JPS589225A - 光ピックアップ - Google Patents
光ピックアップInfo
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- JPS589225A JPS589225A JP56105908A JP10590881A JPS589225A JP S589225 A JPS589225 A JP S589225A JP 56105908 A JP56105908 A JP 56105908A JP 10590881 A JP10590881 A JP 10590881A JP S589225 A JPS589225 A JP S589225A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- beam splitter
- disk
- optical pickup
- electrostrictive element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
Landscapes
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はビデオディスク等に使用されるディスク状記
録媒体の情報を読みとる光ピツクアップに関する。
録媒体の情報を読みとる光ピツクアップに関する。
従来この種の光ピックアップには光源としてH・−N・
レーザが用いられていたが、今後は長寿命化、小形化す
るために半導体レーザの採用がなされると考えられる。
レーザが用いられていたが、今後は長寿命化、小形化す
るために半導体レーザの採用がなされると考えられる。
第1図は、従来のH・−N・ レーザを半導体レーザに
置きかえて設計された光ピツクアップの例を示す図であ
る。図において、半導体レーザααより出射する9M線
偏光をなすレーザ光束■はビームスプリッタ−によって
反射され、コリメートレンズ(4II/cよりコリメー
トされた後、λ/4波長波長板道過して円偏光となり、
ウオブリング(wabblimg)用振動鏡−、トラッ
キング誤差補正鏡(1)、ジッタ補正鏡mを経て、集光
レンズ硼にて1回転するディスク状記録媒体1’1ll
(以下ではディスクと呼称する)に集光される。ディス
ク面の円周に沿うピット別によって強度変調された。デ
ィスクからの反射光束は前述の光路を逆行し、前記λ/
4波長板15Iを透過した後、往路の偏光方向とは直交
する方向に偏つた直線偏向とな抄、コリメートレンズ−
1偏光ビームスプリツタ圓を透過し、更に円筒レンズ(
110)を透過した後非点光束とな抄。
置きかえて設計された光ピツクアップの例を示す図であ
る。図において、半導体レーザααより出射する9M線
偏光をなすレーザ光束■はビームスプリッタ−によって
反射され、コリメートレンズ(4II/cよりコリメー
トされた後、λ/4波長波長板道過して円偏光となり、
ウオブリング(wabblimg)用振動鏡−、トラッ
キング誤差補正鏡(1)、ジッタ補正鏡mを経て、集光
レンズ硼にて1回転するディスク状記録媒体1’1ll
(以下ではディスクと呼称する)に集光される。ディス
ク面の円周に沿うピット別によって強度変調された。デ
ィスクからの反射光束は前述の光路を逆行し、前記λ/
4波長板15Iを透過した後、往路の偏光方向とは直交
する方向に偏つた直線偏向とな抄、コリメートレンズ−
1偏光ビームスプリツタ圓を透過し、更に円筒レンズ(
110)を透過した後非点光束とな抄。
通常4象限検出器とよ、ばれる4分割光検出器(12G
)I/cて検出される。以上第1図について述べた各部
の、光ピツクアップにおける機能は周知であるが、なお
補足すれば0円筒鏡(110)とコリメートレンズ−と
和より形成される非点光束の断面形状ll14分割光検
知器(120)上で、ディスク面における合焦の程度に
対応して変化し。
)I/cて検出される。以上第1図について述べた各部
の、光ピツクアップにおける機能は周知であるが、なお
補足すれば0円筒鏡(110)とコリメートレンズ−と
和より形成される非点光束の断面形状ll14分割光検
知器(120)上で、ディスク面における合焦の程度に
対応して変化し。
これによりフォーカス誤差を検出できる。またウオプリ
ンタ用振動鏡aUt、ディスク−上に集光されたレーザ
光束が、前記ディスク1上のビット列上に常にあるよう
に、トラッキング誤差を検出すべく、前記−集光された
レーザ光束を前記ピット列に垂直な方向に一定周波数に
て1通常0.1j寓ないし0.2#寓程度の幅で振るた
めのものである。従来のH・−N・レーザを用いた光ピ
ツクアップにおいては、公知のトラッキングの手段とし
て、グレーティングによりレーザ光束を3本に分割し、
うち2本をトラッキングに使用する3′ビ一ム方式が採
用されるが、・、′半導体レーザを使用する場合KFi
3ビームにすると、一般に光の利用効率が低くカる。こ
のためにトラッキングにはウオブリング方式が多く採用
される。
ンタ用振動鏡aUt、ディスク−上に集光されたレーザ
光束が、前記ディスク1上のビット列上に常にあるよう
に、トラッキング誤差を検出すべく、前記−集光された
レーザ光束を前記ピット列に垂直な方向に一定周波数に
て1通常0.1j寓ないし0.2#寓程度の幅で振るた
めのものである。従来のH・−N・レーザを用いた光ピ
ツクアップにおいては、公知のトラッキングの手段とし
て、グレーティングによりレーザ光束を3本に分割し、
うち2本をトラッキングに使用する3′ビ一ム方式が採
用されるが、・、′半導体レーザを使用する場合KFi
3ビームにすると、一般に光の利用効率が低くカる。こ
のためにトラッキングにはウオブリング方式が多く採用
される。
なお第1図の如き光ピツクアップでは、トラッキング誤
差補正鏡(至)、ジッタ補正鏡−を別個に駆動する1対
のアクチュエータ、集光レンズ−を駆動して合焦を行な
うボイスコイル形アクチェエータなどが常設されるが1
図においては省略しである。さて@1図に示した光ピツ
クアップの光学系では、半導体レーザ(■から偏光ビー
ムスプリッタ■に至る光路と、前記偏光ビームスプリッ
タ橢から4分割光検出器(120)に至る光路が独立な
空間を占めていること、更にウオブリング用振動fII
IIlが、独自の空間を占有すること、同振動鏡によ抄
光路が複雑化する等の事情によつて、光ピツクアップの
構造が複雑となり。
差補正鏡(至)、ジッタ補正鏡−を別個に駆動する1対
のアクチュエータ、集光レンズ−を駆動して合焦を行な
うボイスコイル形アクチェエータなどが常設されるが1
図においては省略しである。さて@1図に示した光ピツ
クアップの光学系では、半導体レーザ(■から偏光ビー
ムスプリッタ■に至る光路と、前記偏光ビームスプリッ
タ橢から4分割光検出器(120)に至る光路が独立な
空間を占めていること、更にウオブリング用振動fII
IIlが、独自の空間を占有すること、同振動鏡によ抄
光路が複雑化する等の事情によつて、光ピツクアップの
構造が複雑となり。
小形化には限界がある。
この発明はこれらの欠点を除去するためになされたもの
で、その特徴は偏光ビームスプリッタを4端子網として
利用することによつて半導体レーザから偏光ビームスプ
リッタに至る光路と、前記偏光ビームスプリッタから4
分割光検出器に至る光路を空間的にはソ重ね合わせて。
で、その特徴は偏光ビームスプリッタを4端子網として
利用することによつて半導体レーザから偏光ビームスプ
リッタに至る光路と、前記偏光ビームスプリッタから4
分割光検出器に至る光路を空間的にはソ重ね合わせて。
光ピッ、クアップの小形化を実現したことにある。
他の特徴は振動鏡の如き、ウオブリングに専用の光学素
子を設けることなしに、半導体レーザの小形・軽量性と
いう特長を生かすべく、小形かつ単純構造のカンチレバ
ーの先端近傍に半導体レーザを装着し、前記カンチレバ
ーを励振することによって前記半導体レーザを加振し、
集光レンズによってディスク上に集光された前記半導体
レーザの光束すなわち集光スポットを一定周波数にて振
動させることにある。また他の特申ハ、前記カンチレバ
ー、およびそのクランパの材料として金属を採用し、前
記金属の良好な熱伝導性によって前記半導体レーザの放
熱を確実に行なわしめ、前記半導体レーザの安定な発振
を持続させることにある。
子を設けることなしに、半導体レーザの小形・軽量性と
いう特長を生かすべく、小形かつ単純構造のカンチレバ
ーの先端近傍に半導体レーザを装着し、前記カンチレバ
ーを励振することによって前記半導体レーザを加振し、
集光レンズによってディスク上に集光された前記半導体
レーザの光束すなわち集光スポットを一定周波数にて振
動させることにある。また他の特申ハ、前記カンチレバ
ー、およびそのクランパの材料として金属を採用し、前
記金属の良好な熱伝導性によって前記半導体レーザの放
熱を確実に行なわしめ、前記半導体レーザの安定な発振
を持続させることにある。
更に他の特徴は、前記金属製カンチレバーの両面に電歪
索子を張シつけ、これらを帯域増幅器移相器を含む電気
信号増幅装置に接続して前記金属製カンチレバーの自励
発振)行なわしめ。
索子を張シつけ、これらを帯域増幅器移相器を含む電気
信号増幅装置に接続して前記金属製カンチレバーの自励
発振)行なわしめ。
もって一定振幅、一定周波数の安定な機械的振#を半導
体レーザに加えることにより゛、前記ディスク上の集光
スポットを一定周波数、一定根幅にて振動させることで
ある。以下図面について説明する。
体レーザに加えることにより゛、前記ディスク上の集光
スポットを一定周波数、一定根幅にて振動させることで
ある。以下図面について説明する。
第2図ははこの発明の実施例を示す図であり。
図において、半導体レーザa・は、補助のヒートシンク
(130)を介して1両面に電歪素子板(140m)(
140b)を張りつけた金属製カンチレバー(150)
の先端近傍に、ろう付は等の手段により、前記金)I4
#!カンチレバー(150)と熱的接触を保ちつつ装着
されている。前記半導体レーザααよ抄出射されるレー
ザ光束■は一般に直線偏光であり。
(130)を介して1両面に電歪素子板(140m)(
140b)を張りつけた金属製カンチレバー(150)
の先端近傍に、ろう付は等の手段により、前記金)I4
#!カンチレバー(150)と熱的接触を保ちつつ装着
されている。前記半導体レーザααよ抄出射されるレー
ザ光束■は一般に直線偏光であり。
コリメートレンズ■によってコリメートされたレーザ光
束は、前記レーザ光束を透過するように配置された偏光
ビームスプリッタmt−透過した後、前記偏光ビーム哀
プリッタ圓に固定された第1のλ/4波長板(50m)
を透過し、更に集光レンズaOKよってディスク(2)
上に集光される。
束は、前記レーザ光束を透過するように配置された偏光
ビームスプリッタmt−透過した後、前記偏光ビーム哀
プリッタ圓に固定された第1のλ/4波長板(50m)
を透過し、更に集光レンズaOKよってディスク(2)
上に集光される。
ディスク−により反射されたレーザ光束は前記集光レン
ズalを透過した後、前記第1のλ/4波長板(soa
) ’It透過して、前述往路のレーザ光束とは垂直方
向に偏った直線偏向となり、偏光ビームスプリッタ圓に
より反射されて、前記偏光′ビームスプリッタ■に固定
された@2のλ/4波長板(sob)を通過し、第1の
反射鏡(160m)で反射されて前記第2のλ/4波長
板(50b) e透過し。
ズalを透過した後、前記第1のλ/4波長板(soa
) ’It透過して、前述往路のレーザ光束とは垂直方
向に偏った直線偏向となり、偏光ビームスプリッタ圓に
より反射されて、前記偏光′ビームスプリッタ■に固定
された@2のλ/4波長板(sob)を通過し、第1の
反射鏡(160m)で反射されて前記第2のλ/4波長
板(50b) e透過し。
再び偏光方向が90’変化し、前記偏光ビームスプリッ
タ0olを透過する。以下レーザ光束は同様にして、第
3のλ/4波長板(50e) t−透過した後。
タ0olを透過する。以下レーザ光束は同様にして、第
3のλ/4波長板(50e) t−透過した後。
傾けて設けられた円筒錠である第一の反射鏡(160b
)で反射され前記第3のλ/4波長板(50e)i透過
し、前記偏光ビームスプリッタ(至)で反射され、前記
コリメートレンズ嘔を透過して、前記半導体レーザ叫に
近接して設けられfc4分割光検出器(120)にて受
光される。前記4分割光検出器(120)で受光される
レーザ光束は、前記円筒鏡である第2の反射鏡(160
b)と前記コリメートレンズ(軸とによって非点光束と
なっているため、先の第1図について説明したようにデ
ィスク回上での合焦の程度が検出される。
)で反射され前記第3のλ/4波長板(50e)i透過
し、前記偏光ビームスプリッタ(至)で反射され、前記
コリメートレンズ嘔を透過して、前記半導体レーザ叫に
近接して設けられfc4分割光検出器(120)にて受
光される。前記4分割光検出器(120)で受光される
レーザ光束は、前記円筒鏡である第2の反射鏡(160
b)と前記コリメートレンズ(軸とによって非点光束と
なっているため、先の第1図について説明したようにデ
ィスク回上での合焦の程度が検出される。
一方前記半導体レーザ側には、前記金鴫製カンチレバー
(150)、 同カンチレノ(−のクランノ((170
)および電歪素子板(140m) 、 (140b)よ
りなる半導体レーザ加振部と電気信号増幅装置(180
)とによって以下で説明するように一定周波数、一定振
幅の弊小な機械的振動が与えられ、このためにディスク
(2)に集光されるレーザ光束は前記一定周波数にて振
動し、ウオブリングが行なわれる。半導体レーザaαが
発生する熱は、前記補助のヒートシンク(130) 、
前記金属性カンチレバー(150)、前記クランパ(1
70)、前記クランパに熱的接触を保ちつつ固定された
金属筒(190)。
(150)、 同カンチレノ(−のクランノ((170
)および電歪素子板(140m) 、 (140b)よ
りなる半導体レーザ加振部と電気信号増幅装置(180
)とによって以下で説明するように一定周波数、一定振
幅の弊小な機械的振動が与えられ、このためにディスク
(2)に集光されるレーザ光束は前記一定周波数にて振
動し、ウオブリングが行なわれる。半導体レーザaαが
発生する熱は、前記補助のヒートシンク(130) 、
前記金属性カンチレバー(150)、前記クランパ(1
70)、前記クランパに熱的接触を保ちつつ固定された
金属筒(190)。
更に前記金属筒(190)に外接する金属製枠体(20
0)を順次伝いつつ放熱がなされる。なお1図[Fi示
されなかったが、半導体レーザa〔のリード線、電歪素
子板(140m) 、 (140b)のリード線は。
0)を順次伝いつつ放熱がなされる。なお1図[Fi示
されなかったが、半導体レーザa〔のリード線、電歪素
子板(140m) 、 (140b)のリード線は。
前記クランパに固定された磁器性端子板(210)を中
継して光ピツクアップの外部に引き出すことができる。
継して光ピツクアップの外部に引き出すことができる。
第3図は半導体レーザ加振部の斜視図である。
図において半導体レーザ(Il]lは、補助ヒートシン
ク(130) t’介して、@方体状金属製カンテレバ
−(150)の先端近傍にろう付は等により装着されて
いる。前記金属製カンチレバー(1150) It。
ク(130) t’介して、@方体状金属製カンテレバ
−(150)の先端近傍にろう付は等により装着されて
いる。前記金属製カンチレバー(1150) It。
同一金属材料あるいけ別途加工された金属よりなるクラ
ンパ(17G)によって一方が固定されている。前記金
属製カンチレバー(150)には、前記半導体レーザO
(Iとは異なる位置に、前記金属製カンチレバー(15
0)の長さ方向(220)に電歪効果によりて伸縮可能
な、各々の両面に電極を備えた。1対の電歪素子板(1
40m)、 (140b)が各々張りつけられている。
ンパ(17G)によって一方が固定されている。前記金
属製カンチレバー(150)には、前記半導体レーザO
(Iとは異なる位置に、前記金属製カンチレバー(15
0)の長さ方向(220)に電歪効果によりて伸縮可能
な、各々の両面に電極を備えた。1対の電歪素子板(1
40m)、 (140b)が各々張りつけられている。
但し図には前記電歪素子板(140b)は示されていな
い。各電歪素子板(140m)。
い。各電歪素子板(140m)。
(140b)の、前記金橘製カンチレバー(150)
K接していない電極からは、リード線(230m)、
(230b)が引き出されており、電極電圧のとり出し
、あるいは電極への電圧印加が可能とがるようになされ
ている。
K接していない電極からは、リード線(230m)、
(230b)が引き出されており、電極電圧のとり出し
、あるいは電極への電圧印加が可能とがるようになされ
ている。
第4図は半導体レーザ加撮部の動作説明図である。金属
製カンチレバー(150)に張り付けられた電歪素子板
(140b)より引き出されたリード線(230b)に
より、前記電歪素子板(140b)の電極電圧が電気信
号増幅装置(180)に入力される。
製カンチレバー(150)に張り付けられた電歪素子板
(140b)より引き出されたリード線(230b)に
より、前記電歪素子板(140b)の電極電圧が電気信
号増幅装置(180)に入力される。
電気信号増幅装置(18G)は、帯域フィルタ(24G
)。
)。
増幅器(25G)および移相器(260)を含み、その
出力電圧をリード線(230a) t−介して、電歪素
子板(140m)に印加する。増幅器(270)の利得
、移相器(24G)による移相量は、前記金属製カンチ
レ/(−(15G)の先端が、自励発゛振によって一定
振幅で安定に振れるように調整される。帯域フィルタ(
240)は、前記金属製カンチレバー(15G)の1つ
の固有振動数に合わせられており、当振動数にて自励発
振が行なわれるよう設けられている。前記金属製カンチ
レバー(150)の自励発振によって半導体レーザ叫は
、レーザ光束■の進行方行(270)とけ垂直な方向に
加振され、このためウオブリングがなされる。なお図に
おける帯域74 A/夕(240)、増幅器(250)
移相器(260) ’の順序は上述のレーザ加
振効果に何ら影響を及ぼすものではなく、これらの順序
は自由に変更してもさしつかえない。また帯域フィルタ
(240)と増幅器(250)を分離して説明したが、
これらは例えばアクティブ帯域フィルタの如く、帯域フ
ィルタと増幅器が一体となった場合にも得られる効果は
同一であることはいうまでもない。
出力電圧をリード線(230a) t−介して、電歪素
子板(140m)に印加する。増幅器(270)の利得
、移相器(24G)による移相量は、前記金属製カンチ
レ/(−(15G)の先端が、自励発゛振によって一定
振幅で安定に振れるように調整される。帯域フィルタ(
240)は、前記金属製カンチレバー(15G)の1つ
の固有振動数に合わせられており、当振動数にて自励発
振が行なわれるよう設けられている。前記金属製カンチ
レバー(150)の自励発振によって半導体レーザ叫は
、レーザ光束■の進行方行(270)とけ垂直な方向に
加振され、このためウオブリングがなされる。なお図に
おける帯域74 A/夕(240)、増幅器(250)
移相器(260) ’の順序は上述のレーザ加
振効果に何ら影響を及ぼすものではなく、これらの順序
は自由に変更してもさしつかえない。また帯域フィルタ
(240)と増幅器(250)を分離して説明したが、
これらは例えばアクティブ帯域フィルタの如く、帯域フ
ィルタと増幅器が一体となった場合にも得られる効果は
同一であることはいうまでもない。
以上述べたように、この発明によれば、偏光ビームスプ
リッタを4端子網として利用するため、半導体レーザか
ら偏光ビームスプリッタに至る光路と、前記偏光ビーム
スプリッタから4分割光検出器に至る光路を空間的には
ぼ重ね合わせるため、光ピツクアップの小形化がなされ
る。またどの発明によれ#f、半導体レーザは小形かつ
単純構造の金属製カンチレバーに熱的接触を保つよう装
置され、前記金属製カンチレバーはその両面に張り付け
られた1対の電歪素子板と、別途設けられた。帯域増幅
器と移相器を含む電気信号増幅装置とにより自、励発振
を行なって前記半導体レーザを一定周波数、一定振幅で
カロ振するため、従来桟用されていた振動鏡の如きウオ
ブリングに専用の光学素子を使用することなくウオブリ
ングがなされるとともに、半導体レーザの小形・軽量性
という特長を損うことなしに良好な放熱がなされ、安定
したレーザ発振が維持される。
リッタを4端子網として利用するため、半導体レーザか
ら偏光ビームスプリッタに至る光路と、前記偏光ビーム
スプリッタから4分割光検出器に至る光路を空間的には
ぼ重ね合わせるため、光ピツクアップの小形化がなされ
る。またどの発明によれ#f、半導体レーザは小形かつ
単純構造の金属製カンチレバーに熱的接触を保つよう装
置され、前記金属製カンチレバーはその両面に張り付け
られた1対の電歪素子板と、別途設けられた。帯域増幅
器と移相器を含む電気信号増幅装置とにより自、励発振
を行なって前記半導体レーザを一定周波数、一定振幅で
カロ振するため、従来桟用されていた振動鏡の如きウオ
ブリングに専用の光学素子を使用することなくウオブリ
ングがなされるとともに、半導体レーザの小形・軽量性
という特長を損うことなしに良好な放熱がなされ、安定
したレーザ発振が維持される。
なおこの発明に係る光ピツクアップの説明においては、
光ピツクアップに必要な0合焦、トラッキング、あるい
はジッタ補正のためのアクチュエータについいは説明を
省略した。これは。
光ピツクアップに必要な0合焦、トラッキング、あるい
はジッタ補正のためのアクチュエータについいは説明を
省略した。これは。
アクチュエータがとにに本発明にとりで主要な要素では
ないためであるが、この発明にようて光ピツクアップの
小形化が実現されるので、従来の4のと異なす、アクチ
ュエータを光ピツクアップ内の光学系部品に組込まず、
光ピツクアップ全体を動かすアクチェ愚−夕にこの発明
で係る光ピツクアップを装着すること本可能となり、第
2図における取付部(28G)は以上のことを考慮して
設けである。
ないためであるが、この発明にようて光ピツクアップの
小形化が実現されるので、従来の4のと異なす、アクチ
ュエータを光ピツクアップ内の光学系部品に組込まず、
光ピツクアップ全体を動かすアクチェ愚−夕にこの発明
で係る光ピツクアップを装着すること本可能となり、第
2図における取付部(28G)は以上のことを考慮して
設けである。
@1図は従来のH・−N・レーザを半導体レーザに置き
かえて設計された光ピツクアップの例を示す図、第2図
はこの発明の実施例を示す図。 第3図は半導体レーザ加振部の斜視図、第4図け半導体
レーザ加振部の動作説明図である。図中催は半導体レー
ザ、 caFi偏光ビームスプリッタ、ωはλ/4波長
板、alは集光レンズ、(2)はディスク、 (12
G)は4分割光検出器、 (140)Fi電歪素子板
、 (150)は金属製カンチレバー、 (160
)VjPL@&、 (17゜)H,ty、−<、 (t
8o)□fiffi4M? ”幅装置、 (240
)は帯域フィルタ、 (250)は増幅器、 −(
260)け移相器である。なお図中同一あるいは 罐
相当部分Klfi同一符号を付して示しである。 代理人 葛 野 信 −
かえて設計された光ピツクアップの例を示す図、第2図
はこの発明の実施例を示す図。 第3図は半導体レーザ加振部の斜視図、第4図け半導体
レーザ加振部の動作説明図である。図中催は半導体レー
ザ、 caFi偏光ビームスプリッタ、ωはλ/4波長
板、alは集光レンズ、(2)はディスク、 (12
G)は4分割光検出器、 (140)Fi電歪素子板
、 (150)は金属製カンチレバー、 (160
)VjPL@&、 (17゜)H,ty、−<、 (t
8o)□fiffi4M? ”幅装置、 (240
)は帯域フィルタ、 (250)は増幅器、 −(
260)け移相器である。なお図中同一あるいは 罐
相当部分Klfi同一符号を付して示しである。 代理人 葛 野 信 −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (11ディスク状記録媒体の情報を読みとるための光ピ
ツクアップにおいて、レーザ発生源である半導体レーザ
と、この半導体レープより前記ディスクに至る光路上に
、#に前記半導体レーザより出射されるレーザ光束をコ
リメートするシリメートレンズと、偏光ビームスプリッ
タと、第1のλ/4波長板と、および前記レーザ光束を
前記ディスク上に集光する集光レンズとが設けられ、一
方前記ディスクによる反射光の光路上には、ディスク側
より順に前記集光レンズと、前記第1Qλ74波長板ト
、前記偏光ビームスプリフタと、第2のξ波長板と、第
1の反射鏡と、前記第2のλ/4波長板と、前記偏光ビ
ームスプリッタと、第3のλ/4波長板と、第2の反射
鏡と、前記第3のλ/4波長板と、前記偏光ビームスプ
リッタと、前記コリメートレンズと、および4分割光検
出器とが設けられていると共に、先端近傍に前記半導体
レーザをろう付は等の手段により熱的接触を保ちつつ装
着した金属製カンチレバーと、前記金属製カンチレバー
の相対向する2面VC,前記半導体レーザとは異なる位
置に各々張り付けられ、かつ前記金属製カンチレバーの
長さ方向に電歪効果によりて伸縮可能な、各々の両面に
電極を有する1対の電歪素子板とが設けられ、N記1対
の電歪素子板のうち第1の電歪素子板の、前記金属製カ
ンチレバーKml、ていない側の電極に生ずる電圧を、
少なくとも帯域通過フィルタ付増幅器と位相変化部を備
えた電気信号増幅装置によって増幅し、前記電気信号層
III装置の出力電圧を前記1対の電歪素子板のうち第
2の電歪素子板の、前記金属製カンチレバーに接してい
ない側の電極に印加することにより前記金属製カンチレ
バーの自励発振を誘起し。 この自動発振による前記金属製力yチレバー(2)偏光
ビームスプリフタとして2つの直角プリズムの斜辺同志
を干渉膜多層フィルタをはさみこんで固定したものを用
い、この直角プリズムの各辺に@lおよび第2および第
3のλ/4波長板を固定したことを特徴とする特許請求
の範囲$ 111項記載の光ピツクアップ。 (31第1の反射鏡、第2の反射鏡のうち少なくと本−
1嘉円筒鏡であることを特徴とする特許請求の範囲第(
11項記載の光ピツクアップ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56105908A JPS589225A (ja) | 1981-07-07 | 1981-07-07 | 光ピックアップ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56105908A JPS589225A (ja) | 1981-07-07 | 1981-07-07 | 光ピックアップ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS589225A true JPS589225A (ja) | 1983-01-19 |
JPS6232529B2 JPS6232529B2 (ja) | 1987-07-15 |
Family
ID=14419962
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56105908A Granted JPS589225A (ja) | 1981-07-07 | 1981-07-07 | 光ピックアップ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS589225A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60129942A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Hitachi Ltd | 光ヘツド装置 |
JPS60132619U (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-04 | パイオニア株式会社 | 光学式情報読取装置におけるピツクアツプ装置 |
JPH02248907A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学鏡筒 |
-
1981
- 1981-07-07 JP JP56105908A patent/JPS589225A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60129942A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Hitachi Ltd | 光ヘツド装置 |
JPS60132619U (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-04 | パイオニア株式会社 | 光学式情報読取装置におけるピツクアツプ装置 |
JPH0333934Y2 (ja) * | 1984-02-15 | 1991-07-18 | ||
JPH02248907A (ja) * | 1989-03-22 | 1990-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学鏡筒 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6232529B2 (ja) | 1987-07-15 |
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