提案が数多くな
されている。しかし積層セラミックコンデンサにおいて
も、近年、薄膜化、大容蓋化等の開発が進み、大容量の
ものについては数百μF程度の静電容量を有するものも
完成している。
これらの大容量を有する積層上ラミックコレデンサは従
来の静電容量0.1jP〜1.θμF範囲程度の積層セ
ラミックコンデンサと同等の信頼度を期待することは技
術的に見て、困難であり、また理論的にも短絡しないこ
とを保証できず何らかの対策が必要であった。このよう
な大容量積層上う之ツクコンデンサは低インピーダンス
で高周波リップル除去用のいわゆる電源回路用のコンデ
ンサとしての用途が主であるが特に樹脂外装型では短絡
時の過熱9発火などの事故を防止するための保安装置の
付加が必要不可決である。
来の静電容量0.1jP〜1.θμF範囲程度の積層セ
ラミックコンデンサと同等の信頼度を期待することは技
術的に見て、困難であり、また理論的にも短絡しないこ
とを保証できず何らかの対策が必要であった。このよう
な大容量積層上う之ツクコンデンサは低インピーダンス
で高周波リップル除去用のいわゆる電源回路用のコンデ
ンサとしての用途が主であるが特に樹脂外装型では短絡
時の過熱9発火などの事故を防止するための保安装置の
付加が必要不可決である。
従来保安装置付きコンデンサとして数多くの−案がなさ
れていることは前述したが、それらを、モデル化すると
第1図に示す如く、コンデンサ素子1とコンデンサ素子
1から導出するリード線2゜3の一方のリード線とコン
デンサ素子lとの間に短絡開放ms部4を介在接続し、
全体を絶縁外装体5の被覆によって形成している。
れていることは前述したが、それらを、モデル化すると
第1図に示す如く、コンデンサ素子1とコンデンサ素子
1から導出するリード線2゜3の一方のリード線とコン
デンサ素子lとの間に短絡開放ms部4を介在接続し、
全体を絶縁外装体5の被覆によって形成している。
この短絡開放機構部4には一般に第2図に示す如く、低
融点金属の細線または箔などのヒーーズ6が使われてい
る。また、第3図(a)に示す実開昭53−15154
8号のようにコンデンサ素子lとリード413との接続
を高耐熱性絶縁層7、熱軟化層8を介在させて低融点半
田9にて行い短絡時の開放を容易にしたもの、あるいは
、第3図缶)にて示す実開昭53−150447号のよ
うに陰極のソー5ド113にバネ性をもたせ、かつバネ
性に抗する低融点金属材10を介在させてコンデンサ素
子1とリード[3との接続を低融点半田9にて行い短絡
時の開放を容易にしたものなど第1図の短絡開放機構部
4の改良に数多くの提案がなされている。しかし、大容
量積層セラミックコンデンサにおいては、これらの従来
提案の保安装置付き電子部品をそのまま適用することは
1次の点で問題があり、改善する必要があった。
融点金属の細線または箔などのヒーーズ6が使われてい
る。また、第3図(a)に示す実開昭53−15154
8号のようにコンデンサ素子lとリード413との接続
を高耐熱性絶縁層7、熱軟化層8を介在させて低融点半
田9にて行い短絡時の開放を容易にしたもの、あるいは
、第3図缶)にて示す実開昭53−150447号のよ
うに陰極のソー5ド113にバネ性をもたせ、かつバネ
性に抗する低融点金属材10を介在させてコンデンサ素
子1とリード[3との接続を低融点半田9にて行い短絡
時の開放を容易にしたものなど第1図の短絡開放機構部
4の改良に数多くの提案がなされている。しかし、大容
量積層セラミックコンデンサにおいては、これらの従来
提案の保安装置付き電子部品をそのまま適用することは
1次の点で問題があり、改善する必要があった。
すなわち(イ)低融点金属のaIsまたは箔などのヒユ
ーズを接続し、過電流が流れたときのヒユーズの溶断に
よって開放する機構を用いたものは通常5〜20ム流れ
る交流のリップル電流によって簡単に開放となる。この
ためコンデンサ素子が現実には短絡していない状態でも
開放になることがあり実用的でなかった。(ロ)リード
線とコンデンサ素子との接続を低融点半田にて行い、融
点以上の発熱によって開放する機構部を適用する場合に
は、コンデンサ素子の寸法が縦、横それぞれ敷部以上。
ーズを接続し、過電流が流れたときのヒユーズの溶断に
よって開放する機構を用いたものは通常5〜20ム流れ
る交流のリップル電流によって簡単に開放となる。この
ためコンデンサ素子が現実には短絡していない状態でも
開放になることがあり実用的でなかった。(ロ)リード
線とコンデンサ素子との接続を低融点半田にて行い、融
点以上の発熱によって開放する機構部を適用する場合に
は、コンデンサ素子の寸法が縦、横それぞれ敷部以上。
ものによっては10〜20■になるものもあること、お
よびリード線を有する積層セラミックコンデンサは通常
第4図に示す如くコンデンサ素子11のセラミック表面
層11mを外装樹脂層12で被覆するが両者の熱伝導が
悪いため例えばコンデンサ素子11の中央部に短絡によ
る発熱が生じた場合、コンデンサ素子11とリード1i
13との間に設けた短絡開放機構部4が熱伝導によって
開放となる前に発熱個所の外装樹脂層12が局部的に過
熱し、発火することが充分者えられ保安装置としては不
充分であった。
よびリード線を有する積層セラミックコンデンサは通常
第4図に示す如くコンデンサ素子11のセラミック表面
層11mを外装樹脂層12で被覆するが両者の熱伝導が
悪いため例えばコンデンサ素子11の中央部に短絡によ
る発熱が生じた場合、コンデンサ素子11とリード1i
13との間に設けた短絡開放機構部4が熱伝導によって
開放となる前に発熱個所の外装樹脂層12が局部的に過
熱し、発火することが充分者えられ保安装置としては不
充分であった。
本発明の目的はかかる従来の問題点を解消した電子部品
を提供することにある。
を提供することにある。
すなわち1本発明によれば、sr脂、外装型電子部品の
素子表面の大部分を覆う金網薄板の一部が低融点金属層
を介して素子の外部電極およびリード端子と共に接続し
たことを特徴とする保安装置付き電子部品が得られる。
素子表面の大部分を覆う金網薄板の一部が低融点金属層
を介して素子の外部電極およびリード端子と共に接続し
たことを特徴とする保安装置付き電子部品が得られる。
次に本発明の一実施例を樹脂外装型積層セラミックコン
デンサの場合について、第5図から第9図を参照して詳
細に説明する。
デンサの場合について、第5図から第9図を参照して詳
細に説明する。
第5FA(a)および(b)は積層上フミックコンデン
サ素子(以下コンデンサ素子と略称)11の斜視図およ
び断面図である。図中符号13はチタン酸バリウム(B
aTiO,)などのセラミック誘電体、14は銀パラジ
ウム(ムg−Pd)などの内部電極層、15は内部電極
層14の端面と接続して形成した銀、ニッケルなどの外
部電極であり1コンデンサ素子11は公知の手段にて成
型したものである。先ず第5図(a)のコンデンサ素子
11の形状寸法に合わせて第6図に示す如く厚さ0.0
1〜0,3■の銅、ニッケル、亜鉛、などの金属薄板1
6を一方の外部電極15と半田17の層を介して内底面
が接続できる間隙を保持して略コの字状に折り曲げたも
のを用意する。この金属薄板16には半田付は性を良く
するために半田イッキを行ってもよい。
サ素子(以下コンデンサ素子と略称)11の斜視図およ
び断面図である。図中符号13はチタン酸バリウム(B
aTiO,)などのセラミック誘電体、14は銀パラジ
ウム(ムg−Pd)などの内部電極層、15は内部電極
層14の端面と接続して形成した銀、ニッケルなどの外
部電極であり1コンデンサ素子11は公知の手段にて成
型したものである。先ず第5図(a)のコンデンサ素子
11の形状寸法に合わせて第6図に示す如く厚さ0.0
1〜0,3■の銅、ニッケル、亜鉛、などの金属薄板1
6を一方の外部電極15と半田17の層を介して内底面
が接続できる間隙を保持して略コの字状に折り曲げたも
のを用意する。この金属薄板16には半田付は性を良く
するために半田イッキを行ってもよい。
次に略コの字状に折り曲げた金属薄板16を第7図に示
す如くコンデンサ素子11に嵌着した後、一方の外部電
極15mの端面と金属薄板16の内底面との当接面に半
田17を接続する。しかる後第8図(a)、(b)に示
す如く高耐熱性絶縁樹脂7を介し、牛5117で金属薄
板16の外端面とリード線3とを接続する。またリード
、I!2と外部電極層15bを半田17で接続する。さ
らにコンデンサ素子11全体を工ぎキシ樹脂などで被覆
することにより外装樹脂層12を形成し、コンデンサを
完成する。
す如くコンデンサ素子11に嵌着した後、一方の外部電
極15mの端面と金属薄板16の内底面との当接面に半
田17を接続する。しかる後第8図(a)、(b)に示
す如く高耐熱性絶縁樹脂7を介し、牛5117で金属薄
板16の外端面とリード線3とを接続する。またリード
、I!2と外部電極層15bを半田17で接続する。さ
らにコンデンサ素子11全体を工ぎキシ樹脂などで被覆
することにより外装樹脂層12を形成し、コンデンサを
完成する。
〔実施例2〕
本発明の第2の実施例として、金属薄板16とリード!
13を接続する際の半田に低融点半田を用いる。
13を接続する際の半田に低融点半田を用いる。
〔実施例3〕
本発明の第3の実施例として、第9F!!Jに示す如く
、コンデンサ素・子11の一方の外部電極層15mと金
属薄板16とを半田17で接続し、さらにリード112
ともう一方の外部電極層15bの間および金属薄[16
の右側外端面とリード線3との間を低融点半田9で接続
する。次にポリブタジェンなどのゴム系樹脂またはシリ
コンのジキンクシッンコーティングレジン(たとえば商
品名東芝シリコン8H−6102,信越化学KJR−6
32)などの軟質樹脂層18を薄く形成した後、その全
面にエポキシ樹脂などを被着させ、外装樹脂層12を形
成したものである。
、コンデンサ素・子11の一方の外部電極層15mと金
属薄板16とを半田17で接続し、さらにリード112
ともう一方の外部電極層15bの間および金属薄[16
の右側外端面とリード線3との間を低融点半田9で接続
する。次にポリブタジェンなどのゴム系樹脂またはシリ
コンのジキンクシッンコーティングレジン(たとえば商
品名東芝シリコン8H−6102,信越化学KJR−6
32)などの軟質樹脂層18を薄く形成した後、その全
面にエポキシ樹脂などを被着させ、外装樹脂層12を形
成したものである。
この目的は工lキシ樹脂が硬化するとき、あるいは熱膨
張する際の応力が金属薄板16を経てコンデンサ素子1
1まで及ぶのを緩和するためのものであり、エポキシ樹
脂と金属の熱膨張係数が異なることによるコンデンサ素
子11への影智を防ぐことができる。
張する際の応力が金属薄板16を経てコンデンサ素子1
1まで及ぶのを緩和するためのものであり、エポキシ樹
脂と金属の熱膨張係数が異なることによるコンデンサ素
子11への影智を防ぐことができる。
以上本発明により短絡時のコンデンサ素子の発熱による
局部的な温度上昇過熱を速やかに短絡開放機構部へ伝導
し、リード線接続部を開放させるので外装樹脂が発火す
ることを防ぐことができる。
局部的な温度上昇過熱を速やかに短絡開放機構部へ伝導
し、リード線接続部を開放させるので外装樹脂が発火す
ることを防ぐことができる。
なお、本発明は積層セラミックコンデンサのみならず他
のコンデンサ、抵抗器などの電子部品にも適用できるこ
とは勿論である。
のコンデンサ、抵抗器などの電子部品にも適用できるこ
とは勿論である。
第1図は従来例の保安装置付きコンデンサの断面図。第
2図は従来例のヒエーズ付き固体電解コンデンサの断面
図。第3図(a)、(b)は従来例の保安装置付き固体
電解コンデンサの断面図。第4図は従来例の保安装置付
き固体電解コンデンサの内部構成を示す断面図。第5図
(a)、(b)は本発明実施例に用いる積層セラ之ツク
コンデンサ素子の斜視図および断面図。第6図は本発明
実施例に用いる金属薄板の斜視図。第tmは本発明実施
例の積層上ラミツタコンデンサ素子に金属薄板を接続し
た状態を示す断面図。第8図(a)、伽)は本発明一実
施例による電子部品の正断面図および平断面図。第9図
は本発明の他の実施例による電子部品の平断面図。 1.11−”コンデンサ素子、2.3・・・リード線。 4・・・短絡開放機構部、5・−絶縁外装体、6・・・
ヒエーズ%7・−・高耐熱i絶縁層、8・・・熱軟化層
、9−・・低融点半田、10−・低融点金属材、12・
・・外装樹脂層、13・・・セラミック誘電体、14−
・・内部電極層Th 15.15m、15b−外部電極
、16−・金属薄板、17−半田。 第1図 第2図 拾3図(必) 第3図 (b) 第4図 第6図 $7図 第5図(の) 第5図 (1)) 第8図(の) 第8図(b) /、!;b If 15(を第
9図
2図は従来例のヒエーズ付き固体電解コンデンサの断面
図。第3図(a)、(b)は従来例の保安装置付き固体
電解コンデンサの断面図。第4図は従来例の保安装置付
き固体電解コンデンサの内部構成を示す断面図。第5図
(a)、(b)は本発明実施例に用いる積層セラ之ツク
コンデンサ素子の斜視図および断面図。第6図は本発明
実施例に用いる金属薄板の斜視図。第tmは本発明実施
例の積層上ラミツタコンデンサ素子に金属薄板を接続し
た状態を示す断面図。第8図(a)、伽)は本発明一実
施例による電子部品の正断面図および平断面図。第9図
は本発明の他の実施例による電子部品の平断面図。 1.11−”コンデンサ素子、2.3・・・リード線。 4・・・短絡開放機構部、5・−絶縁外装体、6・・・
ヒエーズ%7・−・高耐熱i絶縁層、8・・・熱軟化層
、9−・・低融点半田、10−・低融点金属材、12・
・・外装樹脂層、13・・・セラミック誘電体、14−
・・内部電極層Th 15.15m、15b−外部電極
、16−・金属薄板、17−半田。 第1図 第2図 拾3図(必) 第3図 (b) 第4図 第6図 $7図 第5図(の) 第5図 (1)) 第8図(の) 第8図(b) /、!;b If 15(を第
9図
Claims (1)
- 樹脂外装型電子部品の素子表面の大部分を覆う金属薄板
の一部が低融点金属層を介して素子の外部電極およびリ
ード端子と共に接続されたことを特徴とする保安装置付
き電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10641381A JPS589314A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 保安装置付き電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10641381A JPS589314A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 保安装置付き電子部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS589314A true JPS589314A (ja) | 1983-01-19 |
JPS6252937B2 JPS6252937B2 (ja) | 1987-11-07 |
Family
ID=14432976
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10641381A Granted JPS589314A (ja) | 1981-07-08 | 1981-07-08 | 保安装置付き電子部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS589314A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63159819U (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-19 | ||
JP2014123606A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電源装置およびその製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52641U (ja) * | 1975-06-23 | 1977-01-06 | ||
JPS5330157U (ja) * | 1976-08-21 | 1978-03-15 | ||
JPS53109040U (ja) * | 1977-02-07 | 1978-09-01 | ||
JPS5643147U (ja) * | 1979-09-10 | 1981-04-20 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52641B2 (ja) * | 1971-09-29 | 1977-01-10 | ||
JPS5330157B2 (ja) * | 1973-01-12 | 1978-08-25 | ||
JPS5335085A (en) * | 1976-09-13 | 1978-04-01 | Toyo Eazooru Kougiyou Kk | Airzol size agent |
-
1981
- 1981-07-08 JP JP10641381A patent/JPS589314A/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52641U (ja) * | 1975-06-23 | 1977-01-06 | ||
JPS5330157U (ja) * | 1976-08-21 | 1978-03-15 | ||
JPS53109040U (ja) * | 1977-02-07 | 1978-09-01 | ||
JPS5643147U (ja) * | 1979-09-10 | 1981-04-20 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63159819U (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-19 | ||
JP2014123606A (ja) * | 2012-12-20 | 2014-07-03 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 電源装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6252937B2 (ja) | 1987-11-07 |
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